(電子行業(yè))企業(yè)管理微電子器件劉剛前三章課后答案

(電子行業(yè))企業(yè)管理微電案1.1為什么經(jīng)典物理無法準(zhǔn)確描述電子的狀態(tài)？在量子力學(xué)中的狀態(tài)。子波動(dòng)性的頻率和波矢。比于。1.3試從能帶的角度說明導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體在導(dǎo)電性能上的差異。就具有良好的導(dǎo)電能力。度也是隨著溫度變化的。1.5什么是施主雜質(zhì)能級(jí)？什么是受主雜質(zhì)能級(jí)？它們有何異中，稱之為施主雜質(zhì)能級(jí)。同理，當(dāng)半導(dǎo)體中摻入受主雜質(zhì)后，受主雜質(zhì)能級(jí)。電子躍遷進(jìn)入導(dǎo)帶，其結(jié)果向?qū)峁﹤鲗?dǎo)電遷進(jìn)入受主能級(jí)，其結(jié)果向價(jià)帶提供傳導(dǎo)電流的空穴。體所摻雜質(zhì)是受主雜質(zhì)，主要靠空穴導(dǎo)電，空穴是多數(shù)載流子，電子是少數(shù)載流子。雜質(zhì)帶有正電荷，電離以前的雜質(zhì)是電中性的。解：遷移率是描述載流子在電場(chǎng)作用下輸運(yùn)能力的一擴(kuò)散系數(shù)是描述載流子在其濃度梯度作用下輸運(yùn)能力的物理量。二者可以通過以下愛因斯坦關(guān)系建立聯(lián)系：關(guān)。漂移運(yùn)動(dòng)是半導(dǎo)體中的載流子在電場(chǎng)力作用下的定向運(yùn)動(dòng)。其強(qiáng)弱只與電場(chǎng)的大小成正比，與載流子的分布沒有關(guān)系。率f(E)服從費(fèi)米-狄拉克分布充能帶水平的標(biāo)志性參數(shù)，也稱為熱平衡系統(tǒng)的化學(xué)勢(shì)。入下有非平衡載流子存在時(shí)，為了描述導(dǎo)帶電子在導(dǎo)帶各能級(jí)上的分布以及價(jià)帶空穴在價(jià)帶各個(gè)能級(jí)上的分布而引入的一都處于平衡分布。1.11什么是擴(kuò)散長度？擴(kuò)散長度與非平衡少數(shù)載流子壽命有何和少數(shù)載流子。所以，多數(shù)載流子對(duì)電流的貢獻(xiàn)占據(jù)主要地位，而少數(shù)載流子對(duì)電流的貢獻(xiàn)卻可以忽略不計(jì)。解：查表可知，磷作為硅晶體中的施主雜質(zhì)，其電離能為,硼作上述結(jié)果說明，施主能級(jí)上的電子幾乎全部電離。上述計(jì)算結(jié)果說明受主能級(jí)上的空穴幾乎全部被電離。解：若假設(shè)非簡并的條件為,那么，非簡并時(shí)導(dǎo)帶電子濃度為1.4某單晶硅樣品中每立方厘米摻有個(gè)硼原子，試計(jì)算時(shí)該樣品度。1.8假設(shè)有一塊摻有施主雜質(zhì)的硅樣品，其截面積為，長度為。解：摻有施主雜質(zhì)濃度的硅樣品，其電子濃度為，再查P.22可再查P.22圖1.4.2可得空穴遷移率為，于是電子電流