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文檔簡介
第二章單片微機的基本結(jié)構(gòu)第1頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月2.180C51單片微機的內(nèi)部結(jié)構(gòu)2.280C51單片微機的引腳及其功能2.3
80C51CPU的結(jié)構(gòu)和特點2.4存儲器結(jié)構(gòu)和地址空間2.5并行輸入/輸出端口2.6布爾(位)處理器2.780C51單片微機的工作方式
第2頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月中央處理器CPU(算術(shù)邏輯部件ALU、控制器等)只讀存儲器ROM隨機存取存儲器RAM定時器/計數(shù)器并行I/O口P0~P3、串行口中斷系統(tǒng)以及定時控制邏輯電路等。
2.180C51單片微機的內(nèi)部結(jié)構(gòu)
80C51內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖2-1所示包括第3頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月1.中央處理器
運算器控制器CPU算術(shù)邏輯運算部件ALU寄存器(8位)ACC--累加器BPSW—程序狀態(tài)字寄存器運算器PSW(D0H)CYACF0RS1RS0OVF1PPC---程序計數(shù)器(16位)SP---堆棧指針(8位)DPTR---數(shù)據(jù)指針(16位)指令寄存器、譯碼、定時控制等控制器第4頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月
2.程序存儲器
內(nèi)部沒有程序存儲器的稱80C31(片外ROM)內(nèi)部帶ROM的稱80C51(掩膜ROM)內(nèi)部以EPROM代替ROM的稱87C51(紫外線擦除)內(nèi)部以EEPROM(電可擦除,Flash單片微機,如89C51)第5頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月3.數(shù)據(jù)存儲器(RAM)典型51的內(nèi)部RAM是128字節(jié)(一般稱為寄存器)當(dāng)內(nèi)部RAM容量不夠時,還可通過串行總線或并行總線外擴數(shù)據(jù)存儲器。第6頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月
4.并行I/O口
數(shù)據(jù)線、地址線、控制線、連接外設(shè)等。單片微機I/O引腳的驅(qū)動能力也逐漸增大,甚至可以直接驅(qū)動外擴的LED顯示器。
第7頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月5.串行I/O口全雙工串行I/O口,實現(xiàn)串行通信;也可與多個單片微機相連構(gòu)成多機系統(tǒng)。拓寬:有些型號的單片微機內(nèi)部還包含有兩個串行I/O口。
。
第8頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月
6.定時器/計數(shù)器80C51共有兩個16位的定時器/計數(shù)器;80C52則有三個16位的定時器/計數(shù)器。
第9頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月7.中斷系統(tǒng)
80C51的中斷功能較強,具有內(nèi)、外共五個中斷源,兩個中斷優(yōu)先級。
8.時序電路及元件
計算機的整個工作是在時鐘信號的驅(qū)動下,按照嚴(yán)格的時序有規(guī)律地一個節(jié)拍一個節(jié)拍地執(zhí)行各種操作。單片微機內(nèi)部設(shè)有定時電路,只需外接振蕩元件即可工作。第10頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月8位CPU;4K內(nèi)部ROM;128字節(jié)內(nèi)部RAM;尋址空間:64KROM64KRAM;32位I/O口線;2個16位T/C;一個全雙工串行口;5個中斷源80C51單片機資源:第11頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月
80C51/80C52的封裝及邏輯圖如圖2-2所示。
2.280C51單片微機的引腳及其功能
第12頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月按引腳的功能可分為三部分:
1.電源和晶振:
·Vcc——運行和程序校驗時接電源正端。
·Vss——接地。
·XTAL1——輸入到單片微機內(nèi)部振蕩器的反相放大器。
·XTAL2——反相放大器的輸出,輸入到內(nèi)部時鐘發(fā)生器。電源、晶振I/O口控制線第13頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月2.I/O:·P0——8位、漏極開路的雙向I/O口。
當(dāng)使用片外存儲器(ROM及RAM)時,作低八位地址和數(shù)據(jù)總線分時復(fù)用。P0口(作為總線時)能驅(qū)動8個LSTTL負載?!さ?4頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月2.I/O:·P1——8位、準(zhǔn)雙向I/O口。在編程/校驗期間,用做輸入低位字節(jié)地址。P1口可以驅(qū)動4個LSTTL負載。對于80C52,P1.0——T2,是定時器2的計數(shù)輸入端; P1.1——T2EX,是定時器2的外部輸入端。 讀兩個特殊引腳的輸出鎖存器時應(yīng)由程序置1。第15頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月·P2——8位、準(zhǔn)雙向I/O口。
當(dāng)使用片外存儲器(ROM及RAM)時,輸出高8位地址。 在編程/校驗期間,接收高位字節(jié)地址。 P2口可以驅(qū)動4個LSTTL負載。第16頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月·P3——8位、準(zhǔn)雙向I/O口,具有內(nèi)部上拉電路。
P3提供各種替代功能。P3口可以輸入/輸出4個LSTTL負載。·串行口:P3.0——RXD串行輸入口。P3.1——TXD串行輸出口。中斷:P3.2——外部中斷0輸入。P3.3——外部中斷1輸入。第17頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月··定時器/計數(shù)器:P3.4——定時器/計數(shù)器T0的外部輸入。P3.5——定時器/計數(shù)器T1的外部輸入?!?shù)據(jù)存儲器選通:P3.6——WR低電平有效,輸出,片外數(shù)據(jù)存儲器寫選通。P3.7——RD低電平有效,輸出,片外數(shù)據(jù)存儲器讀選通。第18頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月3.控制線:共4根。·RST——復(fù)位輸入信號,高電平有效。在振蕩器工作時,在RST上作用兩個機器周期以上的高電平,將器件復(fù)位?!A/Vpp——片外程序存儲器訪問允許信號,低電平有效。EA=1,選擇片內(nèi)程序存儲器(80C51為4KB,80C52為8KB);EA=0,則程序存儲器全部在片外而不管片內(nèi)是否有程序存儲器?!さ?9頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月3.控制線:共4根?!ぁLE/PROG——地址鎖存允許信號,輸出。
在訪問片外存儲器或I/O時,用于鎖存低八位地址,以實現(xiàn)低八位地址與數(shù)據(jù)的隔離。PSEN
——片外程序存儲器讀選通信號,低電平有效。在從片外程序存儲器取指期間,在每個機器周期中,當(dāng)有效時,程序存儲器的內(nèi)容被送上P0口(數(shù)據(jù)總線)??梢则?qū)動8個LSTTL負載。第20頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月
中央處理器CPU是單片微機內(nèi)部的核心部件,主要包括控制器運算器工作寄存器時序電路等2.3
80C51CPU的結(jié)構(gòu)和特點
第21頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月
控制器包括:程序計數(shù)器PC、程序地址寄存器、指令寄存器IR、指令譯碼器、條件轉(zhuǎn)移邏輯電路及定時控制邏輯電路。功能:是控制指令的讀出、譯碼和執(zhí)行,對指令的執(zhí)行過程進行定時控制,并根據(jù)執(zhí)行結(jié)果決定是否分支轉(zhuǎn)移。2.3.1中央控制器第22頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月1.程序計數(shù)器PC
一個獨立的16位計數(shù)器,不屬于內(nèi)部的特殊功能寄存器。PC中存放的是下一條將要從程序存儲器中取出的指令的地址。工作過程:根據(jù)PC的值 到ROM對應(yīng)取指令代碼,同時PC值自動加1,指向下一條指令地址。
第23頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月2.數(shù)據(jù)指針DPTR
DPTR是一個16位的特殊功能寄存器
主要功能:(1)作為片外數(shù)據(jù)存儲器或I/O尋址用的地址寄存器(間接尋址),故稱為數(shù)據(jù)存儲器地址指針。訪問片外數(shù)據(jù)存儲器或I/O的指令為:MOVXA,@DPTR讀MOVX@DPTR,A寫第24頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月(2)作為訪問程序存儲器時的基址寄存器。這時尋址程序存儲器中的表格、常數(shù)等單元,而不是尋址指令。MOVC A,@A+DPTRJMP @A+DPTR
(3)可以作為兩個8位寄存器處理,其高8位用DPH表示,低8位用DPL表示。第25頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月
⑴兩者都是與地址有關(guān)的16位的寄存器。PC與程序存儲器的地址有關(guān),而DPTR與數(shù)據(jù)存儲器的地址有關(guān),都是通過P0和P2口輸出的。PC的輸出與PSEN、ALE信號有關(guān);DPTR的輸出,則與ALE、WR、RD信號有關(guān)。
程序計數(shù)器PC與數(shù)據(jù)指針DPTR區(qū)別:第26頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月程序計數(shù)器PC與數(shù)據(jù)指針DPTR區(qū)別:⑵
PC只能作為16位寄存器對待。PC是不可以訪問的,它不屬于特殊功能寄存器,有自己獨特的變化方式。DPTR可以作為16位寄存器,也可以作為兩個8位寄存器,DPTR是可以訪問的,DPL和DPH都位于特殊功能寄存器區(qū)中。
第27頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月
指令寄存器IR是用來存放指令操作碼的專用寄存器。執(zhí)行程序時,首先進行程序存儲器的讀操作,也就是根據(jù)程序計數(shù)器給出的地址從程序存儲器中取出指令,送指令寄存器IR,IR的輸出送指令譯碼器;然后由指令譯碼器對該指令進行譯碼,譯碼結(jié)果送定時控制邏輯電路,如圖2-4所示。
3.指令寄存器IR、指令譯碼器及控制邏輯第28頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月定時控制邏輯電路則根據(jù)指令的性質(zhì)發(fā)出一系列定時控制信號,控制計算機的各組成部件進行相應(yīng)的工作,執(zhí)行指令。3.指令寄存器IR、指令譯碼器及控制邏輯
條件轉(zhuǎn)移邏輯電路主要用來控制程序的分支轉(zhuǎn)移。在80C51中,轉(zhuǎn)移條件也可分為兩部分。一部分是內(nèi)部條件,即程序狀態(tài)標(biāo)志位(PSW)和累加器的零狀態(tài)。另一部分是外部條件,即F0和所有位尋址空間的狀態(tài)。第29頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月運算器主要用來實現(xiàn)對操作數(shù)的算術(shù)、邏輯運算和位操作的。
運算器主要包括:算術(shù)邏輯運算單元ALU、累加器ACC(A)、暫存寄存器、B寄存器、程序狀態(tài)標(biāo)志寄存器PSW以及BCD碼運算修正電路等。
2.3.2運算器第30頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月ALU有兩個輸入:
⑴通過暫存器1的輸入:輸入數(shù)據(jù)來自寄存器、直接尋址單元(含I/O口)、內(nèi)部RAM、寄存器B或是立即數(shù)。⑵通過暫存器2或累加器ACC的輸入:通過暫存器2的運算的指令有ANLdirect, #dataORLdirect,#dataXRLdirect, #data1、ALU第31頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月ALU有兩個輸出:
⑴數(shù)據(jù)經(jīng)過運算后,其結(jié)果又通過內(nèi)部總線送回到累加器中;⑵數(shù)據(jù)運算后產(chǎn)生的標(biāo)志位輸出至程序狀態(tài)字PSW。
第32頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月2.
累加器A一個八位專用寄存器,簡稱ACC或A寄存器。主要功能:累加器A存放操作數(shù),是ALU單元的輸入之一,也是ALU運算結(jié)果的暫存單元。第33頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月3.B寄存器
B寄存器在乘法和除法指令中作為ALU的輸入之一。
乘法中,ALU的兩個輸入分別為A、B,運算結(jié)果存放在AB寄存器中。其中:A中放積的低8位,B中放積的高8位。除法中,被除數(shù)取自A,除數(shù)取自B,商數(shù)存放于A,余數(shù)存放于B。
第34頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月
4.程序狀態(tài)字PSW
是一個8位寄存器,其內(nèi)容的主要部分是算術(shù)邏輯運算單元(ALU)的輸出。CYACF0RS1RS0OV-P其中:PSW.1(保留位)、RS1和RS0、用戶標(biāo)志F0可用軟件設(shè)定;奇偶校驗位P、溢出標(biāo)志位OV、輔助進位標(biāo)志位AC及進位標(biāo)志位CY都是ALU運算結(jié)果的直接輸出。
第35頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月
P(PSW.0)-奇偶標(biāo)志位。
用以表示累加器A中1的個數(shù)的奇偶性:若累加器值為1的位數(shù)是奇數(shù),P置位(奇校驗);否則P清除(偶校驗)。第36頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月OV(PSW.2)-溢出標(biāo)志位。若以Ci表示位i向位i+l有進位,則OV=C6⊕C7;當(dāng)位6向位7有進位(借位)而位7不向CY進位(借位)時;或當(dāng)位7向C進位(借位)而位6不向位7進位(借位)時,OV標(biāo)志置位,表示帶符號數(shù)運算時運算結(jié)果是錯誤的;否則,清除OV標(biāo)志,運算個結(jié)果正確。第37頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月
對于MUL乘法,當(dāng)A、B兩個乘數(shù)的積超過255時OV置位;否則,OV=0。因此,若OV=0時,只需從A寄存器中取積;若OV=1時,則需從B、A寄存器對中取積。對于DIV除法,若除數(shù)為0時,OV=1;否則,OV=0。
第38頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月
RS1、RS0(PSW.4、PSW.3)-工作寄存器組選擇位
用于設(shè)定當(dāng)前工作寄存器的組號。工作寄存器共有四組,其對應(yīng)關(guān)系見表2–1
第39頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月
AC(PSW.6)-輔助進位標(biāo)志位。
當(dāng)進行加法或減法運算時,若低4位向高4位數(shù)發(fā)生進位或借位時AC將被硬件置位;否則,被清除。
在十進制調(diào)整指令DA中要用到AC標(biāo)志位狀態(tài)。第40頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月
CY(PSW.7)-進位標(biāo)志位。
在進行算術(shù)運算時,可以被硬件置位或清除,以表示運算結(jié)果中高位是否有進位或借位。在布爾處理機中CY被認為是位累加器C。
F0(PSW.5)-用戶標(biāo)志位。
開機時該位為“0”。用戶可根據(jù)需要,通過位操作指令置“l(fā)”或者清“0”。第41頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月時鐘電路用于產(chǎn)生單片微機工作所需要的時鐘信號,而時序所研究的是指令執(zhí)行中各信號之間的相互關(guān)系。2.3.3時鐘電路及CPU的工作時序
第42頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月
1.
時鐘電路
在80C51內(nèi)帶有時鐘電路,只需要在片外通過XTALI和XTAL2引腳接入定時控制元件(晶體振蕩器和電容),即可構(gòu)成一個穩(wěn)定的自激振蕩器。80C51的時鐘電路如圖2–6所示。第43頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月
內(nèi)部時鐘發(fā)生器
內(nèi)部時鐘發(fā)生器實質(zhì)上是一個2分頻的觸發(fā)器。其輸入由振蕩器引入的,輸出為兩個節(jié)拍的時鐘信號。輸出的前半周期,節(jié)拍1(P1)信號有效;后半周期,節(jié)拍2(P2)信號有效。每個輸出周期為一個計算機CPU的狀態(tài)周期,即時鐘發(fā)生器的輸出為狀態(tài)時鐘。每個狀態(tài)周期內(nèi)包括一個P1節(jié)拍和一個P2節(jié)拍,形成CPU內(nèi)的基本定時時鐘。
第44頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月
ALE信號
一般地說,狀態(tài)時鐘經(jīng)過3分頻之后,產(chǎn)生ALE引腳上的信號輸出。
第45頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月2﹒時序定時單位
80C51的時序定時單位共有4個:節(jié)拍、狀態(tài)、機器周期和指令周期。(1)節(jié)拍P(振蕩周期)振蕩脈沖的周期稱為節(jié)拍。(2)
狀態(tài)S(時鐘周期)一個狀態(tài)S包含兩個節(jié)拍,其前半周期對應(yīng)的節(jié)拍叫P1,后半周期對應(yīng)的節(jié)拍叫P2(3)
機器周期完成一個基本操作所需要的時間。第46頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月(3)
機器周期完成一個基本操作所需要的時間。機器周期是單片微機的最小時間單位。
當(dāng)振蕩脈沖頻率為12MHZ時,一個機器周期為lμS;當(dāng)振蕩脈沖頻率為6MHZ時,一個機器周期為2μS。第47頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月(4)
指令周期
執(zhí)行一條指令所需要的時間稱為指令周期。80C51的指令周期根據(jù)指令的不同,可包含有一、二、三、四個機器周期。第48頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月牢牢記?。?/p>
振蕩周期=晶振頻率fosc的倒數(shù);狀態(tài)時鐘=晶振頻率的二分頻 1個機器周期=6個狀態(tài)周期 1個機器周期=12個振蕩周期; 1個指令周期=1、2、3、4個機器周期第49頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月3.80C51指令時序
80C51共有111條指令,全部指令按其長度可分為單字節(jié)指令、雙字節(jié)指令和三字節(jié)指令。
第50頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月
單片微機的存儲器有兩種基本結(jié)構(gòu):
普林斯頓(Princeton)結(jié)構(gòu):通用微機計算機
哈佛(Harvard)結(jié)構(gòu):Intel的MCS-51和80C51系列單片微機。
圖2–9為80C51單片微機存儲器映象圖。
2.4存儲器結(jié)構(gòu)和地址空間第51頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月
在物理上設(shè)有4個存儲器空間
·程序存儲器: 片內(nèi)程序存儲器; 片外程序存儲器。
·數(shù)據(jù)存儲器: 片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲器;
片外數(shù)據(jù)存儲器。第52頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月
在邏輯上設(shè)有3個存儲器地址空間
·片內(nèi)、片外統(tǒng)一的64KB程序存儲器地址空間;·片內(nèi)256(80C52為384)B數(shù)據(jù)存儲器地址空間;·片外64KB的數(shù)據(jù)存儲器地址空間。 在訪問這3個不同的邏輯空間時,應(yīng)選用不同形式的指令。
第53頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月
片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲器空間,在物理上又包含兩部分:
對于80C51型單片微機,從0~127B為片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲器空間;從128~255B為特殊功能寄存器(SFR)空間(僅占用20多個字節(jié))。對于80C52型單片微機,從0~127B為片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲器空間;從128~255B共128個字節(jié)是數(shù)據(jù)存儲器和特殊功能寄存器地址重疊空間。
第54頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月80C51有三種基本的尋址空間:
·64KB的片內(nèi)、外程序存儲器尋址空間;·64KB的片外數(shù)據(jù)存儲器尋址空間;·256(或384)B的片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲器尋址空間,其中包括特殊功能寄存器尋址空間。
第55頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月
用于存放經(jīng)調(diào)試正確的應(yīng)用程序和表格之類的固定常數(shù)。由于采用16位的程序計數(shù)器PC和16位的地址總線,因而其可擴展的地址空間為64KB。
2.4.l程序存儲器第56頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月⒈整個程序存儲器可以分為片內(nèi)和片外兩部分EA引腳接高電平時,程序從片內(nèi)程序存儲器0000H開始執(zhí)行,即訪問片內(nèi)存儲器;當(dāng)PC值超出片內(nèi)ROM容量時,會自動轉(zhuǎn)向片外程序存儲器空間執(zhí)行。EA引腳接低電平時,迫使系統(tǒng)全部執(zhí)行片外程序存儲器0000H開始存放的程序。注意:對于片內(nèi)無ROM的80C31/80C32單片機,應(yīng)將EA引腳固定接低電平,以迫使系統(tǒng)全部執(zhí)行片外程序存儲器程序。第57頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月EA=1(VCC5V),PC值大于某值(由容量決定)為訪問外部程序存貯器;PC值小于某值為訪問內(nèi)部程序存貯器。EA=0(VSS地),內(nèi)部程序存貯器被忽略。第58頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月⒉程序存儲器的某些單元被保留用于特定的程序入口地址
由于系統(tǒng)復(fù)位后的PC地址為0000H,故系統(tǒng)從0000H單元開始取指,執(zhí)行程序。從0003H~002DH單元被保留用于6個中斷源的中斷服務(wù)程序的入口地址。第59頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月以下7個特定地址被保留:
復(fù)位 0000H外部中斷0 0003H計時器T0溢出 000BH外部中斷1 0013H計時器T1溢出 001BH串行口中斷 0023H計時器T2/T2EX 002BH在程序設(shè)計時,通常在這些中斷入口處設(shè)置無條件轉(zhuǎn)移指令,使之轉(zhuǎn)向?qū)?yīng)的中斷服務(wù)程序段處執(zhí)行。第60頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月⒊片內(nèi)程序存儲器為只讀存儲器ROM
存儲器的類型有:掩膜ROM、OTP(一次性編程)ROM和MTP(多次編程)ROM(包括EPROM及E2PROM等)。第61頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月用來存放隨機數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)存儲器:片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲器(internaldatamemory)和片外數(shù)據(jù)存儲器(externaldatamemory)兩部分。
片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲器地址只有8位,因而最大尋址范圍為256個字節(jié)。
片外數(shù)據(jù)存儲器的地址指針DPTR,是16位的寄存器,可外擴64KB的數(shù)據(jù)存儲器。2.4.2內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲器
第62頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月
片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲器在物理上又分成兩個獨立的功能不同的區(qū):
·片內(nèi)數(shù)據(jù)RAM區(qū):對80C51,為地址空間的低128B;對80C52,為地址空間的0~255B。
·特殊功能寄存器SFR區(qū):地址空間的高128B。注意:對于80C52,高128B的RAM區(qū)和SFR區(qū)的地址空間是重疊的。究竟訪問哪一個區(qū)是通過不同的尋址方式來加以區(qū)別,即訪問高128BRAM區(qū)時,選用間接尋址方式;訪問SFR區(qū),則應(yīng)選用直接尋址方式。圖2-10為片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲器的地址空間分布圖。第63頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月⒈片內(nèi)數(shù)據(jù)RAM區(qū)
⑴工作寄存器區(qū):用寄存器直接尋址的區(qū)域,指令的數(shù)量最多,均為單周期指令,執(zhí)行的速度最快。從圖2–10中可知,其中片內(nèi)數(shù)據(jù)RAM區(qū)的0~31(00H~1FH),共32個單元,是4個通用工作寄存器組(表2–l),每個組包含8個8位寄存器,編號為R0~R7。
第64頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月在某一時刻,只能選用一個寄存器組使用。其選擇是通過軟件對程序狀態(tài)字(PSW)中的RS0、RS1兩位的設(shè)置來實現(xiàn)的。設(shè)置RS0、RS1時,可以對PSW字節(jié)尋址,也可以位尋址方式,間接或直接修改RS0、RS1的內(nèi)容。第65頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月
⑵位尋址區(qū):
從片內(nèi)數(shù)據(jù)RAM區(qū)的32-47(20H-2FH)的16個字節(jié)單元,共包含128位,是可位尋址的RAM區(qū)。這16個字節(jié)單元,既可進行字節(jié)尋址,又可位尋址。字節(jié)地址與位地址之間的關(guān)系見表2–2。第66頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月
⑶
字節(jié)尋址區(qū):從片內(nèi)數(shù)據(jù)RAM區(qū)的48~127(30H~7FH),共80個字節(jié)單元,可以采用直接字節(jié)尋址的方法訪問。對于80C52,還有高128B的數(shù)據(jù)RAM區(qū)。這一區(qū)域只能采用間接字節(jié)尋址的方法訪問。
第67頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月
⑷
堆棧區(qū)及堆棧指示器SP:堆棧是在片內(nèi)數(shù)據(jù)RAM區(qū)中,數(shù)據(jù)先進后出或后進先出的區(qū)域。堆棧指示器SP(stackpointer)存放當(dāng)前的堆棧棧頂?shù)刂?是一個8位寄存器。
堆棧是為子程序調(diào)用和中斷操作而設(shè)立的。其具體功能有兩個:保護斷點和保護現(xiàn)場。第68頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月
80C51的堆棧是向上堆棧,即進棧時SP的內(nèi)容是增加的;出棧時SP的內(nèi)容是減少的。
系統(tǒng)復(fù)位后SP內(nèi)容為07H。通過軟件對SP的內(nèi)容重新定義,使堆棧區(qū)設(shè)定在片內(nèi)數(shù)據(jù)RAM區(qū)中的某一區(qū)域內(nèi),堆棧深度不能超過片內(nèi)RAM空間。第69頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月⒉特殊功能寄存器SFR區(qū)
用以存放相應(yīng)功能部件的控制命令、狀態(tài)或數(shù)據(jù)的區(qū)域。
80C51共定義了21個特殊功能寄存器,其名稱和字節(jié)地址列于表2-3中。在80C52中,共計26個。訪問其它地址無效。注意:字節(jié)地址中低位地址為0H或8H的特殊功能寄存器,除有字節(jié)尋址能力外,還有位尋址能力。這些特殊功能寄存器與位地址的對應(yīng)關(guān)系見表2-4。第70頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月
在外部存放數(shù)據(jù)的區(qū)域,這一區(qū)域只能用寄存器間接尋址的方法訪問,所用的寄存器為DPTR、R1或R0。指令助記符為MOVX。
當(dāng)用R0、R1尋址時,由于R0、R1為8位寄存器,因此最大尋址范圍為256B;當(dāng)用DPTR尋址時,由于DPTR為16位寄存器,因此最大尋址范圍為64KB。2.4.3片外數(shù)據(jù)存儲區(qū)00H7FH80HFFH0000HFFFFH內(nèi)部WRRDSFR外部第71頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月80C51共有四個8位的并行雙向口,分別命名為P0、P1、P2和P3,每個端口皆有八位,計有32根輸入/輸出(I/O)口線。每一位均由鎖存器、輸出驅(qū)動器和輸入緩沖器所組成。P0、P1、P2和P3端口的電路形式不同,其功能也不同。故各口的性質(zhì)和功能也就有了差異。它們之間的異同列于表2-5。2.5并行輸入/輸出端口第72頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月
P0口是一個多功能的8位口,其字節(jié)訪問地址為80H,位訪問地址為80H~87H。2.5.1P0口1、地址/數(shù)據(jù)總線口在訪問外部存儲器時,P0口是一個真正的雙向數(shù)據(jù)口,并分時送出地址的8位和送出(接收)相應(yīng)存儲單元的數(shù)據(jù)。2、I/O口第73頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月圖(a)是P0口的位結(jié)構(gòu)圖,它包括一個輸出鎖存器,兩個三態(tài)緩沖器,一個輸出驅(qū)動電路和一個輸出控制電路。&MUX鎖存器DQCPQ讀鎖存器內(nèi)部總線寫入讀引腳地址/數(shù)據(jù)控制vccP0.x(a)p0口電路邏輯第74頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月
當(dāng)從P0口輸出地址或數(shù)據(jù)時,控制信號應(yīng)為高電平1,模擬轉(zhuǎn)換開關(guān)(MUX)把地址/數(shù)據(jù)信息經(jīng)反相器和下拉場效應(yīng)管接通,同時與門打開。輸出的地址或數(shù)據(jù)既通過與門去驅(qū)動上拉場效應(yīng)管,又通過反相器去驅(qū)動下拉場效應(yīng)管。作地址/數(shù)據(jù)復(fù)用總線用第75頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月例如,若地址/數(shù)據(jù)信息為“0”,該“0”信號一方面通過與門使上拉場效應(yīng)管截止,另一方面經(jīng)反相器使下拉場效應(yīng)管導(dǎo)通,從而使引腳上輸出相應(yīng)的“0”信號,反之,若地址/數(shù)據(jù)信息為“1”,將會使上拉場效應(yīng)管導(dǎo)通而下拉場效應(yīng)管截止,引腳上將出現(xiàn)相應(yīng)的“1”信號。作地址/數(shù)據(jù)復(fù)用總線用第76頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月在CPU向端口輸出數(shù)據(jù)時,對應(yīng)的輸出控制信號應(yīng)為0,模擬轉(zhuǎn)換開關(guān)將把輸出級與鎖存器Q端接通。同時,因與門輸出為0,使上拉場效應(yīng)管處于截止?fàn)顟B(tài),因此輸出級是漏極開路電路。這樣,當(dāng)寫脈沖加在觸發(fā)器時針端CP上時,則與內(nèi)部總線相連的D端數(shù)據(jù)取反后就出現(xiàn)在Q端,再經(jīng)場效應(yīng)管反相,在P0引腳上出現(xiàn)的數(shù)據(jù)正好是內(nèi)部總線的數(shù)據(jù)。
作I/O口使用第77頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月一般P0口的輸出級能驅(qū)動8個LSTTL輸入,但對NMOS輸入而言,P0口做地址/數(shù)據(jù)總線口使用時,不必外加提升電阻。而作一般I/O口使用時,由于輸出驅(qū)動電路工作于開漏狀態(tài),故需外接上拉電阻。第78頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月當(dāng)P0口引腳上輸入數(shù)據(jù),此時上拉FET應(yīng)一直處于截止?fàn)顟B(tài)。引腳上的外部信號即加在下面一個三態(tài)緩沖器的輸入端,又加在下拉FET的漏極,假定在此之前曾輸出鎖存過數(shù)據(jù)0,則FET是導(dǎo)通的,這樣引腳上的電位就始終被鉗位在0電平,使輸入高電平無法讀入。因此作為一般I/O口使用時,P0口是一個準(zhǔn)雙向口,即輸入數(shù)據(jù)時,應(yīng)先向口寫“1”,使兩個FET均截止,然后方可作高阻抗輸入。第79頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月但在P0口連接外部存儲器時,由于訪問外部存儲器期間,CPU會自動向口0的鎖存器寫入0FFH,所以,對用戶而言,P0口用作地址/數(shù)據(jù)總線時,則是一個真正的雙向口。上面所述為數(shù)據(jù)由引腳輸入的情況,稱為“讀引腳”操作。但在有些情況下,例如用一根口線去驅(qū)動一個晶體管的基極,則向此口線寫“1”時,晶體管導(dǎo)通,并把引腳上的電平拉低,這時若從引腳上讀取數(shù)據(jù),會把此數(shù)據(jù)錯讀為0。為了避免錯讀引腳上電平的可能性,單片機中還提供了另一類所謂“讀鎖存器”操作。第80頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月這類操作的特點是:先讀口,隨之可對讀入的數(shù)據(jù)進行修改,然后再寫到端口上。例如執(zhí)行指令ORLP0,A時,則先把P0上的內(nèi)容讀入CPU,然后與A累加器內(nèi)容按位進行邏輯“或”操作,最后把“或”的結(jié)果送回P0口。能使單片機產(chǎn)生這種讀-修改-寫操作的指令,其目的操作數(shù)一般為某I/O口或口的某一位,這些指令是:ANL,ORL,XRL,JBC,CPL,INC,DEC,DJNZ,MOVPX·Y,C,CLRPX·Y和SETBPX·Y等,它們的含義詳見指令系統(tǒng)一章的說明。第81頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月綜上所述,P0口既可作地址/數(shù)據(jù)總線口,這時它是真正的雙向口,也可作通用I/O口,但只是一個準(zhǔn)雙向口。一般情況下,P0口已當(dāng)作地址/數(shù)據(jù)口使用時,就不能再作通用I/O口使用。P2口的位結(jié)構(gòu)如圖(b)所示,它與P0口基本相同,只有輸出部分略有不同,在輸出FET的漏極接有上拉電阻,這種結(jié)構(gòu)不必外接上拉電阻就可驅(qū)動任何MOS輸入電路,且能驅(qū)動四個LSTTL輸入。P2口常用作外部存儲器的高八位地址口。當(dāng)不用作地址口時,P2口亦可作通用I/O口,這時它也是一個準(zhǔn)雙向I/O口。
2.5.2、P2口第82頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月
vccP2X地址(b)p2口電路邏輯MUX鎖存器DQCPQ讀鎖存器內(nèi)部總線寫入讀引腳控制第83頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月(c)p1口電路邏輯鎖存器DQCPQ讀鎖存器內(nèi)部總線寫入讀引腳vccP1XP1口的位結(jié)構(gòu)如圖(c)所示,它與P2口基本相同,只是少了一個轉(zhuǎn)換器(MUX)和一個反相器,且為使邏輯上的一致將鎖存器的Q與輸出FET相連。P1口常用作通用I/O口,它是一個標(biāo)準(zhǔn)的準(zhǔn)雙向口,即作輸入口使用時必須先給鎖存器置1。2.5.3P1口字節(jié)地址:90H,位地址:90H-97H第84頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月2.5.4、P3口P3口是一個雙功能口,第一功能和P2口一樣可作為通用I/O口。P3口工作于第二功能時,各位的定義如下:P3·0RxD(串行輸入通道)P3·1TxD(串行輸出通道)P3·2INT0(外中斷0)P3·3INT1(外中斷1)P3·4T0(定時器0外部輸入)P3·5T1(定時器1外部輸入)P3·6WR(外部數(shù)據(jù)存儲器寫選通)P3.7RD(外部數(shù)據(jù)存儲器讀選通)
第85頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月&鎖存器DQCPQ讀鎖存器內(nèi)部總線寫入讀引腳第二輸出功能(d)p3口電路邏輯第二輸入功能vccP3.x第86頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月
由(d)P3口位結(jié)構(gòu)可以看出,實現(xiàn)第一功能作通用I/O輸出口時,選擇輸出功能端應(yīng)保持高電平,使與非門對鎖存器Q端是暢通的。同理,實現(xiàn)第二功能做專用信號輸出時,則該位的鎖存器應(yīng)置1,使與非門對選擇輸出功能端是暢通的。對輸入而言,無論該位是作通用輸入口還是作第二功能輸入口,其輸出鎖存器和選擇輸出功能端都應(yīng)置1,即使FET截止。
由于所有口鎖存器在上電復(fù)位時均置為1,自然滿足了上述條件,所以用戶不必做任何工作,就可以直接使用P3口的第二功能。至于第一功能,應(yīng)在確信某一引腳第二功能提供的信號不用時,該引腳才可作I/O線使用,使用方法同與一般準(zhǔn)雙向口相同。
第87頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月是一個完整的一位微計算機,它具有自已的CPU、寄存器、I/O、存儲器和指令集。一位機在開關(guān)決策、邏輯電路仿真、和實時控制方面非常有效。
位處理器系統(tǒng)包括以下幾個功能部件:⑴位累加器:借用進位標(biāo)志位CY。在布爾運算中CY是數(shù)據(jù)源之一,又是運算結(jié)果的存放處,位數(shù)據(jù)傳送的中心。根據(jù)CY的狀態(tài)實現(xiàn)程序條件轉(zhuǎn)移:JCrel、JNCrel。2.6布爾(位)處理器第88頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月⑵位尋址的RAM:內(nèi)部RAM位尋址區(qū)中的0~127位(20H~2FH);⑶位尋址的寄存器:特殊功能寄存器(SFR)中的可以位尋址的位。⑷位尋址的I/O口:并行I/O口中的可以位尋址的位(如P1.0)。⑸位操作指令系統(tǒng):位操作指令可實現(xiàn)對位的置位、清0、取反、位狀態(tài)判跳、傳送、位邏輯運算、位輸入/輸出等操作。第89頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月
80C51單片微機共有復(fù)位、程序執(zhí)行、低功耗以及編程和校驗四種工作方式。2.780C51單片微機的工作方式
第90頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月⒈復(fù)位操作
其主要功能是把PC初始化為0000H,使單片微機從0000H單元開始執(zhí)行程序。當(dāng)由于程序運行出錯或操作錯誤使系統(tǒng)處于死鎖狀態(tài)時,為擺脫困境,可以按復(fù)位鍵以重新啟動,也可以通過監(jiān)視定時器來強迫復(fù)位。除PC之外,復(fù)位操作還對其它一些特殊功能寄存器有影響,它們的復(fù)位狀態(tài)見表2–6。復(fù)位操作還對單片微機的個別引腳信號有影響。例如在復(fù)位期間,ALE和PSEN信號變?yōu)闊o效狀態(tài),即ALE=l,PSEN=l。2.7.1復(fù)位方式第91頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月
⒉復(fù)位信號及其產(chǎn)生
⑴復(fù)位信號RST引腳是復(fù)位信號的輸入端。復(fù)位信號是高電平有效,其有效時間應(yīng)持續(xù)24個振蕩周期(即2個機器周期)以上。若使用頻率為6MHz的晶振,則復(fù)位信號應(yīng)持續(xù)4μs以上。產(chǎn)生復(fù)位信號的電路邏輯圖如圖2-15所示。第92頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月整個復(fù)位電路包括芯片內(nèi)、外兩部分。外部電路產(chǎn)生的復(fù)位信號(RST)送施密特觸發(fā)器,再由片內(nèi)復(fù)位電路在每個機器周期的S5P2時刻對施密特觸發(fā)器的輸出進行采樣,然后才能得到內(nèi)部復(fù)位操作所需要的信號。復(fù)位操作有上電自動復(fù)位、按鍵電平復(fù)位和外部脈沖復(fù)位三種方式,示于圖2-16中第93頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月
程序執(zhí)行方式是單片微機的基本工作方式。由于復(fù)位后PC=0000H,因此,程序執(zhí)行總是從0000H開始的。一般在0000H開始的單元中存放一條無條件轉(zhuǎn)移指令,以便跳轉(zhuǎn)到實際主程序的入口去執(zhí)行。比如: ORG 0000H SJMP MAIN ;轉(zhuǎn)主程序
2.7.2程序執(zhí)行方式第94頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月 80C51有兩種低功耗方式,即待機方式和掉電保護方式。待機方式和掉電保護方式時涉及的硬件如圖2-17所示。 待機方式和掉電保護方式都是由電源控制寄存器(PCON)的有關(guān)位來控制的。2.7.3低功耗工作方式第95頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月
其中: SMOD:波特率倍增位,在串行通訊時使用。GF1、GF0:通信標(biāo)志位1、0。PD:掉電方位式,PD=1,則進入掉電方式。 IDL:待機方式位,IDL=1,則進入待機方式。若PD和IDL同時為1,則先激活掉電方式。SMOD
---GF1GF0PDIDL電源控制寄存器格式如下:第96頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月⒈待機(休閑)方式⑶待機(休閑)狀態(tài)退出①產(chǎn)生中斷;②復(fù)位。⑴待機(休閑)方式狀態(tài)圖2-17●片內(nèi)時鐘僅向中斷源提供,其余被阻斷;●
PC、特殊功能寄存器和片內(nèi)RAM狀態(tài)保持不變;●
I/O引腳端口值保持原邏輯值;●
ALE、保持邏輯高電平;●CPU不工作,但中斷功能繼續(xù)存在。⑵待機(休閑)狀態(tài)進入
只要使PCON中IDL位置1。第97頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月⒉掉電保護方式⑶掉電保護狀態(tài)退出⑴掉電保護方式狀態(tài)表2-7●片內(nèi)振蕩器停振,所有功能部件停止工作;●片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)信息保存不變;●
ALE、PSEN為低電平;●
Vcc可降至2V,但不能真正掉電。⑵掉電保護狀態(tài)進入只要使PCON中PD位置1。唯一方法是硬件復(fù)位,復(fù)位后片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)不變,特殊功能寄存器內(nèi)容按復(fù)位狀態(tài)初始化。第98頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月51單片機的8個特殊引腳Vcc,GND:電源端XTAL1,XTAL2:片內(nèi)振蕩電路輸入、輸出端RESET:復(fù)位端正脈沖有效(寬度
8mS)EA/Vpp:尋址外部ROM控制端。低有效片內(nèi)有ROM時應(yīng)當(dāng)接高電平。ALE/PROG:地址鎖存允許控制端。PSEN:選通外部ROM的讀(OE)控制端。低有效
小結(jié)第99頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月51單片機的4個8位的I/O口P0.0—P0.7:8位數(shù)據(jù)口和輸出低8位地址復(fù)用口(復(fù)用時是雙向口;不復(fù)用時也是準(zhǔn)雙向口)P1.0—P1.7:通用I/O口(準(zhǔn)雙向口)P2.0—P2.7:輸出高8位地址(用于尋址時是輸出口;不尋址時是準(zhǔn)雙向口)P3.0—P3.7:具有特定的第二功能(準(zhǔn)雙向口)注意:在不外擴ROM/RAM時,P0~P3均可作通用I/O口使用,而且都是準(zhǔn)雙向I/O口(例如:AT89C51)!小結(jié)第100頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月P3口第二功能表引腳第二功能P3.0RxD:串行口接收數(shù)據(jù)輸入端P3.1TxD:串行口發(fā)送數(shù)據(jù)輸出端P3.2INT0:外部中斷申請輸入端0P3.3INT1:外部中斷申請輸入端1P3.4T0:外部計數(shù)脈沖輸入端0P3.5T1:外部計數(shù)脈沖輸入端1P3.6WR:寫外設(shè)控制信號輸出端P3.7RD:讀外設(shè)控制信號輸出端小結(jié)第101頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月PC與SFR復(fù)位狀態(tài)表寄存器復(fù)位狀態(tài)寄存器復(fù)位狀態(tài)PC0000HTCON00HA00HT2CON00HB00HTH000HPSW00HTL000HSP07HTH100HDPTR0000HTL100HP0-P3FFHSCON00HIPXX000000BSBUFXXHIE0X000000BPCON0XXX0000BTMOD00H
回顧第102頁,課件共134頁,創(chuàng)作于2023年2月89C51單片機存儲器配置片內(nèi)RAM128字節(jié)(00H—7FH);片內(nèi)RAM前32個單元是工作寄存器區(qū)(00H—1FH)片內(nèi)RAM有128個可按位尋址的位,占16個單元。位地址編號為:00H—7FH分布在:20H—2FH單元片內(nèi)21個特殊功能寄存器(SFR)中:地址號能被8整除的SFR中的各位也可按位尋址可尋址片外RAM64K字節(jié)(0000H—FFFFH)可尋址片外ROM64K字節(jié)(0
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