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柔性電子制造技術(shù)基礎(chǔ)柔性電子器件批量化制備技術(shù)1本講課程內(nèi)容鍵合技術(shù)精密視覺(jué)技術(shù)卷到卷傳輸控制技術(shù)
高速高精運(yùn)動(dòng)控制技術(shù)?小型化國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)?多樣性?
Moore’s
Law
and
More,
SIA,
2007?高密度2概述電子封裝始于IC晶片制成之
后,包括IC晶片的粘結(jié)固定、電
路連線、密封保護(hù)、與電路板之
接合、模組組裝到產(chǎn)品完成之間
的所有過(guò)程。電子封裝常見(jiàn)的連接方法有
引線鍵合(wire
bonding,WB)、載
帶自動(dòng)焊(tape
automated
bonding,
TAB)與倒裝芯片(flip
chip,
FC)等
三種,倒裝芯片也稱為反轉(zhuǎn)式晶
片接合或可控制塌陷晶片互連
(controlled
collapse
chipconnection
,C4
)
。封裝技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)?封裝尺寸
?芯片尺寸?需要采用倒裝鍵合?≈1?可能<1?可以實(shí)現(xiàn)更高密度的封裝3歷史和特點(diǎn)1957
年Bell實(shí)驗(yàn)室采用的器件封裝技術(shù),目前特點(diǎn)如下:
?
已有適合批量生產(chǎn)的自動(dòng)化機(jī)器;?
鍵合參數(shù)可精密控制,導(dǎo)線機(jī)械性能重復(fù)性高;?
速度可達(dá)100ms互連(兩個(gè)焊接和一個(gè)導(dǎo)線循環(huán)過(guò)程);
?
焊點(diǎn)直徑:100
μm↘
50
μm,↘
30
μm;?
節(jié)距:100
μm
↘
55
μm,
↘
35
μm
;?
劈刀(Wedge,楔頭)的改進(jìn)解決了大多數(shù)的可靠性問(wèn)題;
?
根據(jù)特定的要求,出現(xiàn)了各種工具和材料可供選擇;
?
已經(jīng)形成非常成熟的體系。什么是引線鍵合用金屬絲將芯片的I/O端(inner
lead
bonding
pad:
內(nèi)側(cè)引線端子)
與對(duì)應(yīng)的封裝引腳或者基板上布線焊區(qū)(outer
lead
bonding
pad:
外側(cè)引
線端子)互連,實(shí)現(xiàn)固相焊接過(guò)程,采用加熱、加壓和超聲能,破壞表面氧化層和污染,產(chǎn)生塑性變形,
界面親密接觸產(chǎn)生電子共享和原子擴(kuò)散形成焊點(diǎn),鍵合區(qū)的焊盤(pán)金屬一般為Al或者Au等,金屬細(xì)絲是直徑通常為20~50微米的Au、Al或者Si-Al絲。4應(yīng)用范圍低成本、高可靠、高產(chǎn)量等特點(diǎn)使得它成為芯片
互連的主要工藝方法,用于下列封裝:?
陶瓷和塑料BGA、單芯片或者多芯片?
陶瓷和塑料
(CerQuads
and
PQFPs)?
芯片尺寸封裝
(CSPs)?
板上芯片
(COB)芯片互連例子采用引線鍵合的芯片互連5芯片互連例子兩種鍵合焊盤(pán)球形鍵合楔形鍵合6三種鍵合(焊接、接合)方法引線鍵合為IC晶片與封裝結(jié)構(gòu)之間的電路連線中
最常使用的方法。主要的引線鍵合技術(shù)有超音波接合
(Ultrasonic
Bonding,
U/S
Bonding)、熱壓接合
(Thermocompression
Bonding,T/C
Bonding)、與熱超音
波接合(Thermosonic
Bonding,
T/S
Bonding)等三種。機(jī)理及特點(diǎn)超
聲
焊
接
:
超
音
波
接
合
以
接
合
楔
頭
(Wedge)引導(dǎo)金屬線使其
壓緊于
金屬焊
盤(pán)上,
再由楔
頭輸入
頻率2
0至6
0KHZ,振幅
2
0
至
200
μm,
平
行
于
接
墊
平
面
之
超
音
波
脈
沖
,
使
楔
頭
發(fā)
生
水
平
彈
性
振
動(dòng)
,
同
時(shí)
施
加
向
下
的
壓
力
。
使
得
劈
刀
在
這
兩
種
力
作
用
下
帶
動(dòng)
引
線
在
焊
區(qū)
金
屬
表
面
迅
速
摩
擦
,
引
線
受
能
量
作
用
發(fā)
生
塑
性
變
形
,
在
2
5ms
內(nèi)
與
鍵
合
區(qū)
緊
密
接
觸
而
完
成
焊
接
。
常用于Al絲的鍵合。鍵合點(diǎn)兩端都是楔形
。鋁
合
金
線
為
超
音
波
最
常
見(jiàn)
的
線
材
;
金
線
亦
可
用
于
超
音
波接合,它的應(yīng)用可以在微波元件的封裝中見(jiàn)到。7熱
聲
焊
:
為
熱
壓
結(jié)
合
與
超
音
波
結(jié)
合
的
混
合
方
法
。
熱
超
音
波
結(jié)
合
也
先
在
金
屬
線
末
端
成
球
,
再
使
用
超
聲
波
脈
沖
進(jìn)
行
導(dǎo)
線
材
與
金
屬
接
點(diǎn)
間
之
結(jié)
合
。
熱
超
音
波
結(jié)
合
的
過(guò)
程
中
結(jié)
合
工
具
不
被
加
熱
而
僅
僅
是
結(jié)
合
之
基
板
維
持
在
1
00
至
1
50
℃
的
溫
度
,
此
一
方
法
除
了
能
抑
制
結(jié)
合
界
面
介
金
屬
化
合
物
(Intermetallic
Compounds)
之
成
長(zhǎng)
之
外
,
并
可
降
低
基
板
的
高
分
子
材
料
因
溫
度
過(guò)
高
而
產(chǎn)
生
劣
化
變
形
的
機(jī)
會(huì)
,
因
此
熱
超
音
波
結(jié)
合
通
常
應(yīng)
用
于
結(jié)
合
困
難
度
較
高
的
封
裝
連
線
。
金
線為熱超音波結(jié)合最常被使用的材料。3熱壓焊:金屬線過(guò)預(yù)熱至約300至400℃的氧化鋁(Al2O)或碳
化
鎢
(
WC)
等
耐
火
材
料
所
制
成
的
毛
細(xì)
管
狀
鍵
合
頭
(Bonding
Tool/Capillary,
也稱為瓷嘴或焊針),再
以電火
花或氫焰將金屬線燒斷并利用熔融金屬的表面張力效應(yīng)使
線
之
末
端
成
球
狀
(
其
直
徑
約
金
屬
線
直
徑
之
2
倍
)
,
鍵
合
頭
再將金屬球下壓至已預(yù)熱至約150至250
℃的第一金屬焊盤(pán)
上進(jìn)行球形結(jié)合(Ball
Bond)。在結(jié)合時(shí),球點(diǎn)將因受壓
力而略為變形,此一壓力變形之目的在于增加結(jié)合面積、
減低結(jié)合面粗糙度對(duì)結(jié)合的影響、穿破表面氧化層及其他
可能阻礙結(jié)合之因素,以形成緊密之結(jié)合。8楔形鍵合楔形,
手工鍵合機(jī)劈
刀
常
常
是
通
過(guò)
氧
化
鋁
或
者
碳
化
鎢
進(jìn)
行
粉
末
燒
結(jié)
而
成
。
對(duì)
于
一
些
單
一
用
途
的
工
具
,
也
可
以
用
玻
璃
、
紅
寶
石
和
碳
化
鈦來(lái)代替。楔形劈刀和毛細(xì)管劈刀用于球形鍵合的毛細(xì)管劈刀用于Al絲鍵合的楔形劈刀用于Au絲鍵合的楔形劈刀9鍵合材料引線
-
金絲?
廣泛用于熱壓和熱聲焊,?
絲線表面要光滑和清潔以保證強(qiáng)度和防止絲線堵塞,
?
純金具有很好的抗拉強(qiáng)度和延展率,?
高純金太軟,一般加入約
5-10
ppm
重量的
Be或者30-
100
ppm的
Cu,?
摻Be的引線強(qiáng)度一般要比摻Cu的高10-20%
。10鋁
絲?
純鋁太軟而難拉成絲,一般加入
1%
Si
或者1%
Mg以提
高強(qiáng)度。?
室溫下1%
的Si
超過(guò)了在鋁中的溶解度,導(dǎo)致Si的偏析,
偏析的尺寸和數(shù)量取決于冷卻數(shù)度,冷卻太慢導(dǎo)致更多
的Si顆粒結(jié)集。Si顆粒尺寸影響絲線的塑性,第二相是疲
勞開(kāi)裂的萌生潛在位置。?
摻1%鎂的鋁絲強(qiáng)度和摻1%
硅的強(qiáng)度相當(dāng)。?
抗疲勞強(qiáng)度更好,因?yàn)殒V在鋁中的均衡溶解度為2%,于
是沒(méi)有第二相析出。銅絲?
最近人們開(kāi)始注意銅絲在IC鍵合中的應(yīng)用;?
便宜,資源充足;?
在塑封中抗波動(dòng)(在垂直長(zhǎng)度方向平面內(nèi)晃動(dòng))能力
強(qiáng);?
主要問(wèn)題是鍵合性問(wèn)題;?
比金和鋁硬導(dǎo)致出現(xiàn)彈坑和將金屬焊區(qū)破壞;?
由于易氧化,要在保護(hù)氣氛下鍵合。11???????未來(lái)的鍵合技術(shù)鍵合間距進(jìn)一步減小,未來(lái)10年內(nèi),40微米的高可靠性
鍵合。鍵合弧度低于150mm以適應(yīng)微型化的發(fā)展。高可靠的Cu鍵合??焖俚逆I合周期和低溫鍵合技術(shù)以適應(yīng)BGA的嚴(yán)格要求。
高精度的攝像和位置反饋系統(tǒng)和伺服系統(tǒng)。多旋轉(zhuǎn)頭的鍵合設(shè)備。面臨極大的鍵合數(shù)量將導(dǎo)致生產(chǎn)設(shè)備的大量占地面積。什么是TAB?是芯片引腳框架的一種互連工藝,首先在高聚物上做
好元件引腳的導(dǎo)體圖樣,
然后將晶片按其鍵合區(qū)對(duì)應(yīng)放在
上面,然后通過(guò)熱電極一次將所有的引線進(jìn)行鍵合。TAB鍵合的晶片,裸芯片放在帶上并和內(nèi)部導(dǎo)體圖樣互連12電鍍金凸點(diǎn)TAB工藝步驟關(guān)鍵部分有:?芯片凸點(diǎn)制作?
TAB載帶制作?內(nèi)、外引線焊接13TAB薄膜載帶的制作普通TAB三層帶的起始材料是聚酰亞胺。用于操作的鏈輪齒洞,與
照相底片相類似,在底片的周邊打洞,作為Si芯片的窗口。銅箔被壓實(shí)
在聚酰亞胺的上面,中間是一層粘結(jié)劑。銅箔上的導(dǎo)電圖案是用光刻膠
技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)的,光透過(guò)一層有所需圖案的光掩膜照射到光刻膠上,從而
得到所需圖樣。然后對(duì)銅箔進(jìn)行腐蝕。導(dǎo)電層圖案是鍍錫或者鍍金的。TAB技術(shù)所使用的載帶可區(qū)分為單層、雙層及三層等三種。載帶一般制成長(zhǎng)帶狀再繞于一卷軸(Reel)上,其形狀與電影膠片十分相
似。標(biāo)準(zhǔn)的載帶寬度規(guī)格有35mm,48mm,及70mm三種,厚度有75um,
125um三種。例
子?
沖孔?
Cu
箔疊層?
照相
+
腐蝕形成
Cu圖樣?
導(dǎo)電圖樣Cu鍍錫帶有Cu圖樣的TAB膜,
薄膜中的孔便于電路的
刻蝕,齒輪孔則便于帶的傳送。14TAB的缺點(diǎn)1.
它要求非標(biāo)準(zhǔn)的的Si芯片工藝(沉積金凸點(diǎn))。2.
它要求特殊的載帶與導(dǎo)體圖案之間的裝配,這很昂貴而
且費(fèi)時(shí)。3.
PCB
上
的
組
裝
要
求
專
門(mén)
的
設(shè)
備
,
每
個(gè)
不
同
幾
何
圖
案
的
組
件
要
有
專
門(mén)
的
工
具
。
對(duì)
每
個(gè)
組
件
進(jìn)
行
單
獨(dú)
組
裝
/
焊
接
不
僅浪費(fèi)時(shí)間而且昂貴。4.
對(duì)印刷電路板進(jìn)行修理(替換一個(gè)缺陷元件)要求很苛刻
。5.
很
少
標(biāo)
準(zhǔn)
電
路
可
用
于
TAB
形
式
。
很
少
有
公
司
在
中
間
商
的
基礎(chǔ)上提供產(chǎn)品。6.
有關(guān)尺寸與加工的標(biāo)準(zhǔn)很少,這就增加了成本。1.2.3.4.TAB的優(yōu)點(diǎn)半導(dǎo)體上芯片的鍵合只需較少的鍵合區(qū)域,比絲焊更小的焊區(qū)間距。
這
就
在
節(jié)
約
了
芯
片
面
積
的
同
時(shí)
使
得
芯
片
間
的
互
連
可
容
納
更
多
的
終
端
(最高可達(dá)到1000左右)。相對(duì)于普通的組裝而言,外引線鍵合對(duì)電路板的空間要求要少的多;
也要比絲焊芯片互連要求的空間小。組裝比絲焊更簡(jiǎn)單也更快。
每個(gè)鍵合區(qū)域的金凸點(diǎn)給下面的Al金屬鍍層提供了一個(gè)密封的空間。
這降低了被腐蝕的可能性,提高了可靠性。因此,TAB
適用于不需要
另外包裝的場(chǎng)合。(上面提及的環(huán)氧樹(shù)脂滴注還是最常用的)。
引線鍵合(絲焊)每次只能鍵合一個(gè)焊點(diǎn),而群體焊操作起來(lái)的效率
則高得多,并且有更高的產(chǎn)品收益。5.
TAB載帶還可以用作單獨(dú)的,靈活的(flexible)小印刷電路板,在小
印刷電路板上同樣可以組裝其它元件。(這可以用瑞士手表樣品來(lái)舉
例,在瑞士,所有的電子產(chǎn)品都是在TAB載帶上的。)15什么是倒裝芯片?倒裝芯片組裝就是通過(guò)芯片上的凸點(diǎn)直接將元器件朝
下互連到基板、載體或者電路板上。而導(dǎo)線鍵合是將芯片的
面朝上。倒裝芯片元件是主要用于半導(dǎo)體設(shè)備;而有些元件,
如無(wú)源濾波器,探測(cè)天線,存儲(chǔ)器裝備也開(kāi)始使用倒裝芯片
技術(shù),由于芯片直接通過(guò)凸點(diǎn)直接連接基板和載體上,因此,
更確切的說(shuō),倒裝芯片也叫DCA
(
Direct
Chip
Attach
)。倒裝芯片示意圖在典型的倒裝芯片封裝中,
芯片通過(guò)3到5個(gè)密耳
(mil)厚的焊料凸點(diǎn)連接到芯片載體上,底部填
充材料用來(lái)保護(hù)焊料凸點(diǎn).16優(yōu)
點(diǎn)
小尺寸:
小的IC引腳圖形
(只有扁平封裝的5%)減小了高
度和重量。
功能增強(qiáng):
使用倒裝芯片能增加I/O
的數(shù)量。I/O
不像導(dǎo)線
鍵合中出于四周而收到數(shù)量的限制。面陣列使得在更小的空
間里進(jìn)行更多信號(hào)、功率以及電源等地互連。一般的倒裝芯
片焊盤(pán)可達(dá)400個(gè)。
性能增加:
短的互連減小了電感、電阻以及電容,保證了
信號(hào)延遲減少、較好的高頻率、以及從晶片背面較好的熱通
道。
提高了可靠性:
大芯片的環(huán)氧填充確保了高可靠性。
倒裝
芯片可減少三分之二的互連引腳數(shù)。
提高了散熱熱能力:倒裝芯片沒(méi)有塑封,芯片背面可進(jìn)行
有效的冷卻。
低成本:批量的凸點(diǎn)降低了成本。倒裝鍵合的優(yōu)勢(shì):
電
感
、
電
容
及
電
阻
值
低
,
傳輸速度快,頻率高;
電
氣
連
接
距
離
短
,
有
利
于
發(fā)
揮
芯
片
優(yōu)
越
的
電
學(xué)
性
能
,耗散功率大;
封
裝
體
積
小
,
封
裝
密
度
高
,
目
前
幾
乎
所
有
的
高
密
度
封
裝
方
式
都
采
用
了
倒
裝
技
術(shù);倒裝鍵合技術(shù)優(yōu)勢(shì)?塑封?環(huán)氧材料
填充?芯片?焊球?焊球?芯片?粘接?芯片?引線?鍵合?基板?塑封?基板17信號(hào)效果比較缺
點(diǎn)
裸芯片很難測(cè)試
凸點(diǎn)芯片適應(yīng)性有限
隨著間距地減小和引腳數(shù)的增多導(dǎo)致PCB技術(shù)
面臨挑戰(zhàn)
必須使用X射線檢測(cè)設(shè)備檢測(cè)不可見(jiàn)的焊點(diǎn)
和SMT工藝相容性較差
操作夾持裸晶片比較困難
要求很高的組裝精度
目前使用底部填充要求一定的固化時(shí)間
有些基板可靠性較低
維修很困難或者不可能18球
或
者
絲
網(wǎng)
工
藝
施
加
到
芯
片
上
,
再
回
流
工
藝
將
焊
料
熔
化
并
形
成
連
接;金錫焊接主
要
用
于
光
電
組
裝
領(lǐng)
域
,
其
焊
球
材
料
由
金
錫
組
成
,
適
用
于
無(wú)
助
焊
劑的工藝應(yīng)用熱壓焊接芯
片
高
精
度
對(duì)
位
及
貼
裝
到
基
板
表
面
后
,
將
芯
片
和
基
板
上
的
焊
接
材
料加熱到熔點(diǎn)溫度膠裝焊倒裝鍵合主要工藝(1)
共晶焊接(C4)采
用
共
晶
材
料
凸
點(diǎn)
,
焊
料
通
過(guò)
植
?蘸?貼?回流?底部?填充?帶焊球芯片?帶焊盤(pán)芯片?芯片與焊盤(pán)自對(duì)準(zhǔn)?共晶焊接過(guò)
程熱超聲焊接板
表
面
后
,
芯
片
通
過(guò)
超
聲
波
能
量
作
單
向
震
動(dòng)
,
在
壓
力
和
溫
度
的
作
用
下
使
芯
片
凸
點(diǎn)
與
基板焊盤(pán)形成連接膠粘工藝種不同的方式應(yīng)用于芯片
和基板之間,如:點(diǎn)膠,
絲網(wǎng)印刷或以膠膜形態(tài)使
兩者相互連接倒裝鍵合主要工藝(2)芯
片
高
精
度
對(duì)
位
及
貼
裝
到
基
?
粘性材料可以通過(guò)各?超聲能?加壓加熱?芯片?芯片?球狀或針狀金凸點(diǎn)?各向異性導(dǎo)電膠?非導(dǎo)電?加熱
?加壓加熱?基板?針狀凸點(diǎn)芯片?加熱膠?加熱?基板19倒裝芯片工藝—通過(guò)粘膠連接導(dǎo)電膠連接是取代鉛錫焊料連接的可行方法,導(dǎo)電膠連接既保持了封裝結(jié)構(gòu)的輕薄,成本也沒(méi)有顯著增加。該工
藝的優(yōu)點(diǎn)是:?
工藝簡(jiǎn)單?
固化溫度低?
連接后無(wú)需清洗各向同性、各向異性導(dǎo)電膠各向異性導(dǎo)電膠是膏狀或者薄膜狀的熱塑性環(huán)氧樹(shù)脂,加入了一定含量的金屬顆?;蚪饘偻扛驳母叻肿宇w粒。在連接前,導(dǎo)電膠在各個(gè)方向上都是絕緣的,但是在連接后它在垂直方向上導(dǎo)電。金屬顆?;蚋叻肿宇w粒外的金屬涂層一般為金或者鎳。各向同性導(dǎo)電膠是一種膏狀的高分子樹(shù)脂,加入了一定含量的導(dǎo)電顆粒,因此在各個(gè)方向上都可以導(dǎo)電。通常高分子樹(shù)脂
為環(huán)氧樹(shù)脂,導(dǎo)電顆粒為銀。20倒裝芯片導(dǎo)電膠連接示意圖倒裝鍵
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