dfs-service-2012+摩擦學基礎+實驗報告

實驗日期：姓名：王秀禹學號：1002123229成績：氣相沉積實驗報告一、實驗目的：1、掌握真空的獲得與測量技術2、懂得預處理對真空鍍膜技術的重要性及常見的預處理設備及流程。2、了解中頻磁控濺射鍍膜的工作原理、設備、特點、工藝過程、適用范圍。3、掌握磁控濺射鍍膜原理、設備、特點、工藝過程及使用特點。4、了解反應磁控濺射的特點、靶打火和陽極消失的原因及抑制措施。5、運用磁控濺射鍍膜技術在玻璃載玻片上鍍上銅膜。實驗設備：預處理生產線。中頻磁控濺射鍍膜機。三、實驗要求：了解預處理對真空鍍膜技術的重要性及常見的預處理設備及流程。了解多弧離子鍍的工作原理、設備、特點、工藝過程、適用范圍。了解多弧離子鍍薄膜的特點、液滴的抑制措施。了解磁控濺射鍍膜原理、設備、特點、工藝過程及使用特點。了解反應磁控濺射的特點、靶打火和陽極消失的原因及抑制措施。四、實驗步驟：A) 打開總電源；B) 開冷水機、氣泵、開維持泵、維持閥；C) 樣品預處理（詳見3.2）；1、熱清洗劑溶液中超聲清洗（除油污） 50℃ 3min2、熱清洗劑溶液中超聲清洗（除污垢） 50℃ 2min3、自來水充分漂洗兩次常溫 30sec4、去離子水漂洗兩次常溫 20sec5、第一次酒精脫水2min6、第二次酒精脫水2min7、吹干或烘干 （80-120℃）D） 裝爐，關爐門；E) 開機械泵、上閥對真空室抽氣；F) 當機械泵把真空室中的大氣抽到1000Pa時，開分子泵；G) 當真空室的氣壓被抽到2Pa時，關上閥，開高閥，用分子泵抽高真空。H) 當真空室的氣壓被抽到1×10-2Pa時，即可在基體上沉積TiN薄膜；I) 沉積過程（詳見3.3）；步驟工藝參數(shù)抽真空鍍膜本底真空度達到1.0×10-2Pa轟擊Ar壓強，Pa2偏壓，V1000時間，min10過渡層沉積Ar壓強，Pa3.0×10-1靶電流，A15偏壓，V500占空比0.7時間，min1TiN膜沉積Ar壓強，Pa50氮氣流量，sccm20靶電流，A0.8偏壓，V200占空比0.7時間，min5J) 沉積完畢后關掉磁控濺射靶冷卻；L) 待溫度至80℃左右，開爐取樣。五、實驗結果：1、試驗成果本實驗成功在兩塊玻璃基底上，用磁控濺射方法得到銅薄膜。2、基片加熱過程中真空度的變化基片加熱過程中隨著溫度上升，氣壓迅速升高，隨后氣壓降低至不變，至溫度穩(wěn)定后，氣壓持續(xù)降低。鍍膜速率與濺射氣壓的關系用30秒內膜厚度的增長量來度量濺射速率，在濺射電流I=0.1A，靶磁場電流I=1.5A的條件下，在一定范圍內，濺射氣壓越大，濺射速率越小。4、鍍膜速率與濺射功率的關系用60秒內膜厚度的增長量來度量濺射速率，濺射氣壓P=1.3Pa，靶磁場電流I=1.5A，在一定范圍內，濺射電流（濺射功率）越大，濺射速率越大，且成線性關系。5、請簡要寫出自己的實驗步驟：六、實驗結果分析：七、結論評分標準：《實驗報告》評分標準如下：（占總成績的10％）實驗的目的；(1.0分)實驗的設備；(1.0分)實驗的步驟；(2.0分)實驗的結果；(2.5分)實驗結果