IRF3205場效應管的參數(shù)、工作原理及電路實例

WordIRF3205場效應管的參數(shù)、工作原理及電路實例

I（RF）3205場效應管，主要是以下幾個方面：

1、IRF3205什么是管子？

2、IRF3205引腳圖說明

3、IRF3205CAD模型

4、IRF3205場效應管參數(shù)

5、IRF3205用什么管子替代

6、IRF3205（工作原理）及結構

7、IRF3205場效應管特性曲線

8、IRF3205逆變器電路圖

9、IRF3205繼電器（驅動電路）

10、IRF3205（仿真）（模擬）電路圖

11、IRF3205驅動電路

12、IRF3205其他應用

一、IRF3205什么是管子？

IRF3205是一種N溝道功率MOS管，采用TO-220AB封裝，工作電壓為55V和110A。特點是其導通電阻極低，僅為8.0mΩ，適用于逆變器、（電機）速度控制器、（DC）-DC轉換器等（開關電路）。

IRF3205是一種容易買到，價格較低的（MOSFET），具有低導通電阻。但是IRF3205具有高閾值電壓，因此不適用于（嵌入式）控制器的開/關控制。

IRF3205引腳圖說明

二、IRF3205引腳圖說明

IRF3205場效應管總有3個引腳，具體的如下所示：

IRF3205引腳圖說明

IRF3205引腳圖說明

三、IRF3205CAD模型

1、IRF3205電路符號

IRF3205電路符號

2、IRF3205封裝尺寸

IRF3205封裝尺寸

3、IRF32053D模型

IRF32053D模型

四、IRF3205場效應管參數(shù)

N溝道功率MOSFET器件

漏源擊穿電壓(VBR(DSS))為55V

柵極到源極電壓(Vgs)為+/-20V

柵極的（閾值電壓）（Vg(th)）為2至4V

漏極（電流）(Id)為110A

脈沖漏極電流(IDM)為390A

功耗為(PD)為200W

漏源導通電阻(RDS(ON))8mΩ

門體漏電流(IGSS)為100nA

總柵極電荷(Qg)為146nC

反向恢復時間(trr)為69至104ns

峰值（二極管）恢復(dv/dt)為5V/ns

上升時間(tr)為101ns

結殼熱阻(Rthjc)為75℃/W

結溫（TJ）在-55至175℃之間

1、電壓規(guī)格

IRF3205MOSFET的電壓規(guī)格是柵源電壓為+/-20V，漏源擊穿電壓為55v，柵極閾值電壓在2到4V之間。

從IRF3205MOSFET的電壓規(guī)格可以看到IRF3205是一種常見的功率器件。

2、電流規(guī)格

IRF3205MOSFET的電流值為漏極電流為110A，脈沖漏極電流值為390A，這些電流規(guī)格表明IRF3205MOSFET是一種大電流功率器件。

漏源漏電流為25uA，柵源正向漏電流為100nA，該功率器件的漏電流值較小。

3、功耗規(guī)格

IRF3205MOSFET的功耗為200W，TO-220功率MOSFET封裝使其成為功耗更高的器件。

4、漏源到導通電阻

漏源導通電阻為8mΩ，是MOSFET顯示的電阻值。

5、結溫

IRF3205MOSFET的結溫為175℃。

6、反向恢復時間(trr)

IRF3205MOSFET的反向恢復時間為69至104ns，這是開始導通之前放電所需的時間量。

7、總柵極電荷(Qg)

IRF3205MOSFET的總柵極電荷為146nC，需要向柵極注入以開啟MOSFET所需的總柵極電荷。

五、IRF3205用什么管子替代

IRFB3206、IRFB3256、IRFB3307、IRF1405、IRFB3306和IRFB3006等MOSFET器件是IRF3205的等效器件。

大多數(shù)這些MOSFET具有幾乎相同的（電氣）規(guī)格，因此我們可以將它們等效使用。

在下表中，我們列出了每個MOSFET的電氣規(guī)格然后進行對比，例如IRF3205與IRFB1405與IRFB4310，比較將幫助我們選擇最適合我們的等效產品。

IRF3205替代型號

每個IRF3205、IRFB1405和IRFB4310MOSFET的電壓規(guī)格幾乎相同。IRFB4310MOSFET的電流規(guī)格和功耗值高于其他兩個MOSFET器件，IRFB1405MOSFET的導通電阻值較高。

六、IRF3205工作原理及結構

IRF3205MOSFET與普通MOSFET不同，IRF3205MOSFET的柵極層有厚氧化層，可以承受高輸入電壓，而普通MOSFET的柵極氧化層很薄，不能承受（高壓），即施加高電壓會極大地影響整體性能。設備。

IRF3205MOSFET中的柵極、源極和漏極類似于BJT（雙極結型（晶體管））中的基極、集電極和發(fā)射極。

源極和漏極由n型材料制成，而元件主體和襯底由p型材料制成。在襯底層上添加二氧化硅使該器件具有金屬氧化物（半導體）結構。IRF3205MOSFET是一種單極器件，通過（電子）的運動進行傳導。

在器件中插入絕緣層，使柵極端子與整個主體分離。漏極和源極之間的區(qū)域稱為N溝道，它由柵極端子上的電壓控制。

與BJT相比，MOSFET保持領先，因為BJT不需要輸入電流來控制剩余兩個端子上的大量電流。

IRF3205工作原理及結構

七、IRF3205場效應管特性曲線

1、IRF3205MOSFET的輸出特性

下圖顯示了IRF3205MOSFET的輸出特性，該圖是用漏源電流與漏源電壓繪制的。

在固定的電壓范圍內，電壓值會相對于電流值增加。電流值增加到一定限度并變得恒定，同時電壓將增加到無窮大范圍。

IRF3205MOSFET的輸出特性

2、IRF3205MOSFET的導通電阻特性

下圖顯示了IRF3205MOSFET的導通電阻特性，該圖繪制了漏源導通電阻與結溫的關系。

在峰值電流值處，電阻從某個極限開始，溫度值向更高的值增加。導通電阻值隨著結溫的增加而增加，這表明在MOSFET的啟動階段電阻較低，然后會向上限增加。

IRF3205MOSFET的導通電阻特性

八、IRF3205逆變器電路圖

下圖為使用IRF3205的逆變電路，該圖顯示了使用TL494PWM模塊的逆變器電路，該模塊帶有一個由IRF3205MOSFET制成的h橋。

1TL494模塊用于產生PWM脈沖并轉發(fā)到H橋電路，基于IRF3205MOSFET的H橋將PWM脈沖轉換為交流（信號）。

IRF3205逆變器電路圖

九、IRF3205繼電器驅動電路

下圖為使用IRF3205MOSFET的繼電器驅動電路，MOSFET接在線圈端地。

IRF3205繼電器驅動電路、

十、IRF3205仿真模擬-設計H橋

IRF3205是用于快速開關的N溝道Mosfet，因此被用來設計H橋。

這里設計了這個（Proteus）模擬，將直流電壓轉換為交流電壓，如果仔細觀察，在H橋中使用了IRF3205MOSFET：

IRF3205仿真模擬-設計H橋

同時，將IRF5210用于H-橋中的計數(shù)器。如果你運行仿真，在（示波器）上應該會顯示交流正弦波