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文檔簡介
2024年廣西職業(yè)院校技能大賽
賽項規(guī)程
賽項序號:131
賽項組別:高職組
賽項名稱:集成電路應用開發(fā)
專業(yè)大類:電子信息
1
一、競賽目的
通過本項目競賽,使高職學生能熟練掌握電子技術(shù)、半導體
器件物理、集成電路原理、C語言程序設(shè)計、EDA技術(shù)、集成電
路設(shè)計與驗證、集成電路版圖設(shè)計、FPGA應用與開發(fā)、集成電
路制造工藝、集成電路封裝技術(shù)、集成電路測試技術(shù)、集成電路
技術(shù)應用等集成電路技術(shù)核心知識和核心技能,促進集成電路技
術(shù)專業(yè)以及相關(guān)專業(yè)建設(shè)與教學改革;推進高職學校與相關(guān)企業(yè)
的合作,更好地實現(xiàn)工學結(jié)合的人才培養(yǎng)模式,為集成電路行業(yè)
培養(yǎng)高素質(zhì)的技能型人才。
二、競賽內(nèi)容
在規(guī)定時間內(nèi)完成集成電路設(shè)計驗證、集成電路工藝仿真、
集成電路測試開發(fā)等3個模塊。具體內(nèi)容如下:
第一模塊:選手在規(guī)定時間內(nèi),根據(jù)現(xiàn)場下發(fā)的競賽賽題,
使用數(shù)字集成電路和模擬集成電路設(shè)計工具實現(xiàn)指定的數(shù)字和
模擬集成電路功能性能,并使用軟硬件工具對所設(shè)計的電路進行
驗證;
第二模塊:選手在規(guī)定時間內(nèi),根據(jù)現(xiàn)場下發(fā)的競賽賽題,
使用集成電路工藝仿真軟件,按照集成電路制造工藝流程,操作
集成電路制造設(shè)備;
第三模塊:選手在規(guī)定時間內(nèi),根據(jù)現(xiàn)場下發(fā)的競賽賽題,
完成集成電路測試系統(tǒng)的搭建、集成電路自動測試代碼的開發(fā),
2
并在集成電路測試平臺完成集成電路測試任務(wù)。
賽項涵蓋的技能點有數(shù)字集成電路和模擬集成電路設(shè)計工
具的使用,集成電路制造設(shè)備的使用,集成電路設(shè)計與驗證,集
成電路版圖設(shè)計,F(xiàn)PGA應用與開發(fā),集成電路測試電路焊接與
搭建,集成電路測試程序編寫與調(diào)試以及集成電路技術(shù)應用等。
選手的創(chuàng)新、創(chuàng)意可以在集成電路設(shè)計與優(yōu)化、集成電路工
藝、集成電路測試程序設(shè)計與優(yōu)化、集成電路測試系統(tǒng)的搭建、
集成電路技術(shù)應用等技術(shù)領(lǐng)域得到發(fā)揮。
三、競賽時間
本賽項比賽時間為240分鐘。在競賽前1小時,選手進行抽
簽,確定技能競賽的工位號。
詳見表1。
表1競賽時間安排表(以正式公布的比賽指南為準)
時間安排
項目日期場次競賽地點
檢錄時間競賽時間
報到當天領(lǐng)隊、選手預備會前提交
技能比賽第1場07:3009:00-13:00
比賽當天
比賽總結(jié)19:30-20:30
四、競賽試題
本賽項不設(shè)理論考試,對操作技能進行綜合考核,技能競賽
題為公開樣題方式,見本賽項規(guī)程的競賽內(nèi)容。
3
五、競賽規(guī)則
(一)參賽資格。
參見2024年廣西職業(yè)院校技能大賽高職組《集成電路應用
開發(fā)》賽項實施方案。
(二)遵循準則。
1.學生必須持本人身份證和參賽證參加比賽。
2.參賽選手出場順序、位置由抽簽決定,不得擅自變更、調(diào)
整。
3.參賽選手提前15分鐘進入賽場,并按照指定位號參加比
賽。遲到15分鐘者,取消比賽資格;比賽開始15分鐘后,選手
方可離開賽場。
4.選手在比賽過程中不得擅自離開賽場,如有特殊情況,需
經(jīng)裁判同意。選手若需休息、飲水或去洗手間等,耗用時間計算
在比賽時間內(nèi)。
5.比賽結(jié)束時,參賽選手應立即停止操作,不得以任何理由
拖延比賽時間。選手操作完成后,在《實際操作現(xiàn)場記錄表》上
簽名確認,方可離開賽場。
六、競賽環(huán)境
(一)競賽環(huán)境安靜、整潔。須設(shè)立緊急疏散通道,醫(yī)療服
務(wù)站。
(二)比賽場地可容納20組隊同時比賽,且滿足賽項比賽
4
所需的設(shè)備設(shè)施。
(三)比賽場地設(shè)置錄像,可在休息室通過視頻觀摩參賽選
手比賽,保證公開、透明。
(四)賽場有志愿服務(wù)人員、配備醫(yī)護人員、醫(yī)療室,同時
有治安人員維護比賽現(xiàn)場秩序與衛(wèi)生。
七、技術(shù)規(guī)范
(一)賽項涉及專業(yè)教學要求
1.集成電路制造工藝設(shè)計能力;
2.芯片檢測與測試技術(shù)應用能力;
3.模擬電路與數(shù)字電路應用能力;
4.焊接、裝配、調(diào)試應用能力;
5.電子測量技術(shù)與儀器應用能力;
6.電子電路設(shè)計與工藝應用能力;
7.集成電路設(shè)計與驗證能力;
8.集成電路版圖設(shè)計能力;
9.FPGA開發(fā)與應用能力;
10.C語言應用開發(fā)能力;
11.計算機通信應用能力。
(二)本賽項遵循以下國家標準和行業(yè)標準
1.SJ/Z11355-2006集成電路IP/SOC功能驗證規(guī)范;
2.SJ20961-2006集成電路A/D和D/A轉(zhuǎn)換器測試方法的基
5
本原理JJG1015-2006通用數(shù)字集成電路測試系統(tǒng)檢定規(guī)程;
3.SJ/T10805-2018半導體集成電路電壓比較器測試方法;
4.ISO9000:2008質(zhì)量管理體系;
5.GB/T15651.3-2003半導體分立器件和集成電路第5-3部
分:光電子器件測試方法;
6.職業(yè)編碼6-26-01-33電子元器件檢驗員國家職業(yè)標準;
7.職業(yè)編碼6-21-04-01電子專用設(shè)備裝調(diào)工國家職業(yè)標準
職業(yè)編碼X2-02-13-06計算機程序設(shè)計員國家職業(yè)標準。
八、技術(shù)平臺
承辦校提供以下設(shè)備設(shè)施均達到國賽標準。賽項設(shè)備及工具
清單見表2。
表2《集成電路應用開發(fā)》賽項設(shè)備明細
序號名稱技術(shù)參數(shù)
一、接口與通信模塊(CM)
1.通信方式:USB3.0;
2.電源指示:六路電源指示燈。
二、參考電壓與電壓測量模塊(VM)
1.參考電壓范圍:-10V~+10V;
2.參考電壓精度:±10mV;
3.電壓測量范圍:-30V~+30V。
三、四象限電源模塊(PV)
1.模塊通道數(shù):4路;
2.最大配置模塊數(shù):2塊;
集成電路測3.電源工作模式:四象限:PV+、PV-、PI+、PI-;
1試平臺4.電壓范圍:-30V~+30V;
5.電流范圍:-500mA~+500mA。
四、數(shù)字功能管腳模塊(PE)
1.模塊通道數(shù):16路;
2.最大配置模塊:4塊;
3.驅(qū)動/比較電平:VIH、VIL/VOH、VOL;
4.驅(qū)動、比較電壓范圍:-10V~+10V;
5.PMU通道:8路。
五、模擬功能模塊(WM)
1.模塊通道數(shù):2路信號源、2路交流表;
2.交流輸出波形:正弦波、三角波、鋸齒波;
6
序號名稱技術(shù)參數(shù)
3.交流驅(qū)動分辨率/精度:16bits/±0.1%;
4.交流輸出濾波器:LPF(10kHz)、LPF(100kHz)、ALLPASS;
5.測量信號種類:交流信號有效值、總諧波失真度。
六、模擬開關(guān)與時間測量模塊(ST)
1.最大配置模塊:2塊;
2.模擬開關(guān):8X16光繼電器矩陣開關(guān);
3.用戶繼電器:16個;
4.用戶時鐘信號:1kHz~1MHz;
5.輸入信號電壓范圍/阻抗:-10V~+10V/50Ω/1MΩ;
6.時間測量精度:10nS;
7.計數(shù)時鐘:100MHz。
1.測試區(qū)1個:支持多種案例測試板測試;
2.練習區(qū)1個:支持自主搭建測試電路;
3.接口區(qū)1個:連接測試機與練習區(qū)數(shù)據(jù)傳輸;
4.案例模塊區(qū):包含多種芯片測試案例模塊;
5.配件區(qū):配置多種測試實驗工具、耗材;
集成電路測6.接口:SCSI100P接口2個、96Pin接口6個;
2試開發(fā)資源7.面包板模塊:90mm*190mm;
系統(tǒng)8.綜合測試模塊:邏輯電路測試,如典型與非門電路測試
9.轉(zhuǎn)接模塊:通過轉(zhuǎn)接板把信號傳輸?shù)綔y試機;
10.配件:SCSI100P連接線2根、適配器1個、Jlink1個、備用
芯片1管、萬用表探針一套、示波器探針一套、杜邦線若干;
11.可支持集成電路測試等相關(guān)領(lǐng)域的教學、培訓與考核。
1.平臺能實現(xiàn)集成電路多種工藝,如晶圓制造工藝、流片工
集成電路制藝、封裝工藝等;
造工藝虛擬2.平臺提供晶圓制造、流片生產(chǎn)、芯片封裝等集成電路制造
3仿真教學平工藝流程的交互式虛擬仿真模型,用戶可進行典型集成電路制
臺造工藝流程的學習和模擬測試,真實體會行業(yè)設(shè)備的運作細
節(jié)。
1.集成電路設(shè)計數(shù)據(jù)中心配備標準化芯片設(shè)計平臺賬戶,可通
過軟件平臺調(diào)用國內(nèi)外典型EDA設(shè)計軟件工具,包含原理圖設(shè)
計工具、電路仿真工具、版圖設(shè)計工具、物理驗證工具、寄生
參數(shù)提取工具、可靠性分析工具等;
4集成電路設(shè)2.具有智能資源管理系統(tǒng)可以快速高效的申請和管理系統(tǒng)硬
計數(shù)據(jù)中心件資源,快速完成計算和存儲資源的擴容和回收,并可以在計
算完成后及時釋放閑置資源;
3.支持不同地點、場景,用戶可遠程隨時隨地連接服務(wù)器,進
行學習練習和項目實戰(zhàn)。
1.FPGA芯片規(guī)格和型號:支持XilinxSpartan7XC7S50及以
上;
2.設(shè)計工具:需提供相應的FPGA設(shè)計工具,如不低于
Vivado2019.1版本等,這些工具提供了設(shè)計流程、仿真、綜合、
布局布線等各種工具和功能,可以協(xié)助設(shè)計師完成設(shè)計、驗證、
5集成電路設(shè)下載等工作;
計驗證平臺3、設(shè)計語言:可以使用HDL語言(如Verilog等)進行FPGA設(shè)
計;
4、仿真工具:支持ModelSim、ISESimulator等;
5、下載工具:支持XilinxJTAG、USBBlaster等;
6、開發(fā)板:提供必要的接口和電源管理電路等。
1、雙核以上處理器,4G以上內(nèi)存,300G以上硬盤,百兆網(wǎng)
6電腦絡(luò)接口,USB接口,Windows7以上操作系統(tǒng);
7
序號名稱技術(shù)參數(shù)
2、電腦預裝軟件包含:2007版及以上Office軟件(或WPS)、
PDF文檔閱讀軟件、FPGA編程工具、集成電路EDA工具調(diào)度軟件
等。
參賽選手應根據(jù)賽項規(guī)定自帶相關(guān)設(shè)備與工具,不得私自攜
帶賽項規(guī)程規(guī)定以外的任何物品。以下通用儀器儀表設(shè)備,由參
賽隊選擇性攜帶:
1.萬用表、恒溫烙鐵、熱風焊臺、直流穩(wěn)壓電源。
2.常用工具箱(帶漏電保護的國標電源插線板、含螺絲刀套
件、防靜電鑷子、吸錫槍、放大鏡、扁嘴鉗、防靜電刷子、芯片
盒、酒精壺、助焊劑、刀片、飛線、導熱硅膠、吸錫線等)。
九、評分標準
(一)制訂原則
大賽裁判工作按照公平、公正、公開的原則進行。以教育部
頒布的職業(yè)學校相關(guān)專業(yè)教學指導方案規(guī)定的應知、應會的要求
為評分原則,依據(jù)參賽選手整體表現(xiàn)綜合評定,全面評價參賽選
手職業(yè)技能水平。
(二)評分方法
1.裁判員選聘。按照職業(yè)院校技能大賽專家和裁判工作管理
辦法相關(guān)制度建立2024年廣西職業(yè)院校技能大賽賽項裁判庫。
裁判長由大賽裁判委員會向大賽組委會推薦,由大賽組委會聘
任。裁判長組建裁判組,執(zhí)行裁判長負責制。
2.裁判員人數(shù)。總?cè)藬?shù)為7人(其中裁判長1人,裁判員6
8
人)。
3.成績審核方法。
(1)參賽隊競賽成績由賽項裁判組統(tǒng)一評定。采用分步得
分、錯誤不傳遞、累計總分的計分方式。競賽名次按照成績總分
從高到低排序。若總成績相同的依次按照集成電路測試開發(fā)、集
成電路設(shè)計驗證、集成電路工藝仿真成績排名模塊分數(shù)高的排名
在前。
(2)賽項總成績滿分100分,只對參賽隊團體評分,不計
個人成績。
(3)最終成績構(gòu)成
賽項最終成績由安全操作規(guī)范、集成電路設(shè)計驗證、集成電
路工藝仿真、集成電路測試開發(fā)等四部分成績求和,并減去扣分
項得到。
(4)在競賽過程中,參賽選手如有作弊、不服從裁判判決、
擾亂賽場秩序等行為,裁判長按照規(guī)定(詳情見評分表3中違紀
情況說明)扣減相應分數(shù)。情節(jié)嚴重的取消競賽資格,競賽成績
記為零分。
(5)各項打分均由裁判員簽字,現(xiàn)場工作人員對裁判員的
成績進行核對無誤后送至統(tǒng)分室進行成績錄入。成績錄入完畢
后,工作人員交換崗位進行核對,無誤后,按照各項成績所占比
例統(tǒng)計選手最終成績并排名,打印完畢交至裁判長審核簽字。
4.成績公布方法。
9
競賽成績經(jīng)審核無誤后,由裁判長在成績匯總表上簽字并通
過通告欄進行公布。若有異議,經(jīng)過規(guī)定程序仲裁后,按照仲裁
結(jié)果確定競賽成績。
(三)評分標準
評分標準具體見表3所示。
表3《集成電路應用開發(fā)》賽項評分標準
序號評分模塊評分細則分值評分方式
模擬電路原理圖設(shè)計符合要求,評分
依據(jù)其仿真功能是否與題目要求一致5
模擬電路版圖設(shè)計符合要求,評分依
據(jù)其DRC檢查和LVS驗證結(jié)果5
集成電路設(shè)用硬件描述語言設(shè)計數(shù)字電路,功能
1計驗證(25%)符合要求,評分依據(jù)其仿真功能是否5結(jié)果評分(客觀)
與題目要求一致
FPGA應用系統(tǒng)擴展板焊接裝配,以及
與核心板連接正確5
數(shù)字電路能正確下載,驗證功能可以
正確實現(xiàn)5
采用虛擬仿真軟件對集成電路制造工
藝流程相關(guān)知識考核,根據(jù)結(jié)果自動10
評分
2集成電路工結(jié)果評分(客觀)
藝仿真(25%)采用虛擬仿真軟件對集成電路制造工
藝流程操作技能進行考核,根據(jù)結(jié)果15
自動評分
數(shù)字電路功能和參數(shù)測試,評分依據(jù)15
為是否與賽題和芯片數(shù)據(jù)手冊符合
集成電路測模擬電路參數(shù)測試,評分依據(jù)為是否15
3試開發(fā)(45%)在數(shù)據(jù)手冊范圍之內(nèi)結(jié)果評分(客觀)
綜合電路及工業(yè)級芯片功能和參數(shù)測
試,評分依據(jù)為是否與賽題和芯片數(shù)15
據(jù)手冊符合
1.安全用電
4安全操作規(guī)2.環(huán)境清潔5過程評分(客觀)
范(5%)3.操作規(guī)范
超過規(guī)定時間補領(lǐng)元器件(每個)1
過程評分(客觀)
更換電路板套件(限1次)5
5扣分項
違紀扣分:干擾、影響其他參賽隊競違紀分為一、二、
賽、競賽操作不當造成設(shè)備損壞或事5-20三級,分別扣除
故、選手攜帶禁帶物品、參賽選手作5、10、20分。情
10
序號評分模塊評分細則分值評分方式
弊行為、其他違紀情況等節(jié)特別惡劣,可
取消成績
十、獎項設(shè)定
參見2024年廣西職業(yè)院校技能大賽高職組《集成電路應用
開發(fā)》賽項實施方案。
十一、賽項安全管理
(一)賽場組織與管理員應制定安保須知、安全隱患規(guī)避方
法及突發(fā)事件預案,設(shè)立緊急疏散路線及通道等。確保比賽期間
所有進入賽點車輛、人員需憑證入內(nèi);嚴禁攜帶易燃易爆等危險
品及比賽嚴令禁止的物品進入場地;場地設(shè)備設(shè)施均可安全使
用。
(二)參賽選手在參賽過程中,必須服從場內(nèi)裁判及工作人
員的指揮,嚴格按照制作規(guī)程進行操作,正確使用器具及設(shè)備。
(三)賽場設(shè)置警戒線,賽場24小時有人看管;比賽前兩
天起,賽場實行全方位封閉,除工作人員外,選手和指導老師等
非工作人員不準進場。賽場設(shè)置聯(lián)網(wǎng)的監(jiān)控體系,可以對賽場進
行24小時監(jiān)控。
(四)裁判員在比賽前,宣讀安全注意事項,當現(xiàn)場出現(xiàn)突
發(fā)事件時,應及時給予處置。
(五)進入賽場人員要嚴格遵守賽場秩序,服從賽場工作人
員的引導和安排;要愛護現(xiàn)場各類物品,愛護公共環(huán)境;遇到問
題和意外事件及時向現(xiàn)場工作人員咨詢以尋求幫助;遇到特殊
11
情況,服從大賽統(tǒng)一指揮。
(六)因參賽隊伍原因造成重大安全事故的,取消其獲獎資
格;參賽隊伍有發(fā)生重大安全事故隱患,經(jīng)賽場工作人員提示、
警告無效的,可取消其繼續(xù)比賽的資格。
十二、申訴與仲裁的程序
(一)參賽隊對不符合賽項規(guī)程規(guī)定的儀器、設(shè)備、工裝、
材料、物件、計算機軟硬件、競賽使用工具、用品;競賽執(zhí)裁、
賽場管理、競賽成績,以及工作人員的不規(guī)范行為等,可向賽項
裁判長及大賽仲裁委員會提出申訴。
(二)申訴主體為參賽隊領(lǐng)隊。
(三)申訴啟動時,參賽隊以該賽項領(lǐng)隊親筆簽字同意的書
面報告遞交材料。報告應對申訴事件的現(xiàn)象、發(fā)生時間、涉及人
員、申訴依據(jù)等進行充分、實事求是的敘述。非書面申訴不予受
理。
(四)提出申訴的時間應在比賽結(jié)束后(選手賽場比賽內(nèi)容
全部完成)2小時內(nèi),超過時效不予受理。
(五)賽項裁判長在接到申訴報告后的2小時內(nèi)組織復議,
并及時將復議結(jié)果以書面形式告知申訴方。申訴方對復議結(jié)果仍
有異議,可由該賽項領(lǐng)隊代表參賽學校遞交加蓋學校公章的書面
報告向大賽仲裁委員會提出申訴。大賽仲裁委員會的仲裁結(jié)果為
最終結(jié)果。
(六)申訴方不得以任何理由拒絕接收仲裁結(jié)果;不得以任
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何理由采取過激行為擾亂賽場秩序;仲裁結(jié)果由申訴人簽收,不
能代收;如在約定時間和地點申訴人離開,視為自行放棄申訴。
(七)申訴方可隨時提出放棄申訴。
(八)申訴方必須提供真實的申訴信息并嚴格遵守申訴程
序,提出無理申訴或采取過激行為擾亂賽場秩序的應給予取消參
賽成績等處罰。
十三、競賽觀摩
(一)觀摩對象。
全區(qū)相關(guān)行業(yè)職業(yè)教育院校代表、優(yōu)秀教育工作者、專家學
者、大型企業(yè)領(lǐng)導者、業(yè)界精英、專業(yè)學生等。
(二)觀摩方法及紀律要求。
參加觀摩的代表須遵守大賽紀律,按照大賽組委會的組織有
序觀摩。比賽期間,保持觀摩室安靜。凡觀摩人員均不得進入賽
場內(nèi)部進行拍照、交流、觀看。
十四、競賽須知
(一)大賽人員須知。
為確保大賽工作安全、有序開展,涉及大賽工作的人員應自
查健康狀況,一旦發(fā)現(xiàn)身體有不適癥狀,及時向所在單位報告,
并盡快就診檢查。
(二)參賽隊須知。
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1.參賽隊名稱統(tǒng)一使用選手所在學校全稱,團體賽不接受跨
校組隊報名。
2.參賽選手在報名資格審查通過后,原則上不再更換,如
備賽過程中,選手因身患疾病或不可抗拒原因不能參賽,所在學
校需于開賽10個工作日前出具書面報告并按相關(guān)參賽選手資格
補充人員并接受審核。競賽開始后,參賽隊不得更換參賽選手,
若有參賽隊員缺席,則視為自動放棄競賽團體名次排名。
3.參賽隊對大賽組委會發(fā)布的所有文件都要仔細閱讀,確切
了解大賽時間安排、評判細節(jié)等,以保證順利參加比賽。
4.參賽隊按照大賽賽程安排,憑有效身份證件、大賽組委會
頒發(fā)的參賽證參加競賽及相關(guān)活動。
5.參賽隊將通過抽簽決定比賽場地和比賽順序。
6.對于本規(guī)則沒有規(guī)定的行為,裁判組有權(quán)做出裁決。在有
爭議的情況下,大賽仲裁委員會的裁決是最終裁決。
7.本競賽項目的解釋權(quán)歸大賽組委會。
(三)指導教師、賽項領(lǐng)隊須知。
1.做好賽前抽簽工作,確認比賽出場順序,協(xié)助大賽承辦單
位組織好本單位選手參賽。
2.做好本單位參賽選手的業(yè)務(wù)輔導、心理疏導和思想引導工
作,對參賽選手比賽過程報以平和、包容的心態(tài),共同維護競賽
秩序。
3.自覺遵守競賽規(guī)則,尊重和支持裁判工作,不隨意進入比
14
賽現(xiàn)場及其他禁止入內(nèi)的區(qū)域,確保比賽進程的公平、公正、順
暢、高效。
4.做好參賽隊伍比賽全過程管理和出行安全教育。
(四)參賽選手須知。
1.參賽選手報到后,憑身份證領(lǐng)取參賽證。參賽證為選手參
賽的憑據(jù)。參賽選手一經(jīng)確認,中途不得任意更換,否則以作弊
論處,其所在參賽隊不得參與團體獎項的排名,其個人不得參與
個人名次排名。
2.參賽選手應持參賽有效證件,按競賽順序、項目場次和競
賽時間,提前30分鐘到各考核項目指定地點接受檢錄、抽簽決
定競賽工位號、機位號等。
3.檢錄后的選手,應在工作人員的引進下,提前15分鐘到
達競賽現(xiàn)場,從競賽計時開始,比賽開始15分鐘后,選手未到
即取消該項目的參賽資格。
4.參賽選手進入賽場,應佩戴參賽證,做到衣著整潔,符合
安全生產(chǎn)及競賽要求。
5.比賽需連續(xù)進行,比賽一旦計時開始不能無故終止比賽。
比賽過程中,參賽選手必須嚴格遵守競賽紀律,并接受裁判員的
監(jiān)督和警示。若比賽過程中出現(xiàn)設(shè)備問題,由裁判長視具體情況
做出裁決,并現(xiàn)場記錄予以加時。
6.參賽選手應認真閱讀各項目競賽操作須知,自覺遵守賽場
紀律,按競賽規(guī)則、項目與賽場要求進行競賽,不得攜帶任何書
15
面或電子資料、U盤、手機等電子或通訊設(shè)備進入賽場,不得有
任何舞弊行為,否則視情節(jié)輕重執(zhí)行賽場紀律。
7.競賽期間,競賽選手應服從裁判評判,若對裁判評分產(chǎn)生
異議,不得與裁判爭執(zhí)、頂撞。
8.參加技能操作競賽的選手如提前完成作業(yè),選手應在指定
的區(qū)域等待,經(jīng)裁判同意方可離開賽場。
9.競賽過程中如因競賽設(shè)備或檢測儀器發(fā)生故障,應及時報
告裁判,不得私自處理,否則取消本場次比賽資格。
10.技能大賽參賽作品的版權(quán)歸大賽組委會所有,由大賽組
委會統(tǒng)一使用與管理。
十五、本競賽項目的最終解釋權(quán)歸大賽組委會。
16
附件:
集成電路應用開發(fā)樣題
集成電路應用開發(fā)賽項來源于集成電路行業(yè)真實工作任務(wù),
由“集成電路設(shè)計驗證”、“集成電路工藝仿真”、“集成電路
測試開發(fā)”三個模塊組成。
一、集成電路設(shè)計驗證
(一)子任務(wù)1
使用集成電路設(shè)計軟件,根據(jù)下面功能要求,使用0.18μm
工藝PDK,設(shè)計集成電路原理圖并進行功能仿真;在此基礎(chǔ)上完
成版圖設(shè)計和驗證。
1.任務(wù)要求
設(shè)計一個鑒幅器,它有兩個穩(wěn)定狀態(tài),從一個狀態(tài)到另一個
狀態(tài)的轉(zhuǎn)換取決于輸入信號的幅度,可以將非矩形脈沖變成矩形
脈沖。
2.操作過程
(1)根據(jù)給定的工藝庫選擇P和N兩種MOS管,其溝道長度
均為1.5μm,MOS管數(shù)量盡量少。
(2)設(shè)置電路引腳,包括1個電源VCC(電源值為5V)、
1個地信號GND、1個輸入信號端VIN、1個信號輸出端
VOUT。
(3)根據(jù)裁判現(xiàn)場抽取確定VTP、VTN值,選手運行仿真程
17
序,確定相應管子的溝道寬度,并展示輸出結(jié)果。
(4)完成版圖設(shè)計,需考慮放置焊盤和布局的合理性,
并且版圖面積盡量小。
(5)通過DRC檢查與LVS驗證。
3.現(xiàn)場評判要求
(1)只允許展示已完成的電路圖、仿真圖、DRC檢查和LVS
驗證結(jié)果、版圖及尺寸。
(2)不能進行增加、刪除、修改、連線等操作。
(二)子任務(wù)2
利用給定的FPGA芯片內(nèi)部資源,根據(jù)要求設(shè)計邏輯模塊,
完成功能仿真驗證并下載至FPGA芯片驗證功能。
1.任務(wù)要求
(1)FPGA應用系統(tǒng)板開發(fā)
比賽用FPGA應用系統(tǒng)板分成兩部分,一部分是比賽現(xiàn)場提
供的已經(jīng)設(shè)計完成的FPGA應用基礎(chǔ)板,另外一部分是需要選手
設(shè)計焊接的FPGA應用開發(fā)板。
首先根據(jù)比賽所提供的PCB板和電子元器件以及相關(guān)裝配
圖等,進行FPGA應用開發(fā)板的設(shè)計及焊接;在此基礎(chǔ)上將比賽
現(xiàn)場提供的FPGA應用基礎(chǔ)板裝接到FPGA應用開發(fā)板上,形成
完整的FPGA應用系統(tǒng)板。
(2)FPGA程序設(shè)計與下載驗證
設(shè)計一個狀態(tài)機,該狀態(tài)機包括1個時鐘信號,1個信號
18
輸入端IN和3個信號輸出端OUT1、OUT0、HZ。狀態(tài)機的狀態(tài)
轉(zhuǎn)移要求如表1所示,在CLK上升沿觸發(fā)進行狀態(tài)轉(zhuǎn)移。比賽
選手采用VerilogHDL語言,并使用相關(guān)軟件完成電路設(shè)計和
功能仿真,并將設(shè)計下載到FPGA應用系統(tǒng)板上進行功能驗證。
表1狀態(tài)轉(zhuǎn)移表
序號狀態(tài)轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)移條件
100—>010/0
201—>100/0
310—>110/0
411—>000/1
500—>111/1
611—>101/0
710—>011/0
801—>001/0
2.操作過程
(1)采用FPGA應用系統(tǒng)板頻率為32MHz的晶振;
(2)選手設(shè)計一個分頻器,將32MHz進行分頻,產(chǎn)生的信
號作為表1所示狀態(tài)機的時鐘輸入;
(3)設(shè)計表1所示的狀態(tài)機;
(4)使用VerilogHDL設(shè)計七段數(shù)碼管譯碼電路;
(5)將OUT1OUT0組合的二進制數(shù)經(jīng)譯碼后,送到FPGA應
用系統(tǒng)擴展板的七段數(shù)碼管上進行顯示,從數(shù)碼管上直接讀出
0,1,2,3這四個數(shù)。
3.現(xiàn)場評判要求
(1)只允許展示已完成的電路圖、驗證結(jié)果等。
19
(2)FPGA系統(tǒng)板不能進行增加、刪除、修改、連線等操作。
20
二、集成電路工藝仿真
(一)子任務(wù)1
基于集成電路工藝仿真平臺,回答集成電路制造環(huán)節(jié)相關(guān)知
識方面的問題。
1.單選題
(1)將預行制好的掩膜版直接和涂有光刻膠的晶片表面接
觸,再用紫外光照射來進行曝光的方法,稱為()曝光。
A、接觸式
B、接近式
C、投影式
D、掃描式
(2)用四氯化硅氫還原法進行硅提純時,通過()可以得
到高純度的四氯化硅。
A、高溫還原爐
B、精餾塔
C、多晶沉積設(shè)備
D、單晶爐
(3)視頻中是某臺正在作業(yè)的設(shè)備,當該區(qū)域的液體供應
不足時,可能會造成下列選項中的哪種現(xiàn)象?()
21
A、切割崩邊
B、晶粒脫離藍膜
C、劃片位置偏移
D、藍膜開裂
(4)避光測試是通過顯微鏡觀察到待測點位置、完成扎針
位置的調(diào)試后,用()遮擋住晶圓四周,完全避光后再進行測試。
A、氣泡膜
B、不透明袋
C、黑布
D、白布
(5)在視頻中,()不屬于沒有被粘接而留在藍膜上的晶
粒。
A.崩邊
B.正常良品
C.針印過深
D.針印偏出PAD點
(6)濺射法是由()轟擊靶材表面,使靶原子從靶表面飛
22
濺出來淀積在襯底上形成薄膜。
A、電子
B、中性粒子
C、負離子
D、帶能離子
(7)通常一個片盒中最多裝()片晶圓。
A、15
B、20
C、25
D、30
(8)利用全自動探針臺進行扎針測試時,關(guān)于上片的步
驟,下列所述正確的是()。
A、打開蓋子→片盒放置→片盒下降→片盒到位→片盒
固定→合上蓋子
B、打開蓋子→片盒放置→片盒到位→片盒下降→片盒固定
→合上蓋子
C、打開蓋子→片盒放置→片盒下降→片盒固定→片盒到位
→合上蓋子
D、打開蓋子→片盒放置→片盒固定→片盒下降→片盒到位
→合上蓋子
(9)晶圓切割的作用是()。
A、對晶圓邊緣進行修正
23
B、將完整的晶圓分割成單獨的晶粒
C、在完整的晶圓上劃出切割道的痕跡,方便后續(xù)晶粒的分
離
D、切除電氣性能不良的晶粒
(10)點銀漿時,銀漿的覆蓋范圍需要()。
A、小于50%
B、大于50%
C、大于75%
D、不小于90%
2.多選題
(1)雜質(zhì)以恒定的表面雜質(zhì)濃度源源不斷的通入,該擴
散過程稱為()。
A、恒定源擴散
B、預淀積
C、有限源擴散
D、再分布
(2)工藝用水中可能存在的污染物有()。
A、顆粒
B、細菌
C、有機物
D、溶解氧
(3)晶圓框架盒的主要作用為()。
24
A、固定并保護晶圓,避免其隨意滑動而發(fā)生碰撞口B、用
于儲存晶圓的容器
C、保護藍膜,防止晶圓上的藍膜受到污染
D、便于周轉(zhuǎn)搬運
(4)二氧化硅作為選擇性擴散掩蔽層的條件有()。
A、二氧化硅膜足夠厚
B、二氧化硅性質(zhì)比較穩(wěn)定
C、雜質(zhì)在二氧化硅中的擴散系數(shù)遠遠小于在硅中的擴散系
數(shù)
D、二氧化硅的絕緣性比較好
(5)摻氯氧化的好處是()。
A、降低固定氧化物電荷
B、對Na+俘獲和中性化
C、能抑制氧化層錯
D、迫使原子更快的穿越氧化層
(6)光刻膠的最重要的性能指標有()。
A、靈敏度
B、分辨率
C、粘附性
D、抗蝕性
(7)切片是拋光片制備中一道重要的工序,因為這一工
序基本上決定了硅片的四個重要參數(shù),即晶向以及()。
25
A、平行度
B、直徑
C、翹度
D、厚度
(8)軟烘(softbake)的目的是什么?()。
A、將硅片上覆蓋的光刻膠溶劑去除
B、增強光刻膠的粘附性以便在顯影時光刻膠可以很好
地粘附
C、緩和在旋轉(zhuǎn)過程中光刻膠膜內(nèi)產(chǎn)生的應力
D、使顯影后的膠膜更加堅硬
(9)在全自動探針臺上進行扎針調(diào)試時,需要根據(jù)晶圓測
試隨件單在探針臺輸入界面輸入的信息包括()。
A、晶圓產(chǎn)品名稱
B、晶圓印章批號
C、晶圓片號
D、晶圓尺寸
(10)砷化鎵的濕法腐蝕溶液包括()。
A、HF
B、H2SO4
C、H2O2
D、H2O
(二)子任務(wù)2
26
基于集成電路工藝仿真平臺,進行集成電路制造環(huán)節(jié)相關(guān)技
能方面的操作。
1.晶圓清洗
(1)考核技能點
考查清洗劑的使用、清洗時間和溫度、氣體噴射參數(shù)等。
(2)具體操作
在虛擬仿真中通過設(shè)置拋光片清洗設(shè)備參數(shù)、執(zhí)行工藝流程
并以操作、圖片或問答的形式考查對清洗的目的、清洗劑的類型、
不同有機污染物的處理方法等內(nèi)容。
2.擴散工藝
(1)考核技能點
考查操作氧化爐進行擴散工藝,并在爐管內(nèi)開始擴散的過
程,同時為保證后續(xù)工藝質(zhì)量,需要檢驗擴散層的質(zhì)量,確認本
次擴散情況,同時監(jiān)控氧化爐工作是否正常。
(2)具體操作
在虛擬仿真中通過設(shè)置氧化爐的設(shè)備參數(shù)、執(zhí)行工藝流程并
以操作、圖片或問答的形式考查對雜質(zhì)源選擇、溫度控制、擴散
時間及速率等工藝流程的理解。
3.離子注入
(1)考核技能點
考查對離子注入技術(shù)的認知與設(shè)備參數(shù)設(shè)置,通過設(shè)置所需
的半導體摻雜類型,并能夠在注入完成后退火以緩和注入過程中
27
的損傷。
(2)具體操作
在虛擬仿真中通過設(shè)置離子注入機的設(shè)備參數(shù)、執(zhí)行工藝流
程并以操作、圖片或問答的形式考查對雜質(zhì)摻入、電學性質(zhì)改變、
硬化表面等工藝流程的理解。
4.晶圓減薄與劃片
(1)考核技能點
考查準確設(shè)置減薄機與劃片機工作參數(shù)的能力。
(2)具體操作
在虛擬仿真中需要選擇適當?shù)牡毒咭约皽蚀_設(shè)置刀具參數(shù)
的能力,如刀盤速度、刀盤深度;劃片工藝中調(diào)節(jié)參數(shù)的能力,
如刀盤壓力、過渡速度等。檢查劃片面質(zhì)量,測量劃片線的精度
和平整度等。
5.注塑與電鍍?nèi)ヒ缌?/p>
(1)考核技能點
考查塑封和電鍍?nèi)ヒ缌霞夹g(shù)的認知與設(shè)備參數(shù)設(shè)置,通過塑
封膠注保護和封裝集成電路芯片,并通過電鍍的方式去除溢出金
屬料。
(2)具體操作
在虛擬仿真中通過設(shè)置注塑機與電鍍機等的設(shè)備參數(shù)、執(zhí)行
工藝流程并以操作、圖片或問答的形式考查對塑封膠注入時間、
固化溫度、電鍍處理、清洗等工藝流程的理解。
28
三、集成電路測試開發(fā)
參賽選手從現(xiàn)場下發(fā)的元器件中選取待測試芯片及工裝所
需元件和材料,參考現(xiàn)場下發(fā)的技術(shù)資料(芯片手冊、元器件清
單等),在規(guī)定時間內(nèi),按照相關(guān)電路原理與電子裝接工藝,設(shè)
計、焊接、調(diào)試工裝板,搭建和配置測試環(huán)境,使用測試儀器與
工具,實施并完成測試任務(wù)。
集成電路測試共分為數(shù)字集成電路測試、模擬集成電路測試
和專用集成電路測試三項子任務(wù)。
(一)子任務(wù)一:數(shù)字集成電路測試
例如待測芯片:譯碼器
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