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單縫衍射試驗(yàn)一、試驗(yàn)?zāi)康?.觀測(cè)單縫衍射現(xiàn)象,理解其特點(diǎn)。2.測(cè)量單縫衍射時(shí)的相對(duì)光強(qiáng)分布。3.運(yùn)用光強(qiáng)分布圖形計(jì)算單縫寬度。二、試驗(yàn)儀器He-Ne激光器、衍射狹縫、光具座、白屏、光電探頭、光功率計(jì)。三、試驗(yàn)原理波長(zhǎng)為λ的單色平行光垂直照射到單縫上,在接受屏上,將得到單縫衍射圖樣,即一組平行于狹縫的明暗相間條紋。單縫衍射圖樣的暗紋中心滿足條件:x=±(1)式中,x為暗紋中心在接受屏上的x軸坐標(biāo),f為單縫到接受屏的距離;a為單縫的寬度,k為暗紋級(jí)數(shù)。在±1級(jí)暗紋間為中央明條紋。中間明條紋最亮,其寬度約為其他明紋寬度的兩倍。試驗(yàn)裝置示意圖如圖1所示。圖1試驗(yàn)裝置示意圖光電探頭(即硅光電池探測(cè)器)是光電轉(zhuǎn)換元件。當(dāng)光照射到光電探頭表面時(shí)在光電探頭的上下兩表面產(chǎn)生電勢(shì)差ΔU,ΔU的大小與入射光強(qiáng)成線性關(guān)系。光電探頭與光電流放大器連接形成回路,回路中電流的大小與ΔU成正比。因此,通過(guò)電流的大小就可以反應(yīng)出入射到光電探頭的光強(qiáng)大小。四、試驗(yàn)內(nèi)容1.觀測(cè)單縫衍射的衍射圖形;2.測(cè)定單縫衍射的光強(qiáng)分布;3.運(yùn)用光強(qiáng)分布圖形計(jì)算單縫寬度。五、數(shù)據(jù)處理

(1)原始測(cè)量數(shù)據(jù)將光電探頭接受口移動(dòng)到超過(guò)衍射圖樣一側(cè)的第3級(jí)暗紋處,記錄此處的位置讀數(shù)X(此處的位置讀數(shù)定義為)及光功率計(jì)的讀數(shù)P。轉(zhuǎn)動(dòng)鼓輪,每轉(zhuǎn)半圈(即光電探頭每移動(dòng)),記錄光功率測(cè)試儀讀數(shù),直到光電探頭移動(dòng)到超過(guò)另一側(cè)第3級(jí)衍射暗紋處為止。試驗(yàn)數(shù)據(jù)記錄如下:

將表格數(shù)據(jù)由matlab擬合曲線如下:

(2)根據(jù)記錄的數(shù)據(jù),計(jì)算單縫的寬度。衍射狹縫在光具座上的位置L1=.光電探測(cè)頭測(cè)量底架座L2=.千分尺測(cè)得狹縫寬度d’=.光電探頭接受口到測(cè)量座底座的距離△f=.則單縫到光電探頭接受口距離為f=L2-L1+△f=由擬合曲線可讀得下表各級(jí)暗紋距離:各級(jí)暗紋±1級(jí)暗紋±2級(jí)暗紋±3級(jí)暗紋距離/mm單縫寬度/mm單縫寬度計(jì)算過(guò)程:由于λ=.由d=2kfλ/△Xi,得d1=(2*1*768**10^-6)/mm=.d2=(2*2*768**10^-6)/mm=.d3=(2*3*768**10^-6)/mm=.d=(d1+d2+d3)/3=++/3mm=相對(duì)誤差Er=(|d-d’|/d’)*100%=%.六、誤差分析%的誤差比較小,微小誤差產(chǎn)生的原因有:1、L1、L2、d’均存在讀取的偶爾誤差。2、在轉(zhuǎn)動(dòng)鼓輪移動(dòng)光電探頭時(shí),每次移動(dòng)距離與間存在一定偶爾誤差。3、根據(jù)擬合曲線讀取的暗紋距離存在讀取誤差。4、光電探頭與光功率計(jì)自身存在系統(tǒng)誤差,使得讀取功率示數(shù)存在一定誤差。5、真實(shí)環(huán)境下操作時(shí)也許有自然光的干擾,導(dǎo)致光功率計(jì)的數(shù)據(jù)有一定偏差。七、試驗(yàn)總結(jié)

1、試驗(yàn)成果顯示的相對(duì)光強(qiáng)分布表明,波長(zhǎng)為λ的單色平行光垂直照射到單縫上,在接受屏上,得到的單縫衍射圖樣是一組平行于狹縫的明暗相間條紋。單縫衍射圖樣的暗紋中心滿足條件:x=±式中,x為暗紋中心在接受屏上的x軸坐標(biāo),f為單縫到接受屏的距離;a為單縫的寬度,k為暗紋級(jí)數(shù)。在±1級(jí)暗紋間為中央明條紋。中間明條紋最亮,其寬度約為其他明紋寬度的兩倍。2、由波形圖可以很直觀地看出,中央主級(jí)大光強(qiáng)最大值遠(yuǎn)遠(yuǎn)不小于其他主級(jí)大的光強(qiáng)最大

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