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文檔簡(jiǎn)介

第七章程序升溫分析技術(shù)下第1頁(yè),課件共34頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.TPD法應(yīng)用實(shí)例2.1金屬催化劑TPD法是研究金屬催化劑的一種很有效的方法。可以得到有關(guān)金屬催化劑的活性中心性質(zhì)、金屬分散度、合金化、金屬與載體相互作用;結(jié)構(gòu)效應(yīng)和電子配位體效應(yīng)等重要信息。第2頁(yè),課件共34頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.1.1InterruptedTPD法研究金屬催化劑的表面性質(zhì)

金屬催化劑(負(fù)載或非負(fù)載)的表面能量一般不均勻,存在能量分布(即脫附活化能分布)問(wèn)題,下面介紹用InterruptedTPD(ITR-TPD)法求Ed分布。方法的理論基礎(chǔ)仍是WagnerPolanyi的脫附動(dòng)力學(xué)方程,其前提為過(guò)程的控制步驟是脫附過(guò)程。當(dāng)表面均勻(只有一個(gè)規(guī)范TPD峰)時(shí),第3頁(yè),課件共34頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.1.1InterruptedTPD法研究金屬催化劑的表面性質(zhì)對(duì)作圖得到一直線(xiàn),從直線(xiàn)斜率可求出Ed,從截距可求出γ。如果脫附峰是重疊峰或彌散峰,即Ed存在不同強(qiáng)度分布,這時(shí)可用下式來(lái)描述。p(Ed)是脫附活化能的密度分布函數(shù)(DensityDistributionFunctionofActivationEnergy)。下面介紹p(Ed)的實(shí)驗(yàn)測(cè)定方法。第4頁(yè),課件共34頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.1.1.1實(shí)驗(yàn)條件的控制在分析TPD曲線(xiàn)時(shí),一定要排除再吸附、內(nèi)擴(kuò)散等的影響,如前所述可做如下實(shí)驗(yàn)。改變催化劑質(zhì)量W(0.15~0.05g)或載氣流速Fc,如果TPD曲線(xiàn)的Tm不隨W或Fc的改變而改變,表明再吸附現(xiàn)象不存在,否則可通過(guò)減少W、加大Fc來(lái)擺脫再吸附的干擾。改變催化劑的粒度d(0.5~0.25mm)和粉末催化劑做比較,如果兩者的TPD曲線(xiàn)一樣。表明實(shí)驗(yàn)擺脫了內(nèi)擴(kuò)散的干擾,否則要繼續(xù)減小催化劑的粒度。改變升溫速率β,將低β和高β測(cè)得的TPD曲線(xiàn)做比較,如果在低β時(shí)測(cè)得的Ed值和高β時(shí)所得的Ed值一樣,表明實(shí)驗(yàn)已在動(dòng)力學(xué)區(qū)進(jìn)行。第5頁(yè),課件共34頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.1.1.2實(shí)驗(yàn)步驟ITR-TPD示例負(fù)載型Ni催化劑:樣品先升溫到某溫度TO,維持該溫度直到不發(fā)生脫附;降至室溫后,做TPD直到測(cè)得其Tm并至TPD脫附曲線(xiàn)不變。圖1質(zhì)量分?jǐn)?shù)為7%Ni/SiO2上H2的ITR-TPD第6頁(yè),課件共34頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.1.2程序升溫吸附脫附法以含有吸附質(zhì)的惰性氣體(如含體積分?jǐn)?shù)為5%的H2的N2氣)為載氣;從室溫(或更低溫度)開(kāi)始均勻升溫,這時(shí)升溫過(guò)程中將在不同溫度區(qū)發(fā)生吸附脫附過(guò)程,這種方法可稱(chēng)為程序升溫吸附脫附(TPAD);以N2-H2為載氣所得的Pt/Al2O3催化劑的H2-TPAD曲線(xiàn),見(jiàn)圖4。第7頁(yè),課件共34頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.1.2程序升溫吸附脫附法上述H2-TPAD曲線(xiàn)按下面實(shí)驗(yàn)得到,催化劑先用H2還原(Tr=450℃),降至室溫后改通N2氣,并升至550℃時(shí)恒溫30min,以趕走催化劑表面的氫,然后降至室溫;引入氫氣直到吸附達(dá)到平衡,然后改通N2-H2(5%H2),在β=10K/min、Fc=30ml/min條件下做TPAD實(shí)驗(yàn)。升溫開(kāi)始后,在較低溫度區(qū)出現(xiàn)吸附氫的脫附峰,在較高溫度區(qū)出現(xiàn)吸附峰。這顯示催化劑發(fā)生活化吸附H(有兩個(gè)吸附峰,Tmax≈360℃的峰為β峰;Tmax≈460℃的峰為γ峰)。TPAD曲線(xiàn)反映恒壓下催化劑吸附氫速率隨溫度變化的規(guī)律。TPAD曲線(xiàn)實(shí)質(zhì)上是動(dòng)態(tài)的微分吸氫等壓線(xiàn),經(jīng)轉(zhuǎn)換可得動(dòng)態(tài)的積分吸附氫等壓線(xiàn)(即吸氫量與溫度的關(guān)系),見(jiàn)圖5。第8頁(yè),課件共34頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

圖5是根據(jù)TPRD曲線(xiàn)直接轉(zhuǎn)換的,為催化劑的動(dòng)態(tài)的總積分吸附氫等壓線(xiàn)??偽鼩淞堪豢赡嫖綒浜涂赡嫖綒淞?,在惰性氣體為載氣的條件下,可以用脈沖吸附氫的辦法,測(cè)出在不同溫度下的不可逆吸附的量(圖5b),圖5a、圖5b之差則是可逆吸附H的等壓線(xiàn)(圖5c)。TPRD法是研究金屬催化劑表面吸附中心類(lèi)型的好方法,和催化劑反應(yīng)性能進(jìn)行關(guān)聯(lián),即可得到吸附中心和催化劑活性中心之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系。第9頁(yè),課件共34頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.1.2程序升溫吸附脫附法TPD法廣泛用于研究金屬催化劑(含單晶、非負(fù)載多晶的負(fù)載型金屬催化劑)的表面性質(zhì),曾用TPD法和低能電子衍射法相結(jié)合研究Ni單晶表面滲有C后表面能量的變化情況;研究Pt黑時(shí)發(fā)現(xiàn),其表面存在3種不同吸附H中心,對(duì)應(yīng)于Tm1=-20℃,Tm2=90℃,Tm3=300℃以后又發(fā)現(xiàn)其余兩種吸附中心,對(duì)應(yīng)于Tm4=400℃,Tm5=500℃。除Pt;以外其它金屬如Ru、Ni、Co、Rh、Ir、Pd等也存在著多種吸附中心,這些金屬表面存在著復(fù)雜的能量分布,但大體上有兩個(gè)區(qū)域:

一個(gè)是和低覆蓋度時(shí)對(duì)應(yīng)的高能量區(qū)(Ed>83.68kJ/mol),H2吸附在這個(gè)區(qū)域時(shí)發(fā)生解離吸附(即脫附級(jí)數(shù)n=2);另一個(gè)區(qū)域是覆蓋度大于0.3時(shí)的低能量區(qū)(Ed<83.68kJ/mol),在這個(gè)區(qū)脫附級(jí)數(shù)等于1。TPD法還能有效研究合金催化劑表面性質(zhì),它不僅可以得到合金中金屬組分之間的相互作用的信息,也可以得到金屬集團(tuán)大小和表面組成的信息。第10頁(yè),課件共34頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.1.2程序升溫吸附脫附法說(shuō)明:CO在Pt、Pt3Sn和PtSn上的TPD曲線(xiàn)Pt和Sn形成合金后,TPD峰向低溫方向位移,Sn的含量增加后,高溫峰消失。該現(xiàn)象表明,Pt和Sn之間產(chǎn)生了電子配位體效應(yīng),Sn削弱了Pt吸附CO的性能。從TPD曲線(xiàn)下面積的變化表明,Sn對(duì)Pt還能起稀釋作用并于表面富集,由于表面上Pt量減少,使Pt吸CO量也減少,這是Sn對(duì)Pt表現(xiàn)出來(lái)的集團(tuán)效應(yīng)。根據(jù)Pt-Sn合金吸附CO量,可以推算合金表面的組成。如果合金中的惰性成分對(duì)活性金屬不起電子配位體效應(yīng),TPD曲線(xiàn)的變化情況將與上述不同。由于吸附分子之間的相互排斥作用,用TPD法應(yīng)該得到Ed隨覆蓋度增加而變小,即Tm,隨的增加而變小的信息。反之,Tm,隨的減少而變大。第11頁(yè),課件共34頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.2酸性催化劑日本催化學(xué)會(huì)甚至認(rèn)為NH3-TPD可作為表征分子篩的標(biāo)準(zhǔn)方法。TPD法表征酸性催化劑常用的吸附物為NH3吡啶、正丁胺等。酸性催化劑中分子篩類(lèi)催化劑應(yīng)用最廣,分子篩具有比較規(guī)整的孔道,表面酸性分布比較均勻,所以TPD法的研究效果很好第12頁(yè),課件共34頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.2.1分子篩類(lèi)這里介紹的是以NH3為吸附質(zhì),從TPD曲線(xiàn)測(cè)定分子篩的酸量、酸強(qiáng)度和酸強(qiáng)度分布的方法。實(shí)驗(yàn)條件:樣品量0.1g;活化條件:在真空中,在773K下加熱1h;NH3吸附條件:373K,13.3Kpa,30min;脫除過(guò)剩的NH3:373K,30min;載氣流量和壓力:60cm3/min,13.3Kpa,即真正的流量為8.0×10-6m3/s(在13.3kPa壓力下);樣品池壓力(13.3kPa,β=10K/min,得373~873K的TPD圖(見(jiàn)圖7),圖中r=n(Na)/n(Al)。第13頁(yè),課件共34頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

說(shuō)明:對(duì)NaMOR(r=1的鈉型絲光沸石)只有一個(gè)TPD峰(低溫峰);H-MOR(r=0.04氫型絲光沸石),有兩個(gè)TPD峰,即低溫峰(L)和高溫峰(H),低溫峰一般被認(rèn)為是和由于分子篩中的H鍵引起的弱吸附NH3相對(duì)應(yīng),所以它不是酸中心,高溫峰才是和酸中心對(duì)應(yīng)的。第14頁(yè),課件共34頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.2.2.1單點(diǎn)法測(cè)定酸強(qiáng)度其中Ao酸中心的濃度A0對(duì)TPD曲線(xiàn)的影響說(shuō)明:A0值分別為a:0.2,b:0.4,c:0.6,d:0.8,e:1.0,f:1.2mol/kg。隨著A0增加,TPD的最高峰向高溫方向位移。

第15頁(yè),課件共34頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

考察對(duì)TPD曲線(xiàn)的影響說(shuō)明:值分別為a:120,b:130,c:140,d:150,e:160kJ/mol

隨著Hd增加,TPD的最高峰向高溫方向位移。第16頁(yè),課件共34頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.2.2Al2O3

以NH3為吸附質(zhì)Al2O3的TPD圖,雖然因Al2O3制備方法不同呈現(xiàn)不同的TPD圖,但其表現(xiàn)為峰形彌散又相互重疊則是共同的特點(diǎn)。這說(shuō)明Al2O3表面酸性強(qiáng)度分布很不均勻。從定性來(lái)說(shuō),低溫脫附峰(Tm≈298~73K)相應(yīng)于弱酸中心,中溫峰(Tm≈473~673K)相應(yīng)于中等酸中心,高溫峰(Tm>673K)相應(yīng)于強(qiáng)酸中心。為了得到定量或半定量的酸強(qiáng)度分布數(shù)據(jù),Delmon等提出所謂分段計(jì)算脫附峰法,即把NH3全程脫附曲線(xiàn)分成若干溫度段(圖12),每段相隔50K,例如<373K為第一段,以下依次各段為373~423K,423~473K…每一段溫度區(qū)有相應(yīng)的脫附峰面積,將其換算成NH3脫附量(即酸量,mmol/g),作酸量對(duì)脫附溫度圖,此圖即為酸強(qiáng)度分布圖(圖13)。第17頁(yè),課件共34頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.3氧化物2.3.1氧化物催化劑的TPDA類(lèi)氧化物在823K以下沒(méi)有氧脫附,B類(lèi)脫附少量氧,C類(lèi)脫附極少氧。在823K以下,B、C類(lèi)氧化物脫附的氧只相當(dāng)于百分之幾的覆蓋度,因此推測(cè)吸附中心為表面氧空穴。實(shí)驗(yàn)證明,A類(lèi)氧化物為選擇氧化催化劑,B類(lèi)為烯烴完全氧化催化劑,C類(lèi)即介于A(yíng)類(lèi)和B類(lèi)之間,兼有選擇氧化和完全氧化的性能。第18頁(yè),課件共34頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

第19頁(yè),課件共34頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.3.2還原NO的氧化物催化劑的TPD第20頁(yè),課件共34頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.3.2還原NO的氧化物催化劑的TPD說(shuō)明:LaxCeyFeO3、LaxCeySrzFeO3和LaxSrzFeO3的NO-TPD圖。NO的吸附條件:在500℃下通入0.5%混合氣20min,然后降溫至室溫。La0.5Ce0.5FeO3只有兩個(gè)TPD峰:一個(gè)低溫峰(Tm=75℃),另一個(gè)為帶肩峰的大面積的高溫峰,Tm=410℃(圖14a)。當(dāng)Ce被Sr取代,T<250℃的低溫峰顯著增大,而高溫峰變小(圖14b);當(dāng)Sr的取代量繼續(xù)增加,得到了完全不同于a、b的峰(圖14c.),出現(xiàn)了3個(gè)分離的大峰及和第3個(gè)峰成肩峰的高溫峰。第21頁(yè),課件共34頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

出現(xiàn)覆蓋度大于1的結(jié)果,這表明發(fā)生次層晶格氧的擴(kuò)散和脫附O2的脫附量隨Sr取代量的增加單調(diào)上升。第22頁(yè),課件共34頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月3.程序升溫還原TPR發(fā)生還原反應(yīng)的化合物主要是氧化物,在還原過(guò)程中,金屬離子從高價(jià)態(tài)變成低價(jià)態(tài)直至變成金屬態(tài),對(duì)催化劑最常用的還原劑是H2氣和CO氣。雙金屬組分是否形成合金(或金屬簇)即是人們最關(guān)注的理論問(wèn)題,因?yàn)榇藛?wèn)題乃金屬催化的核心理論問(wèn)題。第23頁(yè),課件共34頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月3.1CuO-NiO/SiO2的TPR研究氧化態(tài)的CuO(0.75%Cu)-NiO(0.25%Ni)/SiO2的TPR表明,Tr=200~220℃為CuO的還原峰,Tr=500℃為NiO的還原峰;而還原后的CuO(0.75%Cu)-NiO(0.25%Ni)/SiO2(此時(shí)已變?yōu)镃uO-NiO/SiO2),通入空氣500℃焙燒后的TPR,只有一個(gè)Tr=200℃的還原峰。這一事實(shí)說(shuō)明還原后Cu、Ni形成了合金。第24頁(yè),課件共34頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月3.2Pt-Re/Al2O3的TPR研究

第25頁(yè),課件共34頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

說(shuō)明:

(1)Pt的存在使Re2O3更易還原;(2)Re含量的增加,TPR峰面積增加。這說(shuō)明Pt和Re有相互作用。

把圖18上所示的催化劑在100℃時(shí)再氧化后作TPD得到圖19的結(jié)果:

(1)ReAl2O3還原溫度降為200~300℃(2)Pt-Al2O3還原后再氧化,再0℃時(shí)j就能被還原;(3)隨著Re含量增加,TPR峰面積增加,還原溫度也逐步升高,Pt-Re形成合金

3.2Pt-Re/Al2O3的TPR研究第26頁(yè),課件共34頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月3.3MoO3、WO3系列催化劑的TPR研究以MoO3為例,MoO3在A(yíng)l2O3表面的狀態(tài)比較復(fù)雜有以四面體配位狀態(tài)存在的單分子分散態(tài),這種MoO3和Al2O3的作用很強(qiáng);有以八面體配位狀態(tài)存在的多層分散態(tài),這種MoO3和Al2O3的作用較弱;還有結(jié)晶態(tài)MoO3。配合其它方法TPR法能對(duì)上述各種狀態(tài)MoO3作出判斷。單分子層分散態(tài)MoO3的還原溫度很高(≈670℃),多層分散態(tài)MoO3還原溫度較低(360~380℃),體相MoO3(即結(jié)晶狀MoO3)還原溫度最高(≈700℃)。第27頁(yè),課件共34頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月4.程序升溫氧化(TPO)

催化劑在使用過(guò)程中,活性逐漸下降,其中原因之一是催化劑表面有積碳生成,TPO法是研究催化劑積碳生成機(jī)理的有效手段。以TPO法研究Pt/Al2O3催化劑積碳機(jī)理為例。積碳后的Pt/Al2O3其TPO圖呈現(xiàn)為兩個(gè)峰,即To1≈440℃,To2≈530℃。當(dāng)把積碳催化劑部分氧化(即氧化第一個(gè)積碳峰)后,催化劑吸附H2的量可恢復(fù)到新鮮催化劑吸附H2量的水平,而且催化劑的活性也基本恢復(fù)。證明這部分積碳發(fā)生在Pt金屬表面,由此也可以推斷高溫氧化C峰相應(yīng)與載體上積碳的氧化。第28頁(yè),課件共34頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月5程序升溫硫化(TPS)

HDS過(guò)程以Mo(W)-Co(Ni)/Al2O3為催化劑。這種催化劑要預(yù)先硫化才有HDS活性。HDS催化劑活性相本質(zhì)的研究一直是理論研究的熱點(diǎn)。TPS以H2S-H2為硫化氣,從室溫開(kāi)始等速升溫,在升溫過(guò)程中催化劑被硫化,用檢測(cè)器(熱導(dǎo)池、四極質(zhì)譜)將隨溫度變化的H2S濃度記錄下來(lái)即得到TPS曲線(xiàn)。研究證明,硫化溫度低的(Ts=400~500K)為HDS的主要活性部位,而硫化溫度高的(Ts=500~600K)MoO3歸屬于體相MoO3,其活性低。第29頁(yè),課件共34頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月6程序升溫表面反應(yīng)(TPSR)

固體表面吸附物和另一種物質(zhì)發(fā)生催化反應(yīng),或吸附物發(fā)生反應(yīng)(如脫氫、氫解、脫氫芳構(gòu)化等)都屬于TPSR的研究對(duì)象。通過(guò)這些研究可以揭示活性中心性質(zhì)和表面反應(yīng)機(jī)理。

Pt/Al2O3催化劑活性中心性質(zhì)的研究-Pt/Al2O3的正庚烷脫氫芳構(gòu)化(DHA)活性中心實(shí)驗(yàn)Pt/Al2O3上預(yù)先吸附正庚烷,然后令其等速升溫,得到如圖20所示的TPSR圖。T=95℃處證明是正庚烷的脫附峰,T=160~260℃處為甲苯峰,T=300℃為苯峰。預(yù)先吸附甲苯、苯,從所得的TPD圖證明甲苯的脫附溫度為110℃,而苯的脫附溫度為120℃。T=160~260℃峰是正庚烷脫氫芳構(gòu)化反應(yīng)中心的特征峰,而T=300℃即為脫烷基反應(yīng)中心的特征峰。

上述結(jié)果也證明了反應(yīng)的控制步驟是表面反應(yīng)。第30頁(yè),課件共34頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

說(shuō)明:A、B、C、D表示在4種Pt表面積不同的催化劑上所得的TPRS圖,從A至D,Pt的表面積依次減小。這是由于預(yù)處理催化劑的溫度依次增高所致,高溫使Pt表面燒結(jié),其活性也隨之降低,特別是使過(guò)強(qiáng)的中心即能進(jìn)

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