高考物理二輪復(fù)習(xí)專項(xiàng)訓(xùn)練模型39 電場疊加模型（原卷版）

模型39電場疊加模型1.（2023高考海南卷）如圖所示，正三角形三個(gè)頂點(diǎn)固定三個(gè)等量電荷，其中SKIPIF1<0帶正電，SKIPIF1<0帶負(fù)電，SKIPIF1<0為SKIPIF1<0邊的四等分點(diǎn)，下列說法正確的是（）A.SKIPIF1<0、SKIPIF1<0兩點(diǎn)電場強(qiáng)度相同 B.SKIPIF1<0、SKIPIF1<0兩點(diǎn)電勢相同C.負(fù)電荷在SKIPIF1<0點(diǎn)電勢能比在SKIPIF1<0點(diǎn)時(shí)要小 D.負(fù)電荷在SKIPIF1<0點(diǎn)電勢能比在SKIPIF1<0點(diǎn)時(shí)要大2.（12分）（2023高考全國乙卷）如圖，等邊三角形SKIPIF1<0位于豎直平面內(nèi)，AB邊水平，頂點(diǎn)C在AB邊上方，3個(gè)點(diǎn)電荷分別固定在三角形的三個(gè)頂點(diǎn)上。已知AB邊中點(diǎn)M處的電場強(qiáng)度方向豎直向下，BC邊中點(diǎn)N處的電場強(qiáng)度方向豎直向上，A點(diǎn)處點(diǎn)電荷的電荷量的絕對值為q，求（1）B點(diǎn)處點(diǎn)電荷的電荷量的絕對值并判斷3個(gè)點(diǎn)電荷的正負(fù)；（2）C點(diǎn)處點(diǎn)電荷的電荷量。3.（2022山東物理）半徑為R的絕緣細(xì)圓環(huán)固定在圖示位置，圓心位于O點(diǎn)，環(huán)上均勻分布著電量為Q的正電荷。點(diǎn)A、B、C將圓環(huán)三等分，取走A、B處兩段弧長均為SKIPIF1<0的小圓弧上的電荷。將一點(diǎn)電荷q置于SKIPIF1<0延長線上距O點(diǎn)為SKIPIF1<0的D點(diǎn)，O點(diǎn)的電場強(qiáng)度剛好為零。圓環(huán)上剩余電荷分布不變，q為（）

A.正電荷，SKIPIF1<0 B.正電荷，SKIPIF1<0C.負(fù)電荷，SKIPIF1<0 D.負(fù)電荷，SKIPIF1<04.（2023高考湖北卷）在正點(diǎn)電荷Q產(chǎn)生的電場中有M、N兩點(diǎn)，其電勢分別為SKIPIF1<0、SKIPIF1<0，電場強(qiáng)度大小分別為SKIPIF1<0、SKIPIF1<0。下列說法正確的是（）A.若SKIPIF1<0，則M點(diǎn)到電荷Q的距離比N點(diǎn)的遠(yuǎn)B.若SKIPIF1<0，則M點(diǎn)到電荷Q距離比N點(diǎn)的近C.若把帶負(fù)電的試探電荷從M點(diǎn)移到N點(diǎn)，電場力做正功，則SKIPIF1<0D.若把帶正電的試探電荷從M點(diǎn)移到N點(diǎn)，電場力做負(fù)功，則SKIPIF1<05.（2023高考湖南卷）如圖，真空中有三個(gè)點(diǎn)電荷固定在同一直線上，電荷量分別為Q1、Q2和Q3，P點(diǎn)和三個(gè)點(diǎn)電荷的連線與點(diǎn)電荷所在直線的夾角分別為90°、60°、和30°。若P點(diǎn)處的電場強(qiáng)度為零，q>0，則三個(gè)點(diǎn)電荷的電荷量可能為（）A.Q1=q，SKIPIF1<0，Q3=q B.Q1=－q，SKIPIF1<0，Q3=－4qC.Q1=－q，SKIPIF1<0，Q3=－q D.Q1=q，SKIPIF1<0，Q3=4q6.（2023高考山東高中學(xué)業(yè)水平等級考試）如圖所示，正六棱柱上下底面的中心為O和SKIPIF1<0，A、D兩點(diǎn)分別固定等量異號的點(diǎn)電荷，下列說法正確的是（）A.SKIPIF1<0點(diǎn)與SKIPIF1<0點(diǎn)的電場強(qiáng)度大小相等B.SKIPIF1<0點(diǎn)與SKIPIF1<0點(diǎn)的電場強(qiáng)度方向相同C.SKIPIF1<0點(diǎn)與SKIPIF1<0點(diǎn)的電勢差小于SKIPIF1<0點(diǎn)與SKIPIF1<0點(diǎn)的電勢差D.將試探電荷SKIPIF1<0由F點(diǎn)沿直線移動到O點(diǎn)，其電勢能先增大后減小最新模擬題1.(2023重慶七校三模)2022年北京冬奧會開幕式上，由一朵朵代表各個(gè)參賽國家的“小雪花”組成一朵“大雪花”后，裹運(yùn)圣火在其中央點(diǎn)燃，如圖甲，讓全世界驚嘆。某同學(xué)發(fā)現(xiàn)每朵“小雪花”的基本形狀如圖乙所示，并利用絕緣弧形細(xì)條擺成模型，若其左右分別均勻分布著等量異種電荷。a、b、c、d四點(diǎn)均位于對稱軸上，且它們與中心點(diǎn)的距離均相等。則（）A.ab兩點(diǎn)電勢差SKIPIF1<0大于bc兩點(diǎn)電勢差SKIPIF1<0B.a、c兩點(diǎn)的電勢相等C.b、d兩點(diǎn)的場強(qiáng)相等D.正的試探電荷從b點(diǎn)到d點(diǎn)電勢能增加2.（2023山東煙臺三模）.均勻帶電的球殼在球外空間產(chǎn)生的電場等效于電荷集中于球心處產(chǎn)生的電場。如圖所示，一半徑為R的球體表面均勻帶有正電荷，電荷量為q，O為球心，直線ab是過球體中心的一條水平線，球體表面與直線ab交于C、D兩點(diǎn)，直線ab上有兩點(diǎn)P、Q，且SKIPIF1<0?，F(xiàn)垂直于CD將球面均分為左右兩部分，并把右半部分移去，左半球面所帶電荷仍均勻分布，此時(shí)P點(diǎn)電場強(qiáng)度大小為E，則Q點(diǎn)的電場強(qiáng)度大小為（）A.SKIPIF1<0 B.SKIPIF1<0 C.SKIPIF1<0 D.SKIPIF1<03.（2023山東濰坊三模）.如圖甲所示，半徑為SKIPIF1<0的均勻帶電圓形平板，單位面積帶電荷量為SKIPIF1<0，其軸線上任意一點(diǎn)SKIPIF1<0（坐標(biāo)為SKIPIF1<0）的電場強(qiáng)度可以由電場強(qiáng)度的疊加原理求出：SKIPIF1<0，方向沿SKIPIF1<0軸?，F(xiàn)考慮單位面積帶電荷量為SKIPIF1<0的無限大均勻帶電平板，從其中間挖去一半徑為SKIPIF1<0的圓板后（如圖乙所示），在其軸線上任意一點(diǎn)SKIPIF1<0（坐標(biāo)為SKIPIF1<0）處放置一個(gè)點(diǎn)電荷SKIPIF1<0，則SKIPIF1<0所受電場力的大小為（）A.SKIPIF1<0 B.SKIPIF1<0 C.SKIPIF1<0 D.SKIPIF1<04.（2023山東青島二中下學(xué)期期中）如圖，在點(diǎn)電荷SKIPIF1<0的電場中，放著一塊帶有一定電量、電荷均勻分布的絕緣矩形薄板，MN為其對稱軸，O點(diǎn)為幾何中心．點(diǎn)電荷SKIPIF1<0與a、O、b之間的距離分別為d、2d、3d。已知圖中a點(diǎn)的電場強(qiáng)度為零，則圖中b點(diǎn)處的電場強(qiáng)度的大小和方向分別為（）A.SKIPIF1<0，水平向右 B.SKIPIF1<0，水平向右C.SKIPIF1<0，水平向左 D.SKIPIF1<0，水平向右7.（2023河北九師聯(lián)盟質(zhì)檢）如圖所示，分別帶均勻正電的三根絕緣棒AB、BC、CA構(gòu)成正三角形，現(xiàn)測得正三角形的中心O點(diǎn)的電勢為SKIPIF1<0，場強(qiáng)的方向背離B，大小為E，當(dāng)撤出AB、BC，測得中心O點(diǎn)的電勢為SKIPIF1<0，場強(qiáng)的大小為SKIPIF1<0，規(guī)定無限遠(yuǎn)處電勢為0，下列說法正確的是（）A.撤去AC，則中心O點(diǎn)的場強(qiáng)大小為SKIPIF1<0B.撤去AC，則中心O點(diǎn)的電勢為SKIPIF1<0C.AB在中心O點(diǎn)的場強(qiáng)大小為SKIPIF1<0D.AB在中心O點(diǎn)的電勢為SKIPIF1<05．（2023四川成都樹德中學(xué)二診）理論研究表明，無限大的均勻帶電平板在周圍空間會形成與平面垂直的勻強(qiáng)電場．現(xiàn)有兩塊無限大的均勻絕緣帶電平板正交放置，如圖所示，A1B1板兩面帶正電，A2B2板兩面帶負(fù)電，且兩板單位面積所帶電荷量相等(設(shè)電荷不發(fā)生移動)．圖中直線A1B1和A2B2分別為帶正電平面和帶負(fù)電平面與紙面正交的交線，O為兩交線的交點(diǎn)，C、D、E、F恰好位于紙面內(nèi)正方形的四個(gè)頂點(diǎn)上，且CE的連線過O點(diǎn)．則下列說法中正確的是A．D、F兩點(diǎn)電勢相同B．E、F兩點(diǎn)場強(qiáng)相同C．UEF＝UEDD．在C、D、E、F四個(gè)點(diǎn)中電子在F點(diǎn)具有的電勢能最小8.（2023山東濟(jì)南期末）如圖所示，正三角形三個(gè)頂點(diǎn)處分別放置＋q、＋q、－q三個(gè)點(diǎn)電荷，M、N、P三點(diǎn)分別是三條邊的中點(diǎn)，以下說法正確的是（）A.M、N兩點(diǎn)的電場強(qiáng)度大小相等B.N、P兩點(diǎn)的電場強(qiáng)度大小相等C.M點(diǎn)的電勢高于N點(diǎn)的電勢D.負(fù)點(diǎn)電荷在M點(diǎn)的電勢能大于在P點(diǎn)的電勢能。7．（2023陜西省名校期末聯(lián)