2021中科大材料科學基礎(chǔ)試題

2021年中國科學技術(shù)大學802材料科學基礎(chǔ)試題

1下列物質(zhì)在固體狀態(tài)為非離子化合物的是

AAICI3BPdCI2CNaco3DBaso4

2下列屬于立方晶系的點陣是

AS4BC3hC4vDOh

32個平面相交，夾角為2n/2n,它們的交線性質(zhì)為

A存在對稱中心Bn次軸C存在I垂直于面D

4氧是人類必不可少的物質(zhì)，下列關(guān)于氧氣說法正確的是

A一種穩(wěn)定的三線分子B一種不穩(wěn)定的三線分子

C一種穩(wěn)定的一線分子D一種不穩(wěn)定的一線分子

5下列對稱軸屬于準晶體的是

A一次B三次C五次D七次

6原子做立方堆積，原子量為W,阿伏伽德羅常數(shù)為Na,晶胞體積為V(a3)則該物質(zhì)的密

度是

AW/(Na*a3)B2W/(Na*a3)C3W/(Na*a3)D4W/(Na*a3)

7已知某物質(zhì)在xyz軸方向的線膨脹系數(shù)為ala2a3則其體膨脹系數(shù)為

Aala2a3Bal+a2+a3CalDal平方+a2平方+a3平方

8已知物質(zhì)內(nèi)部存在晶格振動，假設(shè)晶格振動為簡諧運動，則膨脹系數(shù)與振幅A的關(guān)系

A正比于AB正比于A三次方COD無法確定

9半導體內(nèi)部參雜，已知參雜電子濃度為Na本征半導體載流子濃度為ni問空位濃度為

Ani/NaBni*naC平方/NaDNa/ni

10熱容是衡量一個物質(zhì)上升單位溫度所需的能量，分為Cp與Cv請問一般情況下兩者的關(guān)

系

ACp>CvBCp<CvCCp=CvD無法確定

11物質(zhì)的介電常數(shù)與折射率存在一定的關(guān)系它們是

An=EBn平方=ECn=l/EDn=E平方

12熱溫性與物質(zhì)的厚度有關(guān)，如果物質(zhì)的厚度增加則抗熱沖擊斷裂性能

A增大B減少C不變D無法確定

13在一半導體內(nèi)，一段置于高溫下，一段置于低溫下發(fā)現(xiàn)有電勢產(chǎn)生，且高溫段電勢高則

該半導體的導電為

A電子導電B空穴導電C陽離子導電D不能判斷

14氣孔影響物質(zhì)的熱膨脹系數(shù)，氣孔率增大則熱膨脹系數(shù)如何變化

A增大B減少C不變D無法確定

第二題填空

已知下圖為He的三相圖回答下列問題

IB點為哪三相平衡

2C點對應的溫度為5.12k,這個溫度表示He體系^高于這一溫度則He體系如何存

在_______

第三題二元相圖

2純四方ZrO2轉(zhuǎn)變?yōu)閱涡钡南嘧儨囟葹椋坎⒏鶕?jù)熱動力學，指出該相變?yōu)橐患壪嘧冞€是二

級相變？

2根據(jù)相圖能否在參雜Y2O3情況下使ZrO2在室溫下保持四方晶系狀態(tài)，如何可以請寫出其

缺陷方程式？如果不可以請說明理由？

3在ZrO2在體系中的分數(shù)為55%時寫出其相變反應，并且指出反應類型？

第四題三元相圖

1請寫出p點和R點的反應

2請在圖中標出PR和RQ線上的溫度方向？

3請寫出1點析晶過程（包括反應方程反應名稱和最后固態(tài)組成）

第五題簡答題

1請簡述為什么四方晶系不存在底心和面心四方，給出原因

2哪種方法可以區(qū)分晶體Sio2sio2熔體硅膠和硅基玻璃？并寫出它們的結(jié)構(gòu)？

3四方晶胞中，一晶面在xyz軸上的截距為6a2a4a,則其晶面指數(shù)為？

4鐵電體有自發(fā)極化的性質(zhì)，為什么在宏觀狀態(tài)下不顯示？請說明原因和機理?

5肖特基缺陷和弗倫克爾缺陷是什么，已知M2O3（M為金屬離子）請寫出肖特基和弗倫克爾

缺陷的方程式

第六題簡述題

1陶瓷材料的理論斷裂強度與實際斷裂強度相差很大，且隨材料變大強度下降，試問用什么

理論可以解釋上述現(xiàn)象和原因？

2何為壓電性，壓電材料的結(jié)構(gòu)？何為鐵電性，說明壓電體和鐵電體關(guān)系？

3一般人們用多種材料混合制的復合材料，對于兩項材料的復合材料，已知其中一個彈性模

量為E1,另一個為E2前者所占的體積比為VI,后者為V2,請給出總彈性模量的上下限，并

給出上述條件的假設(shè)

4已知Li30cl為反鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，請說明LiOCI離子的周圍異電離子（陽離子周圍的陰離子,

陰離子周圍的陽離子）的配位情況，并說明原因？

計算題

這"已知某合金材料具有透復性能.免該合金制成厚駒處巴p的致密I』

3oo°c條件下，當膜的一例步之條分工笆為湎6另立側(cè)拍真刀

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