GB/T 43748-2024微束分析透射電子顯微術(shù)集成電路芯片中功能薄膜層厚度的測(cè)定方法

ICS7104050

CCSN.33.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T43748—2024

微束分析透射電子顯微術(shù)

集成電路芯片中功能薄膜層厚度的

測(cè)定方法

Microbeamanalysis—Transmissionelectronmicroscopy—

Methodformeasuringthethicknessoffunctionalthinfilmsin

integratedcircuitchips

2024-03-15發(fā)布2024-10-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T43748—2024

目次

前言

…………………………Ⅰ

引言

…………………………Ⅱ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3………………1

符號(hào)和縮略語(yǔ)

4……………2

方法原理

5…………………2

儀器設(shè)備

6…………………3

試樣

7………………………3

試驗(yàn)步驟

8…………………4

測(cè)量結(jié)果的不確定度評(píng)定

9………………6

試驗(yàn)報(bào)告

10…………………6

附錄資料性薄膜層厚度測(cè)量結(jié)果的不確定度評(píng)定示例

A()SiN……7

參考文獻(xiàn)

……………………10

GB/T43748—2024

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國(guó)微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC38)。

本文件起草單位廣東省科學(xué)院工業(yè)分析檢測(cè)中心南方科技大學(xué)勝科納米蘇州股份有限公司

:、、()。

本文件主要起草人伍超群于洪宇喬明勝陳文龍周鵬邱楊黃晉華汪青程鑫

:、、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T43748—2024

引言

功能薄膜材料及性能是先進(jìn)集成電路制程中非常重要的基礎(chǔ)性工藝技術(shù)

(IntegratedCircuit,IC)

保障在基芯片或?yàn)榛膶捊麕О雽?dǎo)體功率及射頻器件芯片微小型發(fā)光二極管

。Si、GaNSiC、(Micro-

等微納半導(dǎo)體元器件中各類功能薄膜材料更具有顯微結(jié)構(gòu)復(fù)雜化學(xué)組成多元的特點(diǎn)先進(jìn)集

Led),、。

成電路技術(shù)已經(jīng)進(jìn)入納米技術(shù)時(shí)代伴隨著智能社會(huì)的臨近以及技術(shù)的普及未來(lái)移動(dòng)通信物聯(lián)

。5G,、

網(wǎng)智能健康醫(yī)療工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和智能駕駛等新興集成電路產(chǎn)業(yè)遠(yuǎn)景正推動(dòng)著先進(jìn)集成電路芯片的智能

、、

化功能化微型化的技術(shù)進(jìn)程成為半導(dǎo)體工業(yè)目前和未來(lái)技術(shù)發(fā)展的重要趨勢(shì)和特征萬(wàn)物互聯(lián)和

、、,。

器件多功能性造就未來(lái)集成電路器件的更多新材料新結(jié)構(gòu)的獨(dú)特屬性因此集成電路芯片的納米結(jié)

。,

構(gòu)高純材料微量控制界面工程等精準(zhǔn)規(guī)范化分析測(cè)試技術(shù)成為未來(lái)半導(dǎo)體工業(yè)健康發(fā)展的重要技

、、、

術(shù)關(guān)鍵納米級(jí)多層功能薄膜材料及性能是超大規(guī)模集成電路制程中非常重要的基礎(chǔ)性工藝技術(shù)保

,

障準(zhǔn)確獲得納米級(jí)多層功能薄膜層的厚度顯得尤為重要透射電子顯微術(shù)獨(dú)特的高空間分辨率已經(jīng)

,。

使其成為最重要的實(shí)現(xiàn)在納米尺度下進(jìn)行微觀結(jié)構(gòu)和微觀化學(xué)組成分析檢測(cè)的技術(shù)在目前我國(guó)大力

。

發(fā)展各類半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的前提下科研院所高等院校大型企業(yè)和各地分析測(cè)試中心等實(shí)驗(yàn)室都已

,、、

裝備了大量透射電子顯微鏡掃描透射電子顯微鏡透射電子顯微技術(shù)已廣泛應(yīng)用于半

/(TEM/STEM),

導(dǎo)體器件研發(fā)生產(chǎn)中納米尺度材料的分析研究

/。

目前尚沒(méi)有適用于測(cè)量集成電路芯片多功能膜層厚度的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)集成電路芯片的發(fā)展受到了嚴(yán)

,,

重制約制定新的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范集成電路芯片功能薄膜層厚度的測(cè)定方法具有重要意義

,、。

Ⅱ

GB/T43748—2024

微束分析透射電子顯微術(shù)

集成電路芯片中功能薄膜層厚度的

測(cè)定方法

1范圍

本文件規(guī)定了用透射電子顯微鏡掃描透射電子顯微鏡測(cè)定集成電路芯片中功能

/(TEM/STEM)

薄膜層厚度的方法

。

本文件適用于測(cè)定幾個(gè)納米以上厚度的集成電路芯片中功能薄膜層

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

數(shù)值修約規(guī)則與極限數(shù)值的表示和判定

GB/T8170

微束分析分析電子顯微術(shù)透射電鏡選區(qū)電子衍射分析方法

GB/T18907—2013

微束分析薄晶體厚度的會(huì)聚束電子衍射測(cè)定方法

GB/T20724—2021

納米科技術(shù)語(yǔ)第部分納米結(jié)構(gòu)材料

GB/T30544.44:

微束分析分析電子顯微學(xué)術(shù)語(yǔ)

GB/T40300—2021

聚焦離子束系統(tǒng)分析方法通則

JY/T0583—2020

3術(shù)語(yǔ)和定義

和

GB/T18907—2013、GB/T20724—2021、GB/T30544.4、GB/T40300—2021JY/T0583—2020

界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

。

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