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DB35DB35/T1873—2019熱噴涂旋轉(zhuǎn)硅靶材通用技術(shù)條件Generaltechnicalspecificationforthermalsprayingrotarysilicontarget福建省市場(chǎng)監(jiān)督管理局發(fā)布I 1 1 1 3 3 41YS/T935電子薄膜用高純金屬濺射靶材純度等級(jí)及雜質(zhì)含量分析和報(bào)VON2涂層密度(ρ)應(yīng)大于等于2.2g/cm3，且密度均勻性偏差應(yīng)小于等于±2%。34.1.1不銹鋼襯管單根產(chǎn)品進(jìn)行破壞性取樣，取樣位置分別為涂層兩端和中間位置，取三組樣品，每組重量在5g~10g，按GB/T1423的規(guī)定測(cè)試。密度均勻性偏差根據(jù)三組樣品的測(cè)試密度數(shù)值計(jì)算，取三組4.5.2涂層電阻率4_________________________________

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