2025屆高三化學(xué)一輪復(fù)習(xí)：原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

2025屆高三化學(xué)一輪復(fù)習(xí)一原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

一'單選題

1.X、Y、Z、W四種短周期主族元素，原子序數(shù)依次增大。X、Y與Z位于同一周期，且只有X、Y元

素相鄰，X基態(tài)原子核外有2個(gè)未成對電子，W原子在同周期中原子半徑最大。下列說法不正確的是

A.第一電離能：Y>Z>X>W

B.電負(fù)性：Z>Y>X>W

C.Z、W原子形成稀有氣體電子構(gòu)型的簡單離子的半徑：W<Z

D.Y與Z形成的分子YZ3中每個(gè)原子均滿足8日結(jié)構(gòu)

2.某元素的原子3d能級(jí)上有1個(gè)電子，它的N能層上電子數(shù)是（）

A.0B.2C.5D.8

3.短周期主族元素X、Y、Z、W的原子序數(shù)依次增大，基態(tài)Y原子有3個(gè)未成對電子，基態(tài)Z原子的

價(jià)電子數(shù)等于其電子層數(shù)，這四種元素可形成離子化合物卜XJ+IZWJ-。下列敘述正確的是

A.氧化性：Y2>W2B.電負(fù)性：Y>X>Z

C.Y的含氧酸一定是強(qiáng)酸D.第一電離能：Y<W

4.“中國天眼”探測到距離地球79光年的恒星光譜，經(jīng)光譜分析該恒星的組成元素有硅、磷、鐵硫等。

下列說法錯(cuò)誤的是（）

A.硅位于元素周期表的p區(qū)

B.基態(tài)磷原子的未成對電子數(shù)為3

C.基態(tài)鐵原子的電子排布式為[Kr]3d64s2

D.硫的第一電離能小于磷的第一電離能

5.下列各項(xiàng)敘述中，正確的是（）

A.Na、Mg、Al的未成對電子數(shù)依次增多

B.K+的核外電子排布式為Is22s22P63s23P6

C.價(jià)電子排布為5s25Pl的元素位于第五周期第IA族，是p區(qū)元素

2s2p

D.氮原子的最外層電子排布圖：|「

6.某離子液體結(jié)構(gòu)如圖示。W、X、Y、Z原子序數(shù)依次增大，W、X和Y的原子序數(shù)之和為14,Z是

第4周期元素，基態(tài)Z原子核外電子占有8個(gè)能級(jí)。下列說法正確的是

wx=xw

[w2Y—xw2-^^Y—XW—Ywjz

wx一

A.單質(zhì)的沸點(diǎn)：Y<Z<XB.電負(fù)性：Y>W>X

C.原子半徑：Z>Y>XD.Z的氧化物的水化物為強(qiáng)酸

7.下列各組基態(tài)原子中，X和Y一定是同一主族元素的是()

選項(xiàng)X原子Y原子

A1s2[Ar]4s2

BM層上有1個(gè)電子N層上有1個(gè)電子

C2p能級(jí)上有2個(gè)未成對電子3p能級(jí)上有2個(gè)未成對電子

DL層2P能級(jí)上只有一個(gè)空軌道M層3P能級(jí)上只有一個(gè)空軌道

A.AB.BC.CD.D

8.硼元素的某種氫化物能與NH3作用得到化合物M,M是一種新的儲(chǔ)氫材料，加熱M會(huì)緩慢釋放出

氏，并轉(zhuǎn)化為化合物N,M、N分別與乙烷、乙烯的結(jié)構(gòu)相似。下列有關(guān)說法正確的是()

A.基態(tài)UB原子中，核外存在2對自旋相反的電子，有5種不同空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子

B.M分子中存在配位鍵，B原子的雜化類型為sp2雜化

C.M分子能與水分子之間形成氫鍵

D.N分子中的兀鍵和◎鍵數(shù)目之比為5：1

9.元素周期表中前四周期元素W、X、Y、Z、Q,它們的原子序數(shù)依次增大，且分布于四個(gè)不同的周

期。W是宇宙中含量最多的元素；X是形成化合物種類最多的元素；Y與X同周期，Y元素最高價(jià)氧化

物的水化物能與其簡單氫化物反應(yīng)生成鹽；Z元素的電負(fù)性在同周期元素中最大；Q的基態(tài)原子在前四

周期中未成對電子數(shù)最多。下列說法錯(cuò)誤的是

A.非金屬性：Y>X>W

B.簡單氣態(tài)氫化物的沸點(diǎn)：Y>Z>X

C.Y0：中所有的原子不都在同一平面上

D.Q所在的周期中，基態(tài)原子最外層電子數(shù)相同的元素有3種

10.常用氨基乙酸鈉(NH2cH2coONa)合成工業(yè)洗滌劑的中間體。下列說法正確的是

A.半徑大小：r(O2)<r(Na+)

B.電負(fù)性大?。簒(N)<Z(C)

C.第一電離能大小：I1(O)<I1(N)

D.穩(wěn)定性大?。篐2O<NH3

11.化合物A(結(jié)構(gòu)式如下圖)是重要的藥物中間體和分析試劑，化合物A由原子序數(shù)依次增大的短周期

元素X、Y、Z、W可組成，W是地殼中分布最廣的元素，下列說法正確的是

XXXX

\/\/

X—YY—X

\/

Y—Y、

//、

WZ-W

\

X

A.YW2的分子空間結(jié)構(gòu)為V形

B.原子半徑大小順序?yàn)椋篧>Z>Y>X

C.非金屬性強(qiáng)弱順序?yàn)椋篨>W>Y>Z

D.X、Y、Z、W四種元素可形成離子化合物

12.下列有關(guān)電子云和原子軌道的說法正確的是

A.s、p、d能級(jí)所含原子軌道數(shù)分別為1,3,5

B.s能級(jí)的原子軌道呈球形，處在該軌道上的電子只能在球殼內(nèi)運(yùn)動(dòng)

C.p能級(jí)的原子軌道呈紡錘形，隨著能層的增加，p能級(jí)原子軌道數(shù)也增多

D.原子核外的電子像云霧一樣籠罩在原子核周圍，故稱電子云

13.用價(jià)層電子對互斥模型預(yù)測H2s和NH；的空間結(jié)構(gòu)，兩個(gè)結(jié)論都正確的是

A.直線形；正四面體形B.V形；平面正方形

C.直線形；平面正方形D.V形；正四面體形

14.以下關(guān)于原子結(jié)構(gòu)的說法正確的是

A.基態(tài)K原子的4s電子能量較高，總是在比3s電子離核更遠(yuǎn)的地方運(yùn)動(dòng)

B.從能量角度來看，某原子的d軌道能量一定高于s軌道

Is2s2P3s3p

C.基態(tài)S原子的電子排布圖為葉||^亍||IfI-t-T||N11NN

D.基態(tài)鈣離子的電子占據(jù)的最高能級(jí)有3個(gè)原子軌道，形狀為啞鈴形

15.X、Y、Z、W四種短周期主族元素，原子序數(shù)依次增大。X、Y與Z位于同一周期且只有X、Y元

素相鄰。X基態(tài)原子核外有2個(gè)未成對電子，W原子在同周期中原子半徑最大。下列說法不正確的是

()

A.第一電離能：Y>Z>X

B.電負(fù)性：Z>Y>X>W

C.Z、W原子形成稀有氣體電子構(gòu)型的簡單離子的半徑：W<Z

D.XZ4是含有極性鍵的非極性分子

16.下列說法不正確的是

A.Mg原子由Is22s22P63sl3p-ls22s22P63s2時(shí)，原子釋放能量，由激發(fā)態(tài)變?yōu)榛鶓B(tài)

B.電子云圖中黑點(diǎn)密度越大，說明單位體積內(nèi)電子出現(xiàn)的幾率越大

C.碳原子的基態(tài)電子排布式寫成Is22sl2P3,它違背了能量最低原理

D.p軌道電子能量一定高于s軌道電子能量

17.一種麻醉劑的分子結(jié)構(gòu)如圖所示，元素X的原子核內(nèi)只有1個(gè)質(zhì)子，元素Y,Z、W的原子序數(shù)依

次增大且均位于元素X的下一周期，元素E的原子比元素W的原子多8個(gè)電子，下列敘述正確的是

WEW

III

W—V-Z-W

III

XXw

A.Y的基態(tài)原子中電子的空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有4種

B.X和Z只能形成一種化合物

C.電負(fù)性：Y>Z>W

D.E的最高價(jià)氧化物對應(yīng)的水化物是一種弱酸

18.M、W、X、Y、Z五種元素原子序數(shù)依次增大，基態(tài)Z原子的電子填充了3個(gè)能級(jí)，其中有2個(gè)未

成對電子。下列說法不正確的是

Z—XM,

Z—XM,

B.電負(fù)性：M<X<Y<Z

C.第一電離能：W<X<Z<YD.簡單離子半徑：Y>Z

19.鐵和鈦是重要的金屬材料，鐵及其化合物在生活中常用于凈水、制作顏料、食品保鮮等。Ti-Fe合金

是優(yōu)良的儲(chǔ)氫合金。一種利用鈦鐵礦（FeTiC）3,含F(xiàn)e2（）3雜質(zhì)）制備鈦的工藝流程如下。

鹽酸

11一

3+

I—研工產(chǎn)IFe?+、Fe斤ki局溫一1『一Mg叼

鈦鐵礦一?『力+一----HTO2|-------->|TIC14|■■?LTjJ

C12

下列關(guān)于制取鈦的工藝流程及Ti-Fe儲(chǔ)氫合金（結(jié)構(gòu)如圖）的說法不正確的是

A.Fe?+的價(jià)電子排布為3d$

B.Ti-Fe儲(chǔ)氫合金中H原子位于金屬原子形成的四面體空隙中

2+2++

C.TiO完全水解生成H2TiO3：TiO+2H2。=H2TiO3J+2H

+2+2+

D.FeTiC）3與鹽酸反應(yīng)：FeTiO3+4H=TiO+Fe+2H2O

20.在以下性質(zhì)的比較中，正確的是（）

A.第一電子親和能：B<C<O<F

B.電負(fù)性：F>N>O>C

C.第一電離能：Na<Mg<Al<Si

D.微粒半徑：Li+<O2-<F-<Na+

二'綜合題

21.根據(jù)原子結(jié)構(gòu)、元素周期表和元素周期律的知識(shí)回答下列問題：

（1）A是，36號(hào)元素原子核外電子排布中未成對電子數(shù)最多的元素，A元素的名稱是,

在元素周期表中的位置是。

（2）B元素基態(tài)原子的軌道表示式是下圖中的（填序號(hào)），另一軌道表示式不能作為基態(tài)原

子的軌道表示式是因?yàn)樗环希ㄌ钚蛱?hào)）。

????00

②曲?磁）??0O

A.能量最低原則B.泡利不相容原理C.洪特規(guī)則

（3）下圖表示8種短周期元素的原子序數(shù)（圖中原子序數(shù)是連續(xù)的）和元素常見單質(zhì)沸點(diǎn)的關(guān)系。其中

第一電離能和電負(fù)性最大的元素分別是、（填序號(hào)）；C、D、F元素的簡單離子的半

徑由大到小的順序是（用離子符號(hào)表示）。

22.硫及其化合物有許多用途，相關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)如下表所示:

H.SFeS2so?SO5H.SO,

1焙點(diǎn)/匕—85.5115.2>600-75.516,810.3

沸點(diǎn)-60.3444.6（分解）-10.045.0337.0

回答下列問題：

（1）根據(jù)價(jià)層電子對互斥理論，H2S、SO2、SO3的氣態(tài)分子中，中心原子價(jià)層電子對數(shù)不同于其他分

子的是o

（2）圖a為S8的結(jié)構(gòu)，其熔點(diǎn)和沸點(diǎn)要比二氧化硫的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)高很多，主要原因

為。

（3）氣態(tài)三氧化硫以單分子形式存在，其分子的立體構(gòu)型為形，其中共價(jià)鍵的類型有_

種；固體三氧化硫中存在如圖b所示的三聚分子，該分子中S原子的雜化軌道類型為。

23.已知A、B、C、D、E為短周期主族元素，F(xiàn)、G為第四周期元素，它們的原子序數(shù)依次增大。

A元素的核外電子數(shù)和電子層數(shù)相等，也是宇宙中最豐富的元素

B元素原子的核外p電子數(shù)比s電子數(shù)少1

C原子的第一至第四電離能分別是：，=783kJ/mol,I2=1451kJ/mol,I3=7733kJ/mol,

I4=10540kJ/mol

D元素簡單離子半徑是該周期中最小的

E元素是該周期電負(fù)性最大的元素

F所在族的元素種類是周期表中最多的

G在周期表的第十一列

（1）F元素的原子結(jié)構(gòu)示意圖為o

（2）B基態(tài)原子中能量最高的電子，其電子云在空間有個(gè)方向，原子軌道呈形。

（3）實(shí)驗(yàn)室制備E的單質(zhì)的離子反應(yīng)方程式為。

（4）C與D的第一電離能大小為o

（5）D與E的最高價(jià)氧化物對應(yīng)水化物相互反應(yīng)的離子方程式為。

（6）G元素的價(jià)電于排布式為o

24.A、B、C、D、E、F均為36號(hào)以前的元素.請完成下列空白：

（1）A元素基態(tài)原子的最外層有2個(gè)末成對電子，次外層有2個(gè)電子，其在元素周期表中的位置

是;該元素位于元素周期表的區(qū).

（2）B元素的原子最外層電子排布式為nsZpe,其核外電子有個(gè)運(yùn)動(dòng)狀態(tài).

（3）C元素基態(tài)的正三價(jià)離子的3d軌道為半充滿，其基態(tài)原子的價(jià)電子排布式為.

（4）D元素基態(tài)原子的M層全充滿；N層沒有成對電子，只有一個(gè)末成對電子.其基態(tài)原子的價(jià)層

電子排布圖為.

（5）E、F元素的基態(tài)原子都只有一個(gè)末成對電子；它們相互作用形成的離子的電子層結(jié)構(gòu)相同，并

且最高能級(jí)的電子對數(shù)等于其最高能層的電子層數(shù).E、F形成的化合物為（填化學(xué)式）.

25.試用VSEPR理論判斷下列分子或離子的立體構(gòu)型，并判斷中心原子的雜化類型：

（1）H2O形，雜化類型；

（2）CO32'形，雜化類型；

（3）SO32-形，雜化類型；

答案解析部分

L【答案】A

2.【答案】B

【解析】【解答】根據(jù)構(gòu)造原理，核外電子排滿4s再排3d,3d能級(jí)中有一個(gè)電子，不存在洪特規(guī)則特例

情況，s能級(jí)最多容納2個(gè)電子，因此4s上的電子數(shù)為2,

故答案為：Bo

【分析】根據(jù)原子核外電子排布規(guī)律即可寫出

3.【答案】B

4.【答案】C

【解析】【解答】A.硅為14號(hào)元素，核外電子排布式為Is22s22P63s23P2,位于元素周期表的p區(qū)，A不

符合題意；

B.磷為15號(hào)元素，核外電子排布式為Is22s22P63s23P3,基態(tài)原子的未成對電子數(shù)為3,B不符合題意；

C.鐵為26號(hào)元素，核外電子排布式為Is22s22P63s23P6或[Ai]3d64s2,C符合題意；

D.第一電離能指氣態(tài)、基態(tài)原子失去最外層的一個(gè)電子所需要的能量，磷元素的3P能級(jí)容納了3個(gè)電

子，處于半充滿穩(wěn)定狀態(tài)，失去一個(gè)電子比硫難，D不符合題意；

故答案為：Co

【分析】A.硅位于p區(qū)；

B.基態(tài)磷原子的核外電子排布式為Is22s22P63s23P3,未成對電子數(shù)為3；

D.同一周期元素的第一電離能隨著原子序數(shù)增大而增大，但第HA族、第VA族元素第一電離能大于其相

鄰元素。

5.【答案】B

【解析】【解答】A.根據(jù)構(gòu)造原理可知基態(tài)Na、Mg、Al的核外電子排布式是Is22s22P63s-

Is22s22P63s2、Is22s22P63sl3pL原子核外未成對電子數(shù)分別是1、0、1,不是依次增多，A不符合題意；

B.K是19號(hào)元素，K+是K原子失去最外層的1個(gè)4s電子形成，其核外電子排布式為Is22s22P63s23P6,

B符合題意；

C.價(jià)電子排布為5s25Pl的元素位于第五周期第niA族，屬于p區(qū)元素，C不符合題意；

D.N是7號(hào)元素，基態(tài)N原子核外電子排布式是Is22s22P3,原子核外最外層的3個(gè)2P電子分別占據(jù)3

P

個(gè)軌道，而且自旋方向相同，故最外層電子排布圖：向|f|||f|,D不符合題意;

故答案為：Bo

【分析】A.Na、Mg、Al的未成對電子數(shù)依次為1、0、1；

B.K為19號(hào)元素，失去最外層1個(gè)電子形成K+,根據(jù)構(gòu)造原理書寫其核外電子排布式；

C.價(jià)電子排布為5s25Pl的元素位于第五周期第IIIA族;

D.N原子最外層的3個(gè)2P電子分別占據(jù)3個(gè)軌道，而且自旋方向相同。

6.【答案】A

7.【答案】D

【解析】【解答】A.1S2對應(yīng)的元素是He,[AH4s2對應(yīng)的元素Ca,前者屬于。族，后者屬于IIA族，故A

不符合題意；

B.M層上有1個(gè)電子，該元素為Na,N層上有一個(gè)電子，該元素可能是K,也可能是Cr、Cu,故B

不符合題意；

C.2P能級(jí)上有2個(gè)未成對電子，該元素可能是C,也可能是O,3P能級(jí)上有2個(gè)未成對電子，該元素可

能是Si,也可能是Si,它們可能屬于同一主族，也可以不屬于同一主族，故C不符合題意；

D.L層2P能級(jí)上只有一個(gè)空軌道，該元素為C,M層3P能級(jí)上只有一個(gè)空軌道，該元素為Si,它們屬

于同一主族，故D符合題意；

故答案為：D。

【分析】A.分為He元素，[Ar]4s2為Ca元素;

B.M層上有1個(gè)電子的為Na元素，N層上有一個(gè)電子的元素可能為K、Cr、Cu；

C.2P能級(jí)上有2個(gè)未成對電子的元素可能為C、0,3P能級(jí)上有2個(gè)未成對電子的元素可能為Si、S?

8.【答案】C

【解析】【解答】A、基態(tài)"B原子的電子排布式為：Is22s22pJ則核外存在2對自旋相反的電子，有3種

不同空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子，故A錯(cuò)誤；

B、M的結(jié)構(gòu)與乙烷相似，則B原子采用sp3雜化，故B錯(cuò)誤；

C、M分子中含有N原子，可以與水中的H-0形成NH-O氫鍵，故C正確；

D、N的結(jié)構(gòu)與乙烯相似，則其分子中兀鍵和。鍵數(shù)目之比為1：5,故D錯(cuò)誤；

故答案為：Co

【分析】A、基態(tài)"B原子的電子排布式為：Is22s22p1

B、M與乙烷結(jié)構(gòu)相似；

C、M中的N原子可以與水形成氫鍵；

D、單鍵均為。鍵，雙鍵含有1個(gè)◎鍵和1個(gè)兀鍵。

9.【答案】C

10.【答案】C

11.【答案】D

12.【答案】A

13.【答案】D

14.【答案】D

15.【答案】A

【解析】【解答】A.同一周期元素，第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大趨勢，但第IIA族、第

VA族第一電離能大于其相鄰元素，則X、Y、Z的第一電離能大小順序是：F>N>C,故A符合題意；

B.元素的非金屬性越強(qiáng)，其電負(fù)性越大，非金屬性F>N>C,W為金屬元素，則電負(fù)性：F>N>C>Na,

故B不符合題意；

c.Z、W原子形成稀有氣體電子構(gòu)型的簡單離子分別是F-、Na+,電子層結(jié)構(gòu)相同的離子，離子半徑隨

著原子序數(shù)的增大而減小，所以離子半徑：Na+<F,故C不符合題意；

D.XZ4為CF4,為正四面體結(jié)構(gòu)，含有極性鍵，正負(fù)電荷重心重合，為非極性分子，故D不符合題意；

故答案為：Ao

【分析】X、Y、Z、W四種短周期主族元素，原子序數(shù)依次增大。X、Y與Z位于同一周期，且只有

X、Y元素相鄰。X基態(tài)原子核外有2個(gè)未成對電子，則X為C,Y為N,Z為F,W原子在同周期中

原子半徑最大，則W為Na。

16.【答案】D

【解析】【解答】A.Mg原子的基態(tài)為Is22s22P63s2,激發(fā)態(tài)為Is22s22P63sl3pi,激發(fā)態(tài)變?yōu)榛鶓B(tài)時(shí)，原子

釋放能量，A錯(cuò)誤；

B.電子云圖中黑點(diǎn)表示電子出現(xiàn)的概率，小黑點(diǎn)的密度越大，說明單位體積內(nèi)電子出現(xiàn)的幾率越大，B

錯(cuò)誤；

C.原子中，能層低的，其能量低，能級(jí)低的，其能量低，電子排布的時(shí)候優(yōu)先填充1s,再填充2s、

2p、3s、3p、4s、3d……，故題目中的碳原子基態(tài)電子排布式違背了能量最低原理，C錯(cuò)誤；

D.不同能層有不同能級(jí)，同一能層的p能級(jí)的軌道一定高于s能級(jí)的軌道能量，下一能層的s能級(jí)軌道

一定低于上一能層的p能級(jí)軌道能量，D正確；

故答案為：D?

【分析】A、基態(tài)的能量低于激發(fā)態(tài)的能量；

B、電子云表示電子出現(xiàn)的概率；

C、原子中，能層低的，其能量低，能級(jí)低的，其能量低，電子排布的時(shí)候優(yōu)先填充1s,再填充2s、

2p、3s、3p、4s、3d.....；

D、不同能層有不同能級(jí)，同一能層的p能級(jí)的軌道一定高于s能級(jí)的軌道能量，下一能層的s能級(jí)軌道

一定低于上一能層的p能級(jí)軌道能量。

17.【答案】A

18.【答案】A

19.【答案】B

20.【答案】A

【解析】【解答】A.非金屬性：B<C<O<F,第一電子親和能：B<C<O<F,故A符合題意；

B.非金屬性：F>O>N>C,電負(fù)性：F>O>N>C,故B不符合題意；

C.第HA族、第VA族元素第一電離能大于其相鄰元素，則第一電離能Na<Al<Mg<Si,故C不符合題

思士.；

D.微粒半徑：Li+<Na+<F<O2-,故D不符合題意；

故答案為A?

【分析】A.非金屬性越強(qiáng)，元素得電子能力越強(qiáng)，其電子親和能越大

B.同周期，從左到右，元素的電負(fù)性逐漸增大

C.同一周期元素，元素第一電離能隨著原子序數(shù)增大而呈增大趨勢，但也有特列

D.電子層越多，離子半徑越大，具有相同電子排布的離子中原子序數(shù)大的離子半徑小

21?【答案】(1)銘；第四周期第VIB族

(2)②；C

(3)E；D；02>F>Mg2+

【解析】【解答】(1)1~36號(hào)元素中未成對電子數(shù)最多的為Cr元素，其價(jià)電子排布式為3d54sL含6個(gè)未

成對電子，故此處填：銘；位于周期表第四周期第WB族；

(2)基態(tài)原子的電子填充滿足能量最低原理、泡利不相容原理、洪特規(guī)則，其中軌道排布式①3P能級(jí)電子

填充不滿足洪特規(guī)則，故此處依次填：②、C；

(3)B、C、D、E單質(zhì)常溫下為氣體，結(jié)合短周期元素知連續(xù)B、C、D、E只能為N、O、F、Ne,則A

為C,F為Mg,隨著周期表往右往上，元素第一電離能、電負(fù)性呈增大趨勢，第一電離能最大的為

Ne,電負(fù)性最強(qiáng)的為F,故此處依次填：E、D；O'F、Mg2+電子層數(shù)均為兩層，核電荷數(shù)：Mg>F

>O,故離子半徑：->F->Mg2+。

【分析】(1)Cr的價(jià)層電子排布式為3d54s］，未成對電子數(shù)有6個(gè)；

(2)根據(jù)洪特規(guī)則電子進(jìn)入能級(jí)相同的兼并軌道時(shí)盡可能各自占據(jù)一個(gè)軌道且自選平行，所以①違反

了洪特規(guī)則；

(3)B、C、D、E單質(zhì)常溫下為氣體，結(jié)合短周期元素知連續(xù)B、C、D、E只能為N、O、F、Ne,則

A為C,F為Mg,隨著周期表往右往上，元素第一電離能、電負(fù)性呈增大趨勢。

22.【答案】(1)H2s

(2)S8相對分子質(zhì)量比SO2大，S8的分子間作用力大于SO2

(3)平面三角；2；sp3

【解析】【解答】⑴H2S、SO2、SO3的中心原子均為S,中心原子價(jià)層電子對數(shù)分別為2+殳管、2+

—、3+—,即4、3、3,所以，H2s分子的中心原子價(jià)層電子對數(shù)不同于其他分子，故答

22

案為：H2S;(2)S8與SO2都是分子晶體，S8相對分子質(zhì)量比S02大，S8的分子間作用力大于SO2,所以熔

沸點(diǎn)S8>SO2,故答案為：S8相對分子質(zhì)量比S02大，S8的分子間作用力大于SO2；(3)SO3中S原子價(jià)層

電子對數(shù)=3+=匚=3,且不含孤電子對，根據(jù)價(jià)層電子對互斥理論判斷其空間構(gòu)型為平面三角形，

2

該分子中S-0原子之間存在單鍵和雙鍵，所以共價(jià)鍵類型2種。圖b分子中每個(gè)S原子都形成4個(gè)單

鍵，所以S原子雜化類型為sp3,故答案為：平面三角；2；sp3。

【分析】(1)根據(jù)價(jià)層電子對互斥理論進(jìn)行作答；

(2)分子晶體的熔沸點(diǎn)與分子的相對分子質(zhì)量有關(guān)，相對分子量越大，物質(zhì)的熔沸點(diǎn)越高；

(3)根據(jù)價(jià)層電子對互斥理論判斷物質(zhì)的空間構(gòu)型，以及雜化類型。

(2)3；紡錘

+2+

(3)MnO2+4H+2Cl-=Mn+Cl2t+2H2O

A

(4)Mg>Al

+3+

(5)A1(OH)3+3H=A1+3H2O

(6)3d104sl

24.【答案】(1)第二周期或第VIA族；P

7

(3)3d64s2

HHHHH田

3d4s

(5)KC1

【解析】【解答】(1)A元素基態(tài)原子的最外層有2個(gè)末成對電子，次外層有2個(gè)電子，可推出A元素原

子核外電子排布式為Is22s22P3則A為氧元素，位于第二周期第VIA族，屬于P區(qū)。

(2)B元素的原子最外層電子排布式為ns%pn+i,根據(jù)s能級(jí)最多排2個(gè)電子，可推出n=2,所以