微電子封裝技術(shù)智慧樹知到期末考試答案2024年

微電子封裝技術(shù)智慧樹知到期末考試答案2024年微電子封裝技術(shù)陶瓷封裝屬于氣密性封裝，最經(jīng)常使用的陶瓷材料是（）。

A:氧化鋁B:氮化鋁C:藍寶石D:碳化硅答案:氮化鋁在高溫共燒型陶瓷基板的制作中，氧化鋁粉末與鈣鎂鋁硅酸玻璃粉末的比例為（）。

A:1:9B:3:1C:1:3D:9:1答案:9：1多種金屬均可用于引線鍵合的材料，其中使用最廣泛的是金屬線是（）。

A:金線B:鋁線C:銅線D:銀線答案:金線開封屬于破壞性測試，去除塑封料的方法包括（）。

A:熱機械法B:化學方法C:加熱法D:等離子體刻蝕法答案:化學雙列直插式封裝的類型包括（）。

A:陶瓷熔封雙列直插封裝B:玻璃熔封雙列直插式封裝C:多層陶瓷雙列直插式封裝D:塑料雙列直插式封裝答案:塑料雙列直插式封裝載帶自動焊中制作的芯片凸點，其形狀包括（）。

A:蘑菇狀凸點B:圓形凸點C:柱狀凸點D:錐狀凸點答案:柱狀凸點在多層陶瓷DIP制作中，生瓷片的主要成分為（）。

A:溶劑和增塑劑B:粘合劑C:陶瓷粉末D:玻璃粉末答案:溶劑和增塑劑###玻璃粉末###粘合劑###陶瓷粉末密性封裝可以大大提高電路特別是有源器件的可靠性，能達到所謂氣密性封裝的材料通常指（）。

A:樹脂B:金屬C:陶瓷D:玻璃答案:金屬四邊扁平封裝集成電路的封裝種類繁多，按照其封裝體的厚度可以將其分為（）。

A:方形四邊扁平封裝B:小型四邊扁平封裝C:薄型四邊扁平封裝D:普通四邊扁平封裝答案:四邊扁平封裝電子元器件的失效率曲線一般有三類失效組成，包括（）。

A:隨機失效B:特性失效C:損耗失效D:早期失效答案:早期失效###隨機失效###損耗失效密封性封裝導(dǎo)致芯片散熱功能降低，因此無法提供散熱途徑。（）

A:錯誤B:正確答案:錯誤四邊扁平封裝適合高頻器件封裝使用。（）

A:錯誤B:正確答案:正確塑料DIP工藝可實現(xiàn)高密度引腳封裝且性能優(yōu)異。（）

A:正確B:錯誤答案:正確產(chǎn)品鑒定用于證明電子封裝的設(shè)計符合可靠性要求。（）

A:對B:錯答案:錯封裝材料的化學性能反映了材料的抗腐蝕性、抗燃性以及不同種類的離子在材料中的運動性。（）

A:錯誤B:正確答案:正確有機材料中有機溶劑的功能為：在球磨過程中促成粉體分離揮發(fā)時在生胚片中形成微細的孔洞。（）

A:錯誤B:正確答案:正確外界溫度的變化是引起IC芯片破壞的主要原因。（）

A:正確B:錯誤答案:錯誤在倒裝焊芯片連接技術(shù)中，所有的I/O引腳均是同步焊接的。（）

A:錯誤B:正確答案:正確篩選過程中的兩種主要缺陷為潛在缺陷和顯著缺陷。（）

A:正確B:錯誤答案:正確陶瓷硬度大，因此陶瓷封裝的芯片能接受任何外部應(yīng)力。（）

A:錯B:對答案:對在引線鍵合和載帶自動鍵合互連中，芯片的面均朝上。（）

A:錯B:對答案:對引線鍵合技術(shù)可以提供更高的封裝密度、更好的性能、更小的器件占用PCB面積和更薄的封裝外形。（）

A:錯誤B:正確答案:錯誤在低溫共燒型的陶瓷基板中，氧化鋁粉末與鈣鎂鋁硅酸玻璃粉末的比例為1：3。（）

A:錯誤B:正確答案:正確引線變形通常是指塑封料流動過程中引起的引線位移或變形，金線偏移是封裝過程中最常發(fā)生的問題之一。（）

A:正確B:錯誤答案:正確塑料封裝中，氣泡不是引起金線偏移的因素。（）

A:錯誤B:正確答案:正確在芯片的塑料封裝中，需要在鑄膜材料中添加黑色色素，其目的是（）。

A:提高強度B:增加韌性C:顏色美觀統(tǒng)一D:提高穩(wěn)定性答案:AI參考:在芯片的塑料封裝中，需要在鑄膜材料中添加黑色色素，其目的是顏色美觀統(tǒng)一。塑料封裝是芯片封裝技術(shù)的一種，它使用塑料來保護芯片，使其免受環(huán)境中的有害因素的影響。在鑄膜材料中添加黑色色素可以使塑料封裝的顏色統(tǒng)一，提高產(chǎn)品的外觀質(zhì)量，使其看起來更加美觀。因此，本題的正確答案是C：顏色美觀統(tǒng)一。'材料傳遞熱量的本征能力可用以下哪個參數(shù)表示（）。

A:熱失配系數(shù)B:熱應(yīng)變系數(shù)C:熱導(dǎo)率D:熱膨脹系數(shù)答案:AI參考:正確答案是C：熱導(dǎo)率。\n材料傳遞熱量的本征能力，指的是材料的導(dǎo)熱能力，熱導(dǎo)率是表征材料導(dǎo)熱能力的參數(shù)，答案為C。其他選項A、B、D分別表示熱失配系數(shù)、熱應(yīng)變系數(shù)、熱膨脹系數(shù)，這些參數(shù)分別反映材料在傳熱過程中的熱量損失、熱應(yīng)變的性能和熱膨脹性能，與題干要求不符。'MCM-C型封裝的基材為絕緣陶瓷材料，其中的導(dǎo)體電路的制作方式為（）。

A:金屬濺射技術(shù)B:薄膜印制技術(shù)C:厚膜印制技術(shù)D:金屬淀積技術(shù)答案:AI參考:正確答案是B：薄膜印制技術(shù)。\nMCM-C型封裝的基材為絕緣陶瓷材料，其中的導(dǎo)體電路的制作方式為薄膜印制技術(shù)。薄膜印制電路是利用特種金屬箔材或金屬導(dǎo)電聚合物等作為導(dǎo)體，采用圖形轉(zhuǎn)移、腐蝕等工藝技術(shù)制作成電路的一種印制電路。MCM-C型封裝是指多芯片模塊C型基板，適合用于包含CPU用IC、LSI等的特殊用途。金屬濺射技術(shù)、金屬淀積技術(shù)是導(dǎo)體電路的制作方式，但不適用于MCM-C型封裝。厚膜印刷技術(shù)是指以絕緣漿料為介質(zhì)采用絲網(wǎng)印刷機將漿料印在陶瓷板上形成電路。因此，正確答案是薄膜印制技術(shù)。'根據(jù)引發(fā)薄弱產(chǎn)品失效的失效機理，應(yīng)力篩選可更進一步地分類為磨損篩選和（）。

A:過應(yīng)力篩選B:溫度篩選C:機械篩選D:濕度篩選答案:AI參考:答案：A。\n通過分析可知，應(yīng)力篩選是用于模擬產(chǎn)品的各種應(yīng)力的篩選，以研究在一段時間的作用下產(chǎn)品的失效模式，包括但不限于機械、化學、溫度、濕度等環(huán)境因素等。磨損篩選屬于應(yīng)力篩選的一種，因此更進一步可以進一步分類為過應(yīng)力篩選。故選A。'載帶球柵陣列也稱為陣列載帶自動鍵合，是一種相對新穎的BGA形式，以下不能用于載帶球柵陣列中管芯與銅線連接的是（）。

A:倒裝焊B:引線鍵合C:熱壓焊D:再流焊答案:AI參考:正確答案是B:引線鍵合。\n\n載帶球柵陣列是一種相對新穎的BGA形式，其中管芯與銅線連接的方式主要有倒裝焊、熱壓焊和再流焊。引線鍵合是一種傳統(tǒng)的連接方式，因此無法用于載帶球柵陣列中管芯與銅線連接。所以答案為B。'紅外顯微鏡可用于觀察某些不透明物體，其用于成像的紅外光波長范圍為（）。

A:800nm-20μmB:650nm-750nmC:360nm-390nmD:400nm-600nm答案:AI參考:答案：B。紅外顯微鏡可用于觀察某些不透明物體，其用于成像的紅外光波長范圍為650nm-750nm。紅外光是指波長超過紅色可見光的電磁波，在日常生活中，人們通常所說的紅外線就是指紅外光。根據(jù)物體對紅外光的吸收特性，可以將物體分為反射紅外光的物體和吸收紅外光的物體。對于不透明物體，其反射和吸收的紅外光波長范圍為650nm-750nm。因此，紅外顯微鏡可用于觀察某些不透明物體，其成像的紅外光波長范圍為650nm-750nm。'塑料密封材料的分析測試包括硬度測試和（）。

A:原子力顯微鏡分析B:紅外光譜分析C:X射線檢測D:SAM掃描答案:AI參考:正確答案是B：紅外光譜分析。塑料密封材料的分析測試包括硬度測試和紅外光譜分析。硬度測試可以使用邵氏硬度計，紅外光譜分析可以用于塑料的成分分析。A項原子力顯微鏡分析和D項SAM掃描是材料表面形貌分析方法，C項X射線檢測可以用于塑料的內(nèi)部缺陷檢測，但不是成分分析方法。因此，B項是正確答案。'任何電子產(chǎn)品都具有生命周期，影響生命周期的外界因素是環(huán)境載荷與（）。

A:抗?jié)褫d荷B:耐壓載荷C:耐溫載荷D:應(yīng)力載荷答案:AI參考:正確選項為：C:耐溫載荷。\n\n電子產(chǎn)品生命周期受到外界因素的影響，其中耐溫載荷是影響電子產(chǎn)品生命周期的重要因素之一。電子產(chǎn)品在不同的溫度下工作，其性能、壽命和穩(wěn)定性都會受到影響。因此，選擇C作為正確答案?？?jié)褫d荷、耐壓載荷和應(yīng)力載荷也是影響電子產(chǎn)品生命周期的因素，但它們不如耐溫載荷重要。'金屬與玻璃之間的黏著性較差，為了使兩者形成穩(wěn)定的粘接，必須控制玻璃在金屬表面的（）。

A:潤濕能力B:吸收能力C:摩擦能力D:流動能力答案:AI參考:正確選項是【A】潤濕能力。\n\n金屬與玻璃之間的黏著性較差，為了使兩者形成穩(wěn)定的粘接，必須控制玻璃在金屬表面的潤濕能力。潤濕是指固體表面與液體接觸時，液體分子進入到固體表面并填滿固體表面分子的空間，形成一層連續(xù)的液膜，這層液膜能夠提供足夠的黏附力，使粘接更加穩(wěn)定可靠。因此，控制玻璃在金屬表面的潤濕能力，能夠提高金屬與玻璃之間的黏著性，進而形成穩(wěn)定的粘接。其他選項中，吸收能力、摩擦能力和流動能力與金屬與玻璃之間的黏著性沒有直接關(guān)系。'以下測試儀器或設(shè)備，不能用于封裝的電學特性測試的為（）。

A:X-rayB:TEMC:AFMD:SAM答案:AI參考:正確答案是B:TEM。\nTEM是一種透射電子顯微鏡，主要用于觀察物質(zhì)的超微結(jié)構(gòu)，不能用于封裝的電學特性測試。其他選項X-ray、AFM和SAM都可以用于封裝的電學特性測試。'芯片的檢測可能會導(dǎo)致芯片的損壞，下列哪些檢測方法不會導(dǎo)致芯片損壞（）。

A:X射線檢測B:選擇性剝層C:高電壓擊穿D:熔化塑料答案:AI參考:正確答案是B:選擇性剝層。\n\n芯片的檢測可能會引起芯片的損壞，選項A和C都屬于高壓電擊或者瞬間電流擊穿，會導(dǎo)致芯片損壞；選項D中熔化塑料雖然不是直接的電擊方式，但會對芯片表面產(chǎn)生影響，導(dǎo)致芯片損壞。而選項B中的選擇性剝層不會對芯片造成損害，因此是正確的選項。'對材料進行熱機械分析，需要測量的兩個重要參數(shù)是熱膨脹系數(shù)和（）。

A:冷卻時間B:固化時間C:凝膠時間D:玻璃化轉(zhuǎn)變溫度答案:AI參考:對材料進行熱機械分析，需要測量的兩個重要參數(shù)是熱膨脹系數(shù)和玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。熱膨脹系數(shù)是材料在受熱時膨脹的程度，是衡量材料熱穩(wěn)定性的一種指標。而玻璃化轉(zhuǎn)變溫度是材料由高分子鏈段無規(guī)則排列向有序排列轉(zhuǎn)變的一個溫度點，是材料物理化學性質(zhì)發(fā)生顯著變化的一個重要參數(shù)。因此，正確答案是D：玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。'厚膜介質(zhì)材料分為高介電常數(shù)和低介電常數(shù)兩大類，為了減小寄生電容，避免信號傳輸速度降低，應(yīng)采用（）。

A:對材料類型無要求B:導(dǎo)體材料C:高介電常數(shù)材料D:低介電常數(shù)材料答案:AI參考:D.低介電常數(shù)材料\n\n為了減小寄生電容，避免信號傳輸速度降低，應(yīng)采用低介電常數(shù)材料。低介電常數(shù)材料可以減小介質(zhì)層厚度，從而減小寄生電容的大小。而高介電常數(shù)材料雖然可以提高介電性能，但也會相應(yīng)地增加寄生電容，不利于減小電容對信號傳輸速度的影響。因此，選項D是正確答案。'以下無法用于球柵陣列封裝焊后質(zhì)量檢測的是（）。

A:X射線檢測B:電測試C:光學顯微鏡檢測D:邊界掃描檢測答案:AI參考:無法用于球柵陣列封裝焊后質(zhì)量檢測的是邊界掃描檢測。邊界掃描檢測是一種用于測試集成電路的電氣參數(shù)和質(zhì)量標準的方法，但它不適用于球柵陣列封裝。球柵陣列封裝是一種常見的封裝技術(shù)，主要用于電子設(shè)備的連接，如芯片和電路板之間的連接。X射線檢測、電測試和光學顯微鏡檢測都是常見的球柵陣列封裝焊后質(zhì)量檢測方法。因此，正確答案是D：邊界掃描檢測。'塑料雙列直插式封裝因工藝簡單、適合批量生產(chǎn)而應(yīng)用廣泛，其引腳數(shù)一般不超過（）。

A:一百個B:一千個C:五百個D:八百個答案:AI參考:正確答案是C：五百個。\n塑料雙列直插式封裝因工藝簡單、適合批量生產(chǎn)而應(yīng)用廣泛，其引腳數(shù)一般不超過五百個。因此，選項C是正確答案。選項A、B、D都超過了五百個，不符合題意。'隨著電子產(chǎn)品功能增加，性能提高，未來集成電路芯片封裝尺寸將（）。

A:保持不變B:難以增大C:越來越小D:越來越大答案:AI參考:隨著電子產(chǎn)品功能增加，性能提高，未來集成電路芯片封裝尺寸將越來越小。隨著技術(shù)的不斷進步，集成電路芯片的封裝尺寸不斷減小，以實現(xiàn)更小的占用空間和更高的集成度，同時滿足更高的性能要求。因此，正確答案為C：越來越小。'芯片的金屬引線容易發(fā)生阻值增加、短路或開路、腐蝕等缺陷，以下不屬于金屬引線失效機理的是（）。

A:電化學反應(yīng)B:偏壓C:電遷移D:氧化答案:AI參考:正確答案是B:偏壓。\n金屬引線容易發(fā)生阻值增加、短路或開路、腐蝕等缺陷，屬于金屬引線失效機理的電化學反應(yīng)、電遷移和氧化。偏壓不屬于金屬引線失效機理。因此，本題答案為B選項。'塑料封裝按照工藝類別可分為（）。

A:軸向噴灑涂膠B:壓制成膜C:轉(zhuǎn)移鑄模D:反應(yīng)射出成型答案:AI參考:正確選項是【壓制成膜，反應(yīng)射出成型】。\n\n塑料封裝主要采用注塑、擠出、吹塑等工藝方法進行加工成型。其中，壓制成膜和反應(yīng)射出成型是塑料封裝的兩種常見工藝。軸向噴灑涂膠、轉(zhuǎn)移鑄模是其它工藝方法。因此，選項A、B、D是正確的。'按工藝方法及基板使用材料的不同，MCM封裝可區(qū)分為（）。

A:MCM-DB:MCM-LC:MCM-BD:MCM-C答案:AI參考:正確選項為：A:MCM-DB:MCM-L。\n\n根據(jù)題干中的描述，MCM封裝按工藝方法及基板使用材料的不同，可以分為MCM-D和MCM-L兩種類型。MCM-D是指使用導(dǎo)熱性好的基板材料，采用底部填充法進行封裝的MCM，而MCM-L則是指使用玻璃纖維增強材料，采用模壓成型工藝進行封裝的MCM。因此，選項A和B是正確的。選項C、D與題干描述不符，因此不正確。'納米技術(shù)與電子器件塑封技術(shù)相關(guān)的一項重要應(yīng)用是納米尺寸填充料的使用，已開發(fā)出的納米顆粒填充料的三種主要類型為（）。

A:沸石B:納米二氧化硅顆粒C:熔凝硅石D:膨潤土答案:AI參考:已開發(fā)出的納米顆粒填充料的三種主要類型為：納米二氧化硅顆粒、納米顆粒填充料和納米尺寸的金屬顆粒。因此，正確選項為B：納米二氧化硅顆粒。其他選項也可能會成為納米尺寸填充料，但是目前在塑封電子器件中的應(yīng)用還不是很廣泛或常見。因此選擇B：納米二氧化硅顆粒。'影響封裝缺陷和失效的主要因素有（）。

A:封裝設(shè)計B:環(huán)境條件C:工藝參數(shù)D:材料成分和屬性答案:AI參考:影響封裝缺陷和失效的主要因素有：A、B、C、D選項。封裝設(shè)計、環(huán)境條件、工藝參數(shù)、材料成分和屬性都會影響封裝缺陷和失效。封裝設(shè)計不合理可能導(dǎo)致電路性能下降，環(huán)境條件（如溫度、濕度、機械應(yīng)力等）變化會加速元件老化或改變電學性能，工藝參數(shù)如果不合適會導(dǎo)致封裝的焊接不良、密封不良等問題，材料成分和屬性不合適也可能導(dǎo)致封裝失敗。'在電子產(chǎn)品鑒定過程中，與濕度相關(guān)的加速試驗包括（）。

A:高加速應(yīng)力試驗B:溫濕度偏置試驗C:溫濕度電壓循環(huán)試驗D:高壓蒸煮試驗答案:AI參考:在電子產(chǎn)品鑒定過程中，與濕度相關(guān)的加速試驗包括（B溫濕度偏置試驗）。\n\n溫濕度偏置試驗是針對產(chǎn)品進行一系列的溫度和濕度變化，以此來模擬在實際使用過程中可能遇到的各種環(huán)境條件。它可以對產(chǎn)品的材料、結(jié)構(gòu)和電氣性能進行測試，以便在產(chǎn)品設(shè)計、制造和質(zhì)量控制過程中做出相應(yīng)的調(diào)整。\n\n因此，溫濕度偏置試驗主要涉及到溫度和濕度的變化，與濕度相關(guān)。其他選項中，高壓蒸煮試驗是一種高溫高濕度的環(huán)境條件，可以加速產(chǎn)品材料的老化過程，但它主要關(guān)注的是材料耐久性方面的測試；高加速應(yīng)力試驗是一種特殊的測試方法，主要關(guān)注的是產(chǎn)品在高應(yīng)力條件下的性能表現(xiàn)；溫濕度電壓循環(huán)試驗則是針對產(chǎn)品在溫度和電壓變化下的性能進行測試，但并未直接涉及到濕度條件。因此，這些選項都不是與濕度相關(guān)的加速試驗。\n\n所以正確選項為（B）溫濕度偏置試驗。'掃描聲光顯微鏡可用于進行無損探測，可探測的缺陷包括（）。

A:芯片與底座之間的界面分層B:芯片傾斜C:芯片粘結(jié)分層D:金線偏移答案:AI參考:正確選項為A、B、C。掃描聲光顯微鏡可用于進行無損探測，可探測的缺陷包括芯片與底座之間的界面分層、芯片傾斜、芯片粘結(jié)分層等。它通過聲光調(diào)制技術(shù)來實現(xiàn)對樣品表面的無損探測，可以觀察和分析微納尺度下的結(jié)構(gòu)信息。而對于選項D，金線偏移，掃描電子顯微鏡是更好的選擇。'塑料鑄膜材料必須添加多種有機與無機材料，其中添加無機填充劑的目的是（）。

A:提高熱震波阻抗性B:提高熱導(dǎo)率C:鑄膜材料的基底強化D:降低熱膨脹系數(shù)答案:AI參考:正確答案是：A:提高熱震波阻抗性；C:鑄膜材料的基底強化。\n塑料鑄膜材料必須添加多種有機與無機材料，其中添加無機填充劑的目的是提高熱震波阻抗性和鑄膜材料的基底強化。因此，答案為A和C。B選項提高熱導(dǎo)率、D選項降低熱膨脹系數(shù)通常由塑料材料本身的特性決定，與添加無機填充劑無關(guān)。因此，本題選擇A和C選項。'CDIP工藝流程中用到的三種材料為（）。

A:框架B:引線架C:底座D:蓋板答案:AI參考:正確選項為：A:框架、B:引線架、C:底座。\n\nCDIP工藝流程中需要用到框架、引線架和底座三種材料。框架是用來支撐整個電路板的結(jié)構(gòu)，引線架用于連接電路板上的電子元件，底座則是用來固定電路板并使其與外部設(shè)備連接的部件。因此，這三個選項都是CDIP工藝流程中必不可少的材料。而蓋板并不是CDIP工藝流程中常用的材料，因此選項D不正確。'常見的CSP分類方式是根據(jù)封裝外殼本身的結(jié)構(gòu)來分的，它分為（）。

A:柔性CSPB:引線架CSPC:硅片級封裝D:剛性CSP答案:AI參考:答案是D，剛性CSP。\n\n常見的CSP分類方式是根據(jù)封裝外殼本身的結(jié)構(gòu)來分的，它分為剛性CSP和柔性CSP。其中，剛性CSP是指封裝外殼是硬質(zhì)的塑料材料，具有較高的機械強度和穩(wěn)定性，適用于高頻率、高功率的電子器件。而柔性CSP則是指封裝外殼是柔性電路板，具有較高的柔性和可彎曲性，適用于小型化、輕量化的電子器件。其他選項如引線架CSP和硅片級封裝不是根據(jù)封裝外殼本身的結(jié)構(gòu)來分類的，因此不符合題意。'引起金線偏移的因素包括（）。

A:氣泡的移動B:過保壓/遲滯保壓C:樹脂流動產(chǎn)生的拖曳力D:引線架變形答案:AI參考:引起金線偏移的因素主要包括樹脂流動產(chǎn)生的拖曳力和引線架變形，選項C和D準確地描述了這個現(xiàn)象。具體來說，由于樹脂流動的特性，其會在材料上產(chǎn)生拖曳力，這會影響到金線的位置。另外，引線架的變形也會直接影響到金線的位置，導(dǎo)致金線偏移。因此，選項C和D是正確答案。選項A和B雖然可能間接影響金線的位置，但不是主要的直接原因。因此，正確選項為C和D。'BGA的基板具有的功能為（）。

A:進行導(dǎo)熱并與電路板的熱膨脹系數(shù)相匹配B:提供散熱途徑C:完成信號與功率分配D:提供支撐與保護答案:AI參考:正確選項為：BGA的基板應(yīng)具有的功能包括：提供散熱途徑和提供支撐與保護。\n\nBGA（球柵柱式封裝）是一種芯片封裝技術(shù)，其芯片和基板間具有較大的熱阻值，因此基板需要提供良好的散熱途徑，以降低芯片的溫度。同時，由于BGA芯片需要承受較大的功率，因此基板需要提供足夠的支撐和保護，以防止芯片在工作中受到損傷。因此，選項B和D都是BGA基板的正確功能。而選項A和C雖然也是BGA基板的功能，但它們