《微機(jī)原理與接口技術(shù)》第3版 課件 06 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器

微機(jī)原理與接口技術(shù)（第3版）6半導(dǎo)體存儲(chǔ)器概述隨機(jī)讀/寫存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器例題解析虛擬存儲(chǔ)器Intel80x86內(nèi)存管理模式6.1.1存儲(chǔ)器的分類

一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路、一個(gè)CMOS晶體管或磁性材料的存儲(chǔ)元，均可以存儲(chǔ)一位二進(jìn)制代碼。這個(gè)二進(jìn)制代碼位是存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位，稱為一個(gè)存儲(chǔ)位或存儲(chǔ)元。由若干個(gè)存儲(chǔ)元組成一個(gè)存儲(chǔ)單元，多個(gè)存儲(chǔ)單元組成一個(gè)存儲(chǔ)器。6.1概述

根據(jù)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)的性能及使用方法的不同，可以從不同的角度對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行分類。1.按存儲(chǔ)介質(zhì)分類

存儲(chǔ)介質(zhì)是指能寄存“0”、“1”兩種代碼并能區(qū)別兩種狀態(tài)的物質(zhì)或元器件。存儲(chǔ)介質(zhì)主要有半導(dǎo)體器件、磁性材料和光盤等。⑴半導(dǎo)體存儲(chǔ)器

優(yōu)點(diǎn)是體積小、功耗低、存取時(shí)間短。

缺點(diǎn)是當(dāng)切斷電源時(shí)，所存信息也隨即丟失，它是一種易失性存儲(chǔ)器。6.1概述⑵磁表面存儲(chǔ)器磁表面存儲(chǔ)器是在金屬或塑料基體的表面上涂一層磁性材料作為記錄介質(zhì)，工作時(shí)磁層隨載磁體高速運(yùn)轉(zhuǎn)，用磁頭在磁層上進(jìn)行讀/寫操作，故稱為磁表面存儲(chǔ)器。

特點(diǎn)：具有非易失性的。⑶光盤存儲(chǔ)器

光盤存儲(chǔ)器是應(yīng)用激光在記錄介質(zhì)（磁光材料）上進(jìn)行讀/寫的存儲(chǔ)器。

特點(diǎn)：具有非易失性、記錄密度高、耐用性好、可靠性高和可互換性強(qiáng)。6.1概述2.按存取方式分類⑴隨機(jī)存儲(chǔ)器

隨機(jī)存儲(chǔ)器（RandomAccessMemory，RAM）是一種可讀/寫存儲(chǔ)器，其特點(diǎn)是存儲(chǔ)器的任何一個(gè)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容都可以隨機(jī)存取，而且存取時(shí)間與存儲(chǔ)單元的物理位置無關(guān)。隨機(jī)存儲(chǔ)器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（StaticRAM，SRAM）和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DynamicRAM，DRAM）。⑵只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器（ReadOnlyMemory，ROM）是只能對(duì)其存儲(chǔ)的內(nèi)容讀出，而不能對(duì)其重新寫入的存儲(chǔ)器。6.1概述3.按存取順序分類分為串行訪問存儲(chǔ)器和直接存取存儲(chǔ)器。

串行訪問存儲(chǔ)器：如果對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀/寫操作時(shí)，需按其物理位置的先后順序?qū)ふ业刂?，則這種存儲(chǔ)器叫做串行訪問存儲(chǔ)器（順序存儲(chǔ)器）。還有部分串行訪問的存儲(chǔ)器，如磁盤。在對(duì)磁盤讀/寫時(shí)，首先直接指出該存儲(chǔ)器中的某個(gè)小區(qū)域（磁道），然后再順序?qū)ぴL，直至找到位置。故其前段是直接訪問，后段是串行訪問。6.1概述

按作用不同，存儲(chǔ)器又可分為主存儲(chǔ)器、輔助存儲(chǔ)器和緩沖存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器的分類如圖6.1所示。6.1概述圖6.1存儲(chǔ)器的分類6.1.2存儲(chǔ)器的性能指標(biāo)1.存儲(chǔ)器容量

指的是存儲(chǔ)器所能容納的最大字存儲(chǔ)位數(shù)。由于存儲(chǔ)容量一般都很大，因此常以KB、MB或GB為單位。計(jì)算方式：

存儲(chǔ)器芯片容量=單元數(shù)×位數(shù)2.存取周期指實(shí)現(xiàn)一次完整的讀出或?qū)懭霐?shù)據(jù)的時(shí)間，是存儲(chǔ)器連續(xù)啟動(dòng)兩次讀或?qū)懖僮魉试S的最短時(shí)間間隔。計(jì)算機(jī)的運(yùn)行速度與存儲(chǔ)器的存取周期有著直接的關(guān)系，因此它是存儲(chǔ)器的一項(xiàng)重要參數(shù)。6.1概述3.功耗半導(dǎo)體存儲(chǔ)器屬于大規(guī)模集成電路，集成度高、體積小，但是不易散熱，因此在保證速度的前提下應(yīng)盡量減小功耗。4.可靠性指存儲(chǔ)器對(duì)電磁場(chǎng)、溫度變化等因素造成干擾的抵抗能力（電磁兼容性），以及在高速使用時(shí)也能正確地存?。▌?dòng)態(tài)可靠性）。5.集成度指在一塊數(shù)平方毫米芯片上所制作的基本存儲(chǔ)單元數(shù)，常以“位/片”表示，也可以用“字節(jié)／片”表示。6.其他。還應(yīng)考慮輸入、輸出電平是否與外電路兼容，對(duì)CPU總線負(fù)載能力的要求，使用是否方便靈活以及成本價(jià)格等。6.1概述6.1.3存儲(chǔ)器的分級(jí)結(jié)構(gòu)目前通常采用多級(jí)存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu)，如圖6.2所示。6.1概述圖6.2存儲(chǔ)系統(tǒng)的分級(jí)結(jié)構(gòu)6.2.1靜態(tài)MOS存儲(chǔ)器1.基本存儲(chǔ)元

基本存儲(chǔ)元是組成存儲(chǔ)器的基礎(chǔ)和核心，它用來存儲(chǔ)1位二進(jìn)制信息。靜態(tài)存儲(chǔ)器的基本存儲(chǔ)元電路如圖6.3所示。6.2隨機(jī)讀/寫存儲(chǔ)器圖6.3靜態(tài)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)元電路2.SRAM的組成

SRAM存儲(chǔ)體是一個(gè)由64×64=4096個(gè)六管靜態(tài)存儲(chǔ)電路組成的存儲(chǔ)矩陣，結(jié)構(gòu)圖如圖6.4所示6.2隨機(jī)讀/寫存儲(chǔ)器圖6.4

SRAM存儲(chǔ)體結(jié)構(gòu)圖3.SRAM的讀/寫過程⑴讀出過程①地址碼A0～A11加到RAM芯片的地址輸入端，經(jīng)X與Y地址譯碼器譯碼，產(chǎn)生行選與列選信號(hào)，選中某一存儲(chǔ)單元，該單元中存儲(chǔ)的代碼，經(jīng)一定時(shí)間，出現(xiàn)在I/O電路的輸入端。I/O電路對(duì)讀出的信號(hào)進(jìn)行放大、整形，送至輸出緩沖寄存器。②在送上地址碼的同時(shí)，還要送上讀/寫控制信號(hào)（R/或、）和片選信號(hào)（）。6.2隨機(jī)讀/寫存儲(chǔ)器⑵寫入過程①地址碼加在RAM芯片的地址輸入端，選中相應(yīng)的存儲(chǔ)單元，使其可以進(jìn)行寫操作。②將要寫入的數(shù)據(jù)放在DB上。③加上片選信號(hào)=0及寫入信號(hào)R/＝0。這兩個(gè)有效控制信號(hào)打開三態(tài)門使DB上的數(shù)據(jù)進(jìn)入輸入電路，送到存儲(chǔ)單元的位線上，從而寫入該存儲(chǔ)單元。6.2隨機(jī)讀/寫存儲(chǔ)器4.SRAM芯片舉例⑴Intel2114存儲(chǔ)器芯片（1K×4位）其內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖6.6所示，芯片的引腳圖如圖6.7所示。6.2隨機(jī)讀/寫存儲(chǔ)器圖6.7

2114引腳圖圖6.6

2114內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖⑵Intel6264存儲(chǔ)器芯片（8K×8位）其內(nèi)部主要包括512×128的存儲(chǔ)器矩陣、行/列地址譯碼器以及數(shù)據(jù)輸入/輸出控制邏輯電路，工作方式如表6.1所示。表6.16264工作方式表6.2隨機(jī)讀/寫存儲(chǔ)器方式功能000禁止不允許和同時(shí)為低電平010讀出數(shù)據(jù)讀出001寫入數(shù)據(jù)寫入011選通芯片選通，輸出高阻態(tài)1××未選通芯片未選通6.2隨機(jī)讀/寫存儲(chǔ)器6264內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖6.8所示，芯片的引腳圖如圖6.9所示。圖6.9

6264引腳圖圖6.8

6264內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖5.SRAM與CPU的連接同CPU連接時(shí)，要完成地址線、數(shù)據(jù)線和控制線的連接。⑴位擴(kuò)展法：只加大字長(zhǎng)，而存儲(chǔ)器的字?jǐn)?shù)與存儲(chǔ)器芯片字?jǐn)?shù)一致。假定使用8K×1的RAM存儲(chǔ)器芯片，那么組成8K×8位的存儲(chǔ)器可采用如圖6.10所示。6.2隨機(jī)讀/寫存儲(chǔ)器圖6.10

位擴(kuò)展連接圖⑵字?jǐn)U展法：僅在字?jǐn)?shù)擴(kuò)充，而位數(shù)不變。將芯片的低位地址線、數(shù)據(jù)線、讀/寫控制線并聯(lián)，由片選信號(hào)來區(qū)分各片地址，片選信號(hào)端連接到選片譯碼器的輸出端。用16K×8位的芯片采用字?jǐn)U展法組成64K×8位的存儲(chǔ)器連接圖如圖6.11所示。6.2隨機(jī)讀/寫存儲(chǔ)器圖6.11

字?jǐn)U展連接圖地址空間分配表如表6.2所示。6.2隨機(jī)讀/寫存儲(chǔ)器地址片號(hào)片外A15A14片內(nèi)A13A12A11…A1A0說明10000000…00111…11最低地址最高地址20101000…00111…11最低地址最高地址31010000…00111…11最低地址最高地址41111000…00111…11最低地址最高地址表6.2

字?jǐn)U展地址分配表⑶字位同時(shí)擴(kuò)展法

一個(gè)存儲(chǔ)器的容量假定為M×N位，若使用1×k位的芯片（1<M，k<N），則需要在字?jǐn)?shù)和位數(shù)同時(shí)進(jìn)行擴(kuò)展。此時(shí)共需要（M/1）×（N/k）個(gè)存儲(chǔ)器芯片。⑷靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的連接舉例在64KB的地址空間中，用8片2114構(gòu)成4K×8，即4KB存儲(chǔ)區(qū)的全譯碼法連接方案:其地址范圍為2000H～2FFFH。連接圖如圖6.12所示。6.2隨機(jī)讀/寫存儲(chǔ)器6.2隨機(jī)讀/寫存儲(chǔ)器圖6.12

字、位擴(kuò)展連接圖6.2.2動(dòng)態(tài)MOS存儲(chǔ)器1.單管動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)元：由一個(gè)MOS管子T1和一個(gè)電容C構(gòu)成，電路如圖6.13所示。由單管動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)元組成的存儲(chǔ)體矩陣如圖6.14所示。6.2隨機(jī)讀/寫存儲(chǔ)器圖6.13

動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)元電路圖圖6.14動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)元存儲(chǔ)體矩陣2.DRAM的刷新和DRAM控制器最常用刷新的方法的是“只有行地址有效”的方法。在刷新時(shí)限2ms中對(duì)DRAM芯片中所有行刷新一遍，可以實(shí)現(xiàn)全面刷新。為了實(shí)現(xiàn)刷新，DRAM控制器具有如下功能:⑴時(shí)序功能DRAM控制器需要按固定的時(shí)序提供行地址選通信號(hào)RAS，為此，用一個(gè)計(jì)數(shù)器產(chǎn)生刷新地址，同時(shí)用一個(gè)刷新定時(shí)器產(chǎn)生刷新請(qǐng)求信號(hào)，以此啟動(dòng)一個(gè)刷新周期，刷新地址和刷新請(qǐng)求信號(hào)聯(lián)合產(chǎn)生行地址選通信號(hào)RAS，每刷新一行，就產(chǎn)生下一個(gè)行地址選通信號(hào)。6.2隨機(jī)讀/寫存儲(chǔ)器⑵地址處理功能DRAM控制器一方面要在刷新周期中順序提供行地址，以保證在2ms中使所有的DRAM單元都被刷新一次；另一方面，要用一個(gè)多路開關(guān)對(duì)地址進(jìn)行切換，刷新時(shí)只是來自刷新地址計(jì)數(shù)器的行地址而沒有列地址，總線地址則被封鎖。⑶仲裁功能當(dāng)來自CPU對(duì)內(nèi)存的正常讀/寫請(qǐng)求和來自刷新電路的刷新請(qǐng)求同時(shí)出現(xiàn)時(shí)，仲裁電路要作出仲裁，原則上，CPU的讀/寫請(qǐng)求優(yōu)先于刷新請(qǐng)求。6.2隨機(jī)讀/寫存儲(chǔ)器DRAM控制器的原理圖如圖6.15所示。6.2隨機(jī)讀/寫存儲(chǔ)器圖6.15DRAM控制器原理圖3.動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器舉例動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器常作為微型計(jì)算機(jī)的主存儲(chǔ)器。目前常用的有4164、41256、41464以及414256等類型，其存儲(chǔ)容量分別為64K×1、256K×1、64K×4和256K×4。414256需要每8ms刷新一次。刷新時(shí)通過在512個(gè)行地址間按順序循環(huán)進(jìn)行，可以分散刷新，也可以連續(xù)刷新。分散刷新也稱為分布刷新，是指每15.6μs刷新一行;連續(xù)刷新也稱猝發(fā)方式刷新，它是對(duì)512行集中刷新。MCM414256必須每8ms進(jìn)行一次快速刷新，MCM41M256每64ms進(jìn)行一次快速刷新。414256的內(nèi)部組成如圖6.16所示。6.2隨機(jī)讀/寫存儲(chǔ)器6.2隨機(jī)讀/寫存儲(chǔ)器圖6.16414256的內(nèi)部組成4.高集成度DRAM容量為1M×1、1M×4、4M×1以及更高集成度的存儲(chǔ)器芯片已大量使用。通常把這些芯片放在內(nèi)存條上，用戶只需把內(nèi)存條插到系統(tǒng)板上提供的存儲(chǔ)條插座上即可使用。例如有256K×8、1M×8、256K×9、1M×9（9位時(shí)有一位為奇偶校驗(yàn)位）及更高集成度的存儲(chǔ)條。6.2隨機(jī)讀/寫存儲(chǔ)器6.2隨機(jī)讀/寫存儲(chǔ)器圖6.17是采用HYM59256A的存儲(chǔ)條。圖6.17

59256存儲(chǔ)條

只讀存儲(chǔ)器（ROM）的信息在使用時(shí)是不能被改變的，即只能讀出，不能寫入，故一般只能存放固定程序，如監(jiān)控程序、IBMPC中的BIOS程序等。只讀存儲(chǔ)器可分為：掩膜只讀存儲(chǔ)器、可編程只讀存儲(chǔ)器（ProgrammableROM，PROM）、可擦可編程只讀存儲(chǔ)器（ErasableProgrammableROM，EPROM）、電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器（ElectricallyErasableProgrammableROM，EEPROM）以及快擦型存儲(chǔ)器（FlashMemory）。6.3只讀存儲(chǔ)器

6.3.1掩膜只讀存儲(chǔ)器圖6.18為一個(gè)簡(jiǎn)單的4×4位MOS管ROM，在行和列的交點(diǎn)處，有的連有管子，有的沒有，這是由工廠根據(jù)用戶提供的程序?qū)π酒瑘D形（掩膜）進(jìn)行二次光刻所決定的，所以稱為掩膜ROM。6.3只讀存儲(chǔ)器圖6.18

掩膜ROM存儲(chǔ)圖圖6.18存儲(chǔ)矩陣的內(nèi)容如表6.4所示。6.3只讀存儲(chǔ)器表6.4

存儲(chǔ)矩陣內(nèi)容表6.3.2可擦可編程只讀存儲(chǔ)器類存儲(chǔ)器可利用專門的擦除器（由紫外線燈照射）將其擦除，各字節(jié)內(nèi)容復(fù)原（為FFH），再根據(jù)需要利用EPROM編程器寫入新的數(shù)據(jù)，因此這種芯片可反復(fù)使用。1.EPROM的存儲(chǔ)單元電路EPROM存儲(chǔ)電路如圖6.19所示。6.3只讀存儲(chǔ)器圖6.19

可擦可編程ROM存儲(chǔ)圖2.典型EPROM芯片介紹（Intel2764A）

2764功能框圖如圖6.20所示。6.3只讀存儲(chǔ)器圖6.20

2764功能圖Intel2764A有7種工作方式，如表6.5所示。6.3只讀存儲(chǔ)器A9A0VPPVCC數(shù)據(jù)端功能讀低低高××VCC5V數(shù)據(jù)輸出輸出禁止低高高××VCC5V高阻備用高××××VCC5V高阻編程低高低××12.5VVCC數(shù)據(jù)輸入校驗(yàn)低低高××12.5VVCC數(shù)據(jù)輸出編程禁止高××××12.5VVCC高阻標(biāo)識(shí)符低低高高低高VCCVCC5V5V制造商編碼器件編碼表6.5

2764工作方式表3.高集成度EPROM除了常用的EPROM2764外，27128、27256、27512等也是常用的EPROM芯片。由于工業(yè)控制計(jì)算機(jī)的發(fā)展，迫切需用電子盤取代硬盤，常把用戶程序、操作系統(tǒng)固化在電子盤（ROMDISK）上，這時(shí)要用27C010（128K×8）、27C020（256K×8）、27C040（512K×8）等大容量芯片。6.3只讀存儲(chǔ)器6.3.3電可擦可編程存儲(chǔ)器1.2816的基本特點(diǎn)（2K×8位）

6.3只讀存儲(chǔ)器圖6.232816邏輯符號(hào)圖2.2816的工作方式有6種工作方式，每種工作方式下各個(gè)控制信號(hào)所需電平如表6.6所示。6.3只讀存儲(chǔ)器

管腳方式VPP（V）數(shù)據(jù)線功能讀方式低低+4～+6輸出備用方式高×+4～+6高阻字節(jié)擦除低高+21輸入為高電平字節(jié)寫低高+21輸入片擦除低+9～+15V+21輸入為高電平擦寫禁止高×+21高阻表6.6

2816工作方式表⑴讀方式在讀方式時(shí)，允許CPU讀取2816的數(shù)據(jù)。⑵寫方式2816具有以字節(jié)為單位的擦寫功能，擦除和寫入是同一種操作，即都是寫，只不過擦除是固定寫“1”而已。因此，在擦除時(shí)，數(shù)據(jù)輸入是TTL高電平。⑶片擦除方式在2816需整片擦除時(shí)，也可按字節(jié)擦除方式將整片2KB逐個(gè)進(jìn)行。6.3只讀存儲(chǔ)器3.2817AEEPROM（2K×8位）2817A的特點(diǎn)是片內(nèi)具有防寫保護(hù)單元，適于現(xiàn)場(chǎng)修改參數(shù)。2817A引腳如圖6.24所示。6.3只讀存儲(chǔ)器圖6.242817A引腳圖

2817A讀取時(shí)間為200ns，數(shù)據(jù)保存時(shí)間接近十年，每個(gè)單元允許擦寫104次。2817A的工作方式如表6.7所示。6.3只讀存儲(chǔ)器引腳方式數(shù)據(jù)線功能讀低低高高阻輸出維持高無關(guān)無關(guān)高阻高阻字節(jié)寫入低高低低輸入字節(jié)擦除字節(jié)寫入前自動(dòng)擦除表6.7

2817A工作方式表6.3.4快擦寫存儲(chǔ)器主要有以下3類。1.整體擦除快擦寫存儲(chǔ)器除了一般只讀存儲(chǔ)器所具備的地址鎖存器/譯碼器、片選電路、數(shù)據(jù)鎖存器、輸入/輸出緩沖器和讀控制電路之外，存儲(chǔ)器陣列采用的是快擦寫存儲(chǔ)器電路，另外有擦除電壓開關(guān)、編程電壓開關(guān)、命令寄存器、停止定時(shí)器以及狀態(tài)控制電路等。其中，命令寄存器用來寫入命令字以及執(zhí)行該命令所需要的地址和數(shù)據(jù)。主要型號(hào)有28F010、28F020、28F256和28F512。6.3只讀存儲(chǔ)器2.對(duì)稱型塊結(jié)構(gòu)快擦寫存儲(chǔ)器把存儲(chǔ)器陣列劃分成大小相等的存儲(chǔ)塊，每塊可以獨(dú)立地被擦除或者編程。擦除時(shí)可以擦除其中的任意一塊。主要型號(hào)有28F008SA、28F016SA和28F032SA等。3.帶自舉塊快擦寫存儲(chǔ)器是在塊結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上增加了自舉塊，自舉塊用來存儲(chǔ)自舉程序。自舉塊具有數(shù)據(jù)保護(hù)特性，以在臨界應(yīng)用中保護(hù)自舉程序代碼。主要型號(hào)有28F400BX和28F004BX等。注意：ROM、FLASH存儲(chǔ)器與CPU的連接、設(shè)計(jì)原則同SRAM。6.3只讀存儲(chǔ)器

虛擬存儲(chǔ)器只是一個(gè)容量非常大的存儲(chǔ)器的邏輯模型，不是任何實(shí)際的物理存儲(chǔ)器。它借助于磁盤等輔助存儲(chǔ)器來擴(kuò)大主存容量，使之為更大或更多的程序所使用。虛擬存儲(chǔ)器工作于主存－外存層次，它以透明的方式為用戶提供了一個(gè)比實(shí)際主存空間大得多的程序地址空間。

物理地址是實(shí)際的主存單元地址，由CPU地址引腳送出，是用于訪問主存的。設(shè)CPU地址總線的寬度為m位，則物理地址空間的大小就是2m。

虛擬地址是用戶編程時(shí)使用的地址，由編譯程序生成，是程序的邏輯地址。其地址空間的大小受到輔助存儲(chǔ)器容量的限制。顯然，虛擬地址要比實(shí)際地址大得多。程序的邏輯地址空間稱為虛擬地址空間。6.4虛擬存儲(chǔ)器

根據(jù)地址格式的不同，虛擬存儲(chǔ)器可分成頁式虛擬存儲(chǔ)器、段式虛擬存儲(chǔ)器和段頁式虛擬存儲(chǔ)器3種。頁式虛擬存儲(chǔ)器：以定長(zhǎng)的頁為基本信息傳送單位，主存的物理空間也被分成等長(zhǎng)的頁，每一頁等長(zhǎng)的區(qū)域稱為頁面，頁面在主存中的位置是固定的。段式虛擬存儲(chǔ)器：對(duì)主存按段分配和管理。段是利用程序的模塊化性質(zhì)，按照程序的邏輯結(jié)構(gòu)劃分成多個(gè)相對(duì)獨(dú)立的部分，如過程、數(shù)據(jù)表、陣列等。段頁式存儲(chǔ)管理：是結(jié)合兩者優(yōu)點(diǎn)的一種方案。它把整個(gè)存儲(chǔ)器分成若干個(gè)段，每段又分成若干頁，每頁包含若干個(gè)存儲(chǔ)單元。程序按模塊分段管理，進(jìn)入主存仍以頁為基本信息傳送單位。6.4虛擬存儲(chǔ)器

從Intel80386開始，Intel80x86CPU有三種工作模式：實(shí)地址模式、保護(hù)模式、和虛擬8086模式。6.5.1實(shí)模式存儲(chǔ)管理

實(shí)地址模式是最基本的工作模式。Intel8086CPU只運(yùn)行在實(shí)地址模