標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 44791-2024 集成電路三維封裝 帶凸點(diǎn)圓片減薄工藝過(guò)程和評(píng)價(jià)要求》是一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),主要針對(duì)集成電路領(lǐng)域中帶凸點(diǎn)圓片(即已形成焊球或柱狀凸點(diǎn)的晶圓)在進(jìn)行三維封裝前需要經(jīng)歷的減薄處理步驟及其相關(guān)質(zhì)量評(píng)估標(biāo)準(zhǔn)。該標(biāo)準(zhǔn)旨在規(guī)范行業(yè)內(nèi)對(duì)于此類特殊工藝的操作流程與技術(shù)指標(biāo),確保產(chǎn)品質(zhì)量一致性及可靠性。
標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容涵蓋了從原料準(zhǔn)備到最終成品檢測(cè)整個(gè)過(guò)程中涉及的關(guān)鍵環(huán)節(jié),包括但不限于:
- 材料選擇:規(guī)定了適用于減薄處理的原始晶圓類型、尺寸以及表面狀態(tài)等基本屬性。
- 設(shè)備要求:明確了用于執(zhí)行減薄操作所需機(jī)械設(shè)備的技術(shù)參數(shù),如精度控制范圍、工作環(huán)境條件等。
- 工藝流程:詳細(xì)描述了從裝載晶圓開始直至完成減薄為止的一系列具體步驟,例如清洗、定位、磨削/拋光等,并對(duì)每一步驟給出了推薦的最佳實(shí)踐方法。
- 質(zhì)量控制:設(shè)定了減薄后晶圓應(yīng)達(dá)到的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),包括厚度均勻性、表面粗糙度、殘余應(yīng)力等方面的具體數(shù)值限制;同時(shí)提供了相應(yīng)的測(cè)試手段以驗(yàn)證是否符合這些要求。
- 安全環(huán)保:強(qiáng)調(diào)在整個(gè)生產(chǎn)過(guò)程中必須遵守的安全操作規(guī)程以及廢棄物處理辦法,確保不會(huì)對(duì)人體健康造成危害或?qū)Νh(huán)境產(chǎn)生負(fù)面影響。
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....
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- 即將實(shí)施
- 暫未開始實(shí)施
- 2024-10-26 頒布
- 2025-05-01 實(shí)施
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GB/T 44791-2024集成電路三維封裝帶凸點(diǎn)圓片減薄工藝過(guò)程和評(píng)價(jià)要求-免費(fèi)下載試讀頁(yè)文檔簡(jiǎn)介
ICS31200
CCSL.55
中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T44791—2024
集成電路三維封裝帶凸點(diǎn)圓片減薄工藝
過(guò)程和評(píng)價(jià)要求
Integratedcircuit3Dpackaging—Requirementforbumping-wafer-thining
processandevaluation
2024-10-26發(fā)布2025-05-01實(shí)施
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布
國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
GB/T44791—2024
目次
前言
…………………………Ⅲ
范圍
1………………………1
規(guī)范性引用文件
2…………………………1
術(shù)語(yǔ)定義和縮略語(yǔ)
3、………………………1
術(shù)語(yǔ)和定義
3.1…………………………1
縮略語(yǔ)
3.2………………2
一般要求
4…………………2
設(shè)備儀器和工裝夾具
4.1、………………2
材料
4.2…………………3
注意事項(xiàng)
4.3……………3
詳細(xì)要求
5…………………3
環(huán)境
5.1…………………3
典型工藝流程
5.2………………………3
工藝準(zhǔn)備
5.3……………4
貼保護(hù)膜
5.4……………5
粗磨
5.5…………………5
細(xì)磨
5.6…………………5
拋光必要時(shí)
5.7()………………………6
清洗
5.8…………………6
紫外解膠必要時(shí)
5.9()…………………6
揭膜
5.10…………………6
標(biāo)識(shí)貯存和轉(zhuǎn)運(yùn)
5.11、…………………6
包裝
5.12…………………7
記錄
5.13…………………7
評(píng)價(jià)要求
6…………………7
貼膜的評(píng)價(jià)要求
6.1……………………7
減薄的評(píng)價(jià)要求
6.2……………………7
清洗的評(píng)價(jià)要求
6.3……………………8
解膠及揭膜的評(píng)價(jià)要求
6.4……………8
Ⅰ
GB/T44791—2024
前言
本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任
。。
本文件由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出
。
本文件由全國(guó)集成電路標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口
(SAC/TC599)。
本文件起草單位中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所神州龍芯智能科技有限公司
:、。
本文件主要起草人袁世偉王波肖漢武王燕婷黃海林肖隆騰陳明敏
:、、、、、、。
Ⅲ
GB/T44791—2024
集成電路三維封裝帶凸點(diǎn)圓片減薄工藝
過(guò)程和評(píng)價(jià)要求
1范圍
本文件規(guī)定了及以下尺寸集成電路三維封裝帶凸點(diǎn)圓片的減薄工藝以下簡(jiǎn)稱減薄工藝過(guò)
12in()
程和評(píng)價(jià)要求
。
本文件適用于及以下尺寸需減薄的帶凸點(diǎn)圓片
12in。
注
:1in=2.54cm。
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文
。,
件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于
,;,()
本文件
。
潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境第部分按粒子濃度劃分空氣潔凈度等級(jí)
GB/T25915.1—20211:
3術(shù)語(yǔ)定義和縮略語(yǔ)
、
31術(shù)語(yǔ)和定義
.
下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件
溫馨提示
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