模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)-知識(shí)點(diǎn)總結(jié)

第一章SiGe)本征半導(dǎo) 純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體兩種載流 帶有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子雜質(zhì)半導(dǎo) 在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體體現(xiàn)的是半導(dǎo)*P型半導(dǎo)體: *N型半導(dǎo)體: *載流子的濃 多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關(guān)*體電 通常把雜質(zhì)半導(dǎo)體自身的電阻稱為體電阻*轉(zhuǎn) 通過(guò)改變摻雜濃度，一種雜質(zhì)半導(dǎo)體可以改型為另外一種雜質(zhì)半PNPN結(jié)的接觸電位 硅材料約為0.6~0.8V，鍺材料約為0.2~0.3VPN結(jié)的單向?qū)щ?正偏導(dǎo)通，反偏截止PN*單向?qū)щ?正向?qū)?，反向截?二極管伏安特 同ＰＮ結(jié)*正向?qū)▔?硅管0.6~0.7V，鍺管0.2~0.3V*死區(qū)電 硅管0.5V，鍺管0.1V3.分析方 將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低若V陽(yáng)>V陰(正偏)，二極管導(dǎo)通(短路);V陽(yáng)<V陰1）*總的解題手 將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低若V>V若V<V**穩(wěn)壓二極管的特 正常工作時(shí)處在PN結(jié)的反向擊穿區(qū)，所以穩(wěn)壓二極管第二章三極管及其基本放大電路 類 分為NPN和PNP兩種特 基區(qū)很薄，且摻雜濃度最低；發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，與基區(qū)接二 三極管的工作原式 稱為穿透電流*溫度升高ICBO、ICEO、IC以及β均增加。 rbe表示；hfe---輸出端交流短路時(shí)的正向電流傳輸 VTVCCRbRc、C1、C2組成原 能放大、不失真、能傳輸****VCC=ICRC+UCE*Rb：QRc：QIBQ****QVCCVCCUCEQ+ICQRL’的*失真現(xiàn)象---NPN，PNP*失真現(xiàn)象---NPN，PNP*RbRcVCC*當(dāng)（UCEQ－UCES）＜（VCCUCEQ）時(shí)，受飽和失真限制，UOPP=2UOMAX=2（UCEQ－UCES*當(dāng)（UCEQ－UCES）＝（VCCUCEQ，放大器將有最大的不失真輸出電壓。六.放大電路的等效電路法（1） 七.分壓式穩(wěn)定工作點(diǎn)共七.分壓式穩(wěn)定工作點(diǎn)共放大電路的等效電射**1， 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）（可變電阻區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū) UP-----截止電 二.絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管*N-EMOSN-EMOS式中，IDOUGS=2UTiD值。N-DMOSgmE-MOSgm---或 一.功率放大電路的三種工作狀360o，I二.乙類功放電路的指標(biāo)估算輸出功率管 三.甲乙類互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路甲乙類雙電源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大器 OTLC2VCC/2，OCLVCC。四.復(fù)合管的組成及特點(diǎn)c-eb-c第六章集成運(yùn)算放大電路 輸入 采用差放電路，以減小零漂中間 多采用共射(或共源)放大電路，以提高放大倍數(shù)輸出 多采用互補(bǔ)對(duì)稱電路以提高帶負(fù)載能力偏置電 多采用電流源電路，為各級(jí)提供合適的靜態(tài)電流TiC1、iC2iE1、iE2uEuBE1、uBE2iB1、iB2iC1、2VT13.3.VT1VT2三 集成運(yùn)放的電壓傳輸特當(dāng)uI在+Uim與-Uim之間，運(yùn)放工作在線性 域開環(huán)電壓放大倍數(shù)差模輸入電阻輸出電阻u+>u-時(shí)，uo=+Uom第七章當(dāng)ＡＦ＝－１Ａｆ反饋的范 本級(jí)或級(jí)間反饋的性 交流、直流或交直流反饋的取 （輸出短路時(shí)反饋消失（輸出短路時(shí)反饋不消失反饋的方 并聯(lián)反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以Rs反饋極 瞬時(shí)極性法高用+表示，降低用－表示。XiXf的極性，確定凈輸入信號(hào)的大小。Xid減小為負(fù)反饋；Xid增大為正反饋。*1+AF*1+AF*1+AF五.自激振蕩產(chǎn)生的原因和條件 R2 即幅值平衡條件：相位條件:放大電 建立和維持振蕩正反饋網(wǎng) 與放大電路共同