GBT 4937.3-2012 半導(dǎo)體器件 機械和氣候試驗方法 第3部分：外部目檢_第1頁
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2012-11-05發(fā)布2013-02-15實施中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局IGB/T4937.3—2012/IEC6074 第1部分：總則 第2部分：低氣壓； 第6部分：高溫貯存 第10部分：機械沖擊 第13部分：鹽氣； 第17部分：中子輻射 第18部分：電離輻射(總劑量) 第21部分：可焊性 第25部分：溫度循環(huán)； 第26部分：靜電放電(ESD)敏感度試驗人體模式(HBM) 第28部分：靜電放電(ESD)敏感度試驗器件帶電模式(CDM)(考慮中) 第33部分：加速耐濕無偏置高壓蒸煮 —第36部分：恒定加速度； ⅡGB/T4937.3—2012/I本部分是GB/T4937的第3部分。本部分使用翻譯法等同采用IEC60749-3:2002《半導(dǎo)體器件機械和氣候試驗方法第3部分：外部目檢》1半導(dǎo)體器件機械和氣候試驗方法第3部分：外部目檢本試驗使用的設(shè)備應(yīng)能證實器件是否符合要求，包括能夠放大3倍~10倍的光學(xué)設(shè)備和足夠大的根據(jù)相關(guān)詳細(xì)規(guī)范和第4章的判據(jù)要求對器件進行檢查。若懷疑器件附著外來物時，可用流速最4失效判據(jù)c)引線未對準(zhǔn)或改變了原來的正常位置，或引線形狀不符合規(guī)定或未加規(guī)定的彎曲。(帶狀引1)封裝斷開或封裝有裂縫。表面劃痕不應(yīng)視為失效，除非這些缺陷與本方法其他判據(jù)如標(biāo)2)表面上缺損在任何方向上的尺寸大于1.5mm,并且其深度超過封裝有效單元厚度的3)缺損使密封玻璃(缺損前此部分不暴露)暴露或設(shè)計上不應(yīng)暴露的任何引線框架材料的2GB/T4

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