(優(yōu)選)材料科學(xué)基礎(chǔ)第三章典型晶體結(jié)構(gòu)_第1頁
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文檔簡介

(優(yōu)選)材料科學(xué)基礎(chǔ)第三章典型晶體結(jié)構(gòu)第一頁,共66頁。1)坐標(biāo)法:給出單位晶胞中各質(zhì)點(diǎn)的空間坐標(biāo),這種采用數(shù)值化方式描述晶體結(jié)構(gòu)是最規(guī)范化的。為了方便表示晶胞,還可以采用投影圖,即所有的質(zhì)點(diǎn)在某個(gè)晶面(001)上的投影。2)球體緊密堆積法:與坐標(biāo)法相比,以球體堆積的方法來描述晶體結(jié)構(gòu),則相對直觀,有助于理解。3)配位多面體及連接方式法:適用于結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜的晶體,如硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu),對于結(jié)構(gòu)簡單的晶體,反而不一定適合。晶體結(jié)構(gòu)的描述通常有三種方法:第二頁,共66頁。C60分子圖1、單質(zhì)碳的晶體結(jié)構(gòu)1)富勒烯

富勒烯是碳的一類空間有限的籠狀結(jié)構(gòu)的總稱,也稱為球碳。如C60、C70、C84…..C240等。

C60分子是以什么樣的結(jié)構(gòu)而能穩(wěn)定呢?Kroto等認(rèn)為C60是由60個(gè)碳原子組成的球形32面體,即由12個(gè)五邊形和20個(gè)六邊形組成,只有這樣C60分子才不存在懸鍵。

第三頁,共66頁。

據(jù)報(bào)道,對C60分子進(jìn)行摻雜,使C60分子在其籠內(nèi)或籠外俘獲其它原子或基團(tuán),形成類C60的衍生物,例如C60F60。再如,把K、Cs、Ti等金屬原子摻進(jìn)C60分子的籠內(nèi),就能使其具有超導(dǎo)性能。再有C60H60這些相對分子質(zhì)量很大地碳?xì)浠衔餆嶂禈O高,可做火箭的燃料等等。

應(yīng)用:第四頁,共66頁。2)碳納米管單壁碳納米管的結(jié)構(gòu)示意圖

碳納米管又稱納米碳管(Carbonnanotube,CNT),是單質(zhì)碳的一維結(jié)構(gòu)形式。碳納米管按照石墨烯片的層數(shù)分類可分為:單壁碳納米管(Single-wallednanotubes,SWNTs)和多壁碳納米管(Multi-wallednanotubes,MWNTs)。

第五頁,共66頁。力學(xué)性能:由于碳納米管中碳原子采取SP2雜化,相比SP3雜化,SP2雜化中S軌道成分比較大,使碳納米管具有高模量、高強(qiáng)度。傳熱性能:碳納米管具有良好的傳熱性能,CNTs具有非常大的長徑比,因而其沿著長度方向的熱交換性能很高,相對的其垂直方向的熱交換性能較低,通過合適的取向,碳納米管可以合成高各向異性的熱傳導(dǎo)材料。

第六頁,共66頁。3)金剛石型結(jié)構(gòu)

空間群國際符號(hào):結(jié)構(gòu)特點(diǎn):不能形成封閉的分子,只能構(gòu)成三維空間無限延伸的大分子。晶胞個(gè)中原子數(shù):晶系:基本格子:球體堆積模型金剛石的晶胞圖第七頁,共66頁。晶胞中由幾套等同點(diǎn)?坐標(biāo)法投影圖晶胞在(001)面的投影圖YXZ金剛石的晶胞圖標(biāo)出A、B、C的坐標(biāo)?第八頁,共66頁。這種結(jié)構(gòu)可以看成是由2個(gè)面心立方布拉維格子穿插而成:這2個(gè)面心立方格子(圖中的灰色和紅色點(diǎn))沿體對角線相對位移動(dòng)a/4<111>。在坐標(biāo)為000和坐標(biāo)為1/41/43/4的原子的環(huán)境是不同的,它們不能獨(dú)立抽象為一類等同點(diǎn),這是兩類等同點(diǎn)。最后,它的布拉維格子仍為面心立方格子。第九頁,共66頁。并且堆積方式也類似于fcc點(diǎn)陣,…AA’BB’CC’AA’BB’CC’……。雖然金剛石結(jié)構(gòu)屬于fcc的結(jié)構(gòu),但它的堆積致密度卻很低,只有0.34。最近鄰原子中心距離是a[111]/4,所以原子半徑一個(gè)晶胞有8個(gè)原子,故結(jié)構(gòu)的致密度η為:第十頁,共66頁。與金剛石屬于同一種類型結(jié)構(gòu)的物質(zhì):硅、鍺、灰錫、人工合成立方氮化硼等。性能及用途:硬度、熔點(diǎn)高;導(dǎo)熱性好;半導(dǎo)體性能。因此,金剛石常被用作高硬切割材料和磨料以及鉆井用鉆頭、集成電路中散熱片和高溫半導(dǎo)體材料。第十一頁,共66頁。立方金剛石:絕大多數(shù)天然和人工合成得到的。六方金剛石:介穩(wěn)的晶體,已在隕石中找到,也可將石墨加壓到13GPa,溫度超過4000K時(shí)制得。對比結(jié)構(gòu),有什么不同?第十二頁,共66頁。晶胞中有幾個(gè)原子?4)石墨型結(jié)構(gòu)六方晶系六方原始格子

石墨晶體結(jié)構(gòu)(虛線范圍為單位晶胞)

第十三頁,共66頁。在晶胞不同位置的原子由不同數(shù)目的晶胞分享:

頂角原子T

1/8棱上原子T

1/4面上原子T

1/2晶胞內(nèi)部T

1第十四頁,共66頁。石墨的結(jié)構(gòu)特征:C原子成層狀排列,每一層中C原子排列成六方環(huán)狀,每個(gè)C原子與周圍3個(gè)C原子成共價(jià)鍵結(jié)合,層中C原子的距離為0.142nm,層與層之間依靠分子鍵結(jié)合,層間距為0.335nm。同結(jié)構(gòu)類型的物質(zhì):人工合成六方氮化硼思考:為什么介于C-C單鍵和C=C雙鍵之間?第十五頁,共66頁。1、層間作用力較弱,層間易于滑動(dòng),層平行的方向有完整的解離性,所以很軟,是良好的固體潤滑劑,是制作鉛筆的好材料;是石墨形成多種多樣的石墨夾層化合物的內(nèi)部結(jié)構(gòu)根源。2、碳原子有4個(gè)外層電子,在層內(nèi)只有3個(gè)電子參與成鍵,多余一個(gè)電子可以在層內(nèi)移動(dòng),類似于金屬中的自由電子(類金屬鍵),所以在平行于碳原子層的方向有很好的導(dǎo)電性質(zhì),具有金屬光澤。優(yōu)良的導(dǎo)電性,是制作電極的良好材料。石墨的許多物理性質(zhì)與晶體結(jié)構(gòu)密切相關(guān),性能具有鮮明的各向異性:第十六頁,共66頁。

化學(xué)組成相同的物質(zhì),在不同的熱力學(xué)條件下生成不同的晶體結(jié)構(gòu)的現(xiàn)象,稱為同質(zhì)多晶現(xiàn)象。當(dāng)外界條件改變時(shí),各變體之間就要發(fā)生結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變,稱為同質(zhì)多晶轉(zhuǎn)變。

在晶體結(jié)構(gòu)中,原有原子或離子被其性質(zhì)相似的離子或原子代替,但是并沒有引起鍵性、晶體結(jié)構(gòu)的變化,把這種現(xiàn)象稱為類質(zhì)同晶現(xiàn)象。同質(zhì)多晶:類質(zhì)同晶:如方解石CaCO3和菱鎂礦MgCO3共生成白云石[(Ca,Mg)CO3]。第十七頁,共66頁。2.NaCl型結(jié)構(gòu)(ABtype)

等軸晶系;空間群符號(hào):晶胞分子數(shù)(正負(fù)離子個(gè)數(shù))Z為點(diǎn)群:第十八頁,共66頁。正負(fù)離子配位數(shù):第十九頁,共66頁。

以體積較大的Cl-作立方緊密堆積

Na+如何填充?

空隙如何分布?

堆積及間隙情況:第二十頁,共66頁。

NaCl型結(jié)構(gòu)可以想象為2套等同點(diǎn)構(gòu)成的fcc點(diǎn)陣互相穿插,每套等同點(diǎn)由一種離子構(gòu)成,每套等同點(diǎn)占據(jù)另一套等同點(diǎn)的八面體間隙位置。思考題:為什么晶胞中原子數(shù)不同都屬于一個(gè)空間格子?等同點(diǎn)的分布:第二十一頁,共66頁。表示方法:坐標(biāo)法或投影圖球體緊密堆積法第二十二頁,共66頁。配位多面體及其連接方式:鈉離子的配位數(shù)為6,構(gòu)成了Na-Cl八面體。NaCl結(jié)構(gòu)就是由Na-Cl八面體共棱的方式相連而成的。

NaCl型結(jié)構(gòu)在三維方向上鍵力分布比較均勻,因此其結(jié)構(gòu)無明顯解理(晶體沿某個(gè)晶面劈裂的現(xiàn)象稱為解理),破碎后顆粒呈現(xiàn)多面體形狀。

第二十三頁,共66頁。

類似于NaCl型晶體結(jié)構(gòu)的晶體較多,只是晶胞參數(shù)不同而已。常見的NaCl型晶體都是堿土金屬氧化物和過渡金屬的二價(jià)氧化物?;瘜W(xué)式可寫為MO,其中M2+是二價(jià)金屬離子,結(jié)構(gòu)中M2+和O2-分別占據(jù)了NaCl中鈉離子和氯離子的位置。這些氧化物有很高的熔點(diǎn),尤其是MgO(礦物名稱方鎂石),其熔點(diǎn)高達(dá)2800℃左右,是堿性耐火材料鎂磚中的主要晶相。

第二十四頁,共66頁。例3-2.以氯化鈉為例,說明它的結(jié)構(gòu)符合Pauling規(guī)則。(rNa+=0.102nm,rcl-=0.181nm)答:NaCl的結(jié)構(gòu)如圖,這是一個(gè)以面心立方點(diǎn)陣為基礎(chǔ)的結(jié)構(gòu),Cl-離子占據(jù)點(diǎn)陣的結(jié)點(diǎn),Na+離子則位于其八面體空隙中?,F(xiàn)在來驗(yàn)證這個(gè)結(jié)構(gòu)是否符合Pauling規(guī)則。由正負(fù)離子半徑比rNa+/rcl-

≈0.54,在0.414-0.732區(qū)間,由Pauling規(guī)則可知,負(fù)離子多面體應(yīng)為八面體。顯然,這是符合圖示的結(jié)構(gòu)的,因?yàn)镹a+離子正是位于Cl-離子的八面體間隙中。另外,再按第二規(guī)則來確定Cl-離子的配位數(shù)CN-。S=1/6,Z-=1,CN-=6,即每個(gè)Cl-離子同時(shí)與6個(gè)Na+離子形成離子鍵。這也符合NaCl的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)。第二十五頁,共66頁。3.CsCl型結(jié)構(gòu)(ABtype)

<111>晶向方向相切點(diǎn)群:晶胞中分子數(shù):空間群符號(hào):等軸晶系;同型結(jié)構(gòu)的晶體:CsBr,CsI,NH4Cl等結(jié)構(gòu)特點(diǎn)第二十六頁,共66頁。配位數(shù):等同點(diǎn):第二十七頁,共66頁。例3-3.銫與氯的離子半徑分別為0.167nm,0.181nm,試求其和η?已知:Cs,Cl的相對原子質(zhì)量分別是132.90543,35.5討論:CsCL是一個(gè)離子化合物,對這類計(jì)算,應(yīng)使用離子半徑而不能使用原子半徑。思考:氯化鈉中晶體常數(shù)與離子半徑的關(guān)系?第二十八頁,共66頁。4.-ZnS(閃鋅礦)型結(jié)構(gòu)(ABtype)

配位數(shù):空間群:晶胞中正負(fù)離子個(gè)數(shù)Z:點(diǎn)群:第二十九頁,共66頁。以體積較大的S2-作立方緊密堆積

Zn2+如何填充?空隙如何分布?

堆積及間隙情況:第三十頁,共66頁。共有2套等同點(diǎn)。這種結(jié)構(gòu)可以看作是Zn離子處在由S離子組成的面心立方點(diǎn)陣的4個(gè)四面體間隙中,即有一半四面體間隙被占據(jù),上層和下層的Zn離子的位置交叉錯(cuò)開。等同點(diǎn)分布:第三十一頁,共66頁。表示方法:球體堆積法;坐標(biāo)法;投影圖;配位多面體連接方式第三十二頁,共66頁。與金剛石晶胞的對比,有什么不同?同型結(jié)構(gòu)的晶體β-SiC,GaAs,AlP等第三十三頁,共66頁。5、-ZnS(纖鋅礦)型結(jié)構(gòu)(ABtype)

六方晶系,簡單六方格子配位數(shù):晶胞中正負(fù)離子個(gè)數(shù)S堆積及空隙情況同型結(jié)構(gòu)的晶體:BeO,ZnO,AlN等第三十四頁,共66頁。

4套等同點(diǎn)。這種結(jié)構(gòu)可想象為Zn及S各自構(gòu)成密排六方格子,這兩個(gè)格子個(gè)沿c軸錯(cuò)開3c/8。即每個(gè)點(diǎn)陣占據(jù)另一點(diǎn)陣的四面體間隙位置。它仍為六方原始格子。等同點(diǎn):第三十五頁,共66頁。纖鋅礦結(jié)構(gòu)與熱釋電性及聲電效應(yīng):某些纖鋅礦型結(jié)構(gòu),由于其結(jié)構(gòu)中無對稱中心存在,使得晶體具有熱釋電性,可產(chǎn)生聲電效應(yīng)。熱釋電性是指某些像六方ZnS晶體,由于加熱使整個(gè)晶體溫度變化,結(jié)果在與晶體C軸平行方向的一端出現(xiàn)正電荷,在相反的一端出現(xiàn)負(fù)電荷的性質(zhì)。晶體的熱釋電性與晶體內(nèi)部的自發(fā)極化有關(guān)。實(shí)際上,這種晶體在常溫常壓下就存在自發(fā)極化,只是這種效應(yīng)被附著于晶體表面的自由表面電荷所掩蓋,只有當(dāng)晶體加熱時(shí)才表現(xiàn)出來,故得其名。熱釋電晶體可以用來作紅外探測器。第三十六頁,共66頁。小結(jié)

CsCl和NaCl是典型的離子晶體符合Pauling規(guī)則。第三十七頁,共66頁。

ZnS晶體不是完全離子鍵,向共價(jià)鍵過渡

Zn2+18個(gè)外層電子,極化力高,S2-極化率較高較明顯的離子極化,改變了正、負(fù)離子之間的距離和鍵性但尚未引起晶體結(jié)構(gòu)類型的根本改變。第三十八頁,共66頁。

ZnO晶體結(jié)構(gòu)中Zn2+的配位數(shù)應(yīng)該為6,本應(yīng)屬于NaCl型結(jié)構(gòu)。實(shí)際上,由于離子極化的結(jié)果,r+/r-值下降,配位數(shù)和鍵性都發(fā)生了變化

Zn2+的配位數(shù)為4,結(jié)構(gòu)類型與理論預(yù)期的結(jié)構(gòu)不同充分體現(xiàn)了極化性能對晶體結(jié)構(gòu)的影響。

第三十九頁,共66頁。

6.CaF2(螢石)型結(jié)構(gòu)立方晶系;面心立方格子配位數(shù):晶胞中正負(fù)離子個(gè)數(shù)空間群:(AB2type)點(diǎn)群:第四十頁,共66頁。CaF2晶體結(jié)構(gòu)

堆積及空隙分布:

第四十一頁,共66頁。結(jié)構(gòu)特點(diǎn):

8個(gè)F-之間形成“空洞”,結(jié)構(gòu)比較開放形成負(fù)離子填隙負(fù)離子擴(kuò)散螢石型結(jié)構(gòu)負(fù)離子填隙和擴(kuò)散是主要機(jī)制第四十二頁,共66頁。共有三套等同點(diǎn)。這種結(jié)構(gòu)可以看作是兩套F離子處在由Ca離子組成的面心立方格子的四面體間隙中。等同點(diǎn):第四十三頁,共66頁。表示方法:球體堆積法;坐標(biāo)法;投影圖;配位多面體相連的方法。第四十四頁,共66頁。螢石結(jié)構(gòu)的解理性:在﹛111﹜面上存在著相互毗鄰的同號(hào)負(fù)離子層,因靜電斥力導(dǎo)致晶體平行于﹛111﹜方向發(fā)生解理,故螢石常呈八面體解理。常見螢石型結(jié)構(gòu)的晶體是一些四價(jià)離子M4+的氧化物MO2,如ThO2,CeO2,UO2,ZrO2(變形較大)等。立方ZrO2屬螢石型結(jié)構(gòu):常被用作測氧傳感器探頭、固體氧化物燃料電池中的電解質(zhì)材料等,被稱作固體快離子導(dǎo)體,就是因?yàn)閆rO2晶體中具有氧離子擴(kuò)散傳導(dǎo)的機(jī)制。

反螢石型結(jié)構(gòu):在螢石型結(jié)構(gòu)中正、負(fù)離子位置全部互換,并沒有改變結(jié)構(gòu)形式,只是正、負(fù)離子位置對調(diào)。如Na2O結(jié)構(gòu)-性能關(guān)系:CaF2熔點(diǎn)較低,用作助熔劑/作晶核劑。質(zhì)點(diǎn)間鍵力較NaCl強(qiáng)硬度稍高(莫氏4級(jí)),熔點(diǎn)1410C,在水中溶解度小。第四十五頁,共66頁。7.TiO2(金紅石)型結(jié)構(gòu)(AB2type)

四方晶系,簡單四方點(diǎn)陣金紅石晶體結(jié)構(gòu)

3種晶型:金紅石;板鈦礦;銳鈦礦。金紅石是穩(wěn)定型結(jié)構(gòu)

點(diǎn)群:空間群:第四十六頁,共66頁。結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及堆積空隙分布:

O2-離子看成近似于六方緊密堆積,而Ti4+離子位于1/2八面體空隙中,金紅石結(jié)構(gòu)由Ti-O八面體以共棱的方式排成鏈狀,晶胞中心的鏈和四角的Ti-O八面體鏈的排列方向相差90°。鏈與鏈之間是Ti-O八面體以共頂相連。沿C軸延伸的柱狀或針狀及平行延伸方向解離。第四十七頁,共66頁。第四十八頁,共66頁。等同點(diǎn):

第四十九頁,共66頁。結(jié)構(gòu)與性質(zhì)光學(xué)性質(zhì):很高的折射率(2.76)制備高折射率玻璃,是光學(xué)玻璃的原料。電學(xué)性質(zhì):高的介電系數(shù)金紅石是一種陶瓷電容器瓷料中的主晶相

同類結(jié)構(gòu)晶體:GeO2、SnO2、PbO2、MnO2、MoO2、NbO2、WO2、CoO2、MnF2和MgF2

第五十頁,共66頁。例3-4金紅石結(jié)構(gòu)為四方晶系,Ti4+和O2-的離子半徑分別為61pm和140pm(1pm=0.001nm),電負(fù)性分別為1.54和3.44,請問:1)該結(jié)構(gòu)屬于哪種結(jié)構(gòu),鈦氧之間是哪種化學(xué)鍵?2)鈦和氧的配位數(shù)各是多少,是否合理?3)用靜電價(jià)規(guī)則判斷結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。4)鈦填充的是氧堆積的哪種空隙,占結(jié)構(gòu)中這種空隙總量的多少?5)畫出鈦氧配位多面體。(北工大2005考研題)第五十一頁,共66頁。8.CdI2(碘化鎘)型結(jié)構(gòu)(AB2type)三方晶系配位數(shù)結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

同類結(jié)構(gòu)晶體:Ca(OH)2、Mg(OH)2

、CaI2、MgI2固體潤滑劑

第五十二頁,共66頁。9.-Al2O3(剛玉)型結(jié)構(gòu)(A2B3type)

三方晶系O2-作六方緊密堆積排列(ABAB二層重復(fù)型)Al3+填充于2/3八面體空隙配位數(shù)堆積情況及空隙情況第五十三頁,共66頁。Al3+分布3種形式:AlDAlEAlF按順序排列,滿足Al3+之間距離最遠(yuǎn)的條件

Al3+的分布規(guī)律:原則——從Pauling規(guī)則出發(fā),在同一層和層與層之間,Al3+之間的距離應(yīng)保持最遠(yuǎn),宏觀上呈現(xiàn)均勻分布,以減少Al3+之間的靜電斥力,有利于結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性。

第五十四頁,共66頁。將上述12層排列看成一個(gè)單元,則其重復(fù)就構(gòu)成了-Al2O3晶體結(jié)構(gòu)。

考慮O2-排列2種方式:OA和OB-Al2O3晶體中O2-與Al3+的排列次序如下:OAAlDOBAlEOAAlFOBAlDOAAlEOBAlF

第五十五頁,共66頁。結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

硬度高(莫氏9級(jí))熔點(diǎn)高達(dá)2050C力學(xué)性能頗佳同類型結(jié)構(gòu):-Fe2O3、Cr2O3、Ti2O3、V2O3

應(yīng)用

耐火材料電子裝置瓷磨料磨具耐高溫瓷件/結(jié)構(gòu)件在現(xiàn)代機(jī)械工業(yè)、化工工業(yè)和電子工業(yè)中,氧化鋁作為先進(jìn)陶瓷也是廣為應(yīng)用。

第五十六頁,共66頁。10.CaTiO3(鈣鈦礦)型結(jié)構(gòu)(ABO3type)

鈣鈦礦的晶體結(jié)構(gòu)復(fù)合氧化物結(jié)構(gòu)晶系:高溫/立方晶系;低溫/正交晶系A(chǔ)是二價(jià)(或一價(jià))金屬離子;B是四價(jià)(或五價(jià))金屬離子。簡單立方格子空間群:點(diǎn)群:第五十七頁,共66頁。鈣鈦礦的晶體結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)特點(diǎn):視作由O2-和半徑較大的Ca2+共同組成立方緊密堆積(面心結(jié)構(gòu)),Ti4+填充在位于體心的V8中。緊密堆積及空隙情況:以Ca2+和O2作面心立方緊密堆積,形成4個(gè)V8和8個(gè)V4,Ti4+填入1/4的V8中,剩余3/4的V8和全部V4是空著。晶胞分子數(shù)質(zhì)點(diǎn)的空間坐標(biāo):第五十八頁,共66頁。[TiO]八面體連接配位數(shù)情況:第五十九頁,

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