JET-300-debug-常見(jiàn)-調(diào)試-繁體中文版-圖文版

PagePAGE16ofNUMPAGES12 PAGE16JET-300系列ICT是由臺(tái)灣捷智科技股份有限公司，眾多軟硬體開(kāi)發(fā)工程師，集多年工作經(jīng)念，緊跟時(shí)代在JET-100、JET200之後推出又一款高速度、高性能的電路板線上測(cè)試機(jī)，並響譽(yù)同行。本手冊(cè)為了配合JET-300說(shuō)明書(shū)使用戶能及時(shí)掌握，更快、更好得使用ICT，處理治具的相關(guān)問(wèn)題得心應(yīng)手。測(cè)試原理硬體架構(gòu)與功能系統(tǒng)自我診斷與DEBUG功能關(guān)於DEBUG常見(jiàn)ICT誤判情況ICT操作的一些修正方式，及日常維護(hù)附：功能表命令樹(shù)狀結(jié)構(gòu)圖及快捷鍵在認(rèn)識(shí)ICT之前首先瞭解ICT基本概念：ICT：線上測(cè)試機(jī)（InCircuitTester）,電氣測(cè)試使用的最基本儀器.如同一塊功能強(qiáng)大的萬(wàn)用表,但它能對(duì)線上電路板上的元件測(cè)試進(jìn)行有效得隔離（Guarding）而萬(wàn)用表不能。ICTTest主要是靠測(cè)試探針接觸PCBlayout出來(lái)的測(cè)試點(diǎn)來(lái)檢測(cè)PCBA的線路開(kāi)路`短路.所有零件的焊情況,可分為開(kāi)路測(cè)試,短路測(cè)試`電阻測(cè)試`電容測(cè)試`二極體測(cè)試`三極管測(cè)試`場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試`IC管腳測(cè)試 (testjet`connectcheck)等其他通用和特殊元器件的漏裝、錯(cuò)裝、參數(shù)值偏差、焊點(diǎn)連焊、線路板開(kāi)短路等故障，並將故障是哪個(gè)元件或開(kāi)短路位於哪個(gè)點(diǎn)準(zhǔn)確告訴用戶。(對(duì)元件的焊接測(cè)試有較高的識(shí)別能力)ICT測(cè)試與AOI測(cè)試區(qū)別:AOI技術(shù)則不需要針床，在電腦程式驅(qū)動(dòng)下，攝像頭分區(qū)域自動(dòng)掃描PCB，採(cǎi)集圖像，測(cè)試的焊點(diǎn)與資料庫(kù)中的合格的參數(shù)進(jìn)行比較，經(jīng)過(guò)圖像處理，檢查出PCB上缺陷。極短的測(cè)試程式開(kāi)發(fā)時(shí)間和靈活性是AOI最大的優(yōu)點(diǎn)。AOI除了能檢查出目檢無(wú)法查出的缺陷外，AOI還能把生產(chǎn)過(guò)程中各工序的工作品質(zhì)以及出現(xiàn)缺陷的類型等情況收集，回饋回來(lái)，供工藝控制人員分析和管理。但AOI系統(tǒng)也存在不足，如不能檢測(cè)電路錯(cuò)誤，同時(shí)對(duì)不可見(jiàn)焊點(diǎn)的檢測(cè)也無(wú)能為力。並且經(jīng)過(guò)我們的調(diào)研，我們發(fā)現(xiàn)AOI測(cè)試技術(shù)在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中會(huì)存在一些問(wèn)題：1）AOI對(duì)測(cè)試條件要求較高，例如當(dāng)PCB有翹曲，可能會(huì)由於聚焦發(fā)生變化導(dǎo)致測(cè)試故障。而如果將測(cè)試條件放寬，又達(dá)不到測(cè)試目的。2)AOI靠識(shí)別元件外形或文字等來(lái)判斷元件是否貼錯(cuò)等，若元件類型經(jīng)常發(fā)生變化（如由不同公司提供的元件），這樣需要經(jīng)常更改元件庫(kù)參數(shù)，否則將會(huì)導(dǎo)致誤判。VSICT則AOI無(wú)法進(jìn)行電性方面的檢測(cè),但I(xiàn)CT只要電路板每個(gè)電氣節(jié)點(diǎn)都有置針,皆可測(cè)試其電氣性能。ICT測(cè)試與AXI測(cè)試區(qū)別：AXI技術(shù)是目前一種相對(duì)比較成熟的測(cè)試技術(shù)，其對(duì)工藝缺陷的覆蓋率很高，通常達(dá)97%以上。而工藝缺陷一般要占總?cè)毕莸?0%-90%，並可對(duì)不可見(jiàn)焊點(diǎn)進(jìn)行檢查，VSICTAXI技術(shù)也不能測(cè)試電路電氣性能方面的缺陷和故障。ICT測(cè)試與FUNCTION測(cè)試區(qū)別:ICT測(cè)試又為靜態(tài)測(cè)試(不通電),FUNCTION測(cè)試又為動(dòng)態(tài)測(cè)試(通電),如:測(cè)板Short，F(xiàn)UNCTION測(cè)試很容易將元件燒壞。ICT能夠有效地查找在PCBA組裝過(guò)程中發(fā)生的各種缺陷和故障，但是它不能夠評(píng)估整個(gè)線路板所組成的系統(tǒng)在時(shí)鐘速度時(shí)的性能。而功能測(cè)試就可以測(cè)試整個(gè)系統(tǒng)是否能夠?qū)崿F(xiàn)設(shè)計(jì)目標(biāo)，它將線路板上的被測(cè)單元作為一個(gè)功能體，對(duì)其提供輸入信號(hào)，按照功能體的設(shè)計(jì)要求檢測(cè)輸出信號(hào)。這種測(cè)試是為了確保線路板能否按照設(shè)計(jì)要求正常工作。所以功能測(cè)試最簡(jiǎn)單的方法，是將組裝好的某電子設(shè)備上的專用線路板連接到該設(shè)備的適當(dāng)電路上，然後加電壓，如果設(shè)備正常工作,就表明線路板合格。這種方法簡(jiǎn)單`投資少VSICTFT不能自動(dòng)診斷故障。測(cè)試原理●Open/Short測(cè)試：將一片Sample板置於Fixture上，進(jìn)行Pin對(duì)Pin學(xué)習(xí)（學(xué)習(xí)標(biāo)準(zhǔn)20Ω），Test時(shí)進(jìn)行比較R〈10Ω判為Short，R〉80Ω判為Open。即Short:10ΩLrean:20ΩOpen:80Ω此標(biāo)準(zhǔn)為系統(tǒng)默認(rèn)設(shè)置（可更改）。對(duì)電子測(cè)量有幫助的電路分為兩類：1`產(chǎn)生測(cè)量參數(shù)（電壓`電流）；2`用來(lái)制約電路中已有的電壓和電流。●GUARDING A R1 Rx R2 G B 萬(wàn)用表量測(cè)電阻Rx時(shí)，∵Lx=Is-I1≠I(mǎi)s∴Vx/Is≠Rx。若在將A點(diǎn)電位Va，送到G點(diǎn)，令Vg=VaIr1=(Va-Vg)/R1∴Ir1=0Is=Ix ∴Rx=Vx/Is電阻測(cè)量是由電壓,電流測(cè)量推算而來(lái)的.歐姆表本身要給被測(cè)器件提供激源(電壓`電流).這樣被測(cè)電阻不需是電路的一部分就可以進(jìn)行測(cè)量,這也意味著假如電阻是電路的一部分就必須撤去其他電壓源(或電流源),功率電源或電池必須關(guān)斷(或從電路斷開(kāi).否則,電流或電壓將使讀數(shù)不正確)電阻R（MODED1、D2）直流定電流源：根據(jù)歐母定理V=IR，得Rx=Vx/Is。所以當(dāng)量出AB端電壓Vx則可算出Rx.(定電流範(fàn)圍：0.1UA-50MA)Vx=? Is Rx A B電阻R/C（MODEV5、CV）直流定電壓源：根據(jù)歐母定理V=IR，得Rx=Vs/Is=0.05V或0.1V/IRx所以當(dāng)量出Ix，則可算出Rx值。 Vs=0.1v，0.05v I=? A C B 電阻R/L（MODEP1、P2、P3、P4、P5）相位法測(cè)試：交流電壓一定Vs，籍相位法輔助Rx=1/|Y`|Cosθ Vs Rx Ix=? A L B 電阻R（MODEXR）25V電壓源，量測(cè)驗(yàn)1M以上大電阻。2．*電容C（MODEA1A2A3A4A5）交流定電壓：交流電壓一定Vs，Vs/Lx=Zc=1/2πfCx得：Cx=Ix/2πfVs Cx Vs Ix *電容C/R（MODEP1P2P3P4P5） 相位法測(cè)試：|Y`|Sinθ=|Ycx|,即ωCx’Sinθ=ωCx得：Cx=Cx’Sinθ(Cx’=Ix’/2πfVs) Cx Vs=0.1v，0.05v Ix A B R*電容C3UF以上大電容（MODEDC）直流定電流：C=ΔT/ΔV*I*電感L(MODEA1A2A3A4A5) Vs/Ix=Zl=2πfLx得：Lx=Vs/2πfIx Vs A L Ix B L/R(MODEP1P2P3P4P5)相位法測(cè)試：|Y`|Sinθ=|Ycx|,即Sinθ/ωCx’=1/ωCx 得：Lx=Lx’/Sinθ(Lx’=Vs/2πfIx’) Vs Lx Ix R*二極體、穩(wěn)壓管、電晶體Bc,Be、IC ABAB二極體二極體是一種二端器件，當(dāng)其為反向偏壓(陽(yáng)極電壓相對(duì)陰極為負(fù))時(shí)裏現(xiàn)高電阻；當(dāng)其為正向偏壓時(shí),呈現(xiàn)為低電壓降的低電阻，二極體的的正向電壓降與二極體的類型有關(guān)，通常小於１Ｖ。矽：0.6v-0.7v,鍺管：0.25-0.4v肖特基阻擋型：0.4-0.5v發(fā)光二極體：1.5-2.5v二極體量測(cè)時(shí)兩端的電壓表測(cè)量，Ｖs應(yīng)大於二極體的正向電壓降。但又不能太大以免有過(guò)量電壓或電流損壞二極體。順向偏壓測(cè)試：一般電壓源為2.2V，然後量測(cè)試其兩端電壓。順向：0.7v左右,反向：2.2v。二極體的的正向電壓降與二極體的類型有關(guān)，通常小於１Ｖ。矽：0.6v-0.7v,鍺管：0.25-0.4v肖特基阻擋型：0.4-0.5v發(fā)光二極體：1.5-2.5v圖A圖B圖C穩(wěn)壓管如果加於二極體的反向電壓不斷增加，將達(dá)到二極體的擊穿點(diǎn)。並有一個(gè)反向大電流．二極體擊穿點(diǎn)的電壓稱為齊納電壓．該電壓在這種狀態(tài)下是一個(gè)常數(shù)，齊納二極體特地設(shè)計(jì)在這種狀態(tài)下工作．如圖，所示齊納二極體的典型伏—安特性．如果齊納二極體加以正向偏壓，則它便相當(dāng)於一個(gè)普通的整流二極體．加以反向偏壓時(shí)．最大電流受到二極體額定功率的限制．為了使穩(wěn)壓器正常的工作，二極體必須加以反向偏壓，在稱為電流彎曲點(diǎn)的最小直流電流處工作．齊納二極體的齊納電壓值可以做到3V至250V，額定功率為1/4到50瓦。電晶體電晶體可易於通過(guò)檢驗(yàn)基極與發(fā)射極、基極與集電極和集電極與發(fā)射極各結(jié)的壓降來(lái)測(cè)試．基極與發(fā)射板結(jié)和基極與集電極結(jié)由二極體組成．電壓表讀數(shù)由基極與發(fā)射極和基極與集電極結(jié)之間的二極體作用(某一極性時(shí)為高阻值反向極性時(shí)為低阻值)組成．當(dāng)電壓表跨接在集電極與發(fā)射極結(jié)上時(shí)，電錶兩個(gè)方向都讀出高阻位可控矽可控矽整流器(也稱PNPN三端晶體閘流管)是一種作為控制開(kāi)關(guān)的半導(dǎo)體器件，以最少量的控制功率來(lái)控制大量的功率．可控矽整流器是一種三端器件，由陽(yáng)極、陰極和控制極組成。如圖，如果可控矽整流器加以正向偏壓(陽(yáng)極電壓相對(duì)陰極為正)，則器件將保持?jǐn)嚅_(kāi)(作為開(kāi)路開(kāi)關(guān))，直到施加一個(gè)最小的控制極電流(IsI)為止．當(dāng)加入控制極電流時(shí)，可控矽整流器將導(dǎo)通，並維持導(dǎo)通直到陽(yáng)極與陰極間電壓為反向的（可控矽整流器變?yōu)榉聪蚱珘旱模┗螂娏鳒p小到規(guī)定的最小值為止，此最小電流值稱為保持電流（Ih）。當(dāng)可控矽整流器導(dǎo)電時(shí)，控制極失去對(duì)可控矽整流器的控制。確定可控矽整流器工作中的一個(gè)重要參數(shù)之一是使可控矽整流器導(dǎo)通所需的控制極電流，控制極電流控制可控矽整流器導(dǎo)通時(shí)的正向偏壓．場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件，它利用電場(chǎng)控制電流，而不要直接加偏流．有兩種基木類型的場(chǎng)效應(yīng)管：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和金屬氧化物半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管(MosFET)．場(chǎng)效放管的特性與普通電晶體不同，它的輸入電阻很大，通常在幾百兆歐範(fàn)圍內(nèi)．與普通的電晶體相比，場(chǎng)效應(yīng)管的主要優(yōu)點(diǎn)是有可能進(jìn)行不耗功率的控制．場(chǎng)效應(yīng)管按導(dǎo)電溝道內(nèi)半導(dǎo)體材料/導(dǎo)電方式的不同JFET/MOSFET耗盡型測(cè)試原理:通過(guò)改變柵源極負(fù)電壓Vgs大小來(lái)改變PN結(jié)耗盡層的寬度,如增大負(fù)偏壓Vgs.耗盡層將變寬,使導(dǎo)電溝道變窄,溝道電阻增大.從而使漏極電流Id減小,如果繼續(xù)增大負(fù)偏壓兩個(gè)PN結(jié)會(huì)延伸靠近,阻斷導(dǎo)電溝道,使Id減小到零,管子截止.這種情況稱為”夾斷”.圖B/圖CNAMELCSTDACT+%-%MDABG圖AQ10.7V3030DT32Q10.2V3V3070N231圖B/CQ13V3V3030PF231Q10.2V0.1V3090N231ICT測(cè)試技術(shù)之IC測(cè)試到目前為止，ICT在測(cè)試IC部份可分為三種方式：ICclampingdiodetest、ICscan、ICTestjet,此三種測(cè)試方法以ICclampingdiodetest最為常用,絕大多數(shù)皆有此功能。ICScan功能是JET公司針對(duì)IC測(cè)試中死角而自行成功開(kāi)發(fā)出的一種測(cè)試方案，ICTestjet是美國(guó)安捷倫公司針對(duì)SMDIC接腳開(kāi)路難以完整偵測(cè)的問(wèn)題，成功的研發(fā)出AgilentTestJetTechnology的技術(shù)以因應(yīng)用於IC空焊測(cè)試。ICclampingdiodetestICClampingDiode的測(cè)試方法是以IC的每一支腳對(duì)該ICVCCPIN，或以IC的每一支腳對(duì)IC的GNDPIN兩端點(diǎn)、或以IC相鄰的兩支為兩端點(diǎn)，做低壓功能測(cè)試。 其測(cè)試程式的產(chǎn)生是用自動(dòng)學(xué)習(xí)的方法。在製作程式時(shí)，使用軟體IC腳位編輯(IC’sPinEdit)功能，把IC的每一支腳位相應(yīng)的探針號(hào)碼鍵入，並指定那一PIN是VCCPIN和GNDPIN即可其測(cè)試原理：根據(jù)IC製造廠家封裝內(nèi)每支腳對(duì)GND/VCC的保護(hù)二極體來(lái)測(cè)試,可輔助測(cè)試出IC空焊,反向。ICScanICSCAN技術(shù)偵測(cè)SMDIC腳斷路(PINOPEN)的方法，因?yàn)槊恳恢_(PIN)的測(cè)試都是利用IC的三支腳(Pin)來(lái)測(cè)試，因此即使是在匯流排(Bus)上的腳(Pin)也能偵測(cè)。其學(xué)習(xí)原理：如圖step1:A點(diǎn)=--0.9vB點(diǎn)=0v得I1=I3+I4step2:A點(diǎn)=--0.9vB點(diǎn)=--1.2v得I2step3:I=I1-I2I>0得GoodI≤0得BadICTestjet利用放置在治具上模的感測(cè)板(SensorPlate)壓貼在待測(cè)的IC上，（感測(cè)板的形狀和面積與待測(cè)IC外殼相同），利用量測(cè)感測(cè)板的銅箔與IC腳框（frame）之間的電容量偵測(cè)接腳的開(kāi)路。系統(tǒng)由測(cè)試點(diǎn)送一個(gè)200mV,10KHz的信號(hào)到IC的接腳上，信號(hào)經(jīng)過(guò)ICframe與感測(cè)板之間的電容耦合(Coupling)到感測(cè)板上再經(jīng)過(guò)架在感測(cè)板上的放大器接到64Channel的Signalconditioningcard做選擇和放大信號(hào)的工作，最後接到系統(tǒng)的TestJetBoard去量測(cè)信號(hào)的強(qiáng)度。如果IC的接腳有開(kāi)路情況系統(tǒng)會(huì)因偵測(cè)不到信號(hào)而得知其為開(kāi)路。JET-300NTICT系統(tǒng)上配備了此技術(shù)，大幅提升了數(shù)位電路板的可偵測(cè)率。電腦主機(jī)板、介面卡或傳真機(jī)、數(shù)據(jù)機(jī)的機(jī)板皆可得到滿意的測(cè)試效果。AgilentTestJetTechnology也可用來(lái)偵測(cè)各種插座的接腳斷路，不論是Insertiontype或是SMDtype皆可偵測(cè)。如圖↓從目前應(yīng)用情況來(lái)看採(cǎi)用兩種或以上技術(shù)相結(jié)合的測(cè)試策略正成為發(fā)展趨勢(shì)。因?yàn)槊恳环N技術(shù)都補(bǔ)償另一技術(shù)的缺點(diǎn)：從ICclampingdiodetest技術(shù)和ICSCAN技術(shù)結(jié)合起來(lái)測(cè)試的情況來(lái)看，它們皆不用增加另外的測(cè)試配件。ICSCAN為JET免費(fèi)追加的功能，不受IC封裝/高度影響且能測(cè)試出IC並聯(lián)之情況特別用於IT產(chǎn)品。如：主機(jī)板BGA、音效卡、顯示卡…另一方面ICScan與Testjet技術(shù)主要針對(duì)於SMDIC測(cè)試其空焊、虛焊…，ICTestjet確認(rèn)元件是否存在，但不能確認(rèn)元件是否正確，方向和數(shù)值是否正確。採(cǎi)用兩種以上的測(cè)試方式可以保持目前的高測(cè)試覆蓋範(fàn)圍，而減少I(mǎi)CT測(cè)試不良率。二．硬體架構(gòu)與功能JET-300系列量測(cè)板採(cǎi)用四層板結(jié)構(gòu)，分別DCBoard:直流信號(hào)源，量測(cè)電阻、二極體、三極體…….ACBoard:交流信號(hào)源，量測(cè)電容、電感SYSBoard:輸入輸出信號(hào)的控制、轉(zhuǎn)換ICScanFunctionBoard:系統(tǒng)自檢，ICScan功能，TESTJET功能測(cè)試RelayBoard:四層板，採(cǎi)用ReedRelay,內(nèi)阻小，雜散電容小，耐高壓大電流等。以上測(cè)試板架構(gòu)可配合查閱說(shuō)明書(shū)（英文版）Page26,Fig.1、Fig.2、Fig.3、Fig.4系統(tǒng)自我診斷與Debug功能系統(tǒng)自檢JET300A.DAT為系統(tǒng)自檢程式，程式中包括一些類比電阻、電容與電感…….*若自檢發(fā)現(xiàn)電阻測(cè)試不通過(guò)，或者1V、4V、8V、24V電壓不過(guò)為DCBoard損壞，若單一電阻有問(wèn)題，則為DCBoard上某個(gè)一檔位不良。*若電容或電感自檢不良，為ACBoard損壞；若某一電容、電感不良，則ACBoard相應(yīng)檔位壞。*SYSBoard損壞，則所有元件測(cè)試均不良。DEBUG功能(開(kāi)關(guān)板自檢)自檢RelayBoard時(shí)，螢光屏上會(huì)顯示“MPXＯＫ”，否則會(huì)顯示相應(yīng)開(kāi)關(guān)板的Ｒelay壞掉。如：Ｏpen或ShortShortonA74(B2,P10）故障原因開(kāi)關(guān)類別補(bǔ)充說(shuō)明第N個(gè)Relay補(bǔ)充說(shuō)明第N片 第N個(gè) 以上如果發(fā)現(xiàn)1項(xiàng)或2項(xiàng)異常，請(qǐng)作好必要的相關(guān)記錄。並儘快通知JET。附4：陶瓷電容誤差：F：±10%R：-20%+100%G：±2%S：0%+20%H：±2.5%T：-10%+50%J：±5%Z：-20%+80%K：±10%M：±20%關(guān)於DEBUG 程式的DEBUG:Debug的原因：新編寫(xiě)好的程式在實(shí)際SCAN時(shí)，因信號(hào)的選擇、元件線路或回路的響、測(cè)試針號(hào)的有誤，個(gè)別Step會(huì)不良（量測(cè)值超出±%）。R的調(diào)試:根據(jù)R的大小，系統(tǒng)自動(dòng)調(diào)整測(cè)試電流的大小。（0.1UA-50MA）F9：?jiǎn)尾秸{(diào)試ALT+F9：整頁(yè)調(diào)試F5：對(duì)調(diào)AB點(diǎn)F10：自動(dòng)GuardingALT+H：查看串聯(lián)元件ALT+J：查看並聯(lián)元件選擇相應(yīng)MODE及AB點(diǎn)R/C：CVV5及Dly(TM)R/D：D2V5R/R：STD值為並聯(lián)阻值R/L：P1、P2、P3、P4、P5；根據(jù)Zx=2πfL,當(dāng)L一定時(shí)，若f越高，則Zx越大，對(duì)R的影響越小。C的調(diào)試：3uf至300uf，系統(tǒng)信號(hào)源既有交流也有直流，300uf以上為DCMode470pf以下小電容A4A5及OFFSET，470pf至3ufA3A2A1F9：?jiǎn)尾秸{(diào)試ALT+F9：整頁(yè)調(diào)試F5：對(duì)調(diào)AB點(diǎn)F10：自動(dòng)GuardingALT+H：查看串聯(lián)元件ALT+J：查看並聯(lián)元件選擇相應(yīng)MODE及AB點(diǎn)C/C：STD值為並聯(lián)容值C/R：A1、A2、A3、A4、A5；根據(jù)Zc=1/2πfC,當(dāng)C一定時(shí)，f越高，Zc越小，則R的影響越小。C/L：P1、P2、P3、P4、P5；根據(jù)Zx=2πfL,當(dāng)L一定時(shí)，若f越高，則Zx越大，對(duì)C的影響越小。C/D：DCAB的位置A1、A2、A3、A4、A5可作良好測(cè)試。D、Q、IC的調(diào)試：F9：?jiǎn)尾秸{(diào)試ALT+F9：整頁(yè)調(diào)試F5：對(duì)調(diào)AB點(diǎn)正向：0.7V左右（順向偏壓）反向：2V以上（反向截止）D/C：LV加電壓及加DlyD/D:CM除正嚮導(dǎo)通測(cè)試，還須作電流測(cè)試。Zener的調(diào)試：ACT值要大於Zener崩潰電壓+30%-+50%。若測(cè)試不出崩潰電壓可加檔、加Dly，10V-48V的Zener可用HV。Q的ce極：需判斷Q的類型（NPN、PNP），A點(diǎn)相同（NPN）B點(diǎn)相同（PNP）為了使ce極飽合導(dǎo)通，NPN的偏置電壓0.7v—1vPNP的偏置電壓4.5v-2v，反向截止在0.5v以上（否則調(diào)整ACT值）?！顳ebug程式的先後順序：治具固定：關(guān)閉光電保護(hù)開(kāi)關(guān)，將治具固定在壓床上。注-①氣缸行程，使探針被下壓制2/3。②上下雙面測(cè)試架構(gòu)固定上模時(shí)，切換主畫(huà)面于零件編輯畫(huà)面。之後再打開(kāi)光電保護(hù)開(kāi)關(guān)。排線連接：將RelayBoard與治具連接起來(lái)。注-排線與治具牛角一一對(duì)應(yīng)。讀程式：將磁片中的測(cè)試程式C:\COPYA:\*.*C:\data目錄下，並進(jìn)入測(cè)試系統(tǒng)調(diào)出相應(yīng)程式。注-程式包括ΧΧ.dat、ΧΧ.pin、ΧΧ.nal。(主畫(huà)面—L)Open/Short學(xué)習(xí)：拿一片良品板，置於治具上Learning。注-OPSDelay為120以上。(主畫(huà)面—L)排序：進(jìn)入EDIT（COMPONENTS）下，按實(shí)際值排序。跳線-電阻-電容-電感-二極體-三極-IC；此排序方式在測(cè)試時(shí)既穩(wěn)定、又快。(ALT+S)6.掃描：程式掃描（SCAN）在Components下?lián)鬍ndCtrl+F9回車(chē)。7.元件Debug8.學(xué)習(xí)IC:ICClampingDiode（ALT+I）、IC_SCAN(ALT+W)、ICTESTJET(ALT+X)存檔：存儲(chǔ)程式。F3特殊測(cè)試方法:穩(wěn)壓管7805:小電阻四線量測(cè):1.當(dāng)測(cè)量很小的電阻時(shí),探針與排線…的電阻可能引入明顯的誤差,電流Is流過(guò)這些雜散電阻並產(chǎn)生跨於電阻的電壓,由於電壓表在測(cè)量中將含有R1,R2的電壓,所以雜散電阻加到未知電阻Rx上會(huì)產(chǎn)生誤差.2.4線歐姆技術(shù)運(yùn)用兩條附加的測(cè)試針,來(lái)免除這種誤差:電流Is流過(guò)一組分開(kāi)的探針至未知電阻,這些探針/排線也有雜散電阻,流過(guò)未知電阻Rx的電流為恒流源並保持恒定;另外兩支測(cè)試針是電壓表的測(cè)試探針,監(jiān)視未知電阻上的電壓,所以其兩端沒(méi)有電壓降.(沒(méi)有電流過(guò)這兩根測(cè)試針)因而電壓表可精確地測(cè)試出Rx的值.放電步驟:ACT為ode電容極性:常見(jiàn)ICT誤判情況ICT盲點(diǎn)：①特殊IC（個(gè)別IC對(duì)GND、VCC無(wú)保護(hù)二極體）②單點(diǎn)測(cè)試（如排插、插座、個(gè)別單個(gè)測(cè)試點(diǎn)的元件）③並聯(lián)10個(gè)以上的電容並聯(lián)（示電容的精密度作調(diào)整）見(jiàn)附頁(yè)4④並聯(lián)15倍以上小電阻的大電阻⑤D/L或D/10Ω以下，D不可測(cè)⑥跳線並聯(lián)⑦壓敏電阻/濾波器⑧IC內(nèi)部功能測(cè)試壓床行程不足。探針壓入量程為2/3PCB板定位柱鬆動(dòng)，造成探針偏離焊盤(pán)PCB上測(cè)試點(diǎn)/裸銅板/有機(jī)可焊保護(hù)劑/助焊劑/label/過(guò)穿孔綠油未打開(kāi)/吃錫不良PCB制程不良：如未洗板導(dǎo)致PCB上松香過(guò)多探針接觸不良探針不良（如針頭鈍化、老化、阻抗過(guò)高……）元件廠商變更（如小電容、IC之TESTJET）可加大±%，更改TESTJET值未Debug良好ICT自身故障ICT操作的一些修正方式及維護(hù)●修正程式問(wèn)題：上線治具與待測(cè)板的版本是否有改動(dòng)，若更改應(yīng)對(duì)照差異運(yùn)算式樣板是否正確：開(kāi)關(guān)、VR是否調(diào)到正常位置查板上針點(diǎn)號(hào)否正確觀察清除GUARDING之後變化改變模式改變+、—檔位或AB點(diǎn)位置GUARDING放電延長(zhǎng)時(shí)間改變MODE11修正標(biāo)準(zhǔn)值或改變誤差值硬體問(wèn)題：findpin測(cè)試點(diǎn)是否準(zhǔn)確（採(cǎi)用藍(lán)膠布、透明膠）查看開(kāi)關(guān)板是否良好●日常維護(hù)一般GUARD點(diǎn)不超過(guò)3個(gè)，最好1、2個(gè)即可無(wú)用之GUARD點(diǎn)需去除可GUARDING的元件為電阻、電容，一般大電容GUARDING無(wú)效電阻GUARDING一般對(duì)地70%有效電容GUARDING一般對(duì)VCC70%有效GUARDING一般找串聯(lián)小電阻（大於20Ω）、串聯(lián)大電容若GUARDING元件時(shí)，串聯(lián)跳線或電感可視為同點(diǎn)大電容並聯(lián)測(cè)試偏大解決方式：ACTUALΧ70%>STANDARDΧ下限值附：功能表命令樹(shù)狀結(jié)構(gòu)圖A級(jí)B級(jí)C級(jí)D級(jí)F級(jí)⑵Openuutfileselectsystemfile⑶Writeuutfilefilename:⑷Deluutfileselectfile⑸Newuutfileinputfilename⑹multipleBoardinputX-Yboard2min_pinfilename⑺Selectuutfileselectfilespathc:\data▲⑻selectFixturesetdoubleFIXS-狀態(tài)⑴SYSTEM▲見(jiàn)說(shuō)明書(shū)附1 ⑵TEST▲ D-偵測(cè)⑴pincheck⑵singboardcheck▲⑶