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文檔簡介

晶體的缺陷晶體固有缺陷是晶體性質(zhì)與性能的重要組成部分，本課將介紹不同缺陷類型的定義，分類和對于材料性質(zhì)的影響。什么是晶體缺陷定義晶體缺陷是指晶體中原子排列出現(xiàn)的不規(guī)則性和異常，是晶體固有的物態(tài)特性。分類晶體缺陷可分為點缺陷、線缺陷、面缺陷三類。點缺陷空位缺陷晶體內(nèi)部存在空位或缺陷位置，導致原子數(shù)目不足。雜質(zhì)原子晶體中原子被雜質(zhì)原子替換，導致晶體的化學成分和物理性質(zhì)發(fā)生變化。間隙位缺陷原子不占據(jù)正常的格位而是擠入了另一位位置或晶格空洞中，導致元素的數(shù)量增加。線缺陷1赯瑙脆性晶體中存在位錯，導致晶體脆性增加，易受外界力的影響而發(fā)生斷裂。2掉頭殼（張裂）晶體中存在位錯及不一致縮漲性引起的內(nèi)應力，經(jīng)過一段時間的累積，會導致晶體斷裂。面缺陷晶界相鄰晶體中原子排列方向和位置存在不一致的情況，在晶界上就會形成缺陷。堆垛層錯導致晶格平面中的原子位置發(fā)生偏差，長程排列結(jié)構中的某些層不存在、缺少或者超過了規(guī)定的數(shù)目。雙層錯晶體中形成兩個交錯排布的部分，之間由鏡面對稱構成。堆垛異質(zhì)錯晶格出現(xiàn)錯層和堆積不同的局部區(qū)域，稱為堆垛異質(zhì)錯。缺陷與材料性能1力學性能晶體在受到外力時會發(fā)生內(nèi)部應力分布和結(jié)構畸變，影響材料的加工和強度。2電學性能點缺陷可導致導電性質(zhì)的變化，如摻雜后的半導體。3光學性能晶體中的缺陷和雜質(zhì)對光的吸收、散射、透過產(chǎn)生不同的影響，如熒光、折射等現(xiàn)象。缺陷的控制合金化在晶體中引入小量原子，改變晶體原子構型，使其在晶體中形成相互作用。互相牽制使點缺陷降低。熱處理通過加熱或降溫來控制晶體缺陷，如固溶、時效、回火等。輻射損傷利用放射源對晶體進行輻射損傷處理，使原子形成空缺、氣泡等缺陷。輻射損傷可以用來加工改性材料。結(jié)論1晶體缺陷是晶體固有的物態(tài)特性

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