23秋國家開放大學(xué)《光伏技術(shù)與應(yīng)用概論》形考任務(wù)1-4參考答案

國家開放大學(xué)《光伏技術(shù)與應(yīng)用概論》形考任務(wù)1-4參考答案形考任務(wù)11.時，由公式得出的值為()。A.2D.12.常用于太陽電池和組件效率測試時的標(biāo)準(zhǔn)為()。3.當(dāng)時，大氣光學(xué)質(zhì)量等于()。A.2D.1.54.廣義上講，風(fēng)能、水能和()等也都來源于太陽能。A.礦物燃料C.地?zé)崮蹹.潮汐能5.接收到的被大氣層反射和散射后()改變的太陽輻射稱之散射輻射。A.光6.太陽常數(shù)的參考值為Isc=()±7W/m2。A.1387C.13777.太陽常數(shù)的常用單位是()。8.太陽常數(shù)Isc的定義為：在平均日地距離時，地球大氣層上界()于太陽光線表面的單位面積上單位時間內(nèi)所接收到的太陽輻射能。A.傾斜60°B.傾斜30°9.太陽大氣的中層稱為()。A.針狀體D.光球10.太陽大氣的最底層稱為()。11.太陽大氣的最外層稱為()。A.針狀體C.光球D.色球12.太陽發(fā)射的電磁輻射在大氣頂上隨()的分布叫太陽光譜。C.時間13.我國屬于地球太陽能資源豐富程度()地區(qū)。14.我國太陽能分布最豐富的是()地區(qū)。20.總輻射計探測到的是太陽的()。1.除了()的能量外，地面上大部分能源均直接或間接同太陽有關(guān)。2.從廣義上講，()也都來源于太陽能。3.大氣層的影響與()有關(guān)。4.地球太陽能資源豐富程度中低地區(qū)有()。5.地球太陽能資源豐富程度中高地區(qū)有()。6.地球太陽能資源豐富程度最低地區(qū)有()。7.地球太陽能資源豐富程度最高地區(qū)有()。8.根據(jù)各種間接和直接的資料，認(rèn)為太陽從中心到邊緣可分為()。9.人類利用太陽能有多種方式，主要分為()。10.太陽大氣大概可以分為()等層次。11.太陽電池主要應(yīng)用于()。12.太陽輻射穿過地球大氣層時，不僅受到大氣層中的空氣分子、水汽及灰塵所散射，而且受到大氣中()的吸收，所以經(jīng)過大氣而達(dá)到地面的太陽直接輻射顯A.CO213.太陽能開發(fā)利用的主要步驟有()。14.太陽能開發(fā)利用的主要特點有()。15.我國()等西部地區(qū)光照資源尤為豐富。16.以下()地區(qū)屬于我國太陽能熱能資源分布二類地區(qū)。17.以下()地區(qū)屬于我國太陽能熱能資源分布三類地區(qū)。18.以下()地區(qū)屬于我國太陽能熱能資源分布四類地區(qū)。19.以下()地區(qū)屬于我國太陽能熱能資源分布五類地區(qū)。c.四川20.以下()地區(qū)屬于我國太陽能熱能資源分布一類地區(qū)。21.總輻射計探測到的是太陽的()。B.折射太陽輻射三、判斷題1.除了原子能、地?zé)岷突鹕奖l(fā)的能量外，地面上大部分能源均直接或間接反射太陽輻射的物質(zhì)有關(guān)。(√)3.當(dāng)天空晴朗，太陽在頭頂直射且陽光在大氣中經(jīng)過的光程最短時，到達(dá)地球表面的太陽輻射最強(qiáng)。(√)4.地面太陽輻射包括直接輻射和折射輻射。(×)5.地球只接受到太陽總輻射的二十二億分之一，這個數(shù)量相當(dāng)于全世界發(fā)電量的幾百萬倍。(×)6.輻照度計用來測定太陽的總輻射量。(×)7.根據(jù)各地接受太陽總輻射量的多少，可將我國劃分為五類地區(qū)。(√)8.集熱器按是否聚光，可以劃分為聚光集熱器和非聚光集熱器兩大類。(√)9.江西屬于我國太陽能熱能資源分布三類地區(qū)。(×)10.平板集熱器，真空管集熱器屬于聚光集熱器。(×)12.太陽輻射的能流密度高。(×)13.我國太陽能分布最豐富的是寧夏地區(qū)。(×)15.原則上，太陽能可以直接或間接轉(zhuǎn)換成任何形式的能量，但轉(zhuǎn)換次數(shù)越多，最終太陽能轉(zhuǎn)換的效率便越低。(√)16.直接接收到的、不改變方向的太陽輻射稱為直接太陽輻射。(√)17.總輻射計是測量一天中輻照量的儀器。(√)18.AM0是太陽光在大氣層外時的情況。(√)19.AM1.5相當(dāng)于晴朗夏日在海平面上所承受的太陽光。(×)20.AM1常用于太陽電池和組件效率測試時的標(biāo)準(zhǔn)。(×)四、配伍題1)大氣的吸收作用()2)大氣的散射作用(A.各種氣體分子、水分子(云霧)、塵埃等)3)大氣的反射作用(C.云層反射)2.將下列大氣光學(xué)質(zhì)量數(shù)值與實際情況一一對應(yīng)。1)AM0(C.太陽光在大氣層外)2)AM1(A.太陽光直接垂直照射到地球表面的情況)3)AM1.5(B.太陽光照射到一般地面的情況)3.將下列大氣光學(xué)質(zhì)量數(shù)值與⊙z情況一一對應(yīng)。2)AM1.5(B.θz=48.2°)4.將下列地球太陽能資源分布情況與地區(qū)一一對應(yīng)。1)豐富程度最高地區(qū)(B.印度)2)豐富程度中高地區(qū)(A.中國)3)豐富程度中低地區(qū)(C.日本)1)太陽常數(shù)(A.描述大氣層上的太陽輻射強(qiáng)度)2)太陽光譜(B.太陽發(fā)射的電磁輻射在大氣頂上隨波長的分布)3)大氣光學(xué)質(zhì)量(C.太陽光線穿過地球大氣的路徑與太陽光線在天頂角方向時)6.將下列省份地區(qū)與太陽能資源分布情況一一對應(yīng)。1)山東(B.三類)2)江西(C.四類)3)寧夏南部(A.二類)1)赤道帶(C.南北緯10°以內(nèi))2)熱帶(A.緯度10°~回歸線(23.5))1)光球(C.最底層)2)色球(B.中層)3)日冕(A.最外層)1)核反應(yīng)區(qū)(C.對流和輻射)2)輻射區(qū)(A.輻射)3)對流區(qū)(B.對流)1)光合作用(C.太陽能轉(zhuǎn)換成生物質(zhì))2)集熱器(A.太陽能轉(zhuǎn)換成熱能)3)太陽電池(B.太陽能轉(zhuǎn)換成電能)1.(),硅太陽電池開始在地面應(yīng)用。A.20世紀(jì)70年代末B.20世紀(jì)80年代初D.20世紀(jì)70年代初2.()是晶體中最常見的一類晶體缺陷。3.()是生產(chǎn)單晶硅和鑄造多晶硅的主要原料。4.()太陽電池在現(xiàn)階段的大規(guī)模應(yīng)用和工業(yè)生產(chǎn)中占主導(dǎo)地位。5.1954年，第一塊實用的單晶硅光電池效率為()。6.澳大利亞新南威爾士大學(xué)的格林教授采用激光刻槽埋藏柵線等新技術(shù)將高純化硅晶太陽電池的轉(zhuǎn)換效率提高到()。C.21%7.薄膜電池材料目前不包括()。D.多晶硅(微晶硅)薄膜8.當(dāng)硅中摻入Ⅲ族元素時，如()等，就會形成P型材料。9.導(dǎo)電類型是()所專有的一個概念。10.電阻率與()反映半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電能力。11.光電效應(yīng)是利用光照在()上產(chǎn)生的。12.光電轉(zhuǎn)換實現(xiàn)的基本裝置是()。14.光伏效應(yīng)的英文簡稱是()。15.目前()已成為應(yīng)用最多的一種半導(dǎo)體材料。16.太陽電池是利用()制成的。17.用()制造的半導(dǎo)體器件，耐高溫和抗輻射性能較好，特別適宜制作光伏器D.硅18.用于地面已批量生產(chǎn)的太陽電池材料主要有單晶硅、多晶硅與()。A.InP19.直拉單晶硅和()應(yīng)用最為廣泛，占太陽能光電材料的90%左右。20.鑄造多晶硅太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率要比直拉單晶硅太陽電池低()。1.20世紀(jì)70年代初，()開始引人到電池的制造工藝中，太陽電池轉(zhuǎn)換效率有了2.20世紀(jì)80年代初，主要把()引入到電池的制造工藝中。3.半導(dǎo)體材料按化學(xué)成分和內(nèi)部結(jié)構(gòu)，大致可分為()。4.半導(dǎo)體材料的電阻率介于()和()之間。5.薄膜電池材料包括()。A.多晶硅(微晶硅)薄膜6.常用的半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)有()。7.當(dāng)硅中摻入V族元素時，如()等，就會形成N型材料。A.硼9.高純多晶硅是()的主要原料。10.根據(jù)晶體管的工作原理，要求材料有較大的()和()。11.光伏產(chǎn)業(yè)鏈包括()環(huán)節(jié)。12.硅晶材料包括()。13.金屬硅通過()等技術(shù)，提純?yōu)楦呒兊亩嗑Ч琛?5.近年來針對單晶硅太陽電池轉(zhuǎn)換效率開發(fā)了許多新技術(shù)，主要有()。16.可做太陽電池材料的材料有()。D.其他類型太陽電池材料17.通過()等一系列的工序在石英坩堝中將高純的熔硅拉制成單晶硅硅錠，即18.限制單晶硅太陽電池轉(zhuǎn)換效率的主要技術(shù)障礙有()。B.表面光反射損失19.鑄造多晶硅在()方面不如單晶硅。三、判斷題1.1954年以色列Tabor提出選擇性吸收表面概念和理論并研制成功選擇性太陽吸收涂層。(×)2.20世紀(jì)70年代末硅太陽電池開始在地面應(yīng)用。(×)3.當(dāng)前影響光伏電池大規(guī)模應(yīng)用的主要障礙是它的制造成本太高。(√)4.對于非晶態(tài)半導(dǎo)體，位錯也是反映其晶格完整性的特性參數(shù)。(×)5.高純多晶硅是生產(chǎn)單晶硅和鑄造多晶硅的主要原料。(√)6.光伏材料又稱太陽電池材料，只有半導(dǎo)體材料具有這種功能。(√)7.硅太陽電池于1958年首先在航天器上得到應(yīng)用。(√)8.金屬的電阻率很高，絕緣體的電阻率非常小，半導(dǎo)體材料的電阻率介于兩者之間。(×)9.禁帶寬度越大，晶體管正常工作的高溫限也越高。(√)10.晶體管的工作溫度高溫限決定于載流子遷移率的大小。(×)11.太陽能發(fā)電是一種新興的可再生能源利用方式。(√)12.位錯是晶體中最常見的一類晶體缺陷。(√)13.應(yīng)用系統(tǒng)屬于光伏產(chǎn)業(yè)鏈上游。(×)14.用載流子遷移率大的材料制成的晶體管有較好的頻率響應(yīng)。(√)15.由于生產(chǎn)規(guī)模的擴(kuò)大，生產(chǎn)工藝的改進(jìn)，晶體硅太陽電池組件的制造成本2010年有望降至1美元/Wp。(√)16.在半導(dǎo)體中不僅有帶負(fù)電荷的電子參與導(dǎo)電，而且還有帶正電荷的空穴參與導(dǎo)電。(√)17.載流子即半導(dǎo)體中參加導(dǎo)電的電子和空穴。(√)18.主要靠電子導(dǎo)電的稱為P型半導(dǎo)體。(×)19.主要靠空穴導(dǎo)電的稱為N型半導(dǎo)體。(×)20.自然界的物質(zhì)、材料按導(dǎo)電能力大小可分為導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體三大四、配伍題1.將下列太陽電池種類與實驗室最大效率一一對應(yīng)。1)多晶硅(C.20.4%)2)非晶硅單結(jié)(B.12%)3)非晶硅多結(jié)(A.11.83%)2.將下列半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)與其性質(zhì)一一對應(yīng)。1)禁帶寬度(C.反映組成這種材料的原子中價電子從束縛狀態(tài)激發(fā)到自由狀態(tài)所需的能量)2)電阻率、載流子遷移率(A.反映材料的導(dǎo)電能力)3)非平衡載流子壽命(B.反映半導(dǎo)體材料在外界作用(如光或電場)下內(nèi)部的載流子由非平衡狀態(tài)向平衡狀態(tài)過渡的弛豫特性)3.將下列半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)與其性質(zhì)一一對應(yīng)。1)禁帶寬度(C.反映組成這種材料的原子中價電子從束縛狀態(tài)激發(fā)到自由狀態(tài)所需的能量)2)電阻率、載流子遷移率(A.反映材料的導(dǎo)電能力)3)非平衡載流子壽命(B.反映半導(dǎo)體材料在外界作用(如光或電場)下內(nèi)部的載流子由非平衡狀態(tài)向平衡狀態(tài)過渡的弛豫特性)4.將下列半導(dǎo)體材料種類與代表材料一一對應(yīng)。1)元素半導(dǎo)體(C.硅)2)化合物半導(dǎo)體(A.砷化鎵)3)無定形半導(dǎo)體材料(B.氧化物玻璃)5.將下列硅片幾何尺寸參數(shù)一一對應(yīng)。1)THK(A.厚度)2)TTV(B.總厚度偏差)3)Warp(C.翹曲度)6.將下列硅太陽電池發(fā)展歷程一一對應(yīng)。1)1958年(A.硅太陽電池于1958年首先在航天器上得到應(yīng)用)2)20世紀(jì)70年代初(C.把背表面場、細(xì)柵金屬化、淺結(jié)表面擴(kuò)散和表面織構(gòu)化開始引人到電池的制造工藝中)3)20世紀(jì)80年代初(B.把表面鈍化技術(shù)、降低接觸復(fù)合效應(yīng)、后處理提高載流子壽命、改進(jìn)陷光效應(yīng)引入到電池的制造工藝中)7.將下列事件與時間關(guān)系等一一對應(yīng)。1)1839年(A.法國物理學(xué)家A.E.Becqueral第一次在實驗室中發(fā)現(xiàn)液體的光生伏特效應(yīng))2)1876年(B.在固態(tài)硒(Se)的系統(tǒng)中也觀察到了光伏效應(yīng))3)1954年(C.貝爾實驗室Chapin等人開發(fā)出第一塊實用的效率為6%的單晶硅光電池)8.將下列太陽電池種類與實驗室最大效率一一對應(yīng)。1)單晶硅太陽電池(C.25%)2)多晶硅太陽電池(B.20.4%)3)非晶硅單結(jié)太陽電池(A.12%)9.將下列線切割經(jīng)常出現(xiàn)的問題與可能的原因一一對應(yīng)。1)斷線(A.切割工藝出現(xiàn)異常)2)跳線(B.硅棒對接位置不好)3)花片(C.加工好的硅片在空氣中停留時間過長)10.將下列影響光電轉(zhuǎn)換效率的主要因素與產(chǎn)生的可能原因一一對應(yīng)。1)反射遮蔭等光學(xué)損失(B.封裝材料透光率)2)載流子復(fù)合損失(A.P/N結(jié)區(qū)復(fù)合)3)連接轉(zhuǎn)換等電學(xué)損失(C.逆變器等電器損耗)形考任務(wù)3一、單項選題1.()是制造光伏器件和微波器件及集成電路的重要材料。A.銻化錮2.()由于其抗輻射能力強(qiáng)、耐高溫和化學(xué)穩(wěn)定性好，在航天技術(shù)領(lǐng)域有著廣泛3.薄膜電池迅速發(fā)展的最大優(yōu)勢是()。4.傳統(tǒng)硅晶太陽電池的性能隨溫度升高而()。A.26%D.24%6.單晶硅電池的顏色多為()。7.多晶硅電池的形狀為()。8.非晶硅的禁帶寬度比單晶硅大，這樣制成的非晶硅太陽電池的()相對較高。C.填充因子9.硅晶體中任一原子最多形成()個共價鍵。A.310.晶體管的工作溫度高溫限決定于()的大小。11.染料敏化納米晶太陽電池的制造成本比硅晶太陽電池的要()。B.一致12.商用太陽電池中實際應(yīng)用的主要為()。13.太陽電池材料缺陷屬于下列()影響太陽電池轉(zhuǎn)換效率的主要因素。A.載流子遷移復(fù)合損失B.連接轉(zhuǎn)換等電學(xué)損失D.反射及遮蔽等光學(xué)性能損失14.太陽電池串疊時，能夠吸收較高能量光譜的電池放在()。15.太陽電池的實驗室光電轉(zhuǎn)換效率()工業(yè)化生產(chǎn)光電轉(zhuǎn)換效率。16.太陽電池組件目前使用最多的是()封裝方式。17.太陽電池組件通常是由多個電池()而成。18.下列太陽電池不屬于薄膜電池系列的是()。19.有“第三代太陽電池”之稱的是()太陽電池。20.鑄造多晶硅太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率要比直接單晶硅低()。A.4%～5%C.2%～3%D.1%～2%1.20世紀(jì)70年代初，()開始引人到電池的制造工藝中，太陽電池轉(zhuǎn)換效率有了2.20世紀(jì)80年代初，主要把()引入到電池的制造工藝中。3.薄膜電池材料包括()。A.多晶硅(微晶硅)薄膜4.薄膜太陽電池得到迅速發(fā)展的原因主要有()。5.薄膜太陽電池中()已商業(yè)化。6.常用的半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)有()。8.多晶硅結(jié)構(gòu)在陽光下可通過控制氮化硅減反射膜的厚度，呈現(xiàn)()等不同的顏9.硅晶材料包括()。10.硅晶太陽電池存在著固有弱點主要有()。12.近年來針對單晶硅太陽電池轉(zhuǎn)換效率開發(fā)了許多新技術(shù)，主要有()。14.染料敏化納米晶太陽電池的優(yōu)勢主要有()。15.砷化鎵GaAs太陽電池的缺點主要有()。17.太陽電池組件具有的主要特點有()。18.填充因子是最大輸出功率與電池的()兩者乘積的比值。19.與其他太陽電池相比，制造單晶硅太陽電池()。20.制約單晶硅太陽電池光電轉(zhuǎn)換效率進(jìn)一步提高的主要技術(shù)障礙有()。三、判斷題1.傳統(tǒng)硅晶太陽電池的性能隨溫度升高而下降。(√)3.單晶硅太陽電池的轉(zhuǎn)化效率在硅晶太陽電池中最高。(√)4.當(dāng)P型半導(dǎo)體材料和N型半導(dǎo)體材料相連接，將在晶體中P型和N型材料5.非晶硅太陽電池的結(jié)構(gòu)最常采用的是P-N結(jié)構(gòu)。(×)6.高純硅制造多晶硅，不是拉成單晶，而是熔化定向凝固成正方形的硅錠。7.共價鍵的飽和性是指一個電子和另外一個電子配對以后，就不能再和第三8.共價鍵的方向性是指原子只能在特定的方向上形成共價鍵。(√)9.光電器件對半導(dǎo)體材料特性的要求中，高的靈敏度和短的弛豫時間二者難10.硅晶體的半導(dǎo)體性源于共價鍵。(√)11.區(qū)熔(FZ)硅單晶主要用來制作晶體管和集成電路以及外延生長的襯地。12.染料敏化納米晶太陽電池的制造成本高于傳統(tǒng)的硅晶太陽電池。(×)13.太陽電池的最高轉(zhuǎn)換效率不可能達(dá)到100%。(√)14.太陽電池光電轉(zhuǎn)換效率指的是照射到太陽電池表面上的陽光被轉(zhuǎn)換成可用電流的光子數(shù)與入射光子總量的比例。(√)15.填充因子其值越小表明太陽電池的輸出特性越好。(×)16.通常的工業(yè)硅(99.0-99.9%)具有半導(dǎo)體性能。(×)17.因光誘導(dǎo)衰減影響，非晶硅電池的效率隨時間增加而逐漸降低。(√)18.直拉(CZ)硅單晶主要用來制作大功率整流元件和閘流管等電力電子器件。(×)19.重?fù)桨雽?dǎo)體材料的性質(zhì)接近絕緣體，而高阻半導(dǎo)體材料性質(zhì)則接近導(dǎo)體。20.PN結(jié)形成電動勢主要靠“內(nèi)生電場”,而染料敏化技術(shù)主要靠電子的擴(kuò)散作用形成電流。(√)1.將下列半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)與其性質(zhì)一一對應(yīng)。1)禁帶寬度(C.反映組成這種材料的原子中價電子從束縛狀態(tài)激發(fā)到自由狀態(tài)所需的能量)2)電阻率、載流子遷移率(A.反映材料的導(dǎo)電能力)3)非平衡載流子壽命(B.反映半導(dǎo)體材料在外界作用(如光或電場)下內(nèi)部的載流子由非平衡狀態(tài)向平衡狀態(tài)過渡的弛豫特性)2.將下列半導(dǎo)體材料種類與代表材料一一對應(yīng)。1)山東元素半導(dǎo)體(C.硅)2)化合物半導(dǎo)體(A.砷化鎵)3)無定形半導(dǎo)體材料(B.氧化物玻璃)3.將下列硅太陽電池發(fā)展歷程一一對應(yīng)。1)1958年(A.硅太陽電池于1958年首先在航天器上得到應(yīng)用)2)20世紀(jì)70年代初(C.把背表面場、細(xì)柵金屬化、淺結(jié)表面擴(kuò)散和表面織構(gòu)化開始引人到電池的制造工藝中)3)20世紀(jì)80年代初(B.把表面鈍化技術(shù)、降低接觸復(fù)合效應(yīng)、后處理提高載流子壽命、改進(jìn)陷光效應(yīng)引入到電池的制造工藝中)4.將下列硅太陽電池種類與工業(yè)化生產(chǎn)光電轉(zhuǎn)換效率一一對應(yīng)。1)單晶硅(C.16～18%)2)多晶硅(B.15～17%)3)非晶硅(A.7～9%)1)化合物晶體(A.砷化鎵)2)化合物薄膜(C.銅銦鎵硒)3)有機(jī)染料(B.染料敏化)6.將下列太陽電池種類與實驗室最大效率一一對應(yīng)。1)單晶硅太陽電池(C.25%)2)多晶硅太陽電池(B.20.4%)3)非晶硅單結(jié)太陽電池(A.12%)7.將下列太陽電池種類與實驗室最大效率一一對應(yīng)。1)多晶硅(C.20.4%)2)非晶硅單結(jié)(B.12%)3)非晶硅多結(jié)(A.11.83%)8.將下列線切割經(jīng)常出現(xiàn)的問題與可能的原因一一對應(yīng)。1)斷線(A.切割工藝出現(xiàn)異常)2)跳線(B.硅棒對接位置不好)3)花片(C.加工好的硅片在空氣中停留時間過長)1)PREL(C.發(fā)射極鈍化及背面局部擴(kuò)散)2)BCSC(A.埋柵)3)BSR(B.高效背表面反射器)10.將下列影響太陽電池光電轉(zhuǎn)換效率的主要因素一一對應(yīng)1)反射遮蔭等光學(xué)損失(C.封裝材料透光率)2)載流子復(fù)合損失(A.溫度及衰減損失)3)連接轉(zhuǎn)換等電學(xué)損失(B.逆變器等電器損)形考任務(wù)41.()是現(xiàn)在和將來太陽能光伏發(fā)電的主流。2.()是整個獨立光伏發(fā)電系統(tǒng)的核心部件。3.半透明幕墻多采用()電池。4.獨立光伏發(fā)電系統(tǒng)較并網(wǎng)光伏發(fā)電系統(tǒng)建設(shè)成本、維護(hù)成本()。5.孤島效應(yīng)是()的特有現(xiàn)象。6.光伏發(fā)電與其它常規(guī)能源發(fā)電相比，發(fā)電成本()。A.一致7.目前光伏發(fā)電成本高于常規(guī)能源發(fā)電()。7.目前光伏組件材料壽命最長約()多年。A.4000%B.3000%D.2000%8.目前國內(nèi)外普遍采用的并網(wǎng)光伏發(fā)電系統(tǒng)是()。9.太陽電池組件目前使用最多的是()封裝方式。10.太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)中一般可選用性能較好的()逆變器。A.正弦波11.太陽能光伏水泵系統(tǒng)中不具備的元件是()。12.下列具體應(yīng)用實例不屬于有蓄電池直流系統(tǒng)的是()。13.一般將光伏采光頂組件的透光率設(shè)計在()。A.10%～50%B.10%～20%D.10%～40%14.用戶太陽能電源是指()安裝的太陽能電源。二、多項選擇題1.半透明幕墻的特點有()。A.光能利用率較低2.不透明幕墻多采用()組件。3.充放電開關(guān)可以是()。A.繼電器7.光伏發(fā)電與其它常規(guī)能源發(fā)電相比，具有()的特點。8.光伏方陣與建筑的集成主要分為()方式。9.光伏方陣與建筑的結(jié)合主要分為()方式。10.光伏建筑一體化的優(yōu)點主要有()。11.光伏建筑一體化系統(tǒng)的主要缺點有()。13.太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)中對逆變器提出的要求主要有()。14.下列具體應(yīng)用實例屬于有蓄電池直流系統(tǒng)的()。15.與傳統(tǒng)的太陽電池使用方式相比，光伏建筑一體化系統(tǒng)的主要優(yōu)點有()。1.“孤島效應(yīng)”是并網(wǎng)光伏發(fā)電系統(tǒng)的特有現(xiàn)象。(√)2.“孤島效應(yīng)”是獨立光伏發(fā)電系統(tǒng)的特有現(xiàn)象。(×)3.并網(wǎng)光伏發(fā)電系統(tǒng)是現(xiàn)在和將來太陽能光伏發(fā)電的主流。(√)4.充放電開關(guān)實際上是一個廣義上的開關(guān)元件，它可以是一個繼電器、三極管等元件，也可以是MOS管、晶閘管或是機(jī)械等類型的元件。(√)(6.單體太陽電池是組成太陽電池組件的最小單元，其面積大小不同，其功率7.獨立光伏發(fā)電系統(tǒng)是現(xiàn)在和將來太陽能光伏發(fā)電的主流。(×)8.高速公路監(jiān)控屬于有蓄電池的直流系統(tǒng)。(√)9.光伏建筑一體化屬于并網(wǎng)光伏發(fā)電系統(tǒng)。(√)10.將交流轉(zhuǎn)成直流的裝置稱為逆變器。(×)11.將直流電轉(zhuǎn)變成交流電的變流裝置稱為整流裝置。(×)12.目前光伏發(fā)電成本高于常規(guī)發(fā)電3-5倍。(√