EMC測(cè)試總體概述及浪涌測(cè)試原理與浪涌防護(hù)元器件使用

EMC測(cè)試概述EMC測(cè)試包含EMI與EMS兩局部電磁兼容測(cè)試EMC干擾發(fā)射EMI敏感度EMSRECE

Harmonic

FlickerESDEFTCSRSSURGEDIP

PMS整理課件EMC測(cè)試概述RE&RS測(cè)試簡(jiǎn)介高度掃描天線(xiàn)桿天線(xiàn)金屬地板轉(zhuǎn)臺(tái)上的受試件整理課件EMC測(cè)試概述CE測(cè)試簡(jiǎn)介整理課件EMC測(cè)試概述Harmonic&Flicker簡(jiǎn)介整理課件EMC測(cè)試概述SURGE簡(jiǎn)介信號(hào)電纜用的耦合解耦網(wǎng)絡(luò)接電網(wǎng)接輔助設(shè)備EUT與發(fā)生器或耦合器之間的電纜小于2米保護(hù)地線(xiàn)要能夠承受浪涌電流整理課件EMC測(cè)試概述ESD簡(jiǎn)介整理課件EMC測(cè)試概述EFT簡(jiǎn)介容性卡鉗距參考地100mm,輪流卡每根電纜EUT與參考地平面之間的距離大于100mm參考地平面的每個(gè)邊要超出EUT100mm并與大地相連EUT與發(fā)生器或卡鉗之間的電源線(xiàn)或信號(hào)線(xiàn)長(zhǎng)度小于1米脈沖群信號(hào)源連輔助設(shè)備與端接整理課件浪涌測(cè)試原理測(cè)試波形介紹耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的選擇整理課件測(cè)試波形介紹

1.2/50uS(8/20uS)組合波介紹：1、開(kāi)路電壓波形參數(shù)〔1.2/50uS〕：整理課件測(cè)試波形介紹2、短路電流波形參數(shù)(8/20uS)：整理課件測(cè)試波形介紹10/700uS(5/320uS)波形介紹：1、開(kāi)路電壓波形為10/700uS；整理課件測(cè)試波形介紹2、短路電流波形參數(shù)(5/320uS)：整理課件測(cè)試波形介紹浪涌測(cè)試波形的應(yīng)用場(chǎng)景〔對(duì)于CE認(rèn)證〕1、根據(jù)我司現(xiàn)產(chǎn)品，電源端口采用1.2/50uS〔8/20uS〕組合波；2、網(wǎng)口采用10/700uS(5/320uS)組合波進(jìn)行試驗(yàn)；3、試驗(yàn)前需對(duì)電纜類(lèi)型、是否存在電源供電、是否屏蔽等進(jìn)行說(shuō)明；(以便選擇耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)CDN)；整理課件耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的選擇耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的選擇1、對(duì)于交直流電源線(xiàn)端口整理課件耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的選擇交/直流電源端口電容耦合試驗(yàn)配置〔差?！痴碚n件耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的選擇交/直流電源端口電容耦合試驗(yàn)配置〔共?！痴碚n件浪涌防護(hù)元器件使用浪涌防護(hù)原理浪涌保護(hù)器的型號(hào)、原理介紹浪涌保護(hù)電路及案例分析〔因現(xiàn)產(chǎn)品主要涉及到過(guò)壓保護(hù)，這只介紹壓性保護(hù)器件，過(guò)流型保護(hù)器件不介紹〕整理課件浪涌防護(hù)元器件使用浪涌防護(hù)原理1、泄放；〔典型應(yīng)用端口：電源口〕2、隔離；〔典型應(yīng)用端口：網(wǎng)口〕整理課件浪涌防護(hù)元器件使用浪涌保護(hù)器的型號(hào)、原理介紹1、氣體放電管(GDT)的參數(shù)與應(yīng)用utufdcufrΔuΔτ整理課件浪涌防護(hù)元器件使用1.1主要技術(shù)參數(shù)a、直流放電電壓在上升陡度低于100V/s的電壓作用下，放電管開(kāi)始放電的平均電壓值稱(chēng)為其直流放電電壓。由于放電的分散性，所以，直流放電電壓是一個(gè)數(shù)值范圍。選擇時(shí)應(yīng)大于電路工作電壓120%；整理課件浪涌防護(hù)元器件使用b、沖擊放電電壓在具有規(guī)定上升陡度的暫態(tài)電壓脈沖作用下，放電管開(kāi)始放電的電壓值稱(chēng)為其沖擊放電電壓。放電管的響應(yīng)時(shí)間或動(dòng)作時(shí)延與電壓脈沖的上升陡度有關(guān)，對(duì)于不同的上升陡度，放電管的沖擊放電電壓是不同的。整理課件浪涌防護(hù)元器件使用C、沖擊耐受電流將放電管通過(guò)規(guī)定波形和規(guī)定次數(shù)的脈沖電流，使其直流放電電壓和絕緣電阻不會(huì)發(fā)生明顯變化的最大值電流峰值稱(chēng)為管子的沖擊耐受電流。d、其他參數(shù)整理課件浪涌防護(hù)元器件使用1.2氣體放電管的優(yōu)缺點(diǎn)及其應(yīng)用a、優(yōu)點(diǎn)：

極間絕緣電阻大極間電容小泄放暫態(tài)過(guò)電流能力強(qiáng)

整理課件浪涌防護(hù)元器件使用b、缺點(diǎn)：時(shí)延—導(dǎo)致殘壓大續(xù)流—導(dǎo)致無(wú)法直接應(yīng)用于大局部電壓端口C、應(yīng)用：用于浪涌防護(hù)最前級(jí)；單獨(dú)用于共模防護(hù)；與其他防護(hù)器件串聯(lián)應(yīng)用；整理課件浪涌防護(hù)元器件使用2、壓敏電阻(MOV)的參數(shù)與應(yīng)用2.1壓敏電阻的主要參數(shù)a、標(biāo)稱(chēng)壓敏電壓(V)：通過(guò)規(guī)定持續(xù)時(shí)間的脈沖電流〔一般為1mA持續(xù)時(shí)間一般小于400mS〕時(shí)壓敏電阻器兩端的電壓值整理課件浪涌防護(hù)元器件使用b、殘壓在壓敏電阻能承受的最大脈沖峰值電流Ip及規(guī)定波形下壓敏電阻兩端電壓峰值。c、殘壓比 殘壓比那么是殘壓與標(biāo)稱(chēng)電壓之比。〔一般約為1.8~2.2〕

整理課件浪涌防護(hù)元器件使用d、通流容量通流容量也稱(chēng)通流量，是指在規(guī)定的條件〔規(guī)定的時(shí)間間隔和次數(shù)，施加標(biāo)準(zhǔn)的沖擊電流〕下，允許通過(guò)壓敏電阻器上的最大脈沖〔峰值〕電流值。其他

整理課件浪涌防護(hù)元器件使用1.2壓敏電阻的優(yōu)缺點(diǎn)及其應(yīng)用a、優(yōu)點(diǎn)：

通流容量大動(dòng)作響應(yīng)快無(wú)續(xù)流b、缺點(diǎn)極間電容大TVS大家都有用過(guò)，TSS較GDT克服了動(dòng)作時(shí)間慢的缺點(diǎn)，此文中不再介紹。

整理課件浪涌防護(hù)元器件使用浪涌防護(hù)器件小結(jié)1、GDT、TSS同為開(kāi)關(guān)型器件，均存在續(xù)流問(wèn)題；2、MOV、TVS同為鉗位型器件，客服了續(xù)流問(wèn)題，但通流量較開(kāi)關(guān)型器件要小；3、GDT動(dòng)作時(shí)間為uS級(jí)，MOV動(dòng)作時(shí)間為nS級(jí)均較慢；TSS、TVS客服了動(dòng)作時(shí)間，為nS級(jí)器件；4、MOV〔使用次數(shù)限制〕的失效模式以短路為主，所以在應(yīng)用回流中需參加短路保護(hù)型器件；5、以上浪涌保護(hù)器件均為過(guò)壓型保護(hù)器件，過(guò)流型現(xiàn)AC產(chǎn)品未涉及，不介紹。整理課件浪涌防護(hù)設(shè)計(jì)介紹浪涌防護(hù)設(shè)計(jì)介紹〔個(gè)人看法〕1、“標(biāo)準(zhǔn)〞資料，GBT17626.5，ITUK系列建議，主要對(duì)波形參數(shù)、內(nèi)阻、耦合方式進(jìn)行了解；2、“測(cè)試〞技術(shù)了解，主要對(duì)差、共模，正、負(fù)極性等情況下的“回流路徑〞進(jìn)行了解；