標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 18907-2013 微束分析 分析電子顯微術(shù) 透射電鏡選區(qū)電子衍射分析方法》相比于《GB/T 18907-2002 透射電子顯微鏡選區(qū)電子衍射分析方法》,主要在以下幾個(gè)方面進(jìn)行了更新和調(diào)整:
-
標(biāo)準(zhǔn)名稱調(diào)整:新標(biāo)準(zhǔn)將名稱擴(kuò)展為“微束分析 分析電子顯微術(shù)”,更加明確地界定了該標(biāo)準(zhǔn)適用的領(lǐng)域和技術(shù)范疇,突出了微束分析技術(shù)和分析電子顯微術(shù)的應(yīng)用。
-
技術(shù)內(nèi)容更新:2013版標(biāo)準(zhǔn)根據(jù)近年來(lái)電子顯微技術(shù)的發(fā)展,對(duì)選區(qū)電子衍射(SAED)的理論基礎(chǔ)、實(shí)驗(yàn)操作步驟、數(shù)據(jù)采集與處理方法等進(jìn)行了修訂,引入了更先進(jìn)的技術(shù)和分析方法,提高了分析的準(zhǔn)確性和實(shí)用性。
-
規(guī)范性增強(qiáng):新標(biāo)準(zhǔn)對(duì)實(shí)驗(yàn)條件設(shè)定、樣品制備、儀器校準(zhǔn)、衍射花樣解析等關(guān)鍵環(huán)節(jié)給出了更為詳細(xì)和具體的要求,增強(qiáng)了標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)范性和可操作性,有助于提高實(shí)驗(yàn)結(jié)果的一致性和可比性。
-
圖例與案例新增:2013版標(biāo)準(zhǔn)可能包含了更多的圖例說(shuō)明和實(shí)際應(yīng)用案例,以便用戶更好地理解和掌握電子衍射分析技巧,直觀展示不同材料或晶體結(jié)構(gòu)的電子衍射特征。
-
術(shù)語(yǔ)和定義完善:為了適應(yīng)技術(shù)進(jìn)步和國(guó)際接軌的需要,新標(biāo)準(zhǔn)對(duì)相關(guān)專業(yè)術(shù)語(yǔ)和定義進(jìn)行了修訂和完善,確保了術(shù)語(yǔ)的準(zhǔn)確性和通用性。
-
質(zhì)量控制與評(píng)估:增加了關(guān)于數(shù)據(jù)分析質(zhì)量控制和評(píng)估的內(nèi)容,指導(dǎo)用戶如何進(jìn)行誤差分析,確保實(shí)驗(yàn)結(jié)果的可靠性和準(zhǔn)確性。
-
參考文獻(xiàn)更新:考慮到科學(xué)研究的快速發(fā)展,新標(biāo)準(zhǔn)引用了更多最新的科研成果和文獻(xiàn)資料,為用戶提供更為前沿的信息資源。
如需獲取更多詳盡信息,請(qǐng)直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)文檔。
....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2013-07-19 頒布
- 2014-03-01 實(shí)施
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GB/T 18907-2013微束分析分析電子顯微術(shù)透射電鏡選區(qū)電子衍射分析方法-免費(fèi)下載試讀頁(yè)文檔簡(jiǎn)介
ICS7104050
G04..
中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T18907—2013/ISO254982010
代替:
GB/T18907—2002
微束分析分析電子顯微術(shù)
透射電鏡選區(qū)電子衍射分析方法
Microbeamanalysis—Analyticalelectronmicroscopy—Selected-areaelectron
diffractionanalysisusingatransmissionelectronmicroscope
(ISO25498:2010,IDT)
2013-07-19發(fā)布2014-03-01實(shí)施
中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布
中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
GB/T18907—2013/ISO254982010
:
目次
前言…………………………
Ⅲ
引言…………………………
Ⅳ
范圍………………………
11
規(guī)范性引用文件…………………………
21
術(shù)語(yǔ)符號(hào)和定義…………………………
3、1
原理………………………
42
儀器設(shè)備…………………
56
試樣………………………
66
標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)…………………
76
試驗(yàn)方法…………………
87
譜的測(cè)量和標(biāo)定…………………
9SAED9
不確定性…………………………
10180°11
不確定度評(píng)估…………………………
1111
附錄資料性附錄純金與純鋁的晶面間距表………
A()13
附錄資料性附錄結(jié)構(gòu)為和的單晶體斑點(diǎn)衍射譜……………
B()BCC、FCCHCP14
參考文獻(xiàn)……………………
24
Ⅰ
GB/T18907—2013/ISO254982010
:
前言
本標(biāo)準(zhǔn)按照和給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009GB/T20000.2—2009。
本標(biāo)準(zhǔn)代替透射電子顯微鏡選區(qū)電子衍射分析方法
GB/T18907—2002《》。
本標(biāo)準(zhǔn)與相比主要技術(shù)內(nèi)容變化如下
GB/T18907—2002:
修改了適用范圍的內(nèi)容見第章
———(1);
增加了引用標(biāo)準(zhǔn)見第章
———(2);
增加了術(shù)語(yǔ)定義和符號(hào)見第章
———、(3);
增加了插圖來(lái)說(shuō)明相關(guān)的原理和方法見
———(4.2);
增加了對(duì)單晶體的斑點(diǎn)衍射菊池圖和多晶體衍射譜的說(shuō)明見
———、(4.2、4.3、4.4);
增加了布拉格公式的更精確形式以及應(yīng)用菊池線對(duì)間距的相應(yīng)公式見
———(4.2、4.3);
增加了去除試樣表面污染的要求和方法見
———(6.4);
增加了對(duì)純?cè)貥?biāo)準(zhǔn)物質(zhì)如金或鋁的質(zhì)量分?jǐn)?shù)要求見第章
———()(7);
增加了按進(jìn)行實(shí)驗(yàn)室能力認(rèn)證的要求見
———GB/T27025(8.1.1);
增加了減緩試樣污染的操作要求見
———(8.1.2);
增加了關(guān)于獲得第二個(gè)及更多衍射譜的方法見
———(8.2.11);
增加了利用暗場(chǎng)像技術(shù)和微區(qū)化學(xué)分析方法確定物相的要求見
———(8.2.11);
修改了衍射常數(shù)的測(cè)定方法與步驟見
———(8.3);
修改了單晶體衍射譜指數(shù)標(biāo)定的方法步驟見第章
———、(9);
增加了對(duì)選區(qū)電子衍射譜不確定性的說(shuō)明與解決方法見第章
———180°(10);
增加了對(duì)選區(qū)電子衍射分析結(jié)果的不確定度評(píng)估見第章
———(11);
修改了附錄衍射斑點(diǎn)圖譜的表征方法和編排順序
———B。
本標(biāo)準(zhǔn)使用翻譯法等同采用微束分析分析電子顯微術(shù)透射電子顯微鏡選區(qū)
ISO25498:2010《
電子衍射分析方法
》。
與本標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)范性引用的國(guó)際文件有一致性對(duì)應(yīng)關(guān)系的我國(guó)文件如下
:
檢測(cè)和校準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室能力的通用要求
———GB/T27025—2008(ISO/IEC17025:2005,IDT)
本標(biāo)準(zhǔn)做了下列編輯性修改
:
中只有定義內(nèi)容而沒(méi)有術(shù)語(yǔ)本標(biāo)準(zhǔn)增加了術(shù)語(yǔ)及英文
———ISO25498:20103.1~3.4、3.6~3.8,
對(duì)照
。
增加了以適應(yīng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)要求將原文的分別改為
———4.1,4.1、4.2、4.34.2、4.3、4.4。
將的中圖圖調(diào)整到相對(duì)應(yīng)的位置
———ISO25498:20104.11~34.2。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口
(SAC/TC38)。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位北京科技大學(xué)北京航空材料研究院寶鋼集團(tuán)中央研究院
:、、。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人柳得櫓婁艷芝柏明卓
:、、。
本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為
:
———GB/T18907—2002。
Ⅲ
GB/T18907—2013/ISO254982010
:
引言
電子衍射技術(shù)廣泛應(yīng)用于透射電子顯微術(shù)中其應(yīng)用包括物相鑒定晶體點(diǎn)陣類型和點(diǎn)陣
(TEM),、
常數(shù)測(cè)定晶體取向和兩相間取向關(guān)系分析相轉(zhuǎn)變慣析面和晶體缺陷孿晶和界面以及晶體的擇優(yōu)取
、、、、
向關(guān)系織構(gòu)等研究盡管已經(jīng)發(fā)展了幾種與之互補(bǔ)的衍射技術(shù)例如微衍射會(huì)聚束衍射和反射式衍
()。、
射等選區(qū)電子衍射仍是最常用的技術(shù)用選區(qū)電子衍射方法可以直接分析試樣的微小區(qū)域
,(SAED)。
微細(xì)薄層晶粒析出相粒子等而且用于各種晶體材料薄試樣的常規(guī)分析在獲取高分辨像進(jìn)行微
(、、),。、
衍射或會(huì)聚束衍射分析時(shí)技術(shù)也是一項(xiàng)補(bǔ)充技術(shù)所獲得的數(shù)據(jù)廣泛應(yīng)用于研究材料的結(jié)構(gòu)
,SAED。/
性能關(guān)系以及檢測(cè)和質(zhì)量控制
,。
本標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)明了電子衍射譜的形成機(jī)制選區(qū)電子衍射的實(shí)際操作方式以及衍射譜的指數(shù)標(biāo)定和不
、
確定度分析
。
Ⅳ
GB/T18907—2013/ISO254982010
:
微束分析分析電子顯微術(shù)
透射電鏡選區(qū)電子衍射分析方法
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用透射電子顯微鏡對(duì)薄晶體試樣的微米和亞微米尺寸區(qū)域進(jìn)行選區(qū)電子衍
(TEM)
射分析的方法被測(cè)試樣可以從各種金屬或非金屬材料的薄切片獲得也可以采用細(xì)微的粉末或萃取
。,
復(fù)型試樣應(yīng)用本方法可分析的最小試樣選區(qū)直徑取決于顯微鏡物鏡的球差系數(shù)對(duì)于現(xiàn)代試
。,TEM,
樣的最小選區(qū)直徑一般可達(dá)到
0.5μm。
當(dāng)被分析試樣區(qū)的直徑小于時(shí)仍然可以參照本標(biāo)準(zhǔn)的分析方法但是由于球差的影響衍
0.5μm,,
射譜上的部分信息有可能來(lái)源于由選區(qū)光闌限定的區(qū)域之外在這種情況下如條件允許最好采用微
,,,
納衍射或者會(huì)聚束電子衍射方法
()。
選區(qū)電子衍射方法的成功應(yīng)用取決于對(duì)所獲得的衍射譜指數(shù)標(biāo)定正確與否而不論試樣的哪個(gè)晶
,
帶軸平行于入射電子束因而這樣的分析往往需要借助試樣的傾轉(zhuǎn)和旋轉(zhuǎn)裝置
,,。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于從晶體試樣上獲取譜標(biāo)定衍射譜的指數(shù)以及校準(zhǔn)電鏡的衍射常數(shù)
SAED、。
2規(guī)范性引用文件
溫馨提示
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