2023年通信電子計算機技能考試-平板顯示技術考試考試歷年重點考核試題含答案

2023年通信電子計算機技能考試-平板顯示技術考試考試歷年重點考核試題含答案（圖片大小可自由調整）第1卷一.參考題庫(共50題)1.設計一款4.5英寸，分辨率為960×640的顯示屏，能達到多少ppi？長寬比為4：3的話，像素間距能達到多少？2.簡述pn結的電致發(fā)光的過程。3.簡述TFT制作中的各種薄膜采用的成膜方法。4.簡述聚焦型FED的結構特點和性能優(yōu)點。5.幾種常見的電子發(fā)射是什么？6.簡述LED背光源技術的發(fā)展趨勢。7.描述第一個液晶顯示器采用的顯示原理。8.簡述采用5次光刻的多晶硅薄膜晶體管的工藝流程的難點與特點。9.LED背光源采用的是白光LED，還是RGB三基色LED，哪種更有優(yōu)勢？10.簡述氧化物薄膜晶體管驅動OLED的優(yōu)勢，以及當前的研究熱點？11.簡述PDP顯示面臨的問題？適合應用在哪些領域？12.簡述電流復制型和電流鏡電路的驅動原理。13.試分析如何減少絕緣膜的針孔及工業(yè)上采用的方法。14.簡述采用9次光刻的多晶硅薄膜晶體管的工藝流程技術關鍵。15.簡述TFT-LCD的工作原理。16.簡述電容式觸摸屏的優(yōu)點。17.在一個演出的場合需要使用200英寸以上的顯示器，你選擇哪種顯示器？為什么？選18.簡述底發(fā)射型OLED的優(yōu)點。19.簡述彩色顯示的原理。20.源漏電極很多工廠采用的復層材料Mo/Al/Mo，試分析上下層Mo的作用。21.簡述液晶顯示器的分類及英文縮寫。22.OLED如何實現彩色顯示？23.簡述有機材料的光致發(fā)光的過程。24.簡述MVA技術的顯示原理。25.簡述背溝道刻蝕型結構的優(yōu)缺點。26.簡述LED和OLED電致發(fā)光的發(fā)光原理的區(qū)別。27.簡述鐵電液晶的工作原理。28.描述彩色光的3個基本參量是什么？各是什么含義？29.簡述熱電子發(fā)射和冷發(fā)射的區(qū)別。30.描述無源矩陣的點陣式驅動的原理。31.試分析在背溝道阻擋結構的第二次光刻中，采用了背曝光為什么還要采用一次曝光？直接使用一次曝光不行嗎？32.光度學中有哪幾個主要物理量？它們是如何定義的？各自的單位是什么？33.簡述分子軌道理論。34.簡述柔性顯示面臨的技術瓶頸。35.簡述激光光閥顯示的結構及顯示原理。36.簡述FED與CRT顯示原理的異、同點。37.為什么用限流電阻可改善微尖型FED電子發(fā)射的均勻性和穩(wěn)定性？38.簡述CRT顯示的原理。39.簡述TFT在液晶顯示器中的作用。40.簡述電阻式觸摸屏的工作原理。41.LED主要制作工藝是怎樣的？42.簡述2T1C驅動原理及面臨的問題。43.簡述有源矩陣液晶顯示器的主要組成部件。44.簡述a-Si：HTFT驅動OLED面臨的困難，實現a-Si：HTFT驅動的解決辦法？45.如何降低PDP工作電壓？46.為什么說AC-PDP具有存儲特性？存儲特性對圖象顯示有什么好處？47.簡述自對準結構的優(yōu)點。48.簡述有源矩陣的驅動原理。49.簡述MOSFET的兩個電場。50.非晶硅是哪種半導體，其能帶的特點？第1卷參考答案一.參考題庫1.正確答案:2.正確答案:pn結是在一塊半導體兩側做不同的摻雜，一側摻雜為p型，另一側摻雜為n型，在界面處就構成了pn結，形成空間電荷區(qū)。pn結在正向電壓下，p端加正，n端加負，非平衡少數載流子的電注入，在p側和n側注入少數載流子與多數載流子復合發(fā)光的現象。3.正確答案:柵電極、源漏電極的金屬材料：Al、MoW、AlNd/Mo、AlNd/MoNx、Mo/Al/Mo等采用濺射；像素電極ITO透明氧化物材料采用濺射；柵極絕緣膜SiNx、SiOx采用PECVD；半導體層a-Si：H、歐姆接觸層n+a-Si材料采用PECVD；保護膜（鈍化膜）SiNx材料采用PECVD。4.正確答案:三極型FED中.發(fā)射電子的橫向速度很大，幾乎和縱向速度可以比擬。橫向速度導致電子發(fā)散角大，到達陽極后的束斑很大，限制了顯示器分辨率的提高。為了達到一定的分辨率，只有采用鄰近聚焦的方法，即將陽極靠近發(fā)射極。普通的FED中陰極和陽極間距在200-300m之間。為了防止電擊穿，陽極電壓往往在500V以下，因此只能采用低壓熒光粉。由于低壓熒光粉性能遠遠低下高壓熒光粉，低壓FED的顯示性能很不理想。 當陰極電壓超過5000V時，可以采用中高壓焚光粉，其亮度效率和色度都可以達到理想的效果。要解決電擊穿問題，陰陽極間距需要加大到2mm以上。這么大的極間距，電子束發(fā)散問題將非常嚴重，分辨率會明顯降低。聚焦FED是解決高電壓工作的一種可行結構，除了引出電子的柵極外，增加電子聚焦柵極，減小電子束的發(fā)散度，實現高陽極電壓工作。結構主要有豎直同軸聚焦型和共面聚焦型。5.正確答案:所謂電子發(fā)射是指電子從陰極逸出進入真空或其它氣體媒質中的過程。 表面勢壘：克服阻礙其逸出物體表面的力。 電子發(fā)射按照其獲得外加能量的方式，即電子的受激發(fā)方式分為以下四種：熱電子發(fā)射，光電子發(fā)射，次級電子發(fā)射及場致電子發(fā)射。 1.熱電子發(fā)射：增加發(fā)射體內部電子的能量使其獲得超過表面勢壘的能量的電子發(fā)射 2.光電子發(fā)射：即外光電效應，電子靠光輻射吸收光量子能量而逸出物體產生的發(fā)射； 3.次級電子發(fā)射：界外獲得能量的電子穿入物體內部，把能量傳遞給物體內部的電子，使之逸出的發(fā)射方式； 4.場致電子發(fā)射：也稱冷發(fā)射，在物體表面外加電場降低表面勢壘而得到的電子發(fā)射。6.正確答案:1）減少LED背光源顆粒； 2）廉價直下式LED背光源。7.正確答案:動態(tài)散射效應顯示原理：在液晶材料上施加電場，外加電場直接對液晶分子作用，使液晶分子長軸按照電場相應地排列，如n型液晶垂直電場方向有序排列；液晶中微量雜質的帶電粒子受電場作用后分別向兩極移動，使離子所過之處液晶分子受到離子沖擊而轉動，破壞液晶分子的有序排列；電場繼續(xù)增加，液晶分子處于不斷搖擺狀態(tài)，發(fā)生紊亂，造成液晶屏各部分折射率分布的不均勻。有光通過液晶屏，入射光會被散射掉。8.正確答案:5次光刻分別為源漏電極、有源島、柵極、過孔、ITO像素電極。 第一次光刻在玻璃基板上沉積一層基層薄膜，濺射源漏金屬層，光刻出源漏電極及信號線。第二次光刻用PECVD方法連續(xù)沉積介質層、非晶硅層，利用高溫環(huán)境去氫處理，再激光晶化轉變成多晶硅薄膜。光刻出有源島圖形。第三次光刻先用PECVD方法沉積絕緣膜，相當于第二層介質層。再用濺射柵極金屬層，光刻出柵極及掃描線。利用柵極掩膜遮擋離子注入形成源區(qū)和漏區(qū)。 第四次光刻用PECVD方法沉積鈍化層，相當于第三層介質層，保護TFT。光刻形成需要的孔，讓下面金屬曝露出來及形成相應的連接?？子袃煞N：第一種是需要連續(xù)刻蝕第三層介質層、第二層介質層、第一層介質層，露出源漏金屬層；第二種是刻蝕第三層介質層，露出柵極金屬層。 第五次光刻形成像素電極。并且用像素電極與多晶硅的源區(qū)和漏區(qū)接觸，與源漏電極相連。 存儲電容為傳統(tǒng)結構，由柵極金屬層和像素電極ITO，中間夾著第三介質層構成。9.正確答案:白色光LED背光源采用能發(fā)出白色光的LED光源代替原來的CCFL熒光管。結構與CCFL背光源基本一致，主要差別是CCFL是線光源，而LED是點光源。優(yōu)點是：結構簡單、亮度可動態(tài)調節(jié)、容易實現區(qū)域控制、對比度很高。由于白光LED不涉及背光源的調光，在電路結構方面要求不高。在成本上比RGB-LED背光源低。缺點是：在色彩顯示特性方面上不如RGB-LED電視，一般只能達到NTSC色域的70%左右。 RGB-LED背光源的優(yōu)點是： 1）高色彩表現力。采用RGB三原色獨立發(fā)光器件，能實現廣色域； 2）高動態(tài)對比度。RGB-LED電視可以支持背光區(qū)域調光技術，亮度調節(jié)更容易實現，對比度能夠達到千萬：1級，提高了電視的圖像質量。RGB-LED背光源的缺點是：成本高；需要單獨的調光電路和更好的散熱結構；結構復雜，難以做到輕薄化。 從性能上比RGB三基色LED更有優(yōu)勢，從成本上比白光LED更有優(yōu)勢。10.正確答案:優(yōu)點是載流子遷移率為10cm2/Vs左右，閾值電壓的變化與LTPS相當，可以采用濺射方法制作，不受基板尺寸限制，對現在的TFTLCD生產線不需要較大改動。 研究熱點在于：1）由于載流子有氧空位，制造過程和工作狀態(tài)下易受到影響，TFT特性穩(wěn)定性和工藝重復性差，成為量產前急需解決的一個關鍵技術難題。通過在成膜后施加熱處理，有望改善； 2）在相同體系中其他半導體材料的研發(fā)，減少貴金屬材料的使用，降低材料成本； 3）更為便宜的制造工藝的研發(fā)，如涂布和噴印技術。11.正確答案:面臨的問題：1）PDP顯示器中，存在等離子體對熒光粉的燒傷問題； 2）PDP顯示器中為防止像素間的放電干擾，必須采用障壁結構； 3）PDP的等離子體是在高壓下產生的，某些像素要獲得高亮度還需要更高的瞬時功率，成本高； 4）PDP顯示器的單元像素變小時，發(fā)光效率會降低，亮度也會下降。PDP的發(fā)光效率較CRT明顯低很多。 應用：只適用于比較大、清晰度較低的顯示器。12.正確答案:電流復制型驅動原理可以分為兩步信號電流寫入和復制發(fā)光兩步，以p溝道TFT為例。信號電流寫入階段，信號線輸入信號電流，同時要將驅動管T4流過的信號電流相應的柵源電壓VGS，存儲在儲存電容里；重新復制一樣或成比例的電流流過OLED發(fā)光。電流鏡驅動原理也是分為兩個過程，信號電流寫入、復制發(fā)光。13.正確答案:一般采用多層薄膜疊加的柵絕緣膜，還有許多采用連續(xù)生長的辦法。還有在兩層絕緣膜之間加清洗的方法。14.正確答案:1）第一次光刻有源島； 2）第二次光刻柵極； 3）第三次光刻n-區(qū)和n+區(qū)摻雜； 4）第四次光刻p+區(qū)摻雜； 5）第五次光刻過孔及第六次光刻源漏電極； 6）第七次光刻金屬M3層和第八次光刻過孔 7）第九次光刻像素電極。 技術關鍵是第三次光刻采用SiNx等材料作為溝道保護層，而在頂柵結構中用柵極圖形自對準掩膜部分阻擋摻雜。首先利用涂膠曝光顯影后形成光刻膠的圖形。光刻膠的圖形覆蓋n溝道TFT的溝道區(qū)域和Los區(qū)、驅動部分p溝道TFT的有源島區(qū)域。用磷烷（PH3）通過離子摻雜（或離子注入）摻入磷P，除光刻膠覆蓋區(qū)域外形成了磷摻雜區(qū)域，摻雜濃度為1017~1018cm-3，為輕摻雜的電子導電的n-區(qū)。去膠后用柵極做掩膜，再進行磷摻雜。有源島的Los區(qū)域輕摻雜了磷，而有源島的源區(qū)和漏區(qū)第二次摻雜磷后，形成重摻雜區(qū)，摻雜濃度變?yōu)?020~1021cm-3。有源島形成了三種狀態(tài)，重摻雜的電子導電區(qū)n+區(qū)、部分輕摻雜的n-區(qū)和未摻雜的多晶硅溝道區(qū)。輕摻雜的n-區(qū)主要用于形成LDD結構的Los區(qū)。重摻雜的n+區(qū)主要用于作n溝道TFT的源區(qū)和漏區(qū)。15.正確答案:TFT液晶顯示器是普通TN型工作方式。在下基板上要光刻出行掃描和列尋址線，構成一個矩陣，在其交點上制作出TFT有源器件和像素電極。同一行中與各像素串連的場效應管（FET）的柵極是連在一起的。而信號電極Y將同一行中各FET的漏極連在一起。而FET的源極則與液晶的像素電極相連。為了增加液晶像素的馳豫時間，還對液晶像素并聯(lián)上一個合適電容。 當掃描到某一行時，掃描脈沖使該行上的全部FET導通。同時各列將信號電壓施加到液晶像素上，即對并聯(lián)電容器充電。這一行掃描過后，各FET處于開路狀態(tài)，不管以后列上信號如何變化，對未掃描行上的像素都無影響，即信號電壓可在液晶上保持接近一幀時間，使占空比達到百分之百，而與掃描行數無關。16.正確答案:1）操作新奇，電容式觸摸屏支持多點觸控，操作更加直觀、更具趣味性； 2）不易誤觸，電容式觸摸屏只感應人體的電流，只有人才能進行操作，其他物體碰觸時不會有反應，避免了放在包內或兜內等誤觸的可能。 3）耐用度高，電容式觸摸屏結構設計較好，可以有效防止塵埃、污漬對計算觸點位置的影響，在防塵、防水、耐磨等方面更耐用。17.正確答案:擇發(fā)光二極管顯示器。因為發(fā)光二極管顯示器是采用無數個小發(fā)光二極管拼接組成的顯示器。不受組裝數量的限制，適合于大型、戶外顯。18.正確答案:優(yōu)點是： 1）陰極可以采用蒸鍍的金屬電極，器件性能好； 2）工藝簡單，比較容易產業(yè)化。19.正確答案:液晶顯示器利用紅、綠、藍三色彩膜的加法混色法獲得各種色彩。背光源的白光射入液晶層，通過不同程度地控制每個像素上液晶分子的扭曲，照射到彩膜上紅、綠、藍三基色染料的光不同程度地通過，形成不同顏色的光在人眼混合形成彩色圖像。20.正確答案:1）下層Mo的作用：Al直接與a-Si接觸很容易向a-Si擴散使漏電流增大，影響TFT的關態(tài)特性，所以在Al層下面要增加一層Mo。 2）上層Mo的作用：Al容易產生小丘，表面粗超度不好，且Al與上面層ITO直接接觸，容易還原ITO材料，降低ITO的電阻率，引起接觸不良，因此要在Al的上面增加一層Mo。21.正確答案:液晶顯示器主要分為無源矩陣和有源矩陣液晶顯示器。無源矩陣液晶顯示器又包括TN、STN、HTN、FSTN、ECB、鐵電液晶、Ch-N相轉變模式等液晶顯示器。有源矩陣液晶顯示器又包括二端子和三端子器件兩類。二端子器件有MIM、MSI（SiNx硅氧化膜）、DR、BTB二極管、Pin二極管/（a-Si）等。三端子器件主要有MOSFET和TFT，TFT有非晶硅a-SiTFT、多晶硅p-SiTFT、氧化物ZnOTFT、化合物CdSeTFT，CdSTFT、有機TFT（OTFT）等。 22.正確答案:23.正確答案:有機材料在光的激發(fā)下，入射光的能量與分子軌道的某個能級差一致時，有機材料吸收入射光的能量，使基態(tài)電子激發(fā)到更高的激發(fā)態(tài)能級上去，形成電子和空穴對，產生激子。激子可以輻射復合和非輻射復合退激發(fā)會到基態(tài)。當吸收入射光能量產生的激子以輻射復合發(fā)出光的形式釋放能量的過程稱為光致發(fā)光，可以產生熒光和磷光的輻射復合，還有一部分能量以熱的形式釋放的非輻射復合。24.正確答案:不加電壓下，液晶分子在液晶屏內并不是全部垂直基板排列。在垂直取向的作用下，一部分垂直基板排列，一部分垂直于凸起物排列，在交界處液晶分子會偏向某一個角度；上下偏振片光軸垂直，從一個偏振片通過的偏振光，穿過液晶層，到另一個偏振片后與光軸垂直，不透光呈黑態(tài)。 當加電壓后，n型液晶分子在電場下要垂直電場排列，但由于垂直取向的作用，使得液晶分子在液晶屏內傾斜排列，并趨向于水平。光可以通過各層，由于雙折射產生干涉，透光呈白態(tài)。在視覺觀察下，MVA技術上下基板交錯的三角棱狀的凸起物，共同作用下兩個疇的液晶分子排列更加整齊有序，利用這種不同指向的液晶分子長軸方向來實現光學補償。25.正確答案:優(yōu)點是光刻次數少，材料成本低，工藝節(jié)拍短；缺點是刻蝕選擇比小，a-Si：H層相應要做得厚些，一般為1500~2000?，工藝難度大，厚度控制要求嚴格。26.正確答案:發(fā)光原理的區(qū)別是： 1）LED常采用pn結和異質結結構。OLED是單層或多層薄膜結構； 2）LED用能帶模型解釋發(fā)光過程。OLED用激子模型解釋發(fā)光過程； 3）LED電注入的電子和空穴是自由載流子，直接復合發(fā)光。 激子的束縛能小于0.1eV，在室溫下的影響可以忽略。OLED電注入的電子和空穴形成激子，激子的結合能約0.4~1eV，接近帶隙的數量級，激子復合而發(fā)光。27.正確答案:當對鐵電液晶的液晶屏加上直流電壓時，自發(fā)極化的偶極矩與電場相互作用，使液晶分子自極化方向指向電場方向，螺距變長。當電場超過一定值時，螺旋結構消失。當電場方向反向時，分子的極化方向也反向，液晶分子相對于層面法線的傾斜角也從θ變成-θ，即在基板面內變化了角度2θ。在E＜-Ec時，通過下偏振片的光，通過鐵電液晶層，到上偏振片，與上偏振片光軸垂直，不能透光為暗態(tài)；當E＞+Ec時，通過下偏振片的光，通過鐵電液晶層，剛好扭曲了2θ，與上偏振片光軸幾乎平常，光透過為亮態(tài)。28.正確答案:色調是指在物體反射的光線中以哪種波長占優(yōu)勢來決定的，不同波長產生不同顏色的感覺。色調是彩色最重要的特征，它決定了顏色本質的基本特征。 顏色的飽和度是指一個顏色的鮮明程度。飽和度是顏色色調的表現程度，它取決于表面反射光的波長范圍的狹窄性（即純度）。在物體反射光的組成中，白色光越少，則它的色彩飽和度越大。 明度是指刺激物的強度作用于眼睛所發(fā)生的效應，它的大小是由物體反射系數來決定的，反射系數越大，則物體的明度越大，反之越小。明度是人眼直接感受到的物體明亮程度，可描寫人眼主觀亮度感覺。29.正確答案:熱電子發(fā)射是利用加熱物體提供能量使電子從物體表面逸出的過程。當物體溫度升高，電子的無序熱運動能量隨之增大。升高到一定程度，電子克服體內的束縛力從物體表面逸出，發(fā)射出來進入真空。 冷陰極發(fā)射是一種場致電子發(fā)射的過程，又稱自發(fā)射。當物體表面電場加強，不需要加熱，陰極體內的電子在電場下獲得足夠的能量后，克服體內的束縛力，利用隧道效應從表面發(fā)射出來進入真空。30.正確答案:1）行電極逐行選通； 2）列電極同時施加時序信號； 3）完成一幀后，重復上述過程。31.正確答案:背曝光是一種自對準的光刻工藝，不需要掩膜版，利用柵線和柵極的金屬圖形做掩膜進行曝光的工藝。柵線、柵極、存儲電容等有金屬薄膜的地方上面的光刻膠都沒有曝光，其他沒有遮擋的地方都被背曝光的紫外光照到，光刻膠的性質發(fā)生改變。需要再用一次曝光，利用掩膜版掩膜把柵線和存儲電容上面的光刻膠被一次曝光的紫外光照射到，留下阻擋層圖像。 為了形成精確對準且能夠恰好在柵極上面的i/sSiNx阻擋層小圖形，采用連續(xù)兩次曝光，先背面曝光再一次曝光相結合的光刻工藝。僅采用一次曝光，對版精度和圖形的大小都要受到限制，工藝難度大。32.正確答案:33.正確答案:分子軌道理論概括為： 1）在分子中的任何電子，可以看成是在組成分子的所有原子核和其余電子所構成的勢場中運動； 2）每一個描述單個電子運動狀態(tài)的波函數就是一個分子軌道，是原子軌道的線性組合，且每個分子軌道對應一個相應的能量； 3）分子軌道中內的電子是離域化的自由電子，但只局限在該分子之內； 4）組成有機材料的多個分子構成了多個能量相近的分子軌道，但彼此之間存在一定能量差。34.正確答案:面臨的技術瓶頸主要有： 1）性能差； 2）壽命低； 3）生產設備不成熟； 4）相關高科技技術還未匹配。35.正確答案:激光光閥顯示由液晶盒、激光尋址組件、光源部分、屏幕四部分組成。?顯示原理可以分為四個過程： 1）激光束尋址，激光器發(fā)出的激光經調制后照射到分束鏡上，聚焦后投射到液晶盒上。 2）液晶分子的光學參數發(fā)生改變。光學參數與附近沒有受到激光照射部分的近晶相不同，被激光投射的部分呈現出液體的光散射狀態(tài)，沒有被激光束投射到的液晶分子仍保持垂直表面取向的透明結構。光源的光透射狀態(tài)不一樣，因此控制激光束的掃描，在整個畫面上形成為穩(wěn)定的光散射部分和光透過部分，顯示出相應的圖像。 3）圖像保持，激光束尋址掃描到下一點時，剛剛掃描的點液晶溫度開始下降，又出現相變過程。在降溫相變過程中，形成了一種光散射的焦錐結構，會一直保持圖像到下一次激光照射掃描，也就是可以保持一幀的畫面，類似有源矩陣液晶顯示器中存儲電容的功能。 4）擦除過程，在液晶盒內的透明電極上施加高于液晶分子閾值電壓的電場，迫使液晶分子恢復到初始的透明狀態(tài)，為圖像的擦除過程。36.正確答案:37.正確答案:場發(fā)射在空間上的均勻性和時間上的穩(wěn)定性方面較差，這是由發(fā)射原理決定的。在場發(fā)射中，為了產生有效發(fā)射，發(fā)射體表面電場非常強，不可能實現完全的空間電荷限制。發(fā)射電流不僅與陽極或柵極電壓有關，而且與發(fā)射體參數有關。微尖場發(fā)射過程中受表面形態(tài)變化、離子轟擊、氣體吸附等多種因素影響，造成發(fā)射電流起伏不定。 如果沒有自動反饋控制，場發(fā)射陰極很難正常工作。提高發(fā)射均勻性和穩(wěn)定性的一個常用方法是增加串聯(lián)電阻，其作用為： （1）限流作用。當個別發(fā)射體發(fā)射過大時，由于電阻的分壓作用使電流受限，從而均衡了各發(fā)射體的發(fā)射能力； （2）當個別發(fā)射微尖與柵極發(fā)射短路時，電阻承受了電壓降，其他微尖仍能正常工作。由于微尖數量極大，個別微尖的損失影響不大。如果沒有串聯(lián)電阻，整個發(fā)射陣列就會失效。38.正確答案:電子槍發(fā)射出電子束，用視頻信號調制電子束流，用電子透鏡的聚集系統(tǒng)來匯聚電子束，在熒光屏上將電子束聚焦。幾經聚焦、調控的電子光束打在熒光粉上時，會產生亮點。通過控制電子束的方向和強度，可產生不同的顏色與亮度。當顯示器接收到由計算機顯示卡或由電視信號發(fā)射器所傳出來的圖像信號時，電子槍會從屏幕的左上角開始向右方掃描，然后由上至下依次掃射下來，如此反復的掃描即可構成人們所看到的影像。39.正確答案:TFT在液晶顯示器中起著開關的作用，器件性能的優(yōu)劣直接影響圖像顯示的質量。40.正確答案:電阻式觸摸屏采用分壓原理在特定方向上測定X坐標和Y坐標，以四線電阻式觸摸屏為例說明工作原理。當手指或觸摸筆觸碰屏幕時，上下兩個透明阻性層因壓力作用在某一點相互接觸，電阻性表面被分隔成兩個電阻。觸摸點坐標的測定分為兩個過程。首先，當在上層電極（X+，X-）上施加電壓，電壓從X+位置處的Vin變化到X-位置處的0V。下層電極（Y+，Y-）不施加電壓，但在觸點處上下層電極接觸而導通，測試下層觸點處的電壓就是觸點處的電壓。根據測試電壓的數值Vout確定觸點的（X+，X-）坐標。觸點處相當于一個分壓器，上下兩個電阻串聯(lián)，上面的電阻R1連接施加的電壓Vin，下面的電阻R2接地。41.正確答案:42.正確答案:驅動原理： 1）當掃描線掃描到某一行，掃描線給開關TFT的柵極加電壓，T1管導通； 2）信號線送入數據信號電壓，經由T1管給驅動TFT柵極加電壓，T2管導通； 3）信號電壓同時給存儲電容充電，把信號存儲在存儲電容中； 4）信號電壓控制T2管導通后，電源線施加一個恒定的電壓，T2管工作在飽和區(qū)，像素處于點亮狀態(tài)。