2023光伏組件隱性缺陷檢測(cè)技術(shù)規(guī)范

現(xiàn)場(chǎng)光伏組件隱性缺陷檢測(cè)技術(shù)規(guī)范II目 次前言 II圍 1范引文件 1語(yǔ)定義 1測(cè)法 2測(cè)型設(shè)備 2測(cè)樣 3測(cè)容 3測(cè)程 3陷別 3測(cè)告 3附錄A（料附） 檢測(cè)告板 5PAGEPAGE1電站現(xiàn)場(chǎng)晶體硅太陽(yáng)能電池組件隱性缺陷檢測(cè)技術(shù)規(guī)范范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電站現(xiàn)場(chǎng)晶體硅太陽(yáng)能電池組件隱性缺陷的檢測(cè)方法、檢測(cè)類型與設(shè)備、檢測(cè)抽樣、檢測(cè)內(nèi)容、檢測(cè)流程、缺陷識(shí)別和檢測(cè)報(bào)告等內(nèi)容。本標(biāo)準(zhǔn)適用于海拔1500米以上光伏電站現(xiàn)場(chǎng)晶體硅太陽(yáng)能電池組件隱形缺陷的檢測(cè)。GB/T2828.1 (AQLIECTS60904-13 光伏器件第13部分:光伏組件電致發(fā)光（Photovoltaicdevices-Part13:Electroluminescenceofphotovoltaicmodules）下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。3.1電致發(fā)光又可稱場(chǎng)致發(fā)光，簡(jiǎn)稱EL（ElectroLuminescent），是通過加在兩電極的電壓產(chǎn)生電場(chǎng)，被電場(chǎng)激發(fā)的電子碰擊發(fā)光中心，而引致電子在能級(jí)間的躍遷、變化、復(fù)合導(dǎo)致發(fā)光的一種物理現(xiàn)象。3.2太陽(yáng)能電池組件電致發(fā)光檢測(cè)儀利用太陽(yáng)能電池的電致發(fā)光原理來檢測(cè)組件是否存在缺陷的設(shè)備，簡(jiǎn)稱EL檢測(cè)設(shè)備或EL檢測(cè)儀。3.3太陽(yáng)能電池組件隱性缺陷3.4指的是太陽(yáng)能電池組件在進(jìn)行缺陷檢測(cè)時(shí)，除電致發(fā)光之外影響成像結(jié)果的外界光。3.5電勢(shì)誘導(dǎo)衰減FFscPIPotntilInducedDegradation）。對(duì)光伏電站晶體硅太陽(yáng)能電池組件隱性缺陷的現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)，主要有以下三種方法：）；EL（）EL根據(jù)其不同的環(huán)境和操作方式，有以下5種類型：500um；800nm～1200nm依據(jù)GB/T2828.1的規(guī)定和相關(guān)要求確定。EL檢測(cè)設(shè)備能夠檢測(cè)的內(nèi)容有：PID應(yīng)包括以下檢測(cè)流程：）；（）（））；缺陷識(shí)別參照IEC60904-13執(zhí)行。檢測(cè)報(bào)告（參見附錄A）應(yīng)包括但不限于以下信息：標(biāo)題；附 錄 A（資料性附錄）檢測(cè)