微電子技術(shù)專業(yè)英語(yǔ)

A

abruptly立刻

abundance分布量

accelerated加速

accommodat接納，供應(yīng)

adjacent接近的

affinity傾向

alloying合金

align排列

amorphoustype不定形

amplifier放大器

analog模擬的

anisotropic各向異性的

anncal退火

annihilate消滅

approximate近似；相符性

arbitary任意的

arsenic砷

atrest靜止

avalanche雪崩

B

barrier勢(shì)壘

base基極

bias偏壓

bipolarjunctiontransistor雙極性晶體管（BJT）

biasing偏置

boron硼

boundary邊界

bulk體積

buriedlayer埋層

C

capacitance電容

channel溝道

coefficient系數(shù)

collision碰撞

collector集電極

compensate補(bǔ)償

composite復(fù)合的

concentration濃度

conductor導(dǎo)體

conductionband導(dǎo)帶

conductivity磁場(chǎng)

configuration結(jié)構(gòu)

constant常數(shù)

constitute構(gòu)成

constituent要素

consumption功耗

constant恒定

core核心

corresponding對(duì)應(yīng)的

correspond相一致

covalentband價(jià)帶

critical臨界

crystal晶體

crystallattice晶格

crystalorientation晶向

cube立方

cubic立方的

current電流

cutoff節(jié)制

D

Danglingbond懸掛鍵

dashedline虛線

decay衰減

deficiency缺乏

degenerate簡(jiǎn)并

density濃度

deplete耗盡

depletionregion耗盡層

device器件

dielecticconstant介電常數(shù)

dielectic絕緣體，電介質(zhì)

diffusion擴(kuò)散

dimension量綱

diode二極管

discontinuity中斷

discrete離散的

displacement位移

distribution分布

donor施主

dopinglevel摻雜濃度

dopant摻雜劑

drain漏

drift漂移

duplicate復(fù)制

E

effectivepotentialenergy有效勢(shì)能

electrode電極

electrostatic靜電學(xué)的

election電子自旋

elementsemiconductor元素半導(dǎo)體

elevate提升

emitter發(fā)射極

epitaxy外延

equidistant等距的

equilibrium平衡

excess過盛

excitation激發(fā)

external外部的

extracted抽取

extrapotation外推

extrinic非本征

F

Fabrication制作

finite限定的

figureofmerit品質(zhì)因子

flatbandvoltage平帶電壓

flexibility適應(yīng)性

flux流動(dòng)

fraction比例

forbiddenregion禁帶

forwardbia正向偏壓

G

gallium鎵

gaseous氣態(tài)的

gate柵；門

germanium鍺

generate生成

graded緩變

gradient梯度

H

homejunction同質(zhì)節(jié)

I

illumination光照

impactionization碰撞電離

implantation注入

impurity雜質(zhì)

incidention射入離子

incorporate合并

infinite無(wú)限的

influx流入

inherently本身

insulator絕緣體

interaligitatedstructure叉指型結(jié)構(gòu)

interatomic原子間的

intercept截距

interest意義

interface界面，接口

integration積分

intrinsic本征

inverted反向

inversionlayer反型層

ionized電離

isolated孤立的

isotropic各向同性

J

Joule焦耳

K

Kinetic運(yùn)動(dòng)的

L

Lateral側(cè)面的

leakage漏

load負(fù)載

lowercase小寫的

M

Macroscopic宏觀的

mass質(zhì)量

magnitude數(shù)值上

MBE分子束外延

merit優(yōu)點(diǎn)

mfinity無(wú)窮大

microsopic微觀的

migration遷移

modulation調(diào)制

momentum要素

multiplication倍增

N

netdoping凈摻雜

neutral中性

normalized歸一化

nucleus核

O

Ohmis歐姆的

optical光學(xué)

orbit軌道，轉(zhuǎn)

orientation傾向性

oscillator振蕩器

oscilloscope示波器

overlap重疊

P

parallelresistant并聯(lián)電阻

parasitic寄生的

parameters參數(shù)

peak峰值

permittivity介電常數(shù)

perpendicular豎直的

penetrate進(jìn)入，滲透

photoconductivity光電導(dǎo)性

photon光子

polysilicon多晶硅

practical替代

predominate控制

probability幾率

proportional比例的

profile分布

pnjunctionPN結(jié)

pulse脈沖

Q

quantummechanics量子力學(xué)

qualitative定性

R

range射程

ratio比值

rearranging排列

reclaimable可回收

reciprocal互惠的

recombinationcenter復(fù)合中心

resistivity抵抗力

response響應(yīng)

reversebia正向偏壓

S

saturation飽和區(qū)

scatter散射

self-aligned自對(duì)準(zhǔn)的

semilog半對(duì)數(shù)

short-circuiting短路

simulation仿真

slope斜率

solid-state固體材料

solubility溶度

source源

space-charge空間電荷

spatial空間的

stationary固定的

stepjunction突變節(jié)

substrate襯底，基片

subthreshold亞閾值

supersede替代

supply電源

switch開關(guān)

T

terminalvoltage端電壓

tern項(xiàng)

tetrahedron四分體

thermal熱量的

traverse橫越

transit運(yùn)輸

transistonregion過渡區(qū)

transistor晶體管

transconduction跨導(dǎo)

transconductance互導(dǎo)

transiet瞬時(shí)的

trunnel遂穿

U