工學(xué)模電考試總結(jié)版高等教育工學(xué)

.振蕩頻率較低,1M以下;(2)LC振蕩器-----振蕩頻率較低,1M以下;(2)LC振蕩器-----振蕩頻率較-通常把雜質(zhì)半導(dǎo)體自身的電阻稱為體電阻。*轉(zhuǎn)型---通過改變射放大電路的等效電路法1．靜態(tài)分析.2．動(dòng)態(tài)分析*電壓放大倍穩(wěn)定工放大電路的等效電路1．靜態(tài)分析作點(diǎn)共射法2．動(dòng)態(tài)分析**PN結(jié)的接觸電位差---硅材料約為0.6~0.8V，鍺材料約為.β=β·β.一.β=β·β.一.集成運(yùn)放電路的基本組成1.輸入級(jí)----采電路，對(duì)數(shù)指數(shù)運(yùn)算電路，這些都是要掌握的，不用死記，最好理解回路、引輸入、看相位2.三點(diǎn)式LC振蕩器*相位條件的判斷--的范圍----本級(jí)或級(jí)間。2.反饋的性質(zhì)----交流、直流或*PN結(jié)的單向?qū)щ娦?--正偏導(dǎo)通，反偏截止。*二極管伏安特性----同結(jié)。的交點(diǎn)叫靜態(tài)工作點(diǎn)Q。.位的高低:若V>V(正偏位的高低:若V>V(正偏)，二極管導(dǎo)通(短路);陽陰1）圖解甲乙類互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路1.問題的提出在兩管交替時(shí)出現(xiàn)波形運(yùn)算2.微分運(yùn)算.一.正弦波振蕩電路的基本概念1.產(chǎn)生正弦波七題看看，還有十，十二題高通電路：因?yàn)橛信月泛婉詈想娙萦邢孪夼c基區(qū)接觸面積較大。二.三極管的工作原理1.與基區(qū)接觸面積較大。二.三極管的工作原理1.三極管的三種基本變壓器耦合---各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)彼此獨(dú)立，可以實(shí)現(xiàn)阻抗變換。體--VCICRC+UCE確定的直線。*電路參數(shù)對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的’－U），放大器將有最大的不失真輸出電壓。六.放大電路的等效*穩(wěn)壓二極管的特性---正常工作時(shí)處在PN結(jié)的反向擊穿區(qū)，所以穩(wěn)單相整流電容濾波電路的比較七.并聯(lián)型穩(wěn)壓電路1.穩(wěn)壓電路與其失真輸出電壓的峰峰值。（2）范圍*當(dāng)（UCEQ－UCES單相整流電容濾波電路的比較七.并聯(lián)型穩(wěn)壓電路1.穩(wěn)壓電路與其失真輸出電壓的峰峰值。（2）范圍*當(dāng)（UCEQ－UCES）＞前十道，P296的判斷方法P292的例題P278279283三極管與其基本放大電路一.三極管的結(jié)構(gòu)、類型與特點(diǎn)1.類型-1.類型---分為NPN和PNP兩種。.還在是電流反饋不在是電壓反饋反饋量以電壓的方式疊加是串聯(lián)反饋擾和噪聲5.改變放大電路的輸入、輸出電阻*串聯(lián)負(fù)反饋使輸入電穩(wěn)定工放大電路的等效電路1．靜態(tài)分析作點(diǎn)共射法還在是電流反饋不在是電壓反饋反饋量以電壓的方式疊加是串聯(lián)反饋擾和噪聲5.改變放大電路的輸入、輸出電阻*串聯(lián)負(fù)反饋使輸入電穩(wěn)定工放大電路的等效電路1．靜態(tài)分析作點(diǎn)共射法2．動(dòng)態(tài)分析*--多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關(guān)。*體電阻--CESCBOCEOCU表示h---輸出端交流短路時(shí)的正向電流傳輸反饋使輸出電阻減小1+AF倍*電流負(fù)反饋使輸出電阻增加1+A記住電路圖，了解高通，帶通，帶阻老師畫的作業(yè)題都盡量再做一遍2．輸出電壓的脈動(dòng)系數(shù)S3．正向平均電流反饋使輸出電阻減小1+AF倍*電流負(fù)反饋使輸出電阻增加1+A記住電路圖，了解高通，帶通，帶阻老師畫的作業(yè)題都盡量再做一遍2．輸出電壓的脈動(dòng)系數(shù)S3．正向平均電流I4．最大反向電壓U——輸出電壓的兩種飽和狀態(tài):當(dāng)u>u時(shí)，u=+U+-oom兩CCCCCE*直流負(fù)載線---由V=IR+U確定的直線。cBQb.2.2.、2.、2.1、2.11.12.11.12.1、2.2.、2.、2.1、2.11.12.11.12.1、2.三極管與其基本放大電路一.三極管的結(jié)構(gòu)、類型與特點(diǎn)1.類型--流電流流通的回路*畫法--容視為短路,理想直流電壓源視為短1V。3.分析方法------將二極管斷開，分析二極管兩端電*交流負(fù)載線---連接Q點(diǎn)和V’點(diǎn)V’=U+IR’的CCCCCEQCQL*產(chǎn)生原因---Q點(diǎn)設(shè)置過低*消除方法---減小Rb，提高Q。*產(chǎn)生原因---Q點(diǎn)設(shè)置過高.大倍數(shù)－－－Ａ＊閉環(huán)放大倍數(shù)－－－Ａ＊反饋深度－－－１＋ＡＦ結(jié)反偏。4.溫度影響溫度升高，輸入特性曲線向左移動(dòng)。溫度升高特征*開環(huán)電壓放大倍數(shù)Aod→∞；.*差模輸入電阻大倍數(shù)－－－Ａ＊閉環(huán)放大倍數(shù)－－－Ａ＊反饋深度－－－１＋ＡＦ結(jié)反偏。4.溫度影響溫度升高，輸入特性曲線向左移動(dòng)。溫度升高特征*開環(huán)電壓放大倍數(shù)Aod→∞；.*差模輸入電阻Rid→∞~360o，效率較高，失真較大。二.乙類功放電路的指標(biāo)估算1CEQCESCCCEQCEQCESCCCEQOPPOMAXCEQCESCCCEQCEQCES*當(dāng)（U－U)V’U=2U=2IR’。OPPOMAXCQL－U）時(shí)，受截止失真限制，（2）Q點(diǎn)在放大區(qū)的條件..7V，鍺管0.2~0.3V。*死區(qū)電壓.7V，鍺管0.2~0.3V。*死區(qū)電壓----0.5V，鍺-止電壓二.絕緣柵型場效應(yīng)管（MOSFET）分為增強(qiáng)型（EM.特性--敏、熱敏和摻雜特性。3.本征半導(dǎo)體--凈的具有單晶ie--出端交流短路時(shí)的輸入電偏。增加。化）阻，.常用rbeB欲使Q點(diǎn)不進(jìn)入飽和區(qū)，應(yīng)滿足R＞βRc。.(fL≤f≤(fL≤f≤fH).4．完整的基本共射放大電路的頻率特性三.平衡條件：相位平衡條件：2.起振條件:幅值條件：相位條件:3在后一個(gè)管子的b-c極間。2.類型取決于第一只管子的類型。3緣柵型場效應(yīng)管（MOSFE..*動(dòng)態(tài)分析或*動(dòng)態(tài)分析一.級(jí)間.析大倍數(shù)析大倍數(shù)*電壓放削底，PNP管削頂。*削底，PNP管削頂。*消除方法--大Rb、減小Rc、增大VC電流。具有穩(wěn)定輸出電流的作用。（輸出短路時(shí)反饋不消失）.4.的幾道例題第七章1.比例運(yùn)算電路，加減運(yùn)算電路，積分微分運(yùn)算）串聯(lián)（并聯(lián)）負(fù)反饋。四.負(fù)反饋對(duì)放大電路性能的影響1.提高（可變電阻區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū)）P轉(zhuǎn)移（可變電阻區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū)）P轉(zhuǎn)移特性曲線U-----截止電壓MAX=2ICQRL’。*當(dāng)（MAX=2ICQRL’。*當(dāng)（UCEQ－UCES）＜（VCC位的高低:若V>V(正偏)，二極管導(dǎo)通(短路);陽陰1）圖解隨器。*輸入電阻高，輸出電阻低。第三章場效應(yīng)管與其基本放大電.集成運(yùn)放的電壓傳輸特性當(dāng)u在+U與-U之間，運(yùn)放工作在線性二.絕緣柵型場效應(yīng)管（MOSFE管0.1V。3.分析方法----極管斷開，分析二極管兩端電位N型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素（多子是電子，少管0.1V。3.分析方法----極管斷開，分析二極管兩端電位N型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素（多子是電子，少件深度負(fù)反饋的四種電路放大倍數(shù)（感覺出的可能性應(yīng)該不大）5.源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大器OCL----利用二極管、三極管和電阻上分為增強(qiáng)型（EMO和耗盡型（DMO兩種。*N-EMOS的輸出特性曲線DOGSTD*N-EMOS的轉(zhuǎn)移特性曲線*N-DMOS的輸出特性曲線.高,1M以上;(3)石英晶體振蕩器----振蕩頻率高且穩(wěn)定。OS）和耗盡型（DMOS）兩種。結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號(hào)2.特性輸入在同一段是并聯(lián)反之串聯(lián)串聯(lián)反饋增大輸入電阻并聯(lián)減小輸入電吧第八章1.高,1M以上;(3)石英晶體振蕩器----振蕩頻率高且穩(wěn)定。OS）和耗盡型（DMOS）兩種。結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號(hào)2.特性輸入在同一段是并聯(lián)反之串聯(lián)串聯(lián)反饋增大輸入電阻并聯(lián)減小輸入電吧第八章1.正弦波震蕩電路：判斷是否能產(chǎn)生自激振蕩，不對(duì)的怎pmGSDPTGSE-MOS的跨導(dǎo)g---m.描述方法某反饋元件引入級(jí)間（本級(jí)）直流負(fù)反饋和交流電壓（電流——輸出電壓的兩種飽和狀態(tài):當(dāng)描述方法某反饋元件引入級(jí)間（本級(jí)）直流負(fù)反饋和交流電壓（電流——輸出電壓的兩種飽和狀態(tài):當(dāng)u>u時(shí)，u=+U+-oom兩.正弦波振蕩器的組成、分類正弦波振蕩器的組成(1)放大電路-，Ａ升高，這種反饋稱為正反饋。ｆ二．反饋的形式和判斷1.反饋大倍數(shù)－－－Ａ＊閉環(huán)放大倍數(shù)－－－Ａ＊反饋深度－－－１＋ＡＦR//R//R=R//R//R二.大倍數(shù)－－－Ａ＊閉環(huán)放大倍數(shù)－－－Ａ＊反饋深度－－－１＋ＡＦR//R//R=R//R//R二.積分和微分運(yùn)算電路1.積分高,1M以上;(3)石英晶體振蕩器----振蕩頻率高且穩(wěn)定。.β=β·β.一.集成運(yùn)放電路的基本組成1.輸入級(jí)----采或線式中，IDO是UGS=2UT時(shí)所對(duì)應(yīng)的iD線式中，IDO是UGS=2UT時(shí)所對(duì)應(yīng)的iD值。*N-DMO的分析方法1)運(yùn)放工作在線性區(qū):*電路特征——引入負(fù)反饋*電入特性曲線向左移動(dòng)。溫度升高I、I、I以與β均增加。三.低頻的估算I大，管耗大，效率低。2.乙類工作狀態(tài)I≈0，導(dǎo)通角為.還在是電流反饋不在是電壓反饋反饋量以電壓的方式疊加是串聯(lián)反饋電壓放大倍數(shù)雙端輸出單端輸出時(shí)從VT1單端輸出：從VT2還在是電流反饋不在是電壓反饋反饋量以電壓的方式疊加是串聯(lián)反饋電壓放大倍數(shù)雙端輸出單端輸出時(shí)從VT1單端輸出：從VT2單端，會(huì)算電流電壓平均值·知道電感濾波的輸出電壓平均值·10.4位的高低:若V>V(正偏)，二極管導(dǎo)通(短路);陽陰1）圖解大電路*靜態(tài)分析或*大電路*靜態(tài)分析或*動(dòng)態(tài)分析.題目：69頁1.1.1.、1.耦合方1.阻容耦合----各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)彼此獨(dú)立；能有效地傳制零點(diǎn)漂移的過程----當(dāng)T↑→ii↓。、i↑→i、i↑→u還在是電流反饋不在是電壓反饋反饋量以電壓的方式疊加是串聯(lián)反饋.正弦波振蕩器的組成、分類正弦波振蕩器的組成(1)放大電路-曲線*N-EMOS的輸出特性曲線.*N-EMOS的轉(zhuǎn)移特性曲串聯(lián)改進(jìn)型電容反饋三點(diǎn)式振蕩器（克拉潑電路）.正弦波振蕩器的組成、分類正弦波振蕩器的組成(1)放大電路-曲線*N-EMOS的輸出特性曲線.*N-EMOS的轉(zhuǎn)移特性曲串聯(lián)改進(jìn)型電容反饋三點(diǎn)式振蕩器（克拉潑電路）(4)并聯(lián)改進(jìn)型成分濾掉，使輸出電壓成為比較平滑的直流電壓。穩(wěn)壓電路：自動(dòng)保倍數(shù)級(jí)數(shù)（貌似不考多級(jí)的）級(jí)數(shù)越多下限截止頻率越高上限截止頻穩(wěn)定工放大電路的等效電路1．靜態(tài)分析作點(diǎn)共射法2．動(dòng)態(tài)分析*流電源基本知識(shí)，包括整流濾波，穩(wěn)壓電路的作用·整流電路要弄懂五.電容濾波電路.1．放電時(shí)間常數(shù)的取值2.輸出電壓的平均值倍數(shù)級(jí)數(shù)（貌似不考多級(jí)的）級(jí)數(shù)越多下限截止頻率越高上限截止頻穩(wěn)定工放大電路的等效電路1．靜態(tài)分析作點(diǎn)共射法2．動(dòng)態(tài)分析*流電源基本知識(shí)，包括整流濾波，穩(wěn)壓電路的作用·整流電路要弄懂五.電容濾波電路.1．放電時(shí)間常數(shù)的取值2.輸出電壓的平均值，CQCQc1mom一CCCESCC串聯(lián)反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電壓的形式相疊加。R正弦波振蕩電路1.變壓器耦合式LC振蕩電路判斷相位的方法：斷串聯(lián)反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電壓的形式相疊加。R正弦波振蕩電路1.變壓器耦合式LC振蕩電路判斷相位的方法：斷放大電路的動(dòng)態(tài)分析.*放大倍數(shù)*輸入電阻*輸出電阻七.分壓式件深度負(fù)反饋的四種電路放大倍數(shù)（感覺出的可能性應(yīng)該不大）5.2CCCCCC理想時(shí)為78.5%.倍數(shù)穩(wěn)定4.基本概念：放大倍數(shù)反饋系數(shù)閉環(huán)放大倍數(shù)等概念P2失真——交越失真(本質(zhì)上是截止失真)。倍數(shù)穩(wěn)定4.基本概念：放大倍數(shù)反饋系數(shù)閉環(huán)放大倍數(shù)等概念P2失真——交越失真(本質(zhì)上是截止失真)。2.解決辦法甲乙類雙電負(fù)反饋。2．當(dāng)ＡＦ＝０時(shí)，表明反饋效果為零。3．當(dāng)ＡＦ＜０時(shí)烈的抑制作用，被稱為“共模反饋電阻”。2靜態(tài)分析1)計(jì)算差放C2C1C2E1E2EBE1BE2B1B2C1CLRe對(duì)溫度漂移與各種共模信號(hào)有強(qiáng)烈的抑制作用，被稱為“共模反饋電阻”。BECE單端輸出時(shí)(設(shè)VT1集電極接R)對(duì)于VT1：對(duì)于VT2：.↑→u、u↓→↑→u、u↓→i、i↓→i、Re對(duì)溫度漂移與各種共模信號(hào)有強(qiáng)的平均功率4.管耗P=0.2P5.效率理想時(shí)為78.5%三.電流形式相疊加。Rs越大反饋效果越好。反饋信號(hào)反饋到輸入端）的倒數(shù)）判斷電路能否產(chǎn)生自激振蕩1+AF》1是深度負(fù)反饋的條從VT1單端輸出：從VT2單端輸出：單端輸出:.2第五章.沒有復(fù)雜的計(jì)算題重點(diǎn)是基礎(chǔ)概念把自測(cè)題和作業(yè)題的前線(飽和管壓降，用2第五章.沒有復(fù)雜的計(jì)算題重點(diǎn)是基礎(chǔ)概念把自測(cè)題和作業(yè)題的前線(飽和管壓降，用U表示放大區(qū)---發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。可變電阻區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū)）.轉(zhuǎn)移特性曲線UP---串聯(lián)改進(jìn)型電容反饋三點(diǎn)式振蕩器（克拉潑電路）(4)并聯(lián)改進(jìn)型+-oom+-*共模抑制比KCM∞；“虛短”---“虛斷”---+-oom.象---NP削頂，PNP管削底。*消除方法--象---NP削頂，PNP管削底。*消除方法--小Rb，提高Q記住電路圖，了解高通，帶通，帶阻老師畫的作業(yè)題都盡量再做一遍積大，成本高，無法采用集成工藝；不利于傳輸?shù)皖l和高頻信號(hào)。3)放大電路，以提高放大倍數(shù)。3.輸出級(jí)----多采用互補(bǔ)對(duì)稱ｆ（輸出短路時(shí)反饋消失）（輸出短路時(shí)反饋不消失）.電容反饋三點(diǎn)式振蕩器（西勒電路）(5)四.石英晶體振蕩電路1電容反饋三點(diǎn)式振蕩器（西勒電路）(5)四.石英晶體振蕩電路1直流等效電路法*總的解題手段--二極管斷開，分析二極管兩端電)放大電路，以提高放大倍數(shù)。3.輸出級(jí)----多采用互補(bǔ)對(duì)稱分析2．動(dòng)態(tài)分析*電壓放大倍數(shù).*輸入電阻*輸出電阻3.電路反饋信號(hào)反饋到輸入端）反饋信號(hào)反饋到非輸入端）.形的形狀良好。*正弦波振蕩器的分類(1)RC振蕩器-----倍數(shù)級(jí)數(shù)（貌似不考多級(jí)的）級(jí)數(shù)越多下限截止頻率越高上限截止頻形的形狀良好。*正弦波振蕩器的分類(1)RC振蕩器-----倍數(shù)級(jí)數(shù)（貌似不考多級(jí)的）級(jí)數(shù)越多下限截止頻率越高上限截止頻、1.9`1.1.1193頁例2.3.、、141頁2.、2.U3.輸出電壓的脈動(dòng)系數(shù)S4.整流二極管的平均電流I六.三種*串聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻增加1+AF倍*并聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻減小1+AF倍*電壓負(fù)反饋使輸出電阻減小1+AF倍*電流負(fù)反饋使輸出電阻增加1+AF倍分析依據(jù)------“虛斷”和“虛短”R=R//R.RR=R//RRR=R//R特點(diǎn)*電壓放大倍數(shù)為正，且略小于1，稱為射極跟隨器，簡稱射隨特點(diǎn)*電壓放大倍數(shù)為正，且略小于1，稱為射極跟隨器，簡稱射隨輸交流信號(hào)；式體積小，成本低。但不便于集成，低頻特性差。2.位的高低:若V陽>V陰(正偏)，二極管導(dǎo)通(短路);若V陽<制零點(diǎn)漂移的過程----當(dāng)T↑→ii↓。、i↑→i、i↑→u--電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅Si--電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅Si、鍺Ge)。2截止區(qū)---發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。4.溫度影響溫度升高，輸在后一個(gè)管子的b-c極間。2.類型取決于第一只管子的類型。3只有電壓串和電流并穩(wěn)定電壓是電壓反饋穩(wěn)定電流是電流反饋反饋與.振蕩頻率較低,1M以下;(2)LC振蕩器-----振蕩頻率較振蕩頻率較低,1M以下;(2)LC振蕩器-----振蕩頻率較1V。3.分析方法------將二極管斷開，分析二極管兩端電電路法1.靜態(tài)分析（1）靜態(tài)工作點(diǎn)的近似估算（2）Q點(diǎn)在放大’－U），放大器將有最大的不失真輸出電壓。六.放大電路的等效二.RC正弦波振蕩電路.1集電極接R)對(duì)于1集電極接R)對(duì)于VT1：對(duì)于VT2：.3.動(dòng)態(tài)分析1）差模制零點(diǎn)漂移的過程----當(dāng)T↑→ii↓。、i↑→i、i↑→u形的形狀良好。*正弦波振蕩器的分類(1)RC振蕩器-----（UCEQ－UCES）。*當(dāng)（UCEQ－UCES）＝（VCC*相位條件的判斷------“射同基反”或“三步曲法”Ce后*輸出電阻八Ce后*輸出電阻八.共集電極基本放大電路1．靜態(tài)分析.3.電線(飽和管壓降，用U表示放大區(qū)---發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。直流等效電路法*總的解題手段--二極管斷開，分析二極管兩端電——輸出電壓的兩種飽和狀態(tài):當(dāng)u>u時(shí)，u=+U+-oom兩.穩(wěn)定工放大電路的等效電路1．靜態(tài)分析作點(diǎn)共射法2．動(dòng)態(tài)分析穩(wěn)定工放大電路的等效電路1．靜態(tài)分析作點(diǎn)共射法2．動(dòng)態(tài)分析*Ｎ結(jié)。*正向?qū)▔航?-----硅管0.6~0.7V，鍺管0.工作狀態(tài)任意狀態(tài)：Uom≈Uim盡限狀態(tài)：Uom=V-UC用差放電路，以減小零漂。2.中間級(jí)----多采用共射(或共源O(AV)濾波電路：將交流成分濾掉，使輸出電壓成為比較平滑的直流1．輸出電壓的平均值UＮ結(jié)。*正向?qū)▔航?-----硅管0.6~0.7V，鍺管0流負(fù)載線平移，Ｎ結(jié)。*正向?qū)▔航?-----硅管0.6~0.7V，鍺管0流負(fù)載線平移，Q點(diǎn)發(fā)生移動(dòng)。2.交流通路與動(dòng)態(tài)分析.*概念-(哈特萊電路)(2)電容反饋三點(diǎn)式振蕩器(考畢茲電路)(3)放大電路的動(dòng)態(tài)分析.*放大倍數(shù)*輸入電阻*輸出電阻七.分壓式O(AV)D(AV)D(AV)O(AV)、D(AV)RM4．最大反向電壓URM1．輸出電壓的平均值U4．最大反向電壓URMUS、IU與半波整流電路相同。.平衡條件：相位平衡條件：2.起振條件:幅值條件：相位條件:3源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大器平衡條件：相位平衡條件：2.起振條件:幅值條件：相位條件:3源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大器OCL----利用二極管、三極管和電阻上阻增加1+AF倍*并聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻減小1+AF倍*電壓負(fù)變化或電源電壓改變時(shí)，靜態(tài)工作點(diǎn)也隨之變化，致使uo偏離初始O(AV)D(AV)ZOZMOmax.反饋的方式-----并聯(lián)反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以率進(jìn)行振蕩。(4)穩(wěn)幅環(huán)節(jié)反饋的方式-----并聯(lián)反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以率進(jìn)行振蕩。(4)穩(wěn)幅環(huán)節(jié)-------使波形幅值穩(wěn)定，且波在放大區(qū)的條件欲使Q點(diǎn)不進(jìn)入飽和區(qū)，應(yīng)滿足RB＞βRc。2.＊環(huán)路增益－－－ＡＦ：1．當(dāng)ＡＦ＞０時(shí)，Ａ下降，這種反饋稱為ZminZZmaxUO*限流電阻R的計(jì)算第一章半導(dǎo)體二極管鍺Ge)。2.特性--敏、熱敏和摻雜特性。3.本征半導(dǎo)體--凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。4.兩種載流子---有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。5.雜質(zhì)半導(dǎo)體--本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。*P型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素（多子*N型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素*載流子的濃度--子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫.曲線*N-EMOS的輸出特性曲線.*N-EMOS的轉(zhuǎn)移特性曲曲線*N-EMOS的輸出特性曲線.*N-EMOS的轉(zhuǎn)移特性曲運(yùn)算2.微分運(yùn)算.一.正弦波振蕩電路的基本概念1.產(chǎn)生正弦波緣柵型場效應(yīng)管（MOSFE..*動(dòng)態(tài)分析或*動(dòng)態(tài)分析一.級(jí)間.并聯(lián)型石英晶體振蕩器.一.直流電源的組成框圖電源變壓器：將*體電阻--常把雜質(zhì)半導(dǎo)體自身的電阻稱為體電阻。*轉(zhuǎn)型--過改變摻雜濃度，一種雜質(zhì)半導(dǎo)體可以改型為另外一種雜質(zhì)半導(dǎo)體。7.PN結(jié)*PN結(jié)的接觸電位差--材料約為0.6~0.8V，鍺材料約為0.2~0.3V。*PN結(jié)的單向?qū)щ娦?-偏導(dǎo)通，反偏截止。8.PN結(jié)的伏安特性*單向?qū)щ娦?---導(dǎo)通，反向截止。.受飽和失真限制，U=2U=2（U受飽和失真限制，U=2U=2（U－U）。*當(dāng)（U－U）＝（V出功率，轉(zhuǎn)換效率·9,2要掌握，會(huì)算效率，最大管壓降，最大輸倍數(shù)級(jí)數(shù)（貌似不考多級(jí)的）級(jí)數(shù)越多下限截止頻率越高上限截止頻振蕩頻率較低,1M以下;(2)LC振蕩器-----振蕩頻率較該式與伏安特性曲線的交點(diǎn)叫靜態(tài)工作點(diǎn)Q。直流等效電路法低:*三種模型微變等效電路法.iD=0處的值是夾斷電壓UP，此曲線表示式與結(jié)型場效應(yīng)管一致iD=0處的值是夾斷電壓UP，此曲線表示式與結(jié)型場效應(yīng)管一致表明場效應(yīng)管是電壓控制器件)四.場效應(yīng)管的小信號(hào)等效模型.ER的范圍是：第一章半導(dǎo)體二極管一.半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)1.半導(dǎo)體CCES理想狀態(tài)：Uom≈VCC2.輸出功率3.直流電源提供*穩(wěn)壓二極管的特性--常工作時(shí)處在PN結(jié)的反向擊穿區(qū)，所以穩(wěn)壓二極管在電路中要反向連接。第二章三極管與其基本放大電路1.類型--為NPN和PNP兩種。與基區(qū)接觸面積較??；集電區(qū)摻雜濃度較高，與基區(qū)接觸面積較大。.不變，負(fù)載變化時(shí)的穩(wěn)壓過程:2.電路參數(shù)的計(jì)算*不變，負(fù)載變化時(shí)的穩(wěn)壓過程:2.電路參數(shù)的計(jì)算*穩(wěn)壓管的選擇管伏安特性---同-ＰＮ結(jié)。*正向?qū)▔航?---0.6~0記住電路圖，了解高通，帶通，帶阻老師畫的作業(yè)題都盡量再做一遍入信號(hào)的大小。X減小為負(fù)反饋；X增大為正反饋。三.反饋形式的2.三極管內(nèi)各極電流的分配*共發(fā)射極電流放大系數(shù)(表明三極管是電流控制器件式子稱為穿透電流。*輸入特性曲線--二極管。(飽和管壓降，用UCES表示截止區(qū)--射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。溫度升高，輸入特性曲線向左移動(dòng)。三.低頻小信號(hào)等效模型（簡hie--出端交流短路時(shí)的輸入電化）.電流。具有穩(wěn)定輸出電流的作用。（輸出短路時(shí)反饋不消失）.4.-MOS的跨導(dǎo)電流。具有穩(wěn)定輸出電流的作用。（輸出短路時(shí)反饋不消失）.4.-MOS的跨導(dǎo)gm---五.共源極基本放大電路1.自偏壓式偏和VCC’點(diǎn)VCC’=UCEICQRL’的直線。3.靜態(tài)工作C。4.放大器的動(dòng)態(tài)范圍（1）Uopp--是-指放大器最大不hfe--出端交流短路時(shí)的正向電流傳輸比，*概念--流電流通的回路。*畫法--容視為開路。*作用--定靜態(tài)工作點(diǎn)*直流負(fù)載線--VCICRC+UCE確定的直線。*電路參數(shù)對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響1）改變Rb：Q點(diǎn)將沿直流負(fù)載線上下移動(dòng)。2）改變Rc：Q點(diǎn)在IBQ所在的那條輸出特性曲線上移動(dòng)。.2.2.、2.、2.2.、2.、2.1、2.11.12.11.12.1、2..正弦波振蕩器的組成、分類正弦波振蕩器的組成(1)放大電路-吧第八章1.正弦波震蕩電路：判斷是否能產(chǎn)生自激振蕩，不對(duì)的怎區(qū)的條件.欲使Q點(diǎn)不進(jìn)入飽和區(qū)，應(yīng)滿足R＞βRc。放大電路的*概念--流電流流通的回路*畫法--容視為短路,理想直流電壓源視為短路。*作用--析信號(hào)被放大的過程。*交流負(fù)載線---連接Q點(diǎn)和VCC’點(diǎn)VCC’=UCEICQRL’的3.靜態(tài)工作點(diǎn)與非線性失真*產(chǎn)生原因--點(diǎn)設(shè)置過低*失真現(xiàn)象---NP削頂，PNP管削底。*消除方法--小Rb，提高Q。*產(chǎn)生原因--點(diǎn)設(shè)置過高*失真現(xiàn)象---NP削底，PNP管削頂。*消除方法--大Rb、減小Rc、增大VCC。*當(dāng)（UCEQ－UCESVCC’－UCEQ.甲乙類互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路1.問題的提出在兩管交替時(shí)出現(xiàn)波形可變電阻區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū)）甲乙類互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路1.問題的提出在兩管交替時(shí)出現(xiàn)波形可變電阻區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū)）.轉(zhuǎn)移特性曲線UP---2．輸出電壓的脈動(dòng)系數(shù)S3．正向平均電流I4．最大反向電壓U電耦合3.2掌握習(xí)題3.23.33.43.53.63.73.UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。*當(dāng)（UCEQ－UCESVCC’－UCEQ）時(shí)，受飽和失真限制，UOPP=2UOMAX=2（UCEQ－UCES*當(dāng)（UCEQ－UCESVCC’－UCEQ放大器將有最大的不失真輸出電壓。（2）Q點(diǎn)在放大區(qū)的條件欲使Q點(diǎn)不進(jìn)入飽和區(qū)，應(yīng)滿足RB＞βRc。放大電路的動(dòng)態(tài)分析.電路*靜態(tài)分析.*電路*靜態(tài)分析.*動(dòng)態(tài)分析若源極帶有Cs，則六.共漏極基本放71閉環(huán)放大倍數(shù)的一般表達(dá)式P273自激振蕩的條件（絕大多數(shù)倍數(shù)穩(wěn)定4.基本概念：放大倍數(shù)反饋系數(shù)閉環(huán)放大倍數(shù)等概念P2倍數(shù)級(jí)數(shù)（貌似不考多級(jí)的）級(jí)數(shù)越多下限截止頻率越高上限截止頻放大電路的等效電路作點(diǎn)共射法2．動(dòng)態(tài)分析.+表示），并設(shè)信號(hào)的頻率在中頻段。（2）根據(jù)該極性，逐級(jí)推斷+表示），并設(shè)信號(hào)的頻率在中頻段。（2）根據(jù)該極性，逐級(jí)推斷電路IBE2)計(jì)算差放電路UCE雙端輸出時(shí)單端輸出時(shí)(設(shè)VT成分濾掉，使輸出電壓成為比較平滑的直流電壓。穩(wěn)壓電路：自動(dòng)保射放大電路的等效電路法1．靜態(tài)分析.2．動(dòng)態(tài)分析*電壓放大倍在Re兩端并一電解電容Ce后輸入電阻在Re兩端并一電解電容Ce后2．動(dòng)態(tài)分析.穴和電子統(tǒng)稱為載流子。5.雜質(zhì)半導(dǎo)體--穴和電子統(tǒng)稱為載流子。5.雜質(zhì)半導(dǎo)體--本征半導(dǎo)體中摻入微量尤其是集成運(yùn)放都滿足1+AF》1此時(shí)閉環(huán)放大倍數(shù)等于反饋系數(shù)的等效電路法1.靜態(tài)分析（1）靜態(tài)工作點(diǎn)的近似估算（2）Q點(diǎn)------正向?qū)?，反向截止?二極管伏安特性----同Ｐ*電壓放大倍數(shù)為正，且略小于1，稱為射極跟隨器，簡*輸入電阻高，輸出電阻低。場效應(yīng)管與其放大電路穿區(qū)）.失真——交越失真(本質(zhì)上是截止失真)失真——交越失真(本質(zhì)上是截止失真)。2.解決辦法甲乙類雙電持負(fù)載電壓的穩(wěn)定。二.單相半波整流電路1．輸出電壓的平均值U反向擊穿區(qū)，所以穩(wěn)壓二極管在電路中要反向連接。.*輸出特性曲U3.輸出電壓的脈動(dòng)系數(shù)S4.整流二極管的平均電流I六.三種轉(zhuǎn)移特性曲線UP----止電壓MOSFET）分為增強(qiáng)型（EMOS）和耗盡型（DMOS）兩種。結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號(hào)*N-EMOS的輸出特性曲線.脈動(dòng)系數(shù)S3．正向平均電流I4脈動(dòng)系數(shù)S3．正向平均電流I4．最大反向電壓URM四.單相橋大倍數(shù)－－－Ａ＊閉環(huán)放大倍數(shù)－－－Ａ＊反饋深度－－－１＋ＡＦ’－UCEQ），放大器將有最大的不失真輸出電壓。六.放大電路器是重點(diǎn)，要理解推導(dǎo)過程，結(jié)論盡量記住。了解其他濾波器，最好*N-EMOS的轉(zhuǎn)移特性曲線*N-DMOS的輸出特性曲線是夾斷電壓UP，此曲線表示式與結(jié)型場效應(yīng)管一致。1.漏極飽和電流IDSS2.夾斷電壓Up3.開啟電壓UT4.直流輸入電阻RGS5.低頻跨導(dǎo)gm(表明場效應(yīng)管是電壓控制器件).法--容視為開路。*法--容視為開路。*作用--定靜態(tài)工作點(diǎn)用。能傳*直流負(fù)載線線式中，IDO是UGS=2UT時(shí)所對(duì)應(yīng)的iD值。*N-DMO體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。4.兩種載流子---有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空出放大電路中各相關(guān)點(diǎn)的瞬時(shí)極性（升高用+表示，降低用－表示）E-MOS的跨導(dǎo)gm---動(dòng)態(tài)分析.效應(yīng)管（JFET）1.效應(yīng)管（JFET）1.結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號(hào)2.輸出特性曲線（并一電解電容Ce后*輸出電阻八.共集電極基本放大電路1．靜態(tài)的壓降產(chǎn)生偏置電壓。動(dòng)態(tài)指標(biāo)按乙類狀態(tài)估算。甲乙類單電源互補(bǔ)于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫.度有關(guān)。*體電阻--常把雜質(zhì)半導(dǎo)體若源極帶有Cs，則或.輸出：2）差模輸入電阻3輸出：2）差模輸入電阻3）差模輸出電阻雙端輸出：單端輸出:三描述方法某反饋元件引入級(jí)間（本級(jí)）直流負(fù)反饋和交流電壓（電流擾和噪聲5.改變放大電路的輸入、輸出電阻*串聯(lián)負(fù)反饋使輸入電------正向?qū)?，反向截止?二極管伏安特性----同Ｐ第三章合第四章第五章..’－UCEQ），放大器將有最大的不失真輸出電壓。六.’－UCEQ），放大器