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噸二吃出第5章擴散第5章擴散雜質(zhì)摻雜摻雜:將需要的雜質(zhì)摻入特定的半導(dǎo)體區(qū)域中,以達到改變半導(dǎo)體電學(xué)性質(zhì),形成PN結(jié)、電阻、歐姆接觸≤磷(P)、砷(As)——N型硅≤硼(B)——P型硅摻雜工藝:擴散、離子注入第5章擴散心擴散是微電子工藝中最基本的工藝之是在約1000℃的高溫、p型或n烈雜質(zhì)氣氛中,使雜質(zhì)向襯底磕片的確定區(qū)域內(nèi)擴散,達到一定濃度,實現(xiàn)導(dǎo)體定域、定量摻雜的一種工藝方法,也稱為熱擴散。心目的是通過定域、定量擴散摻條政變半導(dǎo)體號電類型,電阻率,或形成PN結(jié)。DopedRegioninaSiliconWaferDopantgasp*Siliconsubstrate內(nèi)容題要÷5.1擴散機構(gòu)÷52晶體中擴散的基本特點與宏觀動力學(xué)方程÷53雜質(zhì)的擴散摻雜54熱擴散工藝中影響雜質(zhì)分布的其它因素÷55擴散工藝條件與方法÷5.6擴散工藝質(zhì)量與檢測÷57擴散工藝的發(fā)展
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