高三化學(xué)期末考試試題及答案

高三化學(xué)期末考試試題

可能用到的相對原子質(zhì)量：H1C12016Na23cl35.5Fe56

一、選擇題：本題共10小題，每小題3分，共30分。每小題只有一個(gè)選項(xiàng)符合題目要求。

1.實(shí)驗(yàn)室中下列做法錯(cuò)誤的是（）［單選題］*

A.用冷水貯存白磷

B.用濃硫酸干燥二氧化硫V

C.用酒精燈直接加熱蒸發(fā)皿

D.用二氧化碳滅火器撲滅金屬鉀的燃燒

2.下列敘述不涉及氧化還原反應(yīng)的是（）［單選題］*

A.谷物發(fā)酵釀造食醋

B.小蘇打用作食品膨松劑

C.含氯消毒劑用于環(huán)境消毒V

D.大氣中NO2參與酸雨形成

3.短周期主族元素X、Y、Z、W的原子序數(shù)依次增大，基態(tài)X原子的電子總數(shù)是其最高能級(jí)電子數(shù)

的2倍，Z可與X形成淡黃色化合物Z2X2,Y、W最外層電子數(shù)相同。下列說法正確的是（）［單選題］*

A.第一電離能：W>X>Y>Z

B.簡單離子的還原性：Y>X>W

C.簡單離子的半徑：W>X>Y>Z

D.氧化物水溶液的酸性：Y>WV

4.下列關(guān)于C、Si及其化合物結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的論述錯(cuò)誤的是（）［單選題］*

A.鍵能C—C>Si—Si,C—H>Si—H,因此C2H6穩(wěn)定性大于Si2H6

B.立方型SiC是與金剛石成鍵、結(jié)構(gòu)均相似的共價(jià)晶體，因此具有很高的硬度V

C.SiH4中Si的化合價(jià)為+4,CH4中C的化合價(jià)為-4,因此SiH4還原性小于CH4

D.Si原子間難形成雙鍵而C原子間可以，是因?yàn)镾i的原子半徑大于C,難形成p-pn鍵

［單選題］*

A.用甲裝置制備并收集C02

B.用乙裝置制備漠苯并驗(yàn)證有HBr產(chǎn)生

C.用丙裝置制備無水MgCI2

D.用丁裝置在鐵上鍍銅V

6.從中草藥中提取的calebinA（結(jié)構(gòu)簡式如下）可用于治療阿爾茨海默癥。

［單選題］*

A.可與FeCI3溶液發(fā)生顯色反應(yīng)

B.其酸性水解的產(chǎn)物均可與Na2CO3溶液反應(yīng)

C.苯環(huán)上氫原子發(fā)生氯代時(shí)，一氯代物有6種V

D.lmol該分子最多與8molH2發(fā)生加成反應(yīng)

7.B3N3H6（無機(jī)苯）的結(jié)構(gòu)與苯類似，也有大n鍵。下列關(guān)于B3N3H6的說法錯(cuò)誤的是（）［單選

A.其熔點(diǎn)主要取決于所含化學(xué)鍵的鍵能

B.形成大n鍵的電子全部由N提供

C.分子中B和N的雜化方式相同。

D.分子中所有原子共平面

8.實(shí)驗(yàn)室分離Fe3+和AI3+的流程如下：

濃鹽酸乙醍水

已知Fe3+在濃鹽酸中生成黃色配離子［FeCI4］-,該配離子在乙酸（Et20,沸點(diǎn)34.6℃）中生成締合物

Et2O-H+-［FeCI4］-0下列說法錯(cuò)誤的是（）［單選題］*

A.萃取振蕩時(shí)，分液漏斗下口應(yīng)傾斜向下V

B.分液時(shí)，應(yīng)先將下層液體由分液漏斗下口放出

C.分液后水相為無色，說明已達(dá)到分離目的

D.蒸儲(chǔ)時(shí)選用直形冷凝管

9.以菱鎂礦（主要成分為MgC03,含少量SiO2/Fe2O3和AI2O3）為原料制備高純鎂砂的工藝流程

如下：

氯化鉞溶液城水

II_____

菱鎂礦輕燒粉一?|浸出|~A沒出液T沉鎂f輒氧化鎂高純鍥砂

▼TI

廢渣顯氣/液

已知浸出時(shí)產(chǎn)生的廢渣中有S02、Fe（0H）3和AI（OH）3o下列說法錯(cuò)誤的是（）［單選題］*

Mg(M2NH4a-Mga2+2NHsT+HjO

A.浸出鎂的反應(yīng)為V

B.浸出和沉鎂的操作均應(yīng)在較高溫度下進(jìn)行

C.流程中可循環(huán)使用的物質(zhì)有NH3、NH4CI

D.分離Mg2+與AI3+、Fe3+是利用了它們氫氧化物Ksp的不同

10.微生物脫鹽電池是一種高效、經(jīng)濟(jì)的能源裝置，利用微生物處理有機(jī)廢水獲得電能，同時(shí)可實(shí)現(xiàn)

海水淡化?，F(xiàn)以NaCI溶液模擬海水，采用惰性電極，用下圖裝置處理有機(jī)廢水（以含CH3COO-的溶液為

例I下列說法錯(cuò)誤的是（）

4

a{sCOO=200,T+7H

A.負(fù)極反應(yīng)為

B.隔膜1為陽離子交換膜，隔膜2為陰離子交換膜V

C.當(dāng)電路中轉(zhuǎn)移lmol電子時(shí)，模擬海水理論上除鹽58.5g

D.電池工作一段時(shí)間后，正、負(fù)極產(chǎn)生氣體的物質(zhì)的量之比為2:1

二、選擇題：本題共5小題，每小題6分，共30分。每小題有一個(gè)或兩個(gè)選項(xiàng)符合題目要求，全部選

對得6分，選對但不全的得3分，有選錯(cuò)的得0分。

11,下列操作不能達(dá)到實(shí)驗(yàn)?zāi)康牡氖牵–）［單選題］*

除去苯中少量的苯酚，操作：加入適量NaOH溶液，振蕩、靜置、分液

證明酸性：碳酸〉苯酚，操作：將鹽酸與NaHC03混合產(chǎn)生的氣體直接通入苯酚鈉溶液

除去堿式滴定管膠管內(nèi)的氣泡，操作：將尖嘴垂直向下，擠壓膠管內(nèi)玻璃球?qū)馀菖懦鯲

配制用于檢驗(yàn)醛基的氫氧化銅懸濁液，操作：向試管中加入2mL10%NaOH溶液，再滴加數(shù)滴

2%CuSO4溶液，振蕩

12.a-富基丙烯酸異丁酯可用作醫(yī)用膠,其結(jié)構(gòu)簡式如下。下列關(guān)于a-氨基丙烯酸異丁酯的說法錯(cuò)誤

的是（）

U［單選題］*

A.其分子式為C8H11NO2

B.分子中的碳原子有3種雜化方式

C.分子中可能共平面的碳原子最多為6個(gè)

D.其任一含苯環(huán)的同分異構(gòu)體中至少有4種不同化學(xué)環(huán)境的氫原子V

13.采用惰性電極，以去離子水和氧氣為原料通過電解法制備雙氧水的裝置如下圖所示。忽略溫度變

化的影響，下列說法錯(cuò)誤的是（）*

2H,。4c=創(chuàng)9TA.陽極劃Z為。

B.電解一段時(shí)間后，陽極室的pH未變

C.電解過程中，H+由a極區(qū)向b極區(qū)遷移

D.電解一段時(shí)間后，a極生成的。2與b極反應(yīng)的02等量V

14.1,3-丁二烯與HBr發(fā)生加成反應(yīng)分兩步：第一步H+進(jìn)攻1,3-丁二烯生成碳正離子

（CHjCH*'CH:）；第二步Br-進(jìn)攻碳正離子完成L2-加成或L4-加成。反應(yīng)進(jìn)程中的能量變化如下圖

所示。已知在0℃和40。（2時(shí)，1,2-加成產(chǎn)物與1,4-加成產(chǎn)物的比例分別為70:30和15:85。下列說法正確

的是()

A.1,4-加成產(chǎn)物比1,2-加成產(chǎn)物穩(wěn)定

B.與0℃相比，4CTC時(shí)1,3-丁二烯的轉(zhuǎn)化率增大V

C.從0℃升至40。(：，1,2-加成正反應(yīng)速率增大，L4-加成正反應(yīng)速率減小V

D.從0T升至4CTC,1,2-加成正反應(yīng)速率的增大程度小于其逆反應(yīng)速率的增大程度

15,25。(2時(shí),某混合溶液中c(d8(?IHc(aiB8(r)=0-l",lgc(CH3coOH)、

lgc(CH3C00-)slgc(H+)和Igc(OH-)隨pH變化的關(guān)系如下圖所示。Ka為CH3C00H的電離常數(shù)，下

列說法正確的是()

c(CH,COOH)=c((n,(xxr)

A.0點(diǎn)時(shí)，

pH=lg區(qū)

B.N點(diǎn)時(shí)，V

C(OI5COOH)=

c.該體系中，V

D.pH由7至1114的變化過程中,CH3c00-的水解程度始終增大

三、非選擇題：本題共2小題，共40分

16.(20分)用軟鎰礦(主要成分為MnO2,含少量Fe3O4、AI2O3)和BaS制備高純MnCO3的工

藝流程如下：

高純碳酸鐳

已知：MnO2是一種兩性氧化物；25℃時(shí)相關(guān)物質(zhì)的Ksp見下表。

物質(zhì)“Fe(OH)>Fe(OH>A1(OH)3“Mn(OH)2.

1X10*3.1x10-386,lx"，1X10T2.7.

回答下列問題：

(1)軟鎰礦預(yù)先粉碎的目的是：MnO2與BaS溶液反應(yīng)轉(zhuǎn)化為MnO的化學(xué)方

程式為。

(2盛寺BaS投料量不變BMnO2與BaS投料比增大5的量達(dá)到最大值后無明顯變化而Ba(0H)2

的量達(dá)到最大值后會(huì)減小，減小的原因是：

(3)濾液I可循環(huán)使用，應(yīng)當(dāng)將其導(dǎo)入到_____________操作中(填操作單元的名稱1

(4)凈化時(shí)需先加入的試劑X為(填化學(xué)式X再使用氨水調(diào)溶液的pH,則pH的理論最小值

為(當(dāng)溶液中某離子濃度c<1.0xlO-5molL-l時(shí)，可認(rèn)為該離子沉淀完全X

(5)碳化過程中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為

［填空題］*

空1答案：增大接觸面積，充分反應(yīng)，增大反應(yīng)速率

空2答案:MnO2+BaS+H2O=Ba(OH)2+MnO+S

空3答案：過量的MnO2消耗了產(chǎn)生的Ba(0H)2

空4答案：蒸發(fā)

空5答案：H2O2

空6答案：4.9

空7答案:Mn2++HCO3+NH3-H2O=MnCO3+NH4++H2O

17.(20分)CdSnAs2是一種高遷移率的新型熱電材料，回答下列問題：

(l)Sn為IVA族元素，單質(zhì)Sn與干燥CI2反應(yīng)生成SnCI4o常溫常壓下SnCI4為無色液體,SnCI4

空間構(gòu)型為其固體的晶體類型為.

(2)NH3、PH3、AsH3的沸點(diǎn)由高到低的順序?yàn)?填化學(xué)式，下同)，還原性由強(qiáng)到弱的順

序?yàn)殒I角由大到小的順序?yàn)?

(3)含有多個(gè)配位原子的配體與同一中心離子(或原子)通過螯合配位成環(huán)而形成的配合物為螯合物。

一種Cd2+配合物的結(jié)構(gòu)如圖所示,lmol該配合物中通過螯合作用形成的配位鍵有,該螯合

物中N的雜化方式有______種。

(4)以晶胞參數(shù)為單位長度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置，稱作原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)。四方

晶系CdSnAs2的晶胞結(jié)構(gòu)如下圖所示，晶胞棱邊夾角均為90°,晶胞中部分原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)如下表所示。

'、、、坐房

產(chǎn)

原

Cd.0.0.0.

Sn.0.0.05

As.0.25.0.25“0.125"

apm

一個(gè)晶胞中有_______個(gè)Sn，找出距離Cd(0,0,0)最近的Sn(用坐標(biāo)表示\CdSnAs2晶體

中與單個(gè)Sn鍵合的As有個(gè)。

［填空題］*

空1答案：正四面體形

空2答案：分子晶體

空3答案：NH3、AsH3、PH3

空4答案：AsH3、PH3、NH3

空5答案：NH3、PH3、AsH3

空6答案：6

空7答案：1

空8答案：4

空9答案：(0.5,0,0.25)、(0.5,0.5,0)

空10答案：4

四、正誤判斷題，對的畫V,錯(cuò)的畫X。

1.一種元素可以有多種核素，也可能只有一種核素，有多少種核素就有多少種原子［判斷題］*

對V

錯(cuò)

汨+汨一-^He+in

2.核聚變?nèi)?因?yàn)橛行挛⒘Ｉ?，所以該變化是化學(xué)變化［判斷題］*

對

錯(cuò)v

55C1與HC1

3.得電子能力幾乎相同［判斷題］*

對V

錯(cuò)

4.一種核素只有一種質(zhì)量數(shù)［判斷題］*

對V

錯(cuò)

.氫的三種核素形成的單質(zhì)有6種，它們物理性質(zhì)有所不同，但化學(xué)性質(zhì)幾乎完全相同［判斷題］

對V

錯(cuò)

6.某原子M層上的電子數(shù)一定比L層上的電子數(shù)多［判斷題］*

對

錯(cuò)V

7.p能級(jí)能量一定比s能級(jí)的能量高［判斷題］*

對

錯(cuò)V

8.2p和3P軌道形狀均為啞鈴形，能量也相等［判斷題］*

對

錯(cuò)V

2止、2p）、2p-的

9.戶1上能量相等［判斷題］*

對V

錯(cuò)

1S22s22P63s23P64S23d6

10.鐵元素基態(tài)原子的核外電子排布式為［判斷題］*

對

錯(cuò)V

11.磷元素基態(tài)原子的電子排布圖為

Is2s2p3s3p

［判斷題］

對

錯(cuò)，

ls22s22p63s23p10

12.電子排布式違反了能量最低原理［判斷題］*

對

錯(cuò)V

Is2s2p3s

II表示的原子能量處于最低狀態(tài)

13OE3NH「

［判斷題］*

對

錯(cuò)V

14.元素周期表中位于金屬與非金屬分界線附近的元素屬于過渡元素［判斷題］*

對

錯(cuò)V

15.第IA族全部是金屬元素［判斷題］*

對

錯(cuò)V

16.s區(qū)全部是金屬元素［判斷題］*

對

錯(cuò)V

17.第四周期元素中，鎰原子價(jià)電子層中未成對電子數(shù)最多［判斷題］*

對

錯(cuò)V

18.非金屬元素組成的化合物中只含共價(jià)鍵［判斷題］*

對

錯(cuò)V

19.非金屬元素的兩個(gè)原子之間一定形成共價(jià)鍵，但多個(gè)原子間也可能形成離子鍵［判斷題］*

對V

錯(cuò)

20.由活潑金屬元素與活潑非金屬元素形成的化學(xué)鍵都是離子鍵［判斷題］*

對

錯(cuò)V

21.最外層只有一個(gè)電子的元素原子跟鹵素原子結(jié)合時(shí)，所形成的化學(xué)鍵一定是離子鍵【判斷題］

對

錯(cuò)V

22.CH4和CCI4中，每個(gè)原子的最外層都具有8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)［判斷題］*

對

錯(cuò)V

23.PCI5中，每個(gè)原子的最外層都具有8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)［判斷題］*

對

錯(cuò)V

24.82、NCI3中所有原子最外層都滿足8電子結(jié)構(gòu)［判斷題］*

對V

錯(cuò)

25.共價(jià)鍵的成鍵原子只能是非金屬原子［判斷題］*

對

錯(cuò)V

26.在任何情況下，都是。鍵比TT鍵強(qiáng)度大［判斷題］*

對

錯(cuò)V

27.分子的穩(wěn)定性與分子間作用力的大小無關(guān)［判斷題］*

對，

錯(cuò)

28.s-s。鍵與s-p。鍵的電子云形狀對稱性相同［判斷題］*

對V

錯(cuò)

29.。鍵能單獨(dú)形成，而TT鍵一定不能單獨(dú)形成［判斷題］*

對V

錯(cuò)

30.。鍵可以繞鍵軸旋轉(zhuǎn)，n鍵一定不能繞鍵軸旋轉(zhuǎn)［判斷題］*

對V

錯(cuò)

31.碳碳三鍵和碳碳雙鍵的鍵能分別是碳碳單鍵鍵能的3倍和2倍［判斷題］*

對

錯(cuò)，

32.鍵長等于成鍵兩原子的半徑之和［判斷題］*

對

錯(cuò)V

33.冰和碘晶體中相互作用力相同［判斷題］*

對

錯(cuò)V

34.晶體內(nèi)部的微粒按一定規(guī)律周期性排列［判斷題］*

對V

錯(cuò)

35.固體SiO2一定是晶體［判斷題］*

對

錯(cuò)V

36.缺角的NaCI晶體在飽和NaCI溶液中會(huì)慢慢變?yōu)橥昝赖牧⒎襟w塊［判斷題］*