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文檔簡介

第五章外存儲技術(shù)及設(shè)備

5.1軟磁盤機(jī)

一、概述

■軟磁盤機(jī)的發(fā)展

1972年,IBM3740——8”,單面,單密度,400KB

1976年,SA400-----5.25",單面,單密度,48TPI,

125KB

為擴(kuò)大容量,由單面->雙面,

單密度4倍密度4借道密度->高密度

微型軟磁盤,3"~4"

35',135TPI

■軟磁盤的磁道格式:為方便地從軟磁盤中查出存儲

的文件,要對軟磁盤預(yù)先進(jìn)行格式化。

扇區(qū):為了存取數(shù)據(jù)的方便,每個(gè)磁道又分為許多稱之為扇區(qū)

的小區(qū)段。每個(gè)磁道(不管是里圈還是外圈)上的扇區(qū)數(shù)是一樣

扇區(qū)01

扇區(qū)02

盤地址:

園柱號(磁道號)扇區(qū)03

磁頭號(面號)

扇區(qū)號

00道

01道

確定磁道起始和終止的點(diǎn)

非格式化容量=

f*t*磁道數(shù)*面數(shù)

格式化容量=

扇區(qū)字節(jié)數(shù)*扇區(qū)數(shù)

*磁道數(shù)*面數(shù)

UU

II0Nzv0S

dN5CXsiXd

vAH0Avv0M

oSVSaD

IDJ卜DATA)

區(qū)段1

3.5英寸軟盤分為高密盤和低密盤。例如在DOS環(huán)

境下,3.5英寸低密盤的每個(gè)盤面劃分為0?79(80)個(gè)

磁道,每個(gè)磁道分割為9個(gè)扇區(qū),每個(gè)扇區(qū)存放512個(gè)

字節(jié),存儲容量為720KB;3.5英寸高密度磁盤的盤面

劃分為80個(gè)磁道,每個(gè)磁道又分割為18個(gè)扇區(qū),存儲

容量為L44MB。

某3.5英寸軟盤機(jī),轉(zhuǎn)速為300rpm,數(shù)據(jù)傳輸率為

500Kb/s,2面,每面有80個(gè)磁道,每道18個(gè)扇區(qū),每扇

區(qū)512字節(jié),該盤片因?yàn)楦袷交玫舻拇鎯θ萘繛槎嗌?

非格式化容量=f*t*磁道數(shù)*面數(shù)

=500*(60/300)*80*2(Kb)

=16000Kb

=2MB

格式化容量=扇區(qū)字節(jié)數(shù)*扇區(qū)數(shù)*磁道數(shù)*面數(shù)

=512*18*80*2(B)

=1.44MB

格式化用掉的容量=2-1.44

=0.56MB

、軟盤驅(qū)動器的結(jié)構(gòu)

?磁頭及磁頭支持機(jī)構(gòu)

?磁盤驅(qū)動定位機(jī)構(gòu)

?磁頭定位機(jī)構(gòu)

?磁頭加載機(jī)構(gòu)

?磁盤保護(hù)機(jī)構(gòu)

1、磁頭

軟盤磁頭具有適應(yīng)軟盤驅(qū)動器和介質(zhì)互換性的能

力,為此:

R/W頭兩側(cè)備有抹頭。

抹頭的縫隙寬度小于道間隙寬,這樣,在不抹除

有效信息的情況下,可以保證道間數(shù)據(jù)與數(shù)據(jù)之間的

間隔,防止道間串?dāng)_,彌補(bǔ)磁頭中心不能完全對準(zhǔn)磁

道中心的不足,降低了磁頭定位精度的要求。

2、磁盤驅(qū)動定位機(jī)構(gòu)

將軟盤準(zhǔn)確地定位于主軸中心位置,并使其勻速

轉(zhuǎn)動。

由磁盤插入引導(dǎo)機(jī)構(gòu)、主軸驅(qū)動機(jī)構(gòu)、磁盤夾緊

機(jī)構(gòu)和磁盤彈射機(jī)構(gòu)等組成。

磁盤插入引導(dǎo)機(jī)構(gòu)使軟盤初步定位于主軸中心位

置,以使磁盤夾緊機(jī)構(gòu)能將盤片壓緊在主軸上。

主軸驅(qū)動機(jī)構(gòu)用來帶動盤片勻速轉(zhuǎn)動,現(xiàn)在,使

用的是薄型直流直接驅(qū)動電機(jī)。

磁盤夾緊機(jī)構(gòu)用來把盤片固位在主軸上,并使之

旋轉(zhuǎn)。

磁盤彈射機(jī)構(gòu)使盤片自動彈出。

磁盤夾緊機(jī)構(gòu)分以下兩種:

1.利用磁盤的中心孔直接夾緊,有圓柱形和杯形結(jié)

構(gòu)。

2.在磁盤上預(yù)先安裝一個(gè)金屬或塑料卡轂,利用這

個(gè)卡轂使磁盤與主軸夾緊.

3、磁頭定位機(jī)構(gòu)

作用:準(zhǔn)確地將磁頭驅(qū)動道指定的磁道位置,以保證

互換性。

組成:大部分采用步進(jìn)電機(jī)開環(huán)控制,由步進(jìn)電機(jī)、

傳動件、磁頭小車、小車導(dǎo)軌等組成。常用的傳動件

有:鋼帶、絲桿和螺旋凸輪等。

4、磁頭加載機(jī)構(gòu)

作用:給磁頭一個(gè)外加力,以保證磁頭與盤面良好接

觸。

有電磁鐵加載和直接加載。

5、磁盤保護(hù)機(jī)構(gòu)

三、軟盤機(jī)的控制電路

?盤選擇電路

?主軸恒速驅(qū)動電路

?狀態(tài)檢測電路

?磁頭定位電路

?寫入和讀出電路

?接口

1.盤選擇電路

DSO

DS1

F

DaHeadSelect

C

3.狀態(tài)檢測電路

(1)“00”道檢測電路

光電檢測器

微動開關(guān)

檢測傳感器

A相

DS

(2)索引信號檢測電路

光電檢測器

光電檢測器

DS

霍爾元件

(3)寫保護(hù)檢測電路

光電檢測器

微動開關(guān)

(4)“準(zhǔn)備好”信號檢測電路

微動開關(guān)

準(zhǔn)備好狀態(tài):(1)被選中;

(2)盤片插好;

(3)主軸電機(jī)已旋轉(zhuǎn);

(4)磁頭定位在00道。

4.寫入電路

根據(jù)寫入數(shù)據(jù)產(chǎn)生相應(yīng)的寫電流

原理框圖

對寫入電路的要求

(1)寫電流應(yīng)足夠大;

(2)寫電流應(yīng)保持恒定;

(3)寫電流過渡過程時(shí)間應(yīng)短;

(4)提供合適的抹電流。

(5)在高密度軟盤機(jī)中,在43道以內(nèi)的磁道,應(yīng)減

小寫電流。

抹電路

作用:產(chǎn)生抹電流,以修整磁道邊緣,防止道間串?dāng)_。

抹電流應(yīng)比寫電流延遲導(dǎo)通和切斷。

(為什么?)

5.讀出電路

原理框圖

讀出電路原理框圖

波形圖

5.2硬磁盤機(jī)

硬盤機(jī)的發(fā)展經(jīng)歷了以下四個(gè)階段:

(1)固定頭硬磁盤機(jī)

(2)活動頭、固定盤式硬磁盤機(jī)

(3)活動頭、可換盤式硬磁盤機(jī)

(4)溫式硬磁盤機(jī)(活動頭、固定盤)

、溫式硬盤機(jī)的特點(diǎn)(P323)

(1)頭盤組件和定位機(jī)構(gòu)采用全封閉方式

(2)磁頭采用接觸式啟停

(3)主軸和電機(jī)一體化

磁頭浮動原理(P330)

W正壓:浮力垂直向上

~~亍負(fù)壓:浮力垂直向下

、溫式硬盤機(jī)的組成(P324)

選頭電路

硬前置放大

制J驅(qū)動電機(jī)―

器無刷直

反饋信號流電機(jī)

主軸電機(jī)」

驅(qū)動電路I

PCBAHDA

三、磁頭定位系統(tǒng)

1、磁頭定位控制方式(P323、P326)

?開環(huán)控制

步進(jìn)

中脈沖

央---?

控方向轉(zhuǎn)換驅(qū)動

制信號電路電路

?半閉環(huán)控制

?閉環(huán)控制(P326)

執(zhí)

機(jī)

構(gòu)

速度控制(粗控):道差>1時(shí),快速定位于目標(biāo)道

位置控制(精控):道差<1時(shí),

盡可能快速地保證數(shù)據(jù)頭穩(wěn)定在數(shù)據(jù)磁道中心

2、閉環(huán)控制的伺服方式(P323)

?面伺服

?扇區(qū)伺服

?埋入伺服

?光電伺服

3、執(zhí)行機(jī)構(gòu)

?旋轉(zhuǎn)式

?直線式

4、伺服信息編碼

?雙位碼

奇、偶伺服道上分別記錄相位相差180的雙

位脈沖。

N

evensSRN.-sSN服

oddNNSSkNNSs頭

sNN

evensSNNS

+I

PES=Vo、

讀出波形

?二相雙位碼

伺服碼:uonoooioioooioioooioioooioioooiionoo

X=A-BY=C-D

五、高密度硬盤存儲的關(guān)鍵技術(shù)(P338)

1、高密度磁頭技術(shù)

鐵氧體->MIG->TF->MR

MR頭的工作原理:利用磁電阻效應(yīng)檢測磁強(qiáng)。

磁電阻效應(yīng)是一種物質(zhì)受到外加磁場作用后引起電

阻率(p)發(fā)生改變的現(xiàn)象。

2、低信噪比下的信號處理技術(shù)

PRML,Viterbi信號處理技術(shù)

3、高矯頑力、低噪音的記錄介質(zhì)技術(shù)

4、精密伺服定位技術(shù)

(1)先進(jìn)的伺服跟蹤技術(shù),如光伺服

(2)采用兩級定位器

5、采用高速通道、高速緩存和超級數(shù)字信號處理

(UltraDSP)技術(shù)

6、提高主軸電機(jī)轉(zhuǎn)速(采用流體動壓軸承HDB)

7、盤陣列技術(shù)以實(shí)現(xiàn)并行處理

5.3光存儲技術(shù)

一、概述

1、光存儲技術(shù)的特點(diǎn)(P342)

?存儲密度高

?存儲壽命長

?非接觸式讀寫

?數(shù)據(jù)傳輸率較低

2、光存儲設(shè)備分類(P342)

?只讀存儲

?一次寫入多次讀出

?可鏢除重寫存儲

相變型、磁光型

3、CD—ROM存儲器技術(shù)指標(biāo)(P370)

(1)數(shù)據(jù)傳輸率

單速驅(qū)動器:150KB/s(記為IX)

倍速驅(qū)動器:300KB/s(記為2X)

16倍速驅(qū)動器:16*150KB/s(記為16X)

*光盤轉(zhuǎn)動速度為CLV方式(恒定線速度)(P372)

光盤存儲器的組成(P358)

1.激光器和與之相連形成讀/寫光點(diǎn)的光學(xué)系統(tǒng);

2.檢測和校正讀/寫光點(diǎn)與數(shù)據(jù)道之間的定位誤差的

光電伺服系統(tǒng);

3.檢測和讀出數(shù)據(jù)的光電系統(tǒng);

4.移動光頭的機(jī)構(gòu);

5.寫/讀數(shù)據(jù)通道中的編/譯碼及ECC電路;

6.光盤---數(shù)據(jù)存儲媒體;

7.光盤主軸機(jī)構(gòu);

8.光盤機(jī)的電子線路;

、光盤存儲系統(tǒng)的記錄機(jī)理(P350)

2、一次寫入多次讀出

記錄方式

?燒蝕型:存儲介質(zhì)為金屬等

?起泡型:聚合物-高熔點(diǎn)金屬兩層薄膜

?熔絨型:離子刻蝕過的硅

?合金化型:粕-硅等雙層結(jié)構(gòu)

?相變型:硫化合物或金屬合金

3、可重寫

(1)相變型

寫入:利用高功率和短脈寬激光束聚焦于記錄介質(zhì)薄

膜上,介質(zhì)吸熱后迅速升至熔點(diǎn)并在驟冷條件下形成

非晶態(tài)。

擦除:利用適當(dāng)功率和較長脈寬的激光束再作用于記

錄點(diǎn),使該點(diǎn)溫度上升至低于材料的熔點(diǎn)而高于非晶

態(tài)的轉(zhuǎn)變溫度,使產(chǎn)生重結(jié)晶而恢復(fù)成為晶態(tài)。

讀出:由于晶態(tài)和非晶態(tài)材料的折射率和反射率不同,

故記錄點(diǎn)反射率與周圍區(qū)域有明顯反差,利用小功率

激光束檢出此反射率的差異。

(2)磁光型

四、光盤的伺服系統(tǒng)

功能:以亞微米級的精度使掃描光點(diǎn)保持在焦點(diǎn)和

信道上,實(shí)現(xiàn)光點(diǎn)的三維伺服:

聚焦伺服

徑向跟蹤伺服

切向跟蹤伺服

1.聚焦伺服■

功能:自動移動物鏡以確保光盤的記錄介質(zhì)平面保

持在焦深范圍內(nèi).

聚焦誤差信號的檢測方法:

a.像散法

像散:物點(diǎn)發(fā)出的窄光束經(jīng)透鏡后不再交于一點(diǎn)的

b.刀口法

在反射光束中非對稱地設(shè)置一刀刃狀物,把二象

限探測器放在成象點(diǎn)處。

焦點(diǎn):平面

2.徑向跟蹤伺服

a.三光束(三點(diǎn))法

由衍射光柵產(chǎn)生讀寫用的主光束,徑向跟蹤用

的±1級輔助光束,輔助光束在信道中心正負(fù)錯開,

跨在信道上,由于信道的平均反射率低于信道間反

射率,當(dāng)信道中心與兩跟蹤光點(diǎn)中心距離不等時(shí),就

會產(chǎn)生非零差分信號,自動調(diào)節(jié)輸出為零,即實(shí)現(xiàn)自

動跟蹤伺服。

5.4網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)

一、DAS(DirectAttachedStorage)

傳統(tǒng)存儲技術(shù)

?存儡2佞修構(gòu)(畫⑨錫明)

?綢皮

?局限傕

二、NAS(NetworkAttachedStorage)

附網(wǎng)存儲

?存儡算佞修構(gòu)(畫出錫明)

?優(yōu)點(diǎn)

?觸電

三、SAN(StorageAreaNetwork)

存儲局域網(wǎng)

?存儒S佞痣構(gòu)(畫圖短明)

?優(yōu)袈

?存在的向題

四、提出一種新的存儲技術(shù)

五、展望網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)的發(fā)展趨勢

5.5磁盤陣列技術(shù)

冗余磁盤陣列技術(shù),即RAID

(RedundantArraysofInexpensiveDisks)

是指通過利用多塊硬盤按照一定的規(guī)則組成陣列

的形式來達(dá)到提高數(shù)據(jù)傳輸率或提供更高容錯性,保

證數(shù)據(jù)安全的技術(shù)。

、RAID結(jié)構(gòu)

根據(jù)陣列容錯方式和數(shù)據(jù)分布方式的不同,通常有

RAIDO,1,2,3,4,5幾種級別。

1、RAIDO

采用數(shù)據(jù)分塊技術(shù),數(shù)據(jù)被分成大小相等的塊寫入

陣列中的不同硬盤。存放格式如下:

盤1盤2盤3盤4

DID2D3D4

D5D6D7D8

D9D1ODllD12

D13D14D15D16

特點(diǎn):效能較高(盤空間全被利用),但安全性差。

對視頻編輯和廣告制作等需要高速傳輸和大容量

的應(yīng)用很有好處

2、RAID1

采用鏡像容錯結(jié)構(gòu),每個(gè)數(shù)據(jù)盤都有一個(gè)與之成鏡

像的磁盤,兩者保持完全相同的數(shù)據(jù)。

盤1盤2盤3盤4

DID2DID2

D3D4D3D4

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