全譜擬合及從晶體結(jié)構(gòu)測定課件

一、Rietveld全譜擬合--多晶體衍射全譜擬合所謂全譜擬合即是在假設(shè)的晶體結(jié)構(gòu)模型與結(jié)構(gòu)參數(shù)的基礎(chǔ)上，結(jié)合某種峰型函數(shù)來計(jì)算多晶體衍射譜，調(diào)整這些結(jié)構(gòu)參數(shù)與峰型函數(shù)使算得的多晶體衍射譜能與實(shí)驗(yàn)譜相符合，從而獲得結(jié)構(gòu)參數(shù)和峰型參數(shù)的方法。這一逐漸逼近的過程就稱為擬合。一、Rietveld全譜擬合--多晶體衍射全譜擬合1Structuralmodel

Rawdata

RietveldRefinement

RefinedmodelshiftStructuralmodelRawdata2全譜擬合原理1.衍射峰可用函數(shù)模擬（Gik為峰形函數(shù)）2.衍射譜是各衍射峰的疊加全譜擬合原理2.衍射譜是各衍射峰的疊加3根據(jù)結(jié)構(gòu)模型計(jì)算粉末衍射譜Yic。4.改變結(jié)構(gòu)模型（結(jié)構(gòu)參數(shù)），利用非線性最小二乘法時(shí)計(jì)算譜擬合實(shí)測譜。根據(jù)結(jié)構(gòu)模型計(jì)算粉末衍射譜Yic。45.判別因子R

Rp=|Yio-Yic|/Yio

Rwp=[Wi(Yio-Yic)2/WiYio2]1/2

RB=RI=|Iko-Ikc|/Iko

Rexp＝[(N-P)/WiYio2]1/2

GofF＝Wi(Yio-Yic)2/(N-P)＝(Rwp/Rexp)2N為衍射譜上數(shù)據(jù)點(diǎn)的數(shù)目，P為擬合中被精修的參數(shù)數(shù)目。GofF為GoodnessofFitting的縮寫。5.判別因子RN為衍射譜上數(shù)據(jù)點(diǎn)的數(shù)目，P為擬合中被精修的參5結(jié)構(gòu)參數(shù)：其中包括晶胞參數(shù)、各原子位置的占有率、原子的各向同性（或各向異性）溫度因子，還有定標(biāo)因子等。峰型參數(shù)：其中包括峰型參數(shù)、峰寬參數(shù)、不對稱參數(shù)、擇優(yōu)取向參數(shù)、本底參數(shù)、消光校正及零位校正等。二、在結(jié)構(gòu)精修過程中，可變動(dòng)的精修參數(shù)是很多的，概括起來分為兩類：結(jié)構(gòu)參數(shù)：其中包括晶胞參數(shù)、各原子位置的占有率、原子的各向同6三、MaterialStudio軟件中Reflex模塊的作用應(yīng)用晶體結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)的Rietveld精修利用衍射譜從頭晶體結(jié)構(gòu)的測定三、MaterialStudio軟件中Reflex模塊的作7全譜擬合及從晶體結(jié)構(gòu)測定課件8全譜擬合及從晶體結(jié)構(gòu)測定課件9全譜擬合及從晶體結(jié)構(gòu)測定課件10全譜擬合及從晶體結(jié)構(gòu)測定課件11全譜擬合及從晶體結(jié)構(gòu)測定課件12理想的PV峰形是對稱的，但是由于實(shí)驗(yàn)條件的影響，使得實(shí)際得到的峰形是不對稱的，所以要進(jìn)行校正。理想的PV峰形是對稱的，但是由于實(shí)驗(yàn)條件的影響，使得實(shí)際得到13全譜擬合及從晶體結(jié)構(gòu)測定課件14全譜擬合及從晶體結(jié)構(gòu)測定課件15全譜擬合及從晶體結(jié)構(gòu)測定課件16全譜擬合及從晶體結(jié)構(gòu)測定課件17精修步驟（分布精修）：

由于精修的參數(shù)很多，如果一開始就同時(shí)對所有的參數(shù)精修，則參數(shù)改變的途徑會(huì)很多，可能使得到的最小二乘法收斂到偽極小。因此，Rietveld精修總是分布進(jìn)行。先調(diào)整、精修1～2個(gè)參數(shù)，將其它的固定在處之。在最小二乘方極小后，在增加1～2個(gè)參數(shù)，這樣逐步增加，直到全部參數(shù)都被修正。精修步驟（分布精修）：18一般地，先精修的常是定標(biāo)因子和零位校正，接下來是本底參數(shù)和晶胞參數(shù)，其后是原子坐標(biāo)，占有率和各向同性溫度因子，再后是考慮各種線性參數(shù)，如高斯峰寬中的U、V、W，洛侖茲峰寬中的X、Y、