半導(dǎo)體物理與器件智慧樹知到期末考試答案章節(jié)答案2024年上海電子信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院

半導(dǎo)體物理與器件智慧樹知到期末考試答案+章節(jié)答案2024年上海電子信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院硅材料制備的PN結(jié)的導(dǎo)通電壓為0.6到0.7伏特。（）

答案:對載流子的產(chǎn)生方式有兩種，分別是本征激發(fā)和雜志電離。（）

答案:對CMOS反相器，PMOS在上，其S極連接電源，NMOS在下，其S極連接地。。（）

答案:對電子和空穴的擴散運動形成了空間電荷區(qū)，空間電荷區(qū)產(chǎn)生內(nèi)電場，電場方向從從N區(qū)指向P區(qū)。（）

答案:對集電極(collector)c用于發(fā)射載流子。（）

答案:錯MOS管沒有寄生電容。（）

答案:錯19世界30年代，法拉第利用電磁感應(yīng)現(xiàn)象發(fā)明了世界第一臺發(fā)電機，從此開啟了人類電氣時代。（）

答案:對對于增強型NMOS管，柵極電壓UG＞閾值電壓UT并且保持不變，漏極電壓VD從0小幅度增加時，漏極電流ID隨著VD增加而線性增加。（）

答案:對我們把半導(dǎo)體中的載流子在電場作用下的運動稱作漂移運動。。（）

答案:對在其他量相同的情況下，摻雜濃度愈高，對應(yīng)的一側(cè)空間電荷區(qū)寬度就愈寬。（）

答案:錯BICOMS器件具有雙極型晶體管的高速優(yōu)勢和CMOS器件低功耗的優(yōu)勢。（）

答案:對以阻性漏極方式連接電阻的NMOS和PMOS管，電阻越小功耗越小。（）

答案:錯結(jié)面積較小的二極管適用于低頻線路。（）

答案:錯半導(dǎo)體電阻的正溫度系數(shù)是指半導(dǎo)體的電阻是隨著溫度的增加而增加的。（）

答案:對若想讓增強型NMOS管的源漏之間不導(dǎo)通，可以在柵極加負電壓。（）

答案:對CMOS反相器，由PMOS和NMOS構(gòu)成，兩管的柵極相連作為輸入端。（）

答案:對電中性原子的原子核帶正電，核外的電子帶負電。（）

答案:對當PN結(jié)正向偏置時，PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài)；當PN結(jié)反向偏置時，回路中反向電流非常小，幾乎等于零，PN結(jié)處于截止狀態(tài)。因此PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴＃ǎ?/p>

答案:對若想讓增強型NMOS管的源漏之間不導(dǎo)通，可以讓柵極接地。（）

答案:對以阻性漏極方式連接電阻的NMOS和PMOS管，電阻越大延時越大。（）

答案:對鍺材料制備的PN結(jié)的導(dǎo)通電壓為0.6到0.7伏特。（）

答案:對價帶頂和導(dǎo)帶底的能量差稱為禁帶寬度（Eg）。（）

答案:對反相器是數(shù)字電路的基本單元。（）

答案:對構(gòu)成物質(zhì)的原子由三種亞原子粒子組成，他們是、和。（）

答案:中子;質(zhì)子;電子下列哪些是CMOS工藝中先進的隔離技術(shù)？（）

答案:SOS工藝;STI工藝;LOCOS工藝;SOI工藝MOSFET管中M、O、S、F、E和T，共六個字母，分別代表什么含義？（）

答案:S代表Semiconductor，半導(dǎo)體;E代表Effect，效應(yīng);O代表Oxide，氧化物;M代表Metal，金屬;F代表Field，場、電場;Transistor，晶體管增強型NMOS管是制作在P型襯底上，當柵極G和源極S之間加一個正電壓時，在柵極G與襯底B之間產(chǎn)生一個由柵極指向襯底的垂直電場，P型襯底表面附近的受到排斥向下運動，受到吸引會向上運動，這導(dǎo)致P型半導(dǎo)體表面逐漸減少直至耗盡，而在不斷積累，當柵壓足夠大，就會在襯底表面形成一個電子累積層，這個電子累積層將兩個重摻雜N區(qū)域連接起來，這就形成了所謂的溝道。（）

答案:空穴，電子，空穴，電子對于單阱CMOS結(jié)構(gòu)，PMOS管制作在哪種阱中？（）

答案:N阱愛迪生效應(yīng)是金屬加熱到熾熱狀態(tài)時向外輻射出什么？（）

答案:電子每個電子軌道對應(yīng)一個確定的能量，這個能量稱為。（）

答案:能級真空三極管是在二極管的基礎(chǔ)上增加一控制柵極，從而具有電流（信號）作用。（）

答案:放大以阻性漏極方式連接電阻的NMOS和PMOS管，導(dǎo)通時:（）

答案:有功耗對于單阱CMOS結(jié)構(gòu)，NMOS管制作在哪種阱中？（）

答案:P阱德國物理學(xué)家誰于1887年首先用實驗證實了電磁波的存在？（）

答案:赫茲PN結(jié)的內(nèi)建電場引起運動，載流子的濃度差引起運動。（）

答案:漂移，擴散半導(dǎo)體硫化銀的電阻是與溫度成反比的關(guān)系。（）

答案:對若想讓增強型PMOS管的源漏之間導(dǎo)通，可以讓柵極接地。（）

答案:對晶體管符號圖中的箭頭方向就是電流流動的方向，也可以說是電壓極性的正確方向。（）

答案:對以阻性漏極方式連接電阻的NMOS和PMOS管，導(dǎo)通時有功耗。（）

答案:對給PN結(jié)加外電場，P區(qū)接電源正極，N區(qū)接電源負極時，這種接法叫PN結(jié)正偏。（）

答案:對以阻性漏極方式連接電阻的NMOS和PMOS管，電阻越大功耗越小。（）

答案:對使用NPN型晶體管時，發(fā)射極要加負電壓，基極和集電極要加正電壓。（）

答案:對兩輸入的CMOS或非門，是由兩個增強型PMOS管串聯(lián)，兩個增強型NMOS管并聯(lián)構(gòu)成的。（）

答案:對以阻性漏極方式連接電阻的NMOS和PMOS管，電阻越小延時越小。（）

答案:對CMOS反相器工作時，輸入低電平得到高電平，輸入高電平知道低電平。（）

答案:對NMOS管制作在P阱中。（）

答案:對MOS管有寄生電容。（）

答案:對硅局部氧化隔離技術(shù)簡稱為LOCOS（LocalOxidationofSilicon）工藝。（）

答案:對MOSFET管一共有四個電極。（）

答案:對若想讓增強型NMOS管的源漏之間導(dǎo)通，可以讓柵極接地。（）

答案:錯若想讓增強型PMOS管的源漏之間不導(dǎo)通，可以在柵極加負電壓。（）

答案:錯我們把半導(dǎo)體中的載流子在電場作用下的運動稱作擴散運動。。（）

答案:錯琥珀與絲綢摩擦后，絲綢帶正電，琥珀帶負電。（）

答案:錯CMOS反相器，PMOS在上，D極連接電源，NMOS在下，S極連接地。。（）

答案:錯電中性原子失去電子后帶負電。（）

答案:錯結(jié)面積較小的二極管適用于高頻線路。（）

答案:對CMOS中的字母C代表互補的意思。（）

答案:對質(zhì)子是帶負電的。（）

答案:錯鍺材料制備的PN結(jié)的導(dǎo)通電壓為0.2到0.3伏特。（）

答案:對硅位于元素周期表第V主族。（）

答案:錯若想讓增強型PMOS管的源漏之間不導(dǎo)通，可以讓柵極接地。（）

答案:錯MOSFET管一共有三個電極。（）

答案:錯CMOS反相器，由PMOS和NMOS構(gòu)成，兩管的漏極相連作為輸出端。（）

答案:對對于增強型NMOS管，柵極電壓UG＞閾值電壓UT并且保持不變，漏極電壓VD從0小幅度增加時，漏極電流ID和VD之間呈現(xiàn)非線性關(guān)系。（）

答案:錯兩輸入的CMOS與非門，是由兩個增強型PMOS管串聯(lián)，兩個增強型NMOS管并聯(lián)構(gòu)成的。（）

答案:錯NMOS管中兩個重參雜N型區(qū)域之間的距離被稱為溝道長度，也叫特征尺寸。（）

答案:對對于增強型NMOS管，柵極電壓UG＞閾值電壓UT并且保持不變，漏極電壓VD從0小幅度增加時，漏極電流ID隨著VD增加而線性減小。（）

答案:錯若想讓增強型NMOS管的源漏之間導(dǎo)通，可以在柵極加正電壓。（）

答案:對以阻性漏極方式連接電阻的NMOS和PMOS管，電阻越小延時越大。（）

答案:錯電中性原子得到電子后帶正電。（）

答案:錯28nm及以上工藝節(jié)點的芯片采用MOSFET硅平面工藝制作。（）

答案:對CMOS反相器工作時，應(yīng)盡量避免工作電壓傳輸曲線的在轉(zhuǎn)折區(qū)。（）

答案:對晶體管基極(base)b用于控制載流子。（）

答案:對CMOS反相器，由PMOS和NMOS構(gòu)成，兩管的柵極相連作為輸出端。（）

答案:錯若想讓增強型NMOS管的源漏之間導(dǎo)通，可以在柵極加負電壓。（）

答案:錯三極管不適合作為高速開關(guān)控制元件的原因有哪些？（）

答案:三極管是由電流來控制實現(xiàn)其功能的，三極管截止需要時間;三極管是由電流來控制實現(xiàn)其功能的，三極管導(dǎo)通需要時間;在高電流時，三極管容易被擊穿，無法使用。;三極管的能耗較高半導(dǎo)體有哪四個特性？（）

答案:光電導(dǎo)效應(yīng);單項導(dǎo)電效應(yīng);光伏效應(yīng);負電阻效應(yīng)空間電荷區(qū)的寬度與半導(dǎo)體的、、有關(guān)。（）

答案:溫度;雜質(zhì)濃度;偏置電壓;外加電壓影響半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電能力的因素有（）。（）

答案:溫度;磁場;電場;雜質(zhì);光照晶體管的三個區(qū)中集電區(qū)的面積最大的兩個原因是什么？（）

答案:為了得到比較好的散熱效果;為了便于收集載流子本征半導(dǎo)體的載流子存在這樣的關(guān)系，導(dǎo)帶中的電子濃度應(yīng)價帶中的空穴濃度（）

答案:等于以阻性漏極方式連接電阻的NMOS和PMOS管：（）

答案:電阻越小功耗越大玻爾原子模型告訴我們，電子的分布是分層次，電子殼層由一個參數(shù)n來確定，把n叫做主量子數(shù)，離原子核最近的殼層n=1，依次n=2、3，一般來說，殼層越靠近原子核，能量越。（）

答案:低是誰首先發(fā)現(xiàn)：通過導(dǎo)線的電流對鄰近的磁針會產(chǎn)生作用力，使磁針偏轉(zhuǎn)，從而得知電流會產(chǎn)生磁場效應(yīng)？（）

答案:奧斯特MOSFET管一共有四個電極，為什么我們只能肉眼看到三個引腳呢？（）

答案:襯底電極B與源極S相連能帶中所有可能的量子態(tài)全部被電子填滿，該能帶是。（）

答案:價帶N個原子構(gòu)成晶體后，N個相同能級都分裂成彼此相距很近的能級，這N個能級組成一個。（）

答案:能帶真空二極管具有單向?qū)щ娦?，因為（?/p>

答案:電子只能從陰極移至陽極半導(dǎo)體硫化銀的電阻具有什么樣的溫度系數(shù)？（）

答案:負溫度系數(shù)能帶中所有可能的量子態(tài)只有部分量子態(tài)被電子占據(jù)，該能帶是。（）

答案:導(dǎo)帶內(nèi)電場的作用是阻礙的擴散運動，有利于的漂移運動。（）

答案:多子，少子將晶體管三個區(qū)的面積按從大到小順序排序，正確的順序是：。（）

答案:集電區(qū)＞發(fā)射區(qū)＞基區(qū)重摻雜技術(shù)能使多晶硅材料的電阻率大大，達到0.001Ω·cm以下，由此多晶硅具有了良好的導(dǎo)電性。（）

答案:降低漏電壓超過夾斷電壓繼續(xù)增大，漏區(qū)PN結(jié)的反偏電壓，耗盡區(qū)繼續(xù)，溝道夾斷部分向推進。對于長溝道器件（溝道總長度遠大于夾斷區(qū)長度），因為溝道靠近漏的電壓始終是Vdsat，導(dǎo)電溝道形狀保持不變，通過該區(qū)的電流，也就是ID不再隨著VD的增加而增大，晶體管進入飽和區(qū)。（）

答案:增大，增大，源區(qū)，基本不變當半導(dǎo)體中雜質(zhì)數(shù)量遠由熱激發(fā)產(chǎn)生的電子和空穴時，這種半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。（）

答案:小于第一個現(xiàn)代場效應(yīng)器件是：。（）

答案:J-FET硅位于元素周期表第主族。（）

答案:IV當溫度升高或受光照時，一些價電子從外界獲得能量，變成了，同時在原來的位置上就會留下，電子和空穴是成對出現(xiàn)的，所以稱它們是電子-空穴對。（）

答案:自由電子，空位PN結(jié)正偏時，外電場與內(nèi)電場方向，P區(qū)接電源，N區(qū)接電源。（）

答案:相反，正極，負極摩爾定律是物理定律，這種說法是否正確。（）

答案:錯寬禁帶半導(dǎo)體材料有哪些特性?（）

答案:高溫特性;射頻放大特性;高壓特性摩爾定律不是物理定律，這種說法是否正確。（）

答案:對新型半導(dǎo)體器件的三大發(fā)展方向是什么？（）

答案:超越摩爾（BeyondMoore）;擴展摩爾（MorethanMoore）;深度摩爾（MoreMoore）22nm到5nm的工藝節(jié)點的芯片采用FinFET鰭狀場效應(yīng)管工藝制作。（）

答案:對半導(dǎo)體有四種基本結(jié)構(gòu)分別為：（）

答案:MS結(jié)構(gòu);MOS結(jié)構(gòu);PN結(jié)構(gòu);異質(zhì)結(jié)構(gòu)金屬和半導(dǎo)體接觸又稱為歐姆接觸。（）

答案:對晶體管主要分為哪兩類？（）

答案:雙極結(jié)型晶體管;場效應(yīng)晶體管結(jié)面積較大的二極管適用于低頻線路。（）

答案:對二極管按材料，可分為哪兩大類？（）

答案:硅管;鍺管N阱CMOS工藝中第六次光刻是為了制作接觸孔。（）

答案:對CMOS中的字母O代表Oxide氧化物的意思。（）

答案:對CMOS是互補金屬氧化物半導(dǎo)體（ComplementaryMetalOxideSemiconductor）的簡寫。（）

答案:對N阱CMOS工藝中第七次光刻是為了制作金屬互聯(lián)線。（）

答案:對CMOS中的字母M代表Metal金屬的意思。（）

答案:對MOSFET管是由電流來控制實現(xiàn)功能的。（）

答案:錯溝道電壓、柵極電壓和漏極電壓三者之間的關(guān)系是什么？（）

答案:柵極電壓=柵極電壓—漏極電壓三極管是由電流來控制實現(xiàn)功能的。（）

答案:對MOSFET管是由電場來控制實現(xiàn)功能的。（）

答案:對增強型NMOS管中，兩個重摻雜的N區(qū)分別稱為源區(qū)Source和漏區(qū)Drain。（）

答案:對晶體管的電流放大倍數(shù)等于集電極電流變化量ΔIC與基極電流變化量ΔIB的比值。（）

答案:對將兩個背靠背的PN結(jié)連接在一起的三明治結(jié)構(gòu)，可以形成雙極結(jié)型晶體管，它有兩種不同的結(jié)構(gòu)，一種是NPN結(jié)構(gòu)，另一種是PNP結(jié)構(gòu)。（）

答案:對將兩個PN結(jié)以非背靠背方式連接在一起的四層結(jié)構(gòu)，可以形成晶閘管。（）

答案:對將晶體管三個區(qū)的摻雜濃度按從高到低順序排序，正確的順序是：。（）

答案:發(fā)射區(qū)＞集電區(qū)＞基區(qū)晶體管發(fā)射極(emitter)e用于收集載流子。（）

答案:錯PN結(jié)中載流子的運動是這樣的：P型半導(dǎo)體中的多子空穴向N區(qū)擴散，留下不可移動的負離子；N型半導(dǎo)體的多子電子向P區(qū)擴散，留下不可移動的正離子。（）

答案:對在硅或鍺的晶體中摻入少量的3價雜質(zhì)元素，如硼、鎵、銦等，可以構(gòu)成。（）

答案:P型半導(dǎo)體N型半導(dǎo)體主要靠自由電子運動導(dǎo)電，也稱為電子半導(dǎo)體。（）

答案:對P型半導(dǎo)體主要靠空穴運動導(dǎo)電，也稱為空穴半導(dǎo)體。（）

答案:對在硅或鍺的晶體中摻入少量的5價雜質(zhì)元素，如磷、銻、砷等，可以構(gòu)成。（）

答案:N型半導(dǎo)體中子是帶正電的。（）

答案:錯核外電子的能量是被量子化的，每份能量的大小由公式hυ確定，h是，υ表示。（）

答案:普朗克常量，波的