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文檔簡介
光纖通信與光網(wǎng)絡(luò)光接收機(jī)2光源調(diào)制器驅(qū)動(dòng)電路放大器
光纖通信與光網(wǎng)絡(luò)·
第五講
·
郝然光電二
極管光纖光纖中繼器
判決器
光接收機(jī)光接收機(jī)是光纖通信系統(tǒng)的重要組成部分,其作用是將光信號(hào)轉(zhuǎn)換回電信號(hào),恢復(fù)光載波所攜帶的原信號(hào)。光纖通信與光網(wǎng)絡(luò)·
第五講
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郝然3?
光接收機(jī)簡介?
光電檢測(cè)器?
接收機(jī)噪聲分析?
光接收機(jī)靈敏度的計(jì)算?
光接收機(jī)的組成模塊4
光纖通信與光網(wǎng)絡(luò)·
第五講
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郝然光接收機(jī)的分類?
光接收機(jī)分為直接檢測(cè)接收機(jī)和相干檢測(cè)接收機(jī)?
直接檢測(cè)適合較低速率(<40Gbit/s),原理簡單,成本低,但只檢測(cè)光強(qiáng)度,
頻帶利用率低?
相干檢測(cè)可以檢測(cè)光信號(hào)的相位信息,具有頻率利用率高、接收靈敏度高和
中繼距離長等優(yōu)點(diǎn),但是實(shí)現(xiàn)起來比較復(fù)雜。?
相干檢測(cè)需要本振激光器,且本振激光器與信號(hào)光之間的相位,偏振和頻率
具有相干性Sr
10lg10
-3
Pmax
在工程上常用dBm來表示,即3)接收機(jī)的最低輸出光功率(用dBm來描述)和最大允許輸入光功率(用dBmPmax和Pmin為保證系統(tǒng)誤碼率指標(biāo)條件下,接收機(jī)允許的最大接收光功率和最小接收光功率
5
Pmin
10
(dB)來描述)之差(dB)就是光接收的動(dòng)態(tài)范圍
D
10lg
Pmin
光纖通信與光網(wǎng)絡(luò)·
第五講
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郝然
光接收機(jī)的性能指標(biāo)光接收機(jī)主要的性能指標(biāo)是誤碼率(BER)、靈敏度以及動(dòng)態(tài)范圍1)誤碼率是碼元被錯(cuò)誤判決的概率,可以用在一定的時(shí)間間隔內(nèi),發(fā)生差錯(cuò)的碼元數(shù)和在這個(gè)時(shí)間間隔內(nèi)傳輸?shù)目偞a元數(shù)之比來表示2)接收機(jī)靈敏度:在滿足給定誤碼率指標(biāo)條件下,最低接收的平均光功率Pmin。
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第五講
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郝然光接收機(jī)的組成直接檢測(cè)光接收機(jī)分為模擬光接收機(jī)和數(shù)字光接收機(jī)兩種數(shù)字光接收機(jī)分為光電檢測(cè)器、前置放大器、主放大器、AGC電路、均衡器、判決再生和時(shí)鐘提取七個(gè)部分光接收機(jī)也可以分為三部分:①光檢測(cè)器和前置放大器合起來稱為接收機(jī)前端,是光接收機(jī)的核心;②主放大器、均衡濾波器和自動(dòng)增益控制組成光接收機(jī)的線性通道;③判決器、譯碼器和時(shí)鐘恢復(fù)組成光接收機(jī)的判決、再生部分?jǐn)?shù)字光接收機(jī)框圖
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第五講
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郝然光電檢測(cè)器光纖通信中對(duì)光電檢測(cè)器最重要的幾點(diǎn)要求如下:
在所用光源的波長范圍內(nèi)有較高的響應(yīng)度;
較小的噪聲;
響應(yīng)速度快;
對(duì)溫度變化不敏感;
與光纖尺寸匹配;
工作壽命長轉(zhuǎn)換效率、響應(yīng)速度和響應(yīng)波長是光電檢測(cè)器的主要指標(biāo)。光纖通信與光網(wǎng)絡(luò)·
第五講
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郝然8光檢測(cè)器光纖通信與光網(wǎng)絡(luò)·
第五講
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郝然?什么是光電探測(cè)器?光電探測(cè)器的原理?光電探測(cè)器的材料?光電探測(cè)器的性能參數(shù)?光電探測(cè)器的分類
9光纖通信與光網(wǎng)絡(luò)·
第五講
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郝然10光電探測(cè)器:將微弱光能轉(zhuǎn)化為電能的器件。光能
電能光纖通信與光網(wǎng)絡(luò)·
第五講
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郝然11Photovoltaic
Effect光電(伏)效應(yīng)愛因斯坦本人是因?yàn)檠芯抗怆娦?yīng)現(xiàn)象并從理論上對(duì)其做出了正確的量子解釋而獲得諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng).光探測(cè)的工作原理是基于光輻射與材料相互作用所產(chǎn)生的光電效應(yīng)來實(shí)現(xiàn)的光纖通信與光網(wǎng)絡(luò)·
第五講
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郝然12光照射在金屬表面觀察到有電子逸出??!光電效應(yīng)?
光以量子化的光子的形式存在?
每個(gè)光子具有能量E=hv?
固體吸收能量為E=hv之后放出相等能量的電子P區(qū)N區(qū)P-N結(jié)
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第五講
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郝然Question1:如何激勵(lì)出光生載電子?
回憶半導(dǎo)體激光器:PN結(jié)注入電流-》光子14
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郝然光電探測(cè)器(簡稱PD)是一種將光能轉(zhuǎn)換為電能的半導(dǎo)體器件。
此電能來自PN結(jié)!P型摻雜N型摻雜P區(qū)N區(qū)P-N結(jié)
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郝然Question2:如何收集逸出的電子流?
提供電子流通的最佳場(chǎng)所:PN結(jié)16
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郝然
光電探測(cè)器原理1.
光電效應(yīng)產(chǎn)生電流
光照射到半導(dǎo)體的P-N結(jié)上,若光子能量足夠大,則半導(dǎo)體材料中價(jià)帶
的電子吸收光子的能量,從價(jià)帶越過禁帶到達(dá)導(dǎo)帶,在導(dǎo)帶中出現(xiàn)光電
子,在價(jià)帶中出現(xiàn)光空穴,即光電子-空穴對(duì),稱作光生載流子。2.
PN結(jié)導(dǎo)通電流光生載流子在外加負(fù)偏壓(P接負(fù),N接正)和內(nèi)建電場(chǎng)的作用下,在外電路中出現(xiàn)光電流,從而在電阻R上有信號(hào)電壓輸出。這樣就實(shí)現(xiàn)了輸出電壓跟隨輸入光信號(hào)變化的光電轉(zhuǎn)換作用。171、電子的能量量子化
a2、電子運(yùn)動(dòng)有隧道效應(yīng)
原子的外層電子(高能
級(jí)),
勢(shì)壘穿透概率較大,
電子可以在整個(gè)固體中
運(yùn)動(dòng),
價(jià)電子不再為單個(gè)
原子所有,
而為整個(gè)晶體
所共有稱為共有化電子原子的內(nèi)層電子與原子核結(jié)合較緊,一般不是共有化電子
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郝然共有化電子
解定態(tài)薛定諤方程,可以得出兩點(diǎn)重要結(jié)論:18
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郝然
能帶的形成
量子力學(xué)計(jì)算表明,固體中若有N個(gè)原子,由于各原子間的相互作用,對(duì)應(yīng)于原來孤立原子的每一個(gè)能級(jí),變成了N條靠得很近的能級(jí),稱為能帶19
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郝然有關(guān)能帶被占據(jù)情況的幾個(gè)名詞1、滿帶各能級(jí)均被電子填滿2、價(jià)帶
能帶中能級(jí)沒有被電子全部填滿
無導(dǎo)電作用3、空帶(導(dǎo)帶)各能級(jí)均無電子填充4、禁帶相鄰能帶之間不存在電子穩(wěn)定能態(tài)的能量區(qū)間
無導(dǎo)電作用E重半禁帶ΔEg=0.1~2eV絕
禁帶ΔEg=3~6eV緣體光纖通信與光網(wǎng)絡(luò)·
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郝然20固體按導(dǎo)電性能的高低可以分為:半導(dǎo)體絕緣體導(dǎo)帶(空帶)
滿帶導(dǎo)體
E
導(dǎo)帶導(dǎo)體
滿帶
疊導(dǎo)
體
其共有化電子很易從
低能級(jí)躍遷到高能級(jí)
上去,造成多個(gè)能級(jí)
未被電子占滿,這些
能級(jí)上的電子均可參與導(dǎo)電E
導(dǎo)帶(空帶)
滿帶
是因?yàn)闈M帶與空帶之
間有一個(gè)較寬的禁帶
,共有化電子很難從
低能級(jí)(滿帶)躍遷到高能級(jí)(空帶)上去21
半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu):滿帶與空帶之間也是禁帶,但是禁帶很窄絕緣體半導(dǎo)體導(dǎo)體絕緣體與半導(dǎo)體的擊穿:
當(dāng)外電場(chǎng)非常強(qiáng)時(shí),共有化電子越過禁帶躍遷到
空帶中形成載流子
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郝然導(dǎo)帶(空帶)
禁帶ΔEg=0.1~2eV
滿帶光纖通信與光網(wǎng)絡(luò)·
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郝然一、本征半導(dǎo)體
—
純凈的半導(dǎo)體
兩個(gè)概念:
1、電子導(dǎo)電……載流子是電子
2、空穴導(dǎo)電……載流子是空穴
滿帶上的一個(gè)電子躍遷到空帶后,滿帶中出現(xiàn)一個(gè)空位稱空穴
22§14-3半導(dǎo)體光纖通信與光網(wǎng)絡(luò)·
第五講
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郝然23
?
每個(gè)原子周圍有四個(gè)相鄰的原
子
?
原子之間通過共價(jià)鍵緊密結(jié)合
在一起。
?
原子最外層的價(jià)電子不僅圍繞
…
?
兩個(gè)相鄰原子共用一對(duì)電子24
24
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郝然
本征半導(dǎo)體(純凈的半導(dǎo)體晶體)硅的晶體結(jié)構(gòu)電子硅光纖通信與光網(wǎng)絡(luò)·
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郝然
自由電子和空穴?
室溫下由于熱運(yùn)動(dòng)少數(shù)價(jià)
電子掙脫共價(jià)鍵的束縛成
為自由電子,同時(shí)在共價(jià)
鍵中留下一個(gè)空位這個(gè)空
位稱為“空穴”。?
失去價(jià)電子的原子成為正
離子,就好象空穴帶正電
荷一樣。
在電子技術(shù)中,將空穴看
成帶正電荷的載流子。
25電子硅空穴光纖通信與光網(wǎng)絡(luò)·
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郝然磷原子的五個(gè)價(jià)電子有四個(gè)形成共價(jià)鍵,多出的一個(gè)電子不受束縛,室溫下很容易成為自由電子。每個(gè)磷原子都提供一個(gè)自由電子,自由電子數(shù)目大大增加,遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過空穴數(shù)。這種半導(dǎo)體主要依靠電子導(dǎo)電,稱為電子型或N型半導(dǎo)體。
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N型和P型半導(dǎo)體N型半導(dǎo)體,在硅晶體中摻入磷
電子硅磷光纖通信與光網(wǎng)絡(luò)·
第五講
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郝然27P型半導(dǎo)體,在硅晶體中摻入硼硼原子與相鄰的四個(gè)硅原子由于缺少一個(gè)價(jià)電子而產(chǎn)生一個(gè)空位,這個(gè)空位很容易被鄰近共價(jià)鍵中的價(jià)電子填補(bǔ)。每個(gè)硼原子都產(chǎn)生一個(gè)空穴,空穴數(shù)目大大增加,遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過自由電子數(shù)。這種半導(dǎo)體主要依靠空穴導(dǎo)電,稱為空穴型或P型半導(dǎo)體27電子硅硼多數(shù)載流子:電子空穴
摻入的雜質(zhì)元素的濃度越高,多數(shù)載流子的數(shù)量
越多。
少數(shù)載流子是熱激發(fā)而產(chǎn)生的,其數(shù)量的多少?zèng)Q
定于溫度。
28N型半導(dǎo)體
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郝然P型半導(dǎo)體光纖通信與光網(wǎng)絡(luò)·
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郝然29將P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體放在一起P區(qū)N區(qū)外電場(chǎng)空穴為多子電子為多子
當(dāng)P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體結(jié)合時(shí),由于交界面處存在的正負(fù)電荷載流
子濃度差,于是電子(負(fù)電荷粒子)和空穴(正電荷離子)都會(huì)從高濃
度區(qū)域向低濃度區(qū)域擴(kuò)散。
電子(負(fù)電荷粒子)與空穴(正電荷離子)都是帶電的,其擴(kuò)散的結(jié)果
就導(dǎo)致了P區(qū)和N區(qū)原來的電中性被破壞。這樣,P區(qū)一側(cè)失去空穴剩
下不能移動(dòng)的負(fù)離子,N區(qū)一側(cè)失去電子而留下不能移動(dòng)的正離子。這
些不能移動(dòng)的帶電粒子就是空間電荷。在空間電荷集中在P區(qū)和N區(qū)交
界面附近,形成了一很薄的空間電荷區(qū),就是P-N結(jié)
。
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郝然多子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成空間電荷區(qū)P區(qū)N區(qū)P-N結(jié)如上圖,在P區(qū)一側(cè)為負(fù)電荷,N區(qū)為正電荷,便出現(xiàn)
了由N到P的電場(chǎng)。這個(gè)電場(chǎng)是正負(fù)電荷載流子擴(kuò)散
運(yùn)動(dòng)形成的,而不是外加電壓形成的,這便是內(nèi)電
場(chǎng)。由于內(nèi)電場(chǎng)的存在,使得P-N結(jié)處于動(dòng)態(tài)平衡
狀態(tài)。
31P區(qū)N區(qū)P-N結(jié)
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郝然內(nèi)電場(chǎng)EIN阻止多子擴(kuò)散,促使少子漂移
內(nèi)電場(chǎng)光纖通信與光網(wǎng)絡(luò)·
第五講
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郝然3232多子
擴(kuò)散少子
漂移阻止空間電荷區(qū)變窄
內(nèi)電場(chǎng)EIN削弱
空間電荷區(qū)加寬
促使
內(nèi)電場(chǎng)EIN增強(qiáng)擴(kuò)散與漂移達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡形成一定寬度的PN結(jié)
PN結(jié)中同時(shí)存在多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和少子的漂移運(yùn)動(dòng)
,達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡時(shí),擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生的擴(kuò)散電流和漂
移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生的漂移互相抵消,PN結(jié)中總的電流為零
。光纖通信與光網(wǎng)絡(luò)·
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郝然
P型硅
后向電極Question1:如何激勵(lì)出光生載電子?
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前向電極防反射層
N型硅光纖通信與光網(wǎng)絡(luò)·
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郝然34光纖通信與光網(wǎng)絡(luò)·
第五講
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郝然35光纖通信與光網(wǎng)絡(luò)·
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郝然36光纖通信與光網(wǎng)絡(luò)·
第五講
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郝然37光纖通信與光網(wǎng)絡(luò)·
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郝然38光纖通信與光網(wǎng)絡(luò)·
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郝然39光纖通信與光網(wǎng)絡(luò)·
第五講
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郝然40在內(nèi)建電場(chǎng)作用下,完成了光生載流子過程??!回答了問題一但是,更為重要的是,不斷產(chǎn)生的光生載流子如何收集和存放,以保證不會(huì)減少?Question2:如何收集逸出的電子流?Question1:如何激勵(lì)出光生載電子?P區(qū)N區(qū)外電場(chǎng)空穴為多子電子為多子
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郝然回憶…
將P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體放在一起
正向P-N結(jié)
41回憶…P區(qū)N區(qū)P-N結(jié)
42
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郝然
反向內(nèi)電場(chǎng)EIN阻止多子擴(kuò)散,促使少子漂移
內(nèi)電場(chǎng)光纖通信與光網(wǎng)絡(luò)·
第五講
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郝然43如何施加電壓?光纖通信與光網(wǎng)絡(luò)·
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郝然
后向電極Question2:如何收集逸出的電子流?
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前向電極防反射層
N型硅
P型硅
-++
-45
PInP
IInGaAs
NInP
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郝然PIN光電二極管
遠(yuǎn)離耗盡層處產(chǎn)生的電子-空穴對(duì)主要以擴(kuò)散的方式運(yùn)動(dòng),其復(fù)合不對(duì)外部
電流造成影響。因此降低了光檢測(cè)器的效率。而且,擴(kuò)散過程速度比漂移慢得
多,由電子-空穴對(duì)產(chǎn)生的擴(kuò)散電流對(duì)入射光信號(hào)的強(qiáng)度變化響應(yīng)速度慢,降
低光電二極管的頻率響應(yīng)。
為了改善光探測(cè)器的效率,在p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體之間引入輕度摻雜的本
征半導(dǎo)體,這樣的光探測(cè)器稱為PIN光電二極管。光纖通信與光網(wǎng)絡(luò)·
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郝然46在P區(qū)和N區(qū)中間夾一層本征層I;常用摻雜濃度很小,高阻材料;常使I區(qū)寬度近似入射光透深度1/
,P區(qū)和N區(qū)很??;差不多整個(gè)I區(qū)都是耗盡層;光生載流子大部分在耗盡層中產(chǎn)生,縮短了響應(yīng)時(shí)間;工作區(qū)摻雜濃度低,在低偏壓下,漏電流小、量子效率高、電容也小、響應(yīng)速度快。用雙異質(zhì)結(jié),使p型和n型區(qū)域?qū)ぷ鞑ㄩL是透明的,光電流的擴(kuò)散成分被完全消除,光探測(cè)器的效率提高。
PInP
IInGaAs
NInPPIN光電二極管≈光纖通信與光網(wǎng)絡(luò)·
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郝然471)響應(yīng)波長的上限光電效應(yīng)必須滿足條件c是真空中的光速,
是入射光的波長,h是普朗克常量入射光的波長必須小于某個(gè)臨界值,才會(huì)發(fā)生光電效應(yīng),這個(gè)臨界值就叫做上截止波長,定義為2)響應(yīng)波長的下限入射光波長太短,光子的吸收系數(shù)很強(qiáng),大量入射光子在PN結(jié)表面被吸收,中性區(qū)的電子—空穴對(duì)很容易被復(fù)合,光電轉(zhuǎn)換效率低。光電二極管的波長響應(yīng)(光譜特性)h
EghcEg
hc
1.24Eg
Eg
c
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郝然
e0h
I
p
1
r
p0
exp
w1
1
exp
w
η=I
p/
e0p0/
hν
1-r
exp
-αw1
1-exp
-αw
光電轉(zhuǎn)換效率
常用量子效率和響應(yīng)度衡量光電轉(zhuǎn)換效率
當(dāng)入射功率為P0時(shí),光生電流可以表示為w1是零電場(chǎng)的表面層的厚度,w是耗盡區(qū)的厚度,
是材料的吸收系數(shù)量子效率表示入射光子能夠轉(zhuǎn)換成光電流的概率e0
是電子電荷,IP是光電流強(qiáng)度,P0是入射光功率?量子效率的光譜特性取決于半導(dǎo)體材料的吸收光譜
48光纖通信與光網(wǎng)絡(luò)·
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郝然外量子效率0
Ip
/eP
/h
通過結(jié)區(qū)的光生載流子數(shù)(光生電子-空穴對(duì)數(shù))
入射到器件上的光子數(shù)Ip0
e
Ph
=內(nèi)量子效率
產(chǎn)生的電子-空穴對(duì)數(shù)目入射到器件且被吸收的光字?jǐn)?shù)內(nèi)量子效率=外量子效率/(1?光反射率?光吸收率)
提高量子效率的辦法
①
盡量減小光子在表面層的反射率r,增加入射到光電二極管中的光
子數(shù);
②
盡量減小中性區(qū)的厚度,增加耗盡區(qū)的寬度,使光子在耗盡區(qū)被充
分地吸收,而耗盡層厚,光生載流子漂移到加有反偏壓的P-N結(jié)兩端
的所需時(shí)間越長,漂移時(shí)間決定P-N結(jié)響應(yīng)速率。因此必須折中。
49R
50I
p
p0(
A
/
W
)
e0
h
P0相應(yīng)于平均每秒入射P0/h
個(gè)光子數(shù),而入射光子中有
部分被吸收并在外電路中產(chǎn)生一個(gè)電子,所以典型值1.3
m
band,
1
A/W1.5
m
band,
1.2
A/W0I
pPR0
入射的平均光功率(A/W)
光纖通信與光網(wǎng)絡(luò)·
第五講
·
郝然響應(yīng)度?光電轉(zhuǎn)換效率也可以直接用光生電流Ip和入射光功率p0的比值來表示,稱其為響應(yīng)度
光電檢測(cè)器的平均輸出電流
R0
或51
光纖通信與光網(wǎng)絡(luò)·
第五講
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郝然響應(yīng)度和量子效率都是描述器件光電轉(zhuǎn)換能力的物理量
,但是他們分析的角度不同。響應(yīng)度是在外部電路中呈現(xiàn)的宏觀靈敏特性,而量子效率是器件在內(nèi)部呈現(xiàn)的微觀靈敏特性。外量子效率與響應(yīng)度的關(guān)系:
h
e
eh
R0
1.24R0
將頻率轉(zhuǎn)換成波長,并帶入普朗克常數(shù)及光在真空中的速度52(1應(yīng)時(shí)間的因素主要有
光纖通信與光網(wǎng)絡(luò)·
第五講
·
郝然響應(yīng)時(shí)間
——半導(dǎo)體光電二極管產(chǎn)生的光電流跟隨入射光信
號(hào)變化
快慢的狀態(tài)。
影響響)從光入射光敏面到發(fā)生受激吸收的時(shí)間;
(2)零場(chǎng)區(qū)光生載流子的擴(kuò)散時(shí)間;
(3)有場(chǎng)區(qū)光生載流子的漂移時(shí)間;
(4)雪崩倍增建立時(shí)間(僅對(duì)于APD);
(5)RC時(shí)間常數(shù)。53
光纖通信與光網(wǎng)絡(luò)·
第五講
·
郝然暗電流
在理想情況下,當(dāng)沒有光照射時(shí),光電檢測(cè)器應(yīng)無光電流輸出。
但是實(shí)際上由于熱激勵(lì)、宇宙射線后放射性物質(zhì)的激勵(lì),在無光
的情況下,光電檢測(cè)器仍有電流輸出,這種電流稱為暗電流。
嚴(yán)格的說,暗電流還包括器件表面的漏電流。暗電流由體內(nèi)暗
電流和表面暗電流組成。器件的暗電流越小越好。
光纖通信與光網(wǎng)絡(luò)·
第五講
·
郝然雪崩光電二極管
從光電二級(jí)管的作用來說,在一定的信號(hào)光功率下,光生電流越大越好。前面
介紹的PIN光電二極管即便是在最大響應(yīng)度下,一個(gè)光子也最多也只能產(chǎn)生一對(duì)
電子-空穴對(duì),是一種無信號(hào)增益的器件。
為了獲得更高的響應(yīng)度,人們研制出了一種帶有內(nèi)部增益的探測(cè)器件雪崩光電二
極管。APD常用于接收弱光功率的場(chǎng)合。靈敏度高、響應(yīng)速度快(可達(dá)1000GHz)
54
光纖通信與光網(wǎng)絡(luò)·
第五講
·
郝然雪崩光電二極管
APD比PIN多了一層P型層。入射光進(jìn)入有源區(qū)產(chǎn)生光生載流子電子-空穴對(duì)。如果在
APD上有一反向外加電壓,使得在PN+結(jié)附近有一高電場(chǎng)存在,且高場(chǎng)區(qū)內(nèi)承受了
所加偏壓的大部分壓降。產(chǎn)生的光生載流子在這一高場(chǎng)區(qū)中被加速,獲得很高的能量
。如果耗盡區(qū)內(nèi)場(chǎng)足夠大,大到等于碰撞電離所需的最小場(chǎng)強(qiáng),則在高反偏壓作用下
高速運(yùn)動(dòng)中與晶格碰撞,發(fā)生雪崩倍增效應(yīng),使晶體中的電子電離,激發(fā)新的電子-
空穴對(duì),新產(chǎn)生的電子空穴對(duì)在高場(chǎng)區(qū)中繼續(xù)加速,碰撞別的原子,從而使勢(shì)壘區(qū)中
載流子濃度倍增,形成極大的反向電流。INNP+金屬層抗反射膜N+
金屬層N+PI耗盡區(qū)WN電場(chǎng)雪崩區(qū)碰撞電離所需要最小場(chǎng)強(qiáng)保護(hù)環(huán)
P雪崩光電二極管的工作原理
55光纖通信與光網(wǎng)絡(luò)·
第五講
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郝然56IM是雪崩增益后輸出電流的平均值;Ip是未倍增時(shí)的初始光生電流?光電二極管輸出電流和反向偏壓的關(guān)系?當(dāng)反向偏壓增加到一定數(shù)值,光電流急劇增加,器件被擊穿,擊穿電壓VBIM
IpG
APD的平均雪崩增益?平均雪崩增益的定義為57
光纖通信與光網(wǎng)絡(luò)·
第五講
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郝然APD的結(jié)構(gòu)?光纖通信在0.85
m波段常用的APD有拉通型(RAPD)和保護(hù)環(huán)型(GAPD)兩種58
光纖通信與光網(wǎng)絡(luò)·
第五講
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郝然另一種在長波長波段使用的APD的結(jié)構(gòu)稱為SAM
(Seperated
Absorption
andMultiplexing)結(jié)構(gòu)光纖通信與光網(wǎng)絡(luò)·
第五講
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郝然59數(shù)字光接收機(jī)框圖光檢測(cè)器與前置放大器均衡器光檢測(cè)器與前置放大器判決器譯碼器自動(dòng)增益控制時(shí)鐘恢復(fù)主放大器光纖通信與光網(wǎng)絡(luò)·
第五講
·
郝然60接收機(jī)的前端
光檢測(cè)器(或光電變換)的作用是把接收到的光信號(hào)轉(zhuǎn)換成光電流。對(duì)光檢測(cè)器的基本要求是高的光電轉(zhuǎn)換效率、低的附加噪聲和快速的響應(yīng)。由于光檢測(cè)器產(chǎn)生的光電流非常微弱,只有nA~μA的數(shù)量級(jí),必須先經(jīng)過前置放大器進(jìn)行低噪聲放大,當(dāng)然這也無可避免的引起附加噪聲。光檢測(cè)器的前置放大器合起來叫做接收機(jī)的前端,其性能的優(yōu)劣是決定接收機(jī)靈敏度的主要因素。對(duì)于前端要求:低噪聲、高靈敏度和足夠的帶寬。光纖通信與光網(wǎng)絡(luò)·
第五講
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郝然61線性通道
主放大器的任務(wù)是把前端輸出的毫伏級(jí)的信號(hào)放大到后面信號(hào)處理所需要的電平。接收機(jī)的其余的電路是對(duì)信號(hào)進(jìn)行進(jìn)一步的處
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