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OutlineArray5maskArray4maskPRPR的工作原理PRTestOutlineArray5maskArray4ma1Metal1(GATE):鍍上Mo(鉬),Al(鋁)2.G:GateSiNx(氮矽化合物,絕緣層)
I:
-Si(非結(jié)晶矽,通道層)
N:N+
-Si(高濃度磷(PH3)的矽)降低界面電位差,
使成為歐姆接觸(ohmiccontact)
3.Metal2(source,drain):Mo(鉬),Al
4.Passivation(Via):SiNx,保護層,把金屬蓋住,另有Via和ITO連通5.ITO(畫素電極)1Array5mask簡介Metal1(GATE):鍍上Mo(鉬),Al(鋁)2工藝流程PhotoResistThinFilmGlass曝光LightPhotoMask剝膜ThinFilmGlass成膜PhotoResist顯影蝕刻工藝流程PhotoResistThinFilmGlass32023/9/13UPK(清洗玻璃)M1Suppter(PVD)涂布,曝光,顯影WetetchSTP(去光阻)Metal1processABMo/AlMo在Al上層避免Al氧化2.38%TMAHAl蝕刻液(磷酸,醋酸,硝酸)Stripper-剝離液:MEA+DMSO(7:3)2023/8/3UPK(清洗玻璃)M1Suppter(PVD42023/9/13GINprocessABGIN
sputterCVD(化學(xué)氣相沉積)Photo(涂布,曝光,顯影)DryetchSTP(去光阻)SF6/Cl2,SiF4,SiCl42023/8/3GINprocessABGINsputt52023/9/13Metalsputter(Mo/Al/Mo)Photo(涂布,曝光,顯影)WET(M2濕蝕刻)DET(N+蝕刻)STP(去光阻)ABMetal2
process2023/8/3Metalsputter(Mo/Al/Mo62023/9/13ABCVDSiNxPhoto(涂布,曝光,顯影)DET(Pass蝕刻)STP(去光阻)Pass
process2023/8/3ABCVDSiNxPhoto(涂布,曝光,72023/9/13ABITOsputter(PVD)Photo(涂布,曝光,顯影)WET(ITO濕蝕刻))STP(去光阻)OVN(ITOoven)ITOprocess2023/8/3ABITOsputter(PVD)Pho82023/9/132Array4mask2023/8/32Array4mask92023/9/132023/8/3102023/9/133正型PR成份介紹定義光刻膠(Photoresist簡稱PR)又稱光致抗蝕劑,它是一種對光敏感的有機化合物,它受紫外光曝光后,在顯影液中的溶解度會發(fā)生變化。作用
a、將掩膜板上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓表面頂層的光刻膠中;
b、在后續(xù)工序中,保護下面的材料(刻蝕或離子注入)。2023/8/33正型PR成份介紹定義112023/9/13成份
樹脂感光劑溶劑添加劑粘附性、膠膜厚度曝光時間、光線強度賦予組合物流動性如防止PR反射等特性2023/8/3成份樹脂感光劑溶劑添加劑粘附性、膠膜122023/9/134正型PR的工作原理Esterification2023/8/34正型PR的工作原理132023/9/13UVN2Wolff重組H2ONaOH(CH3)4NOHTMAH2023/8/3UVN2Wolff重組H2ONaOH(CH142023/9/135PRTestTestEOPMarginThermalStabilityFilmLossStripperTestResoluti-on涂布Pre-bake曝光顯影Post-bakeStripper2023/8/35PRTestTestEOPMargin152023/9/13EOPTestEOPTest:將光罩上的圖案按1/1比例映射在PR上的光罩能量2023/8/3EOPTestEOPTest:將光罩上的162023/9/13MarginTestMarginTest:不同顯影時間、軟烤溫度及軟烤時間下,PR顯影
后的CD變化2023/8/3MarginTestMarginTest172023/9/132023/8/3182023/9/13ThermalStabilityTestThermalStabilityTest:post-bask后PR形狀的變化測試2023/8/3ThermalStabilityTest192023/9/13Stripper
TestStripper
Test:PR的剝離時間2023/8/3StripperTestStripper202023/9/13Resolution
TestResolution
Test:能顯影出完整圖像的較小CD(a.圖案完整性;b.CD變化)2023/8/3ResolutionTestResolut212023/9/13H/T
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