器件制備基礎(chǔ)_第1頁
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文檔簡介

器件制備基礎(chǔ)第一頁，共十三頁，編輯于2023年，星期日4.1制備過程

1、清洗2、氧化3、擴(kuò)散或離子注入4、光刻5、薄膜沉積第二頁，共十三頁，編輯于2023年，星期日1、清洗

常用硅片清洗液Ⅰ號液：配方：NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5-1:2:7

使用條件：805C，煮10分鐘作用：去油脂，去光刻膠殘膜，去金屬離子和金屬原子Ⅱ號液：配方：HCl:H2O2:H2O=1:1:6-1:2:8

使用條件：805C，煮10分鐘作用：去金屬離子和金屬原子Ⅲ號液：配方：H2SO4：H2O2=3：1

使用條件：12010C，煮15分鐘作用：去油脂，去臘，去金屬離子和金屬原子第三頁，共十三頁，編輯于2023年，星期日2、氧化干氧：Si+O2=SiO2

膜層致密，理想的Si-SiO2界面，生長速度慢濕氧：Si+2H2O=SiO2+2H2

生長速度快，膜層致密性較差第四頁，共十三頁，編輯于2023年，星期日2、氧化氧化系統(tǒng)的簡單說明圖第五頁，共十三頁，編輯于2023年，星期日2、氧化（100）面和（111）面SiO2的氧化生長曲線第六頁，共十三頁，編輯于2023年，星期日3、擴(kuò)散基本工藝流程第七頁，共十三頁，編輯于2023年，星期日3、擴(kuò)散4.5磷的液態(tài)源擴(kuò)散示意圖第八頁，共十三頁，編輯于2023年，星期日3、擴(kuò)散

擴(kuò)散溫度900-1200C。

P源：POCl3,B源：BN，BO3

一般分為預(yù)擴(kuò)散和再擴(kuò)散預(yù)擴(kuò)散后：再擴(kuò)散后第九頁，共十三頁，編輯于2023年，星期日4、光刻（1）涂膠（2）堅膜（3）掩膜板（4）瀑光（5）顯影負(fù)光刻膠：光照后發(fā)生聚合反應(yīng)，難以去除正光刻膠：光照后，感光劑發(fā)生分解，容易去除。第十頁，共十三頁，編輯于2023年，星期日5薄膜沉積第十一頁，共十三頁，編輯于2023年，星期日二、pn結(jié)二極管的制備第十二頁，共

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