標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 42835-2023 半導(dǎo)體集成電路 片上系統(tǒng)(SoC)》是一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，主要針對(duì)片上系統(tǒng)（System on Chip, SoC）的設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)和測(cè)試等環(huán)節(jié)提出了具體的要求與規(guī)范。該標(biāo)準(zhǔn)適用于SoC的設(shè)計(jì)企業(yè)、制造企業(yè)和使用單位，為確保產(chǎn)品質(zhì)量及性能提供了指導(dǎo)依據(jù)。

在設(shè)計(jì)方面，《GB/T 42835-2023》規(guī)定了SoC產(chǎn)品從需求分析到詳細(xì)設(shè)計(jì)各階段應(yīng)遵循的原則與方法，強(qiáng)調(diào)了模塊化設(shè)計(jì)思想的重要性，并對(duì)IP核的選擇與集成給出了建議；同時(shí)要求設(shè)計(jì)過(guò)程中充分考慮功耗管理、安全性和可靠性等因素。

對(duì)于開(kāi)發(fā)流程，《GB/T 42835-2023》明確了從初步規(guī)劃到最終量產(chǎn)整個(gè)周期內(nèi)需要執(zhí)行的關(guān)鍵步驟，包括但不限于驗(yàn)證策略制定、原型制作與調(diào)試、軟件協(xié)同開(kāi)發(fā)等環(huán)節(jié)的操作指南，旨在通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)化流程提高效率并減少錯(cuò)誤發(fā)生幾率。

此外，《GB/T 42835-2023》還特別關(guān)注了SoC產(chǎn)品的質(zhì)量控制問(wèn)題，提出了一系列測(cè)試方法和技術(shù)指標(biāo)，涵蓋功能測(cè)試、性能評(píng)估以及環(huán)境適應(yīng)性等多個(gè)維度，以確保每一片出廠的SoC都能滿足預(yù)期的應(yīng)用需求。

該標(biāo)準(zhǔn)不僅有助于提升國(guó)內(nèi)SoC行業(yè)的技術(shù)水平，也為相關(guān)企業(yè)在國(guó)際市場(chǎng)上競(jìng)爭(zhēng)提供了有力支持。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2023-08-06 頒布
  • 2023-12-01 實(shí)施
?正版授權(quán)
GB/T 42835-2023半導(dǎo)體集成電路片上系統(tǒng)(SoC)_第1頁(yè)
GB/T 42835-2023半導(dǎo)體集成電路片上系統(tǒng)(SoC)_第2頁(yè)
GB/T 42835-2023半導(dǎo)體集成電路片上系統(tǒng)(SoC)_第3頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

ICS31200

CCSL.56

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T42835—2023

半導(dǎo)體集成電路片上系統(tǒng)SoC

()

Semiconductorinteratedcircuits—SstemonchiSoC

gyp()

2023-08-06發(fā)布2023-12-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T42835—2023

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC78)。

本文件起草單位中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院北京智芯微電子科技有限公司北京芯可鑒科技有

:、、

限公司杭州萬(wàn)高科技股份有限公司

、。

本文件主要起草人羅曉羽徐平江鐘明琛趙揚(yáng)邵瑾陳燕寧朱松超王于波張海峰梁路輝

:、、、、、、、、、、

夏軍虎何杰

、。

Ⅰ

GB/T42835—2023

半導(dǎo)體集成電路片上系統(tǒng)SoC

()

1范圍

本文件規(guī)定了片上系統(tǒng)的技術(shù)要求電測(cè)試方法和檢驗(yàn)規(guī)則

(SoC)、。

本文件適用于片上系統(tǒng)的設(shè)計(jì)制造采購(gòu)驗(yàn)收

(SoC)、、、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

包裝儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志

GB/T191

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分外部目檢

GB/T4937.33:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)

GB/T4937.44:(HAST)

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分快速溫度變化雙液槽法

GB/T4937.1111:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分鹽霧

GB/T4937.1313:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分引出端強(qiáng)度引線牢固性

GB/T4937.1414:()

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分通孔安裝器件的耐焊接熱

GB/T4937.1515:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分可焊性

GB/T4937.2121:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分高溫工作壽命

GB/T4937.2323:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分靜電放電敏感度測(cè)試人

GB/T4937.2626:(ESD)

體模型

(HBM)

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分靜電放電敏感度測(cè)試機(jī)

GB/T4937.2727:(ESD)

器模型

(MM)

集成電路術(shù)語(yǔ)

GB/T9178

半導(dǎo)體器件集成電路第部分半導(dǎo)體集成電路分規(guī)范不包括混合電路

GB/T1275011:()

半導(dǎo)體器件集成電路第部分?jǐn)?shù)字集成電路

GB/T17574—19982:

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)靜電放電抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.2—2018

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.4—2018

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分高溫貯存

IEC60749-66:(Semiconductordevices—

Mechanicalandclimatictestmethods—Part6:Storageathightemperature)

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分密封

IEC60749-88:(Semiconductordevices—Me-

chanicalandclimatictestmethods—Part8:Sealing)

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分標(biāo)志耐久性

IEC60749-99:(Semiconductor

devices—Mechanicalandclimatictest

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