企業(yè)競爭圖譜：2024年半導(dǎo)體存儲模組 頭豹詞條報告系列

信息科技/半導(dǎo)體信息科技/半導(dǎo)體企業(yè)競爭圖譜：2024年半導(dǎo)體存儲模組頭豹詞條報告系列馬天奇·頭豹分析師2024-04-09未經(jīng)平臺授權(quán)，禁止轉(zhuǎn)載版權(quán)有問題？點此投訴制造業(yè)/計算機(jī)、通信和其他電子設(shè)備制造業(yè)/計算機(jī)制造/計算機(jī)零部件制造行業(yè)定義半導(dǎo)體行業(yè)分為多個子行業(yè)，包括集成電路、光電…AI訪談行業(yè)分類按照功能性及使用的主要存儲芯片類型的分類方式，…AI訪談行業(yè)特征半導(dǎo)體存儲模組行業(yè)特征包括：1.NANDFlash和…AI訪談發(fā)展歷程半導(dǎo)體存儲模組行業(yè)目前已達(dá)到3個階段AI訪談產(chǎn)業(yè)鏈分析AI訪談行業(yè)規(guī)模半導(dǎo)體存儲模組行業(yè)規(guī)模暫無評級報告AI訪談SIZE數(shù)據(jù)政策梳理半導(dǎo)體存儲模組行業(yè)相關(guān)政策5篇AI訪談競爭格局AI訪談數(shù)據(jù)圖表中游分析下游分析上游分析摘要存儲器是利用磁性材料或半導(dǎo)體等作為介質(zhì)進(jìn)行信息存儲的器件。半導(dǎo)體存儲器利用半導(dǎo)體介質(zhì)存儲電荷來實現(xiàn)信息存儲，存儲與讀取過程體現(xiàn)為電荷的貯存或釋放。半導(dǎo)體存儲器是集成電路的重要分支之一。半導(dǎo)體存儲模組行業(yè)特征包括：1.NANDFlash和DRAM存儲器占據(jù)99%市場；2.中國是存儲芯片最大的終端使用地，但國產(chǎn)化率較低；3.行業(yè)于2023年Q4開始復(fù)蘇，當(dāng)前保持平穩(wěn)。存儲器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展歷程可以追溯到上世紀(jì)60年代，IBM公司的研究人員提出了用金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）晶體管制作存儲器芯片的設(shè)想，并成功研發(fā)出了首個DRAM。摘要隨后，隨著技術(shù)的進(jìn)步和市場需求的增長，存儲器產(chǎn)業(yè)逐漸發(fā)展壯大。1984年，東芝公司的工程師首次提出了快速閃存存儲器的概念，并于1988年實現(xiàn)了NOR閃存的批量生產(chǎn)，這一技術(shù)的推出標(biāo)志著閃存存儲器時代的開始。2006年中芯國際量產(chǎn)80納米工藝的DRAM后，中國大陸的存儲器企業(yè)如晉華集成、合肥長鑫、長江存儲等相繼成立，并取得了一系列重要的技術(shù)突破和產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展。存儲器產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了從最初的DRAM到現(xiàn)在的3DNAND的演進(jìn)過程，中國大陸存儲器企業(yè)在其中扮演著愈發(fā)重要的角色。2019年—2023年，半導(dǎo)體存儲模組行業(yè)市場規(guī)模由507.47億美元回落至268.80億美元，期間年復(fù)合增長率-14.69%。預(yù)計2024年—2028年，半導(dǎo)體存儲模組行業(yè)市場規(guī)模由389.30億美元增長至718.72億美元，期間年復(fù)合增長率16.56%。半導(dǎo)體存儲模組行業(yè)定義[1]半導(dǎo)體行業(yè)分為多個子行業(yè)，包括集成電路、光電器件、分立器件和傳感器等。在集成電路領(lǐng)域，根據(jù)功能的不同，可進(jìn)一步細(xì)分為存儲器、邏輯電路、模擬電路和微處理器等不同的領(lǐng)域。根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計（WSTS）對世界半導(dǎo)體貿(mào)易規(guī)模的最新數(shù)據(jù)，2023年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模達(dá)到5,201億美元，同比2022年下降9.4%。其中存儲芯片占比集成電路21%，僅次于邏輯電路的41%。存儲器是利用磁性材料或半導(dǎo)體等作為介質(zhì)閃存模組，主要包含靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器SRAM（只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持）。和動態(tài)隨機(jī)存取存儲器DRAM（儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新）。閃存模組，主要包含靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器SRAM（只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持）。和動態(tài)隨機(jī)存取存儲器DRAM（儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新）。易失性存儲半導(dǎo)體存儲模組分類非易失性存儲1：https://baike.baid…3：https://baike.baid…4：江波龍、百度百科存或釋放。半導(dǎo)體存儲器是集成電路的重要分支之一。[1]1：https://www.wsts.…2：WSTS、江波龍半導(dǎo)體存儲模組行業(yè)分類[2]按照功能性及使用的主要存儲芯片類型的分類方式，半導(dǎo)體存儲模組行業(yè)可以分為如下類別：半導(dǎo)體存儲模組行業(yè)基于**的分類內(nèi)存模組，主要包括可編程只讀存儲器PROM（其特性是一旦存儲數(shù)據(jù)就無法再將之改變或刪除，且內(nèi)容不會因為電源關(guān)閉而消失閃存存儲器Flash（閃存是一種電子式可擦除可編程只讀存儲器EEPROM的形式，允許在操作中被多次擦除或?qū)懭氲拇鎯ζ?。它主要用于一般性?shù)據(jù)存儲，以及在電腦與其他數(shù)字產(chǎn)品間交換傳輸數(shù)據(jù)，如儲存卡與U盤。早期的閃存進(jìn)行一次抹除，就會清除整顆芯片上的數(shù)據(jù)）和可擦除可編程只讀寄存器EPROM（可利用高電壓將數(shù)據(jù)編程寫入，但抹除時需將存儲器芯片曝露于紫外線下一段時間，數(shù)據(jù)始可被清空，再供重復(fù)使用。因此，在封裝外殼上會預(yù)留一個由石英玻璃制成的透明窗，以便進(jìn)行紫外線曝光。寫入程序后通常會用貼紙遮蓋透明窗，以防長時間曝光過量影響數(shù)據(jù)）/EEPROM等。2：2：https://baike.baid…半導(dǎo)體存儲模組行業(yè)特征[3]半導(dǎo)體存儲模組行業(yè)特征包括：1.NANDFlash和DRAM存儲器占據(jù)99%市場；2.中國是存儲芯片最大的終端使用地，但國產(chǎn)化率較低；3.行業(yè)于2023年Q4開始復(fù)蘇，當(dāng)前保持平穩(wěn)。2：https://www.wsts.2：https://www.wsts.…3：https://www.china…4：https://www.china…6：https://www.china…7：ICInsights、WSTS、C…1NANDFlash和DRAM存儲器占據(jù)99%市場半導(dǎo)體存儲市場中，DRAM和NANDFlash占據(jù)主導(dǎo)地位。2022年全球半導(dǎo)體存儲器市場中DRAM占比EEPROM/EPROM/ROM/其他占比1%、SRAM占比小于1%。注：占比數(shù)據(jù)存在四舍五入。2中國是存儲芯片最大的終端使用地，但國產(chǎn)化率較低根據(jù)WSTS數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體市場主要分為四大區(qū)域，其中美洲占比25.48%、歐洲10.97%、日本9.08%、亞洲54.47%，亞洲規(guī)模排名全球第一。根據(jù)佰維存儲，中國是全球存儲芯片最大的終端使用市場，但國產(chǎn)存儲芯片目前的市場份額僅不足5%，顯示中國存儲行業(yè)還有巨大的成長空間。3行業(yè)于2023年Q4開始復(fù)蘇，當(dāng)前處于行業(yè)博弈期在存儲市場最近一輪周期變化中（2019年至2023年經(jīng)歷了供需失衡、大流行沖擊、供應(yīng)短缺、庫存積壓、價格暴跌等多個階段，最終是由原廠主動減產(chǎn)來結(jié)束這一波周期性波動。2023上半年行業(yè)供需失衡導(dǎo)致存儲價格失速下滑，原廠肩負(fù)著巨額虧損的財務(wù)壓力，上游集體加大減產(chǎn)力度并收縮供應(yīng)，NAND指數(shù)從1月23日的近600下跌至7月的450以下，DRAM指數(shù)從1月23日的約700下跌至8月的500以下。2023年后期原廠通過減產(chǎn)（據(jù)CFM閃存市場統(tǒng)計，各大存儲原廠NANDFlash減產(chǎn)幅度在30%～50%，尤其是產(chǎn)能占比較大的成熟制程產(chǎn)品）和恐慌性備貨（江波龍/德明利/佰維存儲23Q3存貨分別較22年底增長11.1/8.5/15.6億，較22年底增幅分別達(dá)30%/113%/80%）逐步修復(fù)財務(wù)水平（2023年Q4江波龍預(yù)計實現(xiàn)營收35億元～40億元，同比上升超過100%，歸母凈利潤扭虧為盈，截至2024年1月2日。佰維存儲在第四季度營收同樣增長超過80%，環(huán)比增長超50%，毛利率回升13個百分點）。指數(shù)方面截至2024年1月2日NAND指數(shù)從最低點反彈55.6%；DRAM指數(shù)從最低點反彈14.6%。目前存儲行情仍處于持續(xù)復(fù)蘇過程芯片合約價上調(diào)10%～20%），但由于現(xiàn)貨需求端普遍存在一定庫存，以及終端需求未見明顯好轉(zhuǎn)，備貨需求放緩之下，近期存儲現(xiàn)貨市場普遍面臨較大的成交壓力。綜合情況分析，當(dāng)前處于復(fù)蘇平穩(wěn)期，短期上游資源的漲幅很難廣泛傳導(dǎo)至現(xiàn)貨成品端（PC端需求力度不足存儲現(xiàn)貨價格基本以持平為主。1：1：https://www.icinsi…5：5：https://m.21jingji.c…半導(dǎo)體存儲模組發(fā)展歷程[4]存儲器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展歷程可以追溯到上世紀(jì)60年代，IBM公司的研究人員提出了用金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）晶體管制作存儲器芯片的設(shè)想，并成功研發(fā)出了首個DRAM。隨后，隨著技術(shù)的進(jìn)步和市場需求的增長，存儲器產(chǎn)業(yè)逐漸發(fā)展壯大。1984年，東芝公司的工程師首次提出了快速閃存存儲器的概念，并于1988年實現(xiàn)了NOR閃存的批量生產(chǎn)，這一技術(shù)的推出標(biāo)志著閃存存儲器時代的開始。2006年中芯國際量產(chǎn)80納米工藝的DRAM后，中國大陸的存儲器企業(yè)如晉華集成、合肥長鑫、長江存儲等相繼成立，并取得了一系列重要的技術(shù)突破和產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展。存儲器產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了從最初的DRAM到現(xiàn)在的3DNAND的演進(jìn)過程，中國大陸存儲器企業(yè)在其中扮演著愈發(fā)重要的角色。萌芽期1956~19841956年，中央提出“向科學(xué)進(jìn)軍”的口號，把半導(dǎo)體、計算機(jī)、自動化和電子學(xué)這四個在國際上發(fā)展迅速而中國急需發(fā)展的高新技術(shù)列為四大緊急措施。1963年，中國第一個半導(dǎo)體器件生產(chǎn)廠“109廠”制造出國產(chǎn)硅平面型晶體管。1966年，IBM公司托馬斯·沃森研究中心的研究人員提出了用金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）晶體管，來制作存儲器芯片的設(shè)想，同年研發(fā)成功1T/1C結(jié)構(gòu)（一個晶體管加一個電容）的DRAM，并在1968年獲得專利。1968年，仙童半導(dǎo)體（Fairchild）推出首個DRAM，其字節(jié)只有256bit。1969年，先進(jìn)內(nèi)存系統(tǒng)公司正式推出首款1KDRAM。1970年，英特爾推出首款可大規(guī)模生產(chǎn)的1KDRAM芯片C1103，使得1bit只要1美分。1975年，北京大學(xué)物理系半導(dǎo)體研究小組完成硅柵NMOS、硅柵PMOS、鋁柵NMOS三種技術(shù)方案，在109廠采用硅柵NMOS技術(shù)，試制出中國大陸第一塊1K1978年，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所成功研制4KDRAM，1979年在101980年，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所成功研制16KDRAM，1981年在109廠成功投產(chǎn)。1984年，東芝公司工程師舛岡富士雄（FujioMasuoka）首先提出了快速閃存存儲器（FlashMemory）的概念。存儲器模組行業(yè)處于早期萌芽階段。當(dāng)時的存儲器模組存儲容量較小，速度較慢，價格昂貴。啟動期1984~20061985年，中國科學(xué)院微電子中心成功研制64KDRAM，當(dāng)年在江南無線電器材廠（742廠）成功投產(chǎn)。1990年，清華大學(xué)李志堅院士研制成功具有中國獨立自主版權(quán)、在性能指標(biāo)上達(dá)到世界先進(jìn)水平的1兆位漢字只讀存儲器（1MROM）芯片。1：https://www.digiti…3：https://new.qq1：https://www.digiti…3：https://new.qq.co…4：騰訊網(wǎng)、知乎、DIGITI…1993年，無錫華晶采用2.5微米工藝制造出中國大陸第一塊256KDRAM。1994年，東芝將NAND實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。1997年，NEC和華虹集團(tuán)合資成立華虹NEC（2004年后退出DRAM市場）。2003年，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所宋志棠團(tuán)隊率先在中國開展相變存儲器的研發(fā)。2004年，中芯國際在北京建設(shè)中國大陸第一座12英寸晶圓廠（Fab4）。在全球最大的DRAM生產(chǎn)基地。同年中國科學(xué)院物理研究所韓秀峰研究組完成的“新型磁隨機(jī)存取存儲器（MRAM）原理型器件”通過了中科院的鑒定。行業(yè)實現(xiàn)從DRAM至NANDFlash的飛速發(fā)展，中國新成立內(nèi)資企業(yè)不斷增加，技術(shù)接連突破。高速發(fā)展期2006~InvalidDate2009年，浪潮集團(tuán)收購德國奇夢達(dá)西安設(shè)計公司成立西安華芯。2011年，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所宋志棠研究組研制成功中國第一款具有自主知識產(chǎn)權(quán)的相變存儲器（PCRAM）芯片，存儲容量為8Mb。2014年，武漢新芯與賽普拉斯（Cypress）組建了聯(lián)合研發(fā)團(tuán)隊，開始了3DNAND項目的研發(fā)工作。2016年，長江存儲成立，首個NANDFlash生產(chǎn)線在武漢建設(shè)，一期投資242019年，長江存儲宣布64層256GbTLC3DNANDFlas2023年，長鑫存儲正式推出中國首款自主研發(fā)生產(chǎn)的LPDDR5系列產(chǎn)品。2024年，江波龍電子收購了Zilia（原SMARTBrazil）和LongforceTechnology蘇州（原力泰科技蘇州）。中國相繼攻克了3DNANDFlash和DRAM技術(shù)，實現(xiàn)了存儲器自主研發(fā)生產(chǎn)，并向人工領(lǐng)域拓展。2：2：https://zhuanlan.z…[13]半導(dǎo)體存儲模組產(chǎn)業(yè)鏈分析存儲器上游為存儲晶圓廠、主控芯片廠和封裝測試廠，分別提供存儲晶圓與主控芯片的設(shè)計和制造以及測試；中游為存儲模組供應(yīng)商和品牌商，將標(biāo)準(zhǔn)化存儲晶圓轉(zhuǎn)化為存儲模組產(chǎn)品，并且進(jìn)行銷售；下游為產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域，包括智能終端、電腦/服務(wù)器、攝影監(jiān)控等。[7]SK海力士半導(dǎo)體（中國）有限公司美光科技有限公司半導(dǎo)體存儲模組行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈主要有以下核心研究觀點SK海力士半導(dǎo)體（中國）有限公司美光科技有限公司上游晶圓集中度較高，利用減產(chǎn)穩(wěn)定價格。存儲晶圓設(shè)計與制造行業(yè)技術(shù)門檻高，少數(shù)全球領(lǐng)先企業(yè)通過大量資本投入積累競爭優(yōu)勢。消費類電子市場下滑，特別是消費級存儲器市場持續(xù)下跌，車規(guī)工規(guī)級和企業(yè)級市場難以對沖。自2022年以來，去庫存過程持續(xù)到2023年上半年，晶圓原廠面臨財務(wù)壓力，收入普遍下滑。各存儲原廠采取減產(chǎn)等措施應(yīng)對市場不景氣。晶圓原廠與模組廠商共同組成行業(yè)生態(tài)，企業(yè)加快技術(shù)研發(fā)。存儲器行業(yè)以晶圓為核心，針對不同客戶需求提供個性化解決方案，存儲模組廠商通過標(biāo)準(zhǔn)化晶圓轉(zhuǎn)化為具體產(chǎn)品滿足多領(lǐng)域應(yīng)用需求。核心技術(shù)進(jìn)展包括NANDFlash的存儲密度提升和DRAM的制當(dāng)前NANDFlash主要應(yīng)用于固態(tài)硬盤和嵌入式存儲市場，DDR5已成DDR主流，個人電腦在DRAM下游市場份額持續(xù)下降。NANDFlash主要用于嵌入式存儲和固態(tài)硬盤領(lǐng)域，占據(jù)市場85%以上；DDR/LPD前最廣泛應(yīng)用的DRAM類型，其中DDR4是主流，而DDR5預(yù)計未來滲透率將逐步提高。[7]上產(chǎn)業(yè)鏈上游生產(chǎn)制造端存儲晶圓廠、主控芯片廠和封裝測試廠上游廠商三星（中國）半導(dǎo)體有限公司查看全部產(chǎn)業(yè)鏈上游說明晶圓市場集中度較高，三星等大廠主導(dǎo)市場。存儲晶圓的設(shè)計與制造產(chǎn)業(yè)擁有較高的技術(shù)和資本門檻。早期進(jìn)入存儲器領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè)通過大量資本投入（數(shù)據(jù)顯示，自2017年后，全球主要NANDFlash晶圓廠三星、凱俠+西部數(shù)據(jù)、美光科技、英特爾、SK海力士、長江存儲總計年度固定資產(chǎn)投資額較2016年翻倍增長，連年保持在300億美元的較高水平）不斷積累市場競爭優(yōu)勢，導(dǎo)致全球存儲晶圓市場被少數(shù)來自韓國、美國和日本的企業(yè)所主導(dǎo)。根據(jù)CFM數(shù)據(jù)，三星電子（SAMSUNG）、海力士（SKHynix）、美光（Micron）、西部數(shù)據(jù)/閃迪（SanDisk）和鎧俠（KIOXIA）的供應(yīng)規(guī)模占全球NANDFlash市場份額的約95%，形成寡頭壟斷市場。2023年下半年開始多家晶圓企業(yè)開始減產(chǎn)，從而穩(wěn)定產(chǎn)品價格。2023年，消費類電子市場的下滑尤為顯著，尤其是消費級存儲器市場持續(xù)大幅下跌。雖然車規(guī)工規(guī)級以及企業(yè)級存儲市場相對樂觀，但其規(guī)模占比較低，難以對沖消費類存儲產(chǎn)品下跌的影響。綜合考慮各方因素，自2022年以來的去庫存過程持續(xù)到2023年上半年。下游不景氣導(dǎo)致晶圓原廠財務(wù)壓力較大，2023上半年，三星存儲器收入深圳佰維存儲科技股份有限公司查看全部下滑58.62%至138.24億美元、SK海力士收入下滑54.93%至91.92億美元、美光科技收入下滑深圳佰維存儲科技股份有限公司查看全部54.41%至74.45億美元。此后存儲原廠均采取了上述各種不同措施以平抑或者對沖市場疲軟、需求下滑所帶來的沖擊，SK海力士進(jìn)一步削減NAND產(chǎn)量5%-10%、鎧俠從2022年10月開始削減約30%產(chǎn)量、美光科技進(jìn)一步宣布減產(chǎn)30%直至2024年。經(jīng)過大幅減產(chǎn)后，2023年Q4全球NANDFlash市場規(guī)模環(huán)比24.6%至122.3億美元，DRAM市場規(guī)模環(huán)比增長32.1%至172.6億美元。中產(chǎn)業(yè)鏈中游品牌端存儲模組供應(yīng)商和品牌商中游廠商深圳市江波龍電子股份有限公司深圳市德明利技術(shù)股份有限公司產(chǎn)業(yè)鏈中游說明現(xiàn)分為原廠和獨立第三方模組廠兩大陣營。晶圓原廠針對有大宗數(shù)據(jù)存儲需求的行業(yè)和客戶：半導(dǎo)體存儲器核心功能為數(shù)據(jù)存儲，存儲晶圓標(biāo)準(zhǔn)化程度高，主要晶圓廠仍采用IDM（設(shè)計-制造垂直整合模式）經(jīng)營。各晶圓廠同代產(chǎn)品在容量、帶寬、穩(wěn)定性等方面，技術(shù)規(guī)格趨同。存儲器產(chǎn)品的差異化主要體現(xiàn)在晶圓應(yīng)用技術(shù)（晶圓選型、封測技術(shù)和應(yīng)用技術(shù)）的差別。由于以上原因，部分存儲原廠憑借晶圓優(yōu)勢向下游存儲模組產(chǎn)品領(lǐng)域滲透，同時獨立的存儲器供應(yīng)商（含品牌商）產(chǎn)生，其經(jīng)營自主品牌的企業(yè)級或數(shù)據(jù)中心級固態(tài)硬盤針對智能手機(jī)、個人電腦及服務(wù)器行業(yè)的頭部客戶，如騰訊、蘋果等大型企業(yè)）。模組廠商面向廣泛細(xì)分市場：除了存儲原廠的目標(biāo)市場外，存儲器模組仍然廣泛應(yīng)用于多個行業(yè)和市場，包括工業(yè)控制、商用設(shè)備、汽車電子、網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備、家用電器、影像監(jiān)控、物聯(lián)網(wǎng)硬件等。存儲器廠商針對這些下游細(xì)分行業(yè)客戶的個性化需求，提供晶圓分析、主控芯片選型與定制、固件開發(fā)、封裝設(shè)計、芯片測試以及后端技術(shù)支持等服務(wù)，以滿足不同客戶的需求，將標(biāo)準(zhǔn)化的存儲晶圓轉(zhuǎn)化為具體的存儲產(chǎn)品。存儲模組廠商經(jīng)營模式一般為（采購存儲晶圓或顆粒-與閃存主控芯片等進(jìn)行封裝-測試后形成存儲模組-將存儲模組銷售給下游品牌（自有/其他）、廠家客戶或渠道分銷商以行業(yè)中企業(yè)佰維存儲和江波龍為例，存儲晶圓占比原材料采購額分別達(dá)到了46%和79%，保證長期、穩(wěn)定、規(guī)模化的存儲顆粒采購渠道（受貿(mào)易摩擦、市場競爭等因素影響以及自研閃存主控芯片和自建封測廠成為控制成本的關(guān)鍵。技術(shù)更迭速度快，大廠紛紛搶占先機(jī)。NANDFlash：核心指標(biāo)為存儲密度存儲密度（在更少的空間存儲更多的數(shù)據(jù)）。提升的主要技術(shù)路徑包括提高存儲單元的可存儲數(shù)位（bit）量和提升3D/4D中興通訊股份有限公司小米科技有限責(zé)任公司查看全部NANDFlash的堆疊層數(shù)，QLC（Quad-LevelCell）可存儲數(shù)位達(dá)到了4位，是前沿的NAND中興通訊股份有限公司小米科技有限責(zé)任公司查看全部Flash。3D/4DNANDFlash目前已經(jīng)突破200層大關(guān)，三星存儲表示2030年V-NAND可以疊加到DRAM：DRAM技術(shù)核心在于芯片制程，共經(jīng)歷了五個階段，大約每兩年實現(xiàn)一次突破。三星電子于2014年率先實現(xiàn)20納米制程量產(chǎn)-1Xnm（16nm-19nm）-1Ynm（14n近10nm）-1βnm（小于10nm實現(xiàn)更小制成的核心設(shè)備為光刻機(jī)。片成為了業(yè)界應(yīng)對晶體管密度提升與先進(jìn)制程微縮高成本之間矛盾的首選方案，推動NorFlash開始單元同時用于計算和存儲，避免數(shù)據(jù)和計算結(jié)果在計算單元和存儲單元之間來回搬運引起的功耗和帶寬瓶頸，基于NorFlash的存算一體方案正是受到多方關(guān)注的一條技術(shù)路線。英特爾、博世、美光、LamResearch、應(yīng)用材料、微軟、亞馬遜、軟銀均投資了基于NorFlash的存內(nèi)計算芯片。下產(chǎn)業(yè)鏈下游渠道端及終端客戶產(chǎn)品應(yīng)用商渠道端華為技術(shù)有限公司產(chǎn)業(yè)鏈下游說明固態(tài)硬盤和嵌入式存儲是當(dāng)前NANDFlash最主要的應(yīng)用市場。NANDFlash主要用于嵌入式存儲（適用于電子移動終端低功耗場景，如eMMC、UFS）、固態(tài)硬盤（適用于大容SSD、PSSD）和移動存儲（適用于便攜式存儲場景）等領(lǐng)域。由于模組廠不斷聚焦經(jīng)濟(jì)最優(yōu)的“二八原則”，主動將業(yè)務(wù)聚焦于企業(yè)級或數(shù)據(jù)中心級固態(tài)硬盤和嵌入式存儲產(chǎn)品，嵌入式存儲和固態(tài)硬盤現(xiàn)成為NANDFlash的主要產(chǎn)品類別，其市場規(guī)模占據(jù)了NANDFlash市場的85%以上。DDR5成為主流；個人電腦在DRAM下游占比持續(xù)下降。DRAM按照產(chǎn)品分類分為DDR/LPDDR/GDDR和傳統(tǒng)型（Legacy/SDR）DRAM，DDR/LPDDR為DRAM目前應(yīng)用最廣的類型，根據(jù)Yole數(shù)據(jù)統(tǒng)計，兩者合計占DRAM應(yīng)用比例約為90%。DDR主要應(yīng)用在個人計算機(jī)、服務(wù)器上、現(xiàn)主流的DDR標(biāo)準(zhǔn)是DDR4，隨著技術(shù)進(jìn)步預(yù)計未來DDR5滲透率會逐步提高（第五代DRAM）。DRAM下游需求市場格局較為穩(wěn)定，移動端電子產(chǎn)品為首，服務(wù)器次之。個人電腦占比近年來呈現(xiàn)緩慢下降的趨勢（從25%降低至約15%）。3：https://www.36kr.c…4：https://zhuanlan.z3：https://www.36kr.c…4：https://zhuanlan.z…[6]1：https://www.eefoc…2：https://www.bnext…5：江波龍、佰維存儲、與5：江波龍、佰維存儲、與…[7]1：江波龍、德明利、佰維…[8]1：德明利、江波龍[9]1：https://www.china…2：江波龍、CFM[10]1：江波龍、佰維存儲3：https://www.36kr.c…4：https://zhuanlan.z…[11]1：https://www.eefoc3：https://www.36kr.c…4：https://zhuanlan.z…5：與非網(wǎng)、江波龍5：與非網(wǎng)、江波龍[12]1：江波龍、德明利[13]1：佰維存儲半導(dǎo)體存儲模組行業(yè)規(guī)模2019年—2023年，半導(dǎo)體存儲模組行業(yè)市場規(guī)模由507.47億美元回落至268.80億美元，期間年復(fù)合增長率-14.69%。預(yù)計2024年—2028年，半導(dǎo)體存儲模組行業(yè)市場規(guī)模由389.30億美元增長至718.72億美元，期間半導(dǎo)體存儲模組行業(yè)市場規(guī)模歷史變化的原因如下：[17]智能手機(jī)&個人電腦需求萎靡，行業(yè)周期轉(zhuǎn)至衰退。自2017年起，隨著4G通信普及，智能手機(jī)市場趨向飽和。增量市場受限于4G智能手機(jī)的天花板，因此整體出貨量增長受阻。2021年開始，全球芯片供應(yīng)不足，影響了智能手機(jī)的齊套生產(chǎn)，手機(jī)出貨量出現(xiàn)明顯下滑。全球智能手機(jī)出貨量方面，2023年第一季度和第二季度分別同比下降14.59%和7.75%，2023年上半年同比下降11.38%。在全球個人電腦市場的出貨量方面，2023年第一季度和第二季度分別同比下降29.32%和13.36%，2023年上半年同比下降21.83%；盡管第二季度較第一季度跌勢有所放緩，但2023年上半年整體出貨量仍錄得超過大幅同比下降。廠商供給周期性波動特征明顯。以NANDFlash為例，2018年后行業(yè)波段下降，主要原因為原廠經(jīng)過前期的技術(shù)開發(fā)，3DNANDFlash技術(shù)走向成熟，行業(yè)技術(shù)革新難度加大。供給端廠商提高36層、72層等更高層產(chǎn)品堆疊更新速度，存儲產(chǎn)能和存儲當(dāng)量迅速增加。需求端受中美貿(mào)易摩擦影響，5G產(chǎn)業(yè)化建設(shè)受阻，智能手機(jī)難以進(jìn)一步迭代，市場需求不足。[17]半導(dǎo)體存儲模組行業(yè)市場規(guī)模未來變化的原因主要包括：[17]數(shù)據(jù)中心&服務(wù)器市場需求爆發(fā)。近年來，云計算、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等市場規(guī)模不斷擴(kuò)大，數(shù)據(jù)量呈現(xiàn)幾何級增長，數(shù)據(jù)中心固定投資不斷增加。中國的數(shù)據(jù)量在2021年到2023年，從18.5ZB(十萬億億字節(jié))增長到28.4ZB，預(yù)計在2026年達(dá)到56.2ZB，將位居全球第二，且未來依然保持爆發(fā)式增長。隨著大數(shù)據(jù)的爆炸式增長，企業(yè)和組織對于數(shù)據(jù)存儲/服務(wù)器的需求在急劇增加。此外當(dāng)前中國各地掀起人工智能計算中心“落地潮”，智算中心所承載的AI算力將是驅(qū)動智慧時代發(fā)展的核心動力，為服務(wù)器市場帶來巨大的增長空間，為半導(dǎo)體存儲模組行業(yè)帶來了巨大的機(jī)會。智能網(wǎng)聯(lián)汽車催化ADAS閃存市場。美國、歐洲、日本等國家和地區(qū)在智能網(wǎng)聯(lián)汽車領(lǐng)域的發(fā)展較早，并出臺了推動該產(chǎn)業(yè)發(fā)展的一系列政策。據(jù)美國IHS，2022年全球聯(lián)網(wǎng)汽車保有量將達(dá)到3.5億臺，市場占比達(dá)到24%，新車銷量中具備聯(lián)網(wǎng)功能的占比將達(dá)到94%；而到2035年，全球智能駕駛汽車銷量將超過1,000萬輛。近年來，中國政府開始重視智能網(wǎng)聯(lián)汽車發(fā)展，制定了相應(yīng)的發(fā)展戰(zhàn)略，旨在到2025年實現(xiàn)有條件自能汽車規(guī)模化生產(chǎn)，并在特定環(huán)境下市場化應(yīng)用。據(jù)佰維存儲，2019年全球ADAS領(lǐng)域的NANDFlash存儲消費達(dá)到2.2億GB，同比增長214.29%，預(yù)計至2024年，該領(lǐng)域的存儲消費將達(dá)到41.5億GB，半導(dǎo)體存儲模組行業(yè)規(guī)模半導(dǎo)體存儲模組行業(yè)規(guī)模數(shù)據(jù)來源：WSTS、CFM、ICinsights[14]1：佰維存儲、江波龍[15]1：https://www.leadle…2：弗若斯特沙利文、佰維…[16]1：佰維存儲[17]1：德明利半導(dǎo)體存儲模組政策梳理[18]政策名稱頒布主體生效日期影響《制造業(yè)可靠性提升實施意見》國務(wù)院2024-039政策內(nèi)容深入推進(jìn)數(shù)字經(jīng)濟(jì)創(chuàng)新發(fā)展。制定支持?jǐn)?shù)字經(jīng)濟(jì)高質(zhì)量發(fā)展政策，積極推進(jìn)數(shù)字產(chǎn)業(yè)化、產(chǎn)業(yè)數(shù)字化，促進(jìn)數(shù)字技術(shù)和實體經(jīng)濟(jì)深度融合。深化大數(shù)據(jù)、人工智能等研發(fā)應(yīng)用，開展“人工智能+”行動，打造具有國際競爭力的數(shù)字產(chǎn)業(yè)集群。政策解讀以上政策將有助于推動數(shù)字經(jīng)濟(jì)的創(chuàng)新發(fā)展，加速產(chǎn)業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型，促進(jìn)人工智能、大數(shù)據(jù)等技術(shù)與實體經(jīng)濟(jì)的深度融合，從而提升對半導(dǎo)體存儲模組的需求。此外，未來產(chǎn)業(yè)的培育和發(fā)展將為半導(dǎo)體存儲模組行業(yè)提供更廣闊的市場空間和應(yīng)用場景。政策性質(zhì)指導(dǎo)性政策政策名稱頒布主體生效日期影響《制造業(yè)可靠性提升實施意見》工業(yè)和信息化部等五部門2023-068政策內(nèi)容重點提升電子整機(jī)裝備用SoC/MCU/GPU等高端通用芯片、氮化鎵/碳化硅等寬禁帶半導(dǎo)體功率器件、高適應(yīng)性傳感器模組等工藝水平，加強(qiáng)材料分析、破壞性物理分析、可靠性試驗分析、板級可靠性分析、失效分析等分析評價技術(shù)研發(fā)和標(biāo)準(zhǔn)體系建設(shè)，推動在相關(guān)行業(yè)中的應(yīng)用。政策解讀以上政策的實施將促進(jìn)半導(dǎo)體存儲模組的發(fā)展。通過提升通用芯片、功率器件、傳感器等元器件的可靠性和性能，以及改善電子材料的性能和工藝水平，將有效提升存儲模組的整體質(zhì)量和穩(wěn)定性。此外，加強(qiáng)分析評價技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)體系建設(shè)將幫助提高存儲模組的研發(fā)質(zhì)量和生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)，從而推動其在各個行業(yè)中的廣泛應(yīng)用。政策性質(zhì)指導(dǎo)性政策政策名稱頒布主體生效日期影響《關(guān)于做好2022年享受稅收優(yōu)惠政策的集成電路企業(yè)或項目、軟件國家發(fā)展改革委等五部門2022-039企業(yè)清單制定工作有關(guān)要求的通政策內(nèi)容涉及國家鼓勵的重點集成電路設(shè)計企業(yè)和軟件企業(yè)涉及國家鼓勵的重點集成電路設(shè)計企業(yè)和軟件企業(yè)，集成電路線寬小于65納米（含）的邏輯電路、存儲器生產(chǎn)企業(yè)，線寬小于0.25微米（含）的特色工藝集成電路生產(chǎn)等符合規(guī)定的企業(yè)。政策解讀以上政策將鼓勵半導(dǎo)體存儲模組企業(yè)發(fā)展。通過稅收優(yōu)惠政策、企業(yè)條件和項目標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)定，以及加強(qiáng)監(jiān)管，促進(jìn)了集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展。這將帶動整個產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展，包括半導(dǎo)體存儲模組企業(yè)，從而推動技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)升級。政策性質(zhì)鼓勵性政策政策名稱頒布主體生效日期影響《關(guān)于印發(fā)促進(jìn)工業(yè)經(jīng)濟(jì)平穩(wěn)增長的若干政策的通知》國家發(fā)展改革委等十二部門2022-027政策內(nèi)容加快新型基礎(chǔ)設(shè)施重大項目建設(shè)，引導(dǎo)電信運營商加快5G建設(shè)進(jìn)度，支持工業(yè)企業(yè)加快數(shù)字化改造升級，推進(jìn)制造業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型；啟動實施北斗產(chǎn)業(yè)化重大工程，推動重大戰(zhàn)略區(qū)域北斗規(guī)?；瘧?yīng)用；加快實施大數(shù)據(jù)中心建設(shè)專項行動，實施“東數(shù)西算”工程，加快長三角、京津冀、粵港澳大灣區(qū)等8個國家級數(shù)據(jù)中心樞紐節(jié)點建設(shè)。政策解讀政策將促進(jìn)半導(dǎo)體存儲模組的發(fā)展。通過推動新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展、提升制造業(yè)核心競爭力、加快數(shù)字化轉(zhuǎn)型和基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)等舉措，將帶動半導(dǎo)體存儲模組需求增長，并促進(jìn)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈的投資和發(fā)展。政策性質(zhì)指導(dǎo)性政策政策名稱頒布主體生效日期影響《“十四五”國家信息化規(guī)劃》中央網(wǎng)絡(luò)安全和信息化委員會2021-127政策內(nèi)容加快集成電路關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)。推動計算芯片、存儲芯片等創(chuàng)新，加快集成電路設(shè)計工具、重點裝備和高純靶材等關(guān)鍵材料研發(fā)，推動絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）等特色工藝突破。政策解讀以上政策將推動集成電路關(guān)鍵技術(shù)和重點軟件的研發(fā)水平提升，為半導(dǎo)體存儲模組行業(yè)提供更先進(jìn)的計算芯片、存儲芯片等創(chuàng)新產(chǎn)品，同時加速了軟件在云計算、大數(shù)據(jù)、人工智能等領(lǐng)域的發(fā)展，為半導(dǎo)體存儲模組的應(yīng)用場景提供更廣闊的空間，推動了行業(yè)的發(fā)展。政策性質(zhì)指導(dǎo)性政策3：https://www.waizi.…4：中國政府網(wǎng)、鄭州威馳…[18]1：.c…3：https://www.waizi.…4：中國政府網(wǎng)、鄭州威馳…半導(dǎo)體存儲模組競爭格局[19]全球/中國半導(dǎo)體存儲模組行業(yè)市場集中度較高，DRAM模組市場與NAND模組市場均由存儲晶圓原廠占據(jù)主要份額。NANDFlash市場主要由三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士+Solidigm（SK海力士收購英特爾業(yè)務(wù)部門后成立的子公司）主導(dǎo)，合計市占率約95%。DRAM市場相較于NANDFlash更為集中，2023年Q4營收數(shù)據(jù)顯示由三星電子、SK海力士、美光科技、南亞科技、華邦電子五家主導(dǎo)（總市占率98.9%）。NorFlash：五家主要廠商（旺宏、華邦電、美光、Cypress、兆易創(chuàng)新）壟斷了全球90%的NorFlash市場。在這些廠商中，美光和Cypress主要提供高容量NorFlash，廣泛應(yīng)用于汽車、工控和航天領(lǐng)域；而華邦和旺宏主要生產(chǎn)中等容量的NorFlash；兆易創(chuàng)新則初期專注于低容量產(chǎn)品，目前家則主要專注于消費類電子產(chǎn)品市場。[23]半導(dǎo)體存儲模組行業(yè)呈現(xiàn)以下梯隊情況：第一梯隊公司有三星電子、SK海力士等大型存儲模組和晶圓企業(yè)，壟斷了存儲模組絕大部分市場；第二梯隊公司為江波龍、深科技、群聯(lián)電子、兆易創(chuàng)新、威剛、長江存儲（技術(shù)領(lǐng)先）、長鑫存儲等具備自研能力以及整合封裝測試等環(huán)節(jié)能力的國產(chǎn)企業(yè)；第三梯隊有佰維存儲、創(chuàng)見信息等具備一定研發(fā)能力，但渠道及產(chǎn)品接受度還不足的國產(chǎn)企業(yè)。[23]半導(dǎo)體存儲模組行業(yè)競爭格局的形成主要包括以下原因：[23]主流存儲原廠通過高端晶圓技術(shù)，逐步建立起護(hù)城河。以DRAM市場為例，2023年10月美光宣布已將業(yè)界領(lǐng)先的1β制程技術(shù)應(yīng)用于16Gb容量版本的DDR5內(nèi)存，相比上一代產(chǎn)品，性能提升高達(dá)50%，每瓦性能提升33%。能支持?jǐn)?shù)據(jù)中心和客戶端平臺上的人工智能（AI）訓(xùn)練和推理、生成式AI、數(shù)據(jù)分析和內(nèi)存數(shù)據(jù)庫（IMDB）等應(yīng)用。2023年9月，三星開發(fā)出基于12nm級工藝技術(shù)的32GbDDR5DRAM。2023年5月SK海力程和產(chǎn)品進(jìn)度上與國際大廠依舊存在差距。晶圓大廠不斷收購，擴(kuò)大市場份額。2012年03月12日，西部數(shù)據(jù)宣布完成收購VivitiTechnolo（原日立環(huán)球存儲科技公司）。此次收購以39億美元現(xiàn)金以及2,500萬股西部數(shù)據(jù)普通股（價值約9億美元）的價格成交。2017年9月，西部數(shù)據(jù)以183億美元收購東芝的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。2020年10月20日，SK海力士宣布以90億美元收購英特爾的NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)。預(yù)計在2025年3月份最終交割時，SK海力士將支付20億美元余款從英特爾收購其余相關(guān)資產(chǎn)。2023年年初，西部數(shù)據(jù)計劃與存儲巨頭鎧俠合并（暫時中止）。企業(yè)通過不斷收購擴(kuò)大原有業(yè)務(wù)版圖，對市場份額提升具有立竿見影的效果。[23]半導(dǎo)體存儲模組行業(yè)競爭格局的變化主要有以下幾方面原因：[23]閃存主控芯片主要由中國企業(yè)供應(yīng)，更有利于國產(chǎn)存儲模組廠商高效生產(chǎn)。數(shù)據(jù)存儲主控芯片是存儲器的大腦，負(fù)責(zé)調(diào)配存儲芯片的存儲空間與速率，在存儲器中與存儲芯片搭配使用。現(xiàn)如今存儲模組使用的閃存主控芯片包括Fabless自研芯片代工生產(chǎn)和外部采購（包括由封裝廠商配供市場主流閃存主控芯片）閃存主控芯片兩種方式，2022年NAND原廠自研自用SSD控制器芯片出貨量預(yù)計1.946億顆，占比約51.34%；獨立SSD控片廠商（主要包括慧榮科技、聯(lián)蕓科技、得一微電子等）出貨量預(yù)計1.406億顆，占比約37.11%；其余還有一些非NAND原廠自研自用SSD主控芯片廠商（群聯(lián)股份等）出貨量預(yù)計0.438億顆，占比約11.56%。2022年全球獨立SSD控制器芯片廠商排名前三為慧榮科技、聯(lián)蕓科技、得一微，市占率分別為56.34%、17.88%、生產(chǎn)有較大的促進(jìn)作用（降低渠道成本、技術(shù)支持等)。模組廠創(chuàng)立自主品牌，搶占外商市場。早期存儲模組產(chǎn)品分封測的廠商主要以賺取封裝加工費為盈利方式，后逐漸轉(zhuǎn)型為向行業(yè)上游自主采購存儲晶圓和主控芯片并封裝成存儲模組產(chǎn)品的業(yè)務(wù)模式，同時創(chuàng)立自主品牌從而獲得品牌溢價。對于芯片自主水平較低的存儲模組企業(yè)（如未自主研發(fā)主控芯片）獲取產(chǎn)品溢價是最重要的目標(biāo)，由于晶圓采購占比成本較高，單位產(chǎn)品毛利率較低，業(yè)績受市場價格周期性波動。未來隨著國產(chǎn)企業(yè)不斷提高自研主控芯片等能力，單位產(chǎn)品毛利率有望顯著提升，撼動歐美韓企業(yè)的壟斷地位。[23][27]上市公司速覽深圳市江波龍電子股份有限公司(301308)深圳佰維存儲科技股份有限公司(688525)1：https://www.1：https://www.china…3：CFM、36氪[19][20][21]1：https://cloud.tenc…3：全球半導(dǎo)體觀察、騰訊云1：https://www.china…總市值營收規(guī)模同比增長(%)毛利率(%)總市值營收規(guī)模同比增長(%)毛利率(%)389.0億元65.8億元-0.732.62226.0億元21.2億元-2.88-3.48深圳市德明利技術(shù)股份有限公司(001309)協(xié)創(chuàng)數(shù)據(jù)技術(shù)股份有限公司(300857)總市值營收規(guī)模同比增長(%)毛利率(%)總市值營收規(guī)模同比增長(%)毛利率(%)157.0億元9.8億元145.0億元32.3億元46.37深圳市朗科科技股份有限公司(300042)北京君正集成電路股份有限公司(300223)總市值營收規(guī)模同比增長(%)毛利率(%)總市值營收規(guī)模同比增長(%)毛利率(%)56.0億元10.3億元-19.286.02295.0億元34.2億元-18.9436.68深圳長城開發(fā)科技股份有限公司(000021)美光科技(MU.O)總市值營收規(guī)模同比增長(%)毛利率(%)總市值營收規(guī)模同比增長(%)毛利率(%)212.0億元109.7億元-8.6614.691.4千億美元155.0億美元-49.5-9.11SK海力士(000660.KS)創(chuàng)見信息(2451.TW)總市值營收規(guī)模同比增長(%)毛利率(%)總市值營收規(guī)模同比增長(%)毛利率(%)7.2千億元29.1萬億韓元-41.92-12.8685.0億元105.0億臺幣-24.229.01群聯(lián)電子(8299.TWO)總市值營收規(guī)模同比增長(%)321.0億元610.0億臺幣-30.28毛利率(%)32.40兆易創(chuàng)新科技集團(tuán)股份有限公司(603986)總市值營收規(guī)模同比增長(%)毛利率(%)480.0億元43.9億元-35.0834.38總市值營收規(guī)模同比增長(%)14.0億美元14.4億美元3.25毛利率(%)28.81威剛(3260.TWO)總市值營收規(guī)模同比增長(%)65.0億人民幣337.0億臺幣-3.73毛利率(%)三星電子(005930.KS)總市值營收規(guī)模同比增長(%)毛利率(%)2.7萬億人民2590萬億韓-14330332：2：https://www.36kr.c…2：2：https://www.dram…2：德明利、2：德明利、CFM、聯(lián)蕓科技[22]1：德明利3：新浪財經(jīng)、東方財富[23]1：https://finance.sin…2：https://finance.eas…3：新浪財經(jīng)、東方財富[24]1：Wind[25]1：Wind[26]1：Wind[27]1：Wind半導(dǎo)體存儲模組代表企業(yè)分析[28]1深圳市江波龍電子股份有限公司【301308】公司信息企業(yè)狀態(tài)存續(xù)注冊資本41286.4254萬人民幣企業(yè)總部深圳市行業(yè)軟件和信息技術(shù)服務(wù)業(yè)法人蔡華波統(tǒng)一社會信用代碼91440300708499732H企業(yè)類型股份有限公司(上市、自然人投資或控股)成立時間1999-04-27品牌名稱深圳市江波龍電子股份有限公司股票類型A股經(jīng)營范圍一般經(jīng)營項目是：通信設(shè)備、計算機(jī)及外圍設(shè)備、音視頻播放器及其他電子器件的技術(shù)開發(fā)…查看更多2023年上半年市場表現(xiàn)2023年后，宏觀經(jīng)濟(jì)環(huán)境并未在短期內(nèi)明顯好轉(zhuǎn)，行業(yè)下游市場持續(xù)承壓，特別是消費類電子市場下滑尤為明顯。消費級存儲器市場仍持續(xù)顯著下跌，車規(guī)工規(guī)級以及企業(yè)級存儲市場雖相對樂觀，但其規(guī)模占比較低，無力對沖消費類存儲產(chǎn)品下跌帶來的負(fù)面影響。綜合作用之下，2022年以來的去庫存進(jìn)程持續(xù)至2023年上半年。財務(wù)數(shù)據(jù)分析財務(wù)指標(biāo)銷售現(xiàn)金流/營業(yè)收入201820192020202120220.981.031.0410.99資產(chǎn)負(fù)債率(%)營業(yè)總收入同比增長(%)歸屬凈利潤同比增長(%)25.666322.918131.491928.945125.9379-35.2927.189333.9877-14.5544-326.7345115.4835266.7275-92.814應(yīng)收賬款周轉(zhuǎn)天數(shù)(天)流動比率每股經(jīng)營現(xiàn)金流(元)毛利率(%)流動負(fù)債/總負(fù)債(%)速動比率攤薄總資產(chǎn)收益率(%)加權(quán)凈資產(chǎn)收益率(%)基本每股收益(元)凈利率(%)總資產(chǎn)周轉(zhuǎn)率(次)每股公積金(元)存貨周轉(zhuǎn)天數(shù)(天)營業(yè)總收入(元)每股未分配利潤(元)稀釋每股收益(元)歸屬凈利潤(元)經(jīng)營現(xiàn)金流/營業(yè)收入34.683825.684819.643218.477633.04783.59763.94582.75632.87353.673-3.8299-0.471.1445-2.19-0.79057.619210.714411.959919.970412.401991.614595.284697.981496.932685.90981.53751.8731.31640.79331.7985-2.12413.75526.079218.07330.963-3.375.128.325.89--0.180.370.742.730.19-1.3822.22663.796610.39150.87391.53691.68651.60121.73921.101917.86574.24974.68134.68139.3957122.8252111.2973114.4066134.7005180.977342.28億57.21億72.76億97.49億83.30億17.65122.95843.69836.1765.2268-0.180.370.742.730.19-56539673.21.28億2.76億10.13億7279.70萬-3.8299-0.471.1445-2.19-0.7905競爭優(yōu)勢技術(shù)優(yōu)勢：公司晶圓分析團(tuán)隊能夠?qū)lash進(jìn)行全方位品質(zhì)畫像、分級，深入進(jìn)行產(chǎn)品應(yīng)用仿真；形成了自主可控的Flash固件開發(fā)技術(shù)；在存儲芯片F(xiàn)T測試，特別是DRAM存儲芯片測試，具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的實力。供應(yīng)鏈優(yōu)勢：公司與上游主要存儲晶圓原廠、主控芯片廠商建立了長期、穩(wěn)定和緊密的業(yè)務(wù)合作關(guān)系：首先，公司憑借應(yīng)用技術(shù)、產(chǎn)品設(shè)計和市場銷售優(yōu)勢，幫助晶圓原廠快速實現(xiàn)晶圓的產(chǎn)品化；其次，公司與三星電子、SK海力士、西部數(shù)據(jù)等主要存儲晶圓原廠簽署了長期合約，確保存儲晶圓供應(yīng)的穩(wěn)定性。2深圳佰維存儲科技股份有限公司【688525】公司信息企業(yè)狀態(tài)存續(xù)注冊資本43032.9136萬人民幣企業(yè)總部深圳市行業(yè)計算機(jī)、通信和其他電子設(shè)備制造業(yè)法人孫成思統(tǒng)一社會信用代碼91440300561500443T企業(yè)類型股份有限公司(上市、自然人投資或控股)成立時間2010-09-06品牌名稱深圳佰維存儲科技股份有限公司股票類型科創(chuàng)板經(jīng)營范圍一般經(jīng)營項目是：經(jīng)營進(jìn)出口業(yè)務(wù)（法律、行政法規(guī)、國務(wù)院決定禁止的項目除外，限制的…查看更多2023年上半年市場情況2022年以來，在宏觀經(jīng)濟(jì)環(huán)境持續(xù)走弱的影響下，半導(dǎo)體行業(yè)下游終端需求不振，全球半導(dǎo)體存儲市場陷入下行周期。CFM閃存市場預(yù)計2023年全球存儲市場規(guī)模將同比減少40%至830億美元。財務(wù)數(shù)據(jù)分析財務(wù)指標(biāo)銷售現(xiàn)金流/營業(yè)收入資產(chǎn)負(fù)債率(%)營業(yè)總收入同比增長(%)歸屬凈利潤同比增長(%)應(yīng)收賬款周轉(zhuǎn)天數(shù)(天)流動比率每股經(jīng)營現(xiàn)金流(元)毛利率(%)流動負(fù)債/總負(fù)債(%)速動比率201820192020202120221.031.010.931.080.9767.973843.939937.866735.243745.1043--7.947839.89858.922314.4362-113.67746.7431325.6939-38.906113.362318.775533.022826.867941.63241.05641.92742.26642.5472.19890.25-0.8676-1.8-1.32-1.60946.619315.620111.207117.545213.734798.595991.492488.085385.922980.53150.18690.69830.97790.67170.9794攤薄總資產(chǎn)收益率(%)加權(quán)凈資產(chǎn)收益率(%)基本每股收益(元)凈利率(%)總資產(chǎn)周轉(zhuǎn)率(次)每股公積金(元)存貨周轉(zhuǎn)天數(shù)(天)營業(yè)總收入(元)每股未分配利潤(元)稀釋每股收益(元)歸屬凈利潤(元)扣非每股收益(元)經(jīng)營現(xiàn)金流/營業(yè)收入-19.57171.95091.83655.09531.9726-50.235.943.158.58--1.320.18-10.70281.59021.6684.4682.38531.82871.22681.1011.14040.8271.88644.33845.73523.4534.2386122.8499183.0671167.9261197.012248.070612.75億11.74億16.42億26.09億29.86億-0.7019-0.3785-0.14550.20160.3318-1.320.18-136442432.341866.13萬2738.41萬1.17億7121.87萬--0.110.32-0.25-0.8676-1.8-1.32-1.6094競爭優(yōu)勢技術(shù)優(yōu)勢：公司擁有資深封裝設(shè)計和工藝研發(fā)團(tuán)隊，全面掌握BGA、FlipChip、3D、SiP等封裝設(shè)計和工藝技術(shù)。公司高度重視芯片可靠性設(shè)計，通過多年來在行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)、用戶場景、芯片失效分析等領(lǐng)域不斷探索和創(chuàng)新，有能力進(jìn)行完備的基板級和封裝級仿真和芯片參數(shù)提取。3深圳市德明利技術(shù)股份有限公司【001309】公司信息企業(yè)狀態(tài)存續(xù)注冊資本11224.752萬人民幣企業(yè)總部深圳市行業(yè)研究和試驗發(fā)展法人李虎統(tǒng)一社會信用代碼914403006820084202企業(yè)類型股份有限公司（外商投資、上市）成立時間2008-11-20品牌名稱深圳市德明利技術(shù)股份有限公司股票類型A股經(jīng)營范圍一般經(jīng)營項目是：計算機(jī)系統(tǒng)集成、計算機(jī)網(wǎng)絡(luò)技術(shù)、計算機(jī)網(wǎng)絡(luò)軟件、計算機(jī)應(yīng)用軟件的…查看更多2023年市場情況NANDFlash價格指數(shù)在2022、2023年上半年下跌調(diào)整后，走勢逐步