半導體設備產(chǎn)業(yè)深度報告高景氣及國產(chǎn)化下的投資機會（上篇）

半導體設備產(chǎn)業(yè)深度報告-高景氣及國產(chǎn)化下的投資機會（上篇）一、全球半導體產(chǎn)業(yè)迎來第三波發(fā)展浪潮1.1

各類電子產(chǎn)品新舊應用需求推動半導體芯片規(guī)模不斷擴大半導體芯片在各類終端雖然應用比例不同，但是新舊應用需求共同推動邏輯、存儲和

DAO規(guī)模的不斷擴大。

根據(jù)美國半導體協(xié)會（SIA）公布的數(shù)據(jù)顯示，2020年全球芯片銷售額

4390

億美元，同比增長

6.5%。從長期來看，因個人裝置和晶片運算設備需求不斷提升，將導致半導體市場將在未來幾年持續(xù)成長。除了個人裝置和伺服器，半導體應用包括

AI、5G、自駕車等也都迅速發(fā)展，使2021

年半導體產(chǎn)業(yè)營收金額，預期將較前一年再成長

8.4%。另外，根據(jù)全球半導體貿(mào)易統(tǒng)計協(xié)會（WSTS）的數(shù)據(jù)，全球半導體市場規(guī)模在

2020

年同比增長

6.8%，

達到歷史最高的

4,403.9

億美元。由于世界經(jīng)濟發(fā)展呈現(xiàn)恢復，汽車產(chǎn)業(yè)等將快速復蘇，再加上

5G進一步普

及擴大需求的推升等原因，全球半導體貿(mào)易統(tǒng)計協(xié)會（WSTS）預測，2021年全球半導體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模將達到

4,882.7

億美元，超過

2020

年的

4,403.9

億美元，創(chuàng)出歷史新高。半導體分為邏輯、存儲、DAO，受益工業(yè)、汽車等領域，DAO市場規(guī)模增長最快且達到

12.55%。半導體器

件有

30

多種，但業(yè)界一般分為三大類別：邏輯、存儲、DAO。以

DAO類別為例，在智能手機和消費電子中的價

值占比約

1/3，而在工業(yè)和汽車應用領域占比高達

60%。由于全球經(jīng)濟形勢的逐漸改善以及市場對具有新功能的

系統(tǒng)的需求，例如人臉識別、三維成像、機器視覺、利用多傳感器實現(xiàn)自動控制、嵌入式人工智能、5G手機服

務、自動駕駛需求等，DAO將保持持續(xù)增長且增長最快。根據(jù)

WSTS的預測數(shù)據(jù)，2021

年度

DAO市場規(guī)模將增

長

12.55%，達

1517

億美元，并占到全球半導體市場規(guī)模的

31%。邏輯器件是處理“0”和“1”的數(shù)字芯片，是所有設備計算和處理的構建模塊，約占整個半導體價值鏈的

42%。邏輯類別主要包括：微處理器（比如

CPU、GPU和

AP）、微控制器（MCU）、通用邏輯器件（比如

FPGA），

以及連接器件（比如

WiFi和藍牙芯片）。存儲器芯片用來存儲數(shù)據(jù)和代碼信息，主要有

DRAM和

NAND兩大類，約占整個半導體價值鏈的

26%。DRAM只能暫時存儲數(shù)據(jù)和程序代碼信息，存儲容量一般比較大；NAND俗稱閃存，即便掉電也可以長期保存數(shù)據(jù)和代碼，手機的

SD卡和電腦的

SSD固態(tài)硬盤都使用這類存儲器芯片。DAO代表分立器件、模擬器件，以及其它類別的器件（比如光電器件和傳感器），約占整個半導體價值鏈

的

32%。二極管和晶體管都是分立器件；模擬器件包括電源管理芯片、信號鏈和

RF器件；其它類別的器件雖然

占比不高，但也不可忽視（計算機和電子設備缺少一個器件就無法工作），比如傳感器在新興的物聯(lián)網(wǎng)應用中

越來越重要。全球半導體若按這三大類別細分，總體銷售額按照應用劃分如下：智能手機占

26%；消費電子占

10%；PC占

19%；ICT基礎設備占

24%；工業(yè)控制占

10%；汽車占

10%。通信、計算機、消費為半導體下游需求前三大市場，多行業(yè)均存在旺盛芯片需求。2019

年，通信和計算機

是芯片行業(yè)最大的兩個細分市場，兩大市場合計占比超過

70%。其中通信芯片占到了芯片市場總量的

35.6%，而

計算機芯片的占比也同樣為

35.6%。排在第三的消費芯片占比

11.8%，汽車芯片占

8.7%，工業(yè)和其他應用的芯

片占

8.3%。1.1.1

智能手機“硅含量”大幅提升，5G、快充等芯片用量翻倍增長手機市場回暖復蘇，全球

5G滲透率持續(xù)提升。根據(jù)

IDC數(shù)據(jù)，2021

年，智能手機出貨量預計將達到

13.8

億臺，比

2020

年增長

7.7%。這一趨勢預計將持續(xù)到

2022

年，年同比增長

3.8%，出貨量總計

14.3

億臺。展望

未來，IDC預計，個位數(shù)的低增長將持續(xù)到

2025

年，五年

CAGR為

3.7%。全球

5G手機滲透率持續(xù)提升，預計

2021

年全球將出貨

5-5.5

億部

5G手機。5G終端的“硅含量”大幅提升，促進半導體需求。根據(jù)我們的測算，5G手機相對

4G手機，SoC的面積大

25%，

RFTransceiver面積翻倍，PMIC（電源管理芯片）顆數(shù)

2-3

倍，射頻前端

1.5-2

倍。例如高通

4G平臺需要

3-4顆PMIC，而驍龍

888

平臺需要

8-9

顆，下一代平臺需再增加一顆，聯(lián)發(fā)科天璣

1000

平臺需要

8-9

顆（不包括攝像

頭和快充）。5G手機滲透率持續(xù)提升，促進半導體需求大幅增長，對產(chǎn)能的占用也大幅提升?？斐?、光學升級等新應用也推動半導體增速?？斐淠軌驗橄M者帶來良好體驗，滲透率迅速提升，目前蘋

果從

5V*1A、5V*2A升級

18-20W快充，安卓甚至開始推

65W最高達

120W以上的快充頭，快充會多一顆同步

整流芯片和一顆協(xié)議芯片，ACDC的面積也會變大，對功率器件的需求同步增加。另外，光學升級仍為手機廠商

競爭的焦點，1

億像素大底開始滲透到中低端機型，面積越大的

CMOS圖像傳感器芯片要求更高的芯片制程和

更大的晶圓面積，對產(chǎn)能的需求也會提升。根據(jù)我們的測算，下游電源管理芯片（2021/2022

年增速分別為

10.2%、9.2%，下同）、CMOS圖像傳感芯

片（10.9%、5.6%）、指紋識別芯片（17.6%、15.8%）、顯示驅動

IC（7.2%、7.1%）、射頻芯片（10.5%、9.1%）

以及功率器件（8.1%、6.1%）等模擬芯片和功率器件的需求量持續(xù)增加。1.1.2

汽車、工控等行業(yè)需求從疫情后恢復，新能源車帶動功率半導體需求汽車需求恢復，新能源車中功率半導體用量將出現(xiàn)

10

倍以上增長。政策與成本雙重推動下，電動車將逐步

替代燃油車，我們預計

2030

年，xEV（各類電動車，包括輕混）滲透率將達到

60%。新能源汽車普遍采用高壓

電路，當電池輸出高壓時，需要頻繁進行電壓變化，對電壓轉換電路需求提升，此外還需要大量的

DC-AC逆變

器、變壓器、換流器等，這些對

IGBT、MOSFET、二極管等半導體器件的需求量很大。功率半導體單車價值量

從傳統(tǒng)車的

40

美元將提升至

400-500

美元。根據(jù)汽車銷量數(shù)據(jù)，中國與全球新能源汽車進入快速增長階段，對

功率半導體需求迅速擴大。工業(yè)需求隨著全球

GDP水平修復而復蘇。2020

年由于疫情沖擊，中國

GDP同比增長

2.3%，美國下滑

3.5%；

2021

年根據(jù)

IMF預測，中國

GDP增長

7.9%，美國增長

1.1%。全球疫情得到控制，生產(chǎn)活動恢復，工業(yè)半導

體需求復蘇。1.1.3

PC、平板、物聯(lián)網(wǎng)、礦機等需求增長疫情推動

PC、平板等存量市場大幅增長。平板及

PC原本為低個位數(shù)增長甚至略有下降的存量市場，在此

輪疫情的推動下出現(xiàn)需求爆發(fā)。IDC預計

2021

年全球

PC市場出貨量同比增速達到

18.2%，主要驅動力為疫情

帶動的新應用場景大幅拉動了

PC需求，其中

2C端和

2B端的短期滲透率和長期更換頻率都發(fā)生了基本面的變

化，新應用場景帶來長期驅動，IT預算也會迎來增長。虛擬幣帶動礦機等需求，加劇了行業(yè)缺貨情況。自

20

年下半年以來，虛擬貨幣價格攀升，帶來挖礦熱潮。

目前比特幣等虛擬貨幣采用

ASIC礦機，以太坊等虛擬貨幣采用顯卡礦機。礦機與顯卡需求高漲對于先進制程

的需求較為明顯，也部分擠占了

PC等產(chǎn)品的顯卡供應，加劇了行業(yè)缺貨情況。目前盡管幣價沖高回落，但此

前的礦機訂單均已排滿至

2022

年。小家電、物聯(lián)網(wǎng)等市場下游需求旺盛。海外宅家需求推動家電類產(chǎn)品需求，2020

年，全球小家電市場的收

入為

2241

億美元，同比增長

11%。同時智能家居成為確定性的趨勢，智能化的全屋互聯(lián)、全場景生態(tài)已經(jīng)深入

人們的生活，物聯(lián)網(wǎng)終端連接數(shù)也穩(wěn)定增長。1.2

成熟制程芯片市場仍然巨大并將成為主要的市場增長點DAO成熟節(jié)點需求強勁，邏輯芯片先進成熟制程全覆蓋。成熟制程進入門檻相對較低，下游應用領域廣闊，

將成為各晶圓廠商角逐主賽場。根據(jù)

SIA和

BCG的數(shù)據(jù)，2019

年，28nm以上成熟節(jié)點占整體產(chǎn)能的比例為

60%，

其中

100-180nm和

180nm以上節(jié)點占整體產(chǎn)能的比例相同均為

19%。成熟節(jié)點應用分布方面，28-45nm節(jié)點上，

DAO占整體應用產(chǎn)能的比例較小為

7%；55-90nm節(jié)點上，DAO占整體應用產(chǎn)能的比例有所上升為

33%；100-180nm節(jié)點上，DAO占整體應用產(chǎn)能的比例為

40%；180nm以上節(jié)點，DAO占整體應用產(chǎn)能的比例最大為

76%，隨著芯

片節(jié)點增大，DAO芯片應用市場不斷上升。邏輯芯片在成熟節(jié)點上占比減小，2019

年，180nm以上節(jié)點中邏輯

芯片占整體應用產(chǎn)能的比例為

24%，DAO為為成熟制程主要的應用。2021

年成熟節(jié)點產(chǎn)能短缺將延續(xù)，更多晶圓廠加速聚焦特色工藝。節(jié)點工藝越先進功耗比越小，但面臨上游

IC設計費用越來越大的短板。根據(jù)

Counterpoint的數(shù)據(jù)，2020

年，全球

40nm以上成熟節(jié)點產(chǎn)能市占率前

5

的晶圓代工廠商分別為臺積電（28％）、聯(lián)華電子（13％）、中芯國際（11％）、三星（10%）、格芯（7%）。2020

年成熟節(jié)點產(chǎn)能嚴重短缺，雖然

2021

年以來各大晶圓廠正積極擴產(chǎn)，但從供應鏈結構協(xié)調(diào)周期來看，成熟節(jié)點

芯片短缺形勢到

2022

年才會有所緩解。面對成熟節(jié)點的多樣化需求，非頭部晶圓廠聯(lián)華電子、格芯、TowerJazz、

世界先進、華虹宏力更加注重特色工藝代工業(yè)務的拓展，在

MCU、模擬電路和分立器件上持續(xù)投入，持續(xù)提升

產(chǎn)品競爭力。40nm以上成熟節(jié)點市占率穩(wěn)定，各節(jié)點市場趨于均衡態(tài)勢發(fā)展。成熟節(jié)點主要應用于中小容量的存儲芯片、

模擬芯片、MCU、電源管理、模數(shù)混合、傳感器、射頻芯片。根據(jù)

ICinsight的數(shù)據(jù)，2020

年全球芯片產(chǎn)能在

2,109

萬片左右，其中

40nm以上節(jié)點產(chǎn)能市占率為

40.8%；10nm-20nm（不含）節(jié)點產(chǎn)能市占率為

38.4%；10nm以下節(jié)點產(chǎn)能市占率為

10%。2022-2024

年，全球芯片產(chǎn)能預計為

2408/2515/2599

萬片，其中

40nm以上節(jié)點產(chǎn)

能市占率預計分別為

38.2%/37.4%/37.2%；2019-2024

年

40nm以上成熟節(jié)點產(chǎn)能

CAGR為

2.59%，維持良好市場

需求。2024

年，10nm以下先進節(jié)點產(chǎn)能市占率預計為

29.9%，主要由于

5G、無人駕駛、高運算等芯片需求增加

所致。1.3

缺貨漲價潮下景氣周期持續(xù)時間有望延續(xù)至

22

年行業(yè)缺貨漲價潮持續(xù)，并逐漸傳導至下游終端。2021

年春節(jié)之后，漲價潮從

8

英寸蔓延至

12

英寸，各半

導體大廠紛紛發(fā)布漲價函，芯片交期進一步拉長。博通產(chǎn)品交期

50

周，聯(lián)發(fā)科、瑞昱均為

20-30

周以上。進入

二季度后，缺貨和漲價潮持續(xù)，半導體廠商紛紛發(fā)布漲價通知。同時，芯片缺貨傳導到汽車、手機、PC等終端

產(chǎn)品，下游本田、日產(chǎn)、豐田、福特、大眾、通用等整車廠均相繼發(fā)布停產(chǎn)或減產(chǎn)規(guī)劃。此前

IHS預計

2021

年

一季度由于芯片短缺所引起的輕型汽車減產(chǎn)數(shù)量將達

67.2

萬輛，預計二季度的汽車減產(chǎn)

130

萬輛。我們認為本輪半導體景氣周期持續(xù)度將超出此前預期，預計延續(xù)至

2022

年。我們認為本輪景氣周期的本質(zhì)

是行業(yè)需求的高速增長，而不僅僅是庫存周期。展望長期趨勢，從需求側，5G拉動終端“硅含量”是確定性趨勢，

并將隨著

5G手機、新能源車、物聯(lián)網(wǎng)等行業(yè)增長而繼續(xù)呈現(xiàn)旺盛需求，從供給側，2022

年之后，全球晶圓產(chǎn)

能將陸續(xù)釋放，帶來供需逐步趨于平衡，逐步緩解漲價趨勢。二、半導體技術多方向的發(fā)展給裝備帶來多維度的發(fā)展空間全球數(shù)字經(jīng)濟在國民經(jīng)濟中地位持續(xù)提升，“連接”與“智能”是最基本的邏輯內(nèi)核，半導體產(chǎn)業(yè)的支撐作用

越發(fā)越重要。每

1

美元半導體芯片的產(chǎn)值可帶動相關電子信息產(chǎn)業(yè)約

10

美元產(chǎn)值，并帶來約

100

美元的

GDP。

根據(jù)

Gartner及

WSTS公布的

2020

年產(chǎn)值，全球半導體設備為

710

億美元，帶來半導體芯片產(chǎn)值為

4400

億美

元，對應的

IT相關電子信息產(chǎn)業(yè)約

3.7570

萬億美元，帶來的

GDP產(chǎn)值為

35

萬億美元。隨著晶體管的尺寸逐步趨近物理極限，半導體技術正在向先進工藝，特色工藝，先進封裝及三維集成三個

方向推動半導體產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)發(fā)展，同時也為設備的發(fā)展帶來了更廣闊的發(fā)展空間。2.1

邏輯芯片技術代不斷演進和多樣化需求使裝備需求不斷增加晶體管在芯片中起到“開關”作用，能通過影響相互的狀態(tài)傳遞信息。晶體管的柵極控制著電流能否從源

極流向漏極，電子流過晶體管相當于“開”，電子不流過晶體管相當于“關”。隨著晶體管尺寸縮小，源極和

柵極間的溝道不斷縮小，當溝道縮短到一定程度時，即便不加電壓，源極和漏極也因間距過小而互通，即產(chǎn)生

“漏電”現(xiàn)象，晶體管則失去“開關”的功能，無法實現(xiàn)邏輯電路。邏輯器件內(nèi)部結構拆解：對于邏輯器件，其工藝流程是由一層層制備起來的，可以分為前道工序和后道工

序。在前道工藝中，首先在硅襯底上劃分兩個區(qū)域，一為制備晶體管的區(qū)域，另一位離子注入后實現(xiàn)

N型和

P型的區(qū)域。之后，是制作柵極，隨后仍為離子注入，以此來完成結構中每一個晶體管的源極（source）和漏極（drain），

實現(xiàn)硅襯底上的

N型和

P型場效應晶體管。之后進行的工藝被稱為后道工藝，建立若干層的導電金屬線，不同

的金屬線之間用柱狀金屬進行相連。由于目前大多選用

Cu作為導電金屬，后道工序也可以被稱為

Cu互聯(lián)。后道工序的具體步驟（BEOL）（Wikipedia）首先對源極及源極、漏極和多硅區(qū)進行硅化，隨后添加電解

質(zhì)，并對其進行

CMP處理。在

PMD中打孔進行接觸，添加金屬層，之后添加第二層電介質(zhì)（金屬間電介質(zhì)），

通過介電層形成通孔，將較低的金屬和較高的金屬連接，通過

CVD工藝填充通孔。重復添加金屬層、添加金屬

間電介質(zhì)、形成通孔的步驟，直至獲得所有金屬層。最后添加鈍化層，來保護微芯片。新的集成技術在晶圓襯底上也添加了很多新型功能材料，例如：前道(FEOL)柵極的高介電常數(shù)材料，它能

有效地增大柵極的電容并減少漏電流。前道(FEOL)中的關鍵光刻層是

FIN和柵極(gate)。后道(BEOL)的關鍵光

刻層是

V0/M1/V1/M2，其中

V0/V1

是通孔層，M1/M2

是金屬層。集成電路制程越先進，產(chǎn)線投資規(guī)模越高：在摩爾定律的推動下，元器件集成度的大幅提高要求集成電路

線寬不斷縮小，導致生產(chǎn)技術與制造工序愈為復雜，制造成本呈指數(shù)級上升趨勢。當技術節(jié)點向

5

納米甚至更

小的方向升級時，普通光刻機受其波長的限制，其精度已無法滿足工藝要求。因此，集成電路的制造需要采用

昂貴的極紫外光刻機，或采用多重模板工藝，重復多次薄膜沉積和刻蝕工序以實現(xiàn)更小的線寬，使得薄膜沉積

和刻蝕次數(shù)顯著增加，意味著集成電路制造企業(yè)需要投入更多且更先進的光刻機、刻蝕設備和薄膜沉積設備等，

造成巨額的設備投入。根據(jù)

IBS統(tǒng)計，隨著技術節(jié)點的不斷縮小，集成電路制造的設備投入呈大幅上升的趨勢。

以

5

納米技術節(jié)點為例，其投資成本高達數(shù)百億美元，是

14

納米的兩倍以上，28

納米的四倍左右。巨額的

設備投入只有具備一定規(guī)模的頭部集成電路制造廠商可以負擔，其進一步加劇了集成電路制造行業(yè)向頭部集中

的趨勢，為頭部集成電路制造企業(yè)的發(fā)展創(chuàng)造了良好機遇。光刻機進入

EUV時代，邏輯代工廠龍頭臺積電資本開支顯著提升：公司在

2020Q4

法說會表示，

2021

年

資本預算預計在

250

億至

280

億美元之間，其中約

80%的資本預算將用于先進的工藝技術，包括

3

納米、5

納米和

7

納米。大約

10%將用于先進的包裝和面膜制造，約

10%將用于特殊技術。根據(jù)公司歷年來資本支出以

及先進制程進度，7nm為

DUV光刻機進入

EUV光刻機關鍵的節(jié)點，臺積電

N7+采用

EUV光刻機設備，2019Q2

季度

N7+客戶終端產(chǎn)品量產(chǎn)，由于

EUV光刻機金額非常昂貴，導致

2019

年的資本開支同比增長

65%，隨著后

續(xù)

5nm、3nm對

EUV光刻機需求更大。臺積電各制程迭代周期穩(wěn)定，引領全球最先進工藝。臺積電為全球晶圓代工行業(yè)龍頭，市場份額達到

50%

以上。從各個制程產(chǎn)品的收入占比可以看出，臺積電各制程工藝的生命周期表現(xiàn)相當穩(wěn)定，大概每

2-3

年就有

新一代制程實現(xiàn)量產(chǎn)。隨著新制程的推出，呈現(xiàn)出新制程產(chǎn)能爬坡時間越來越短，而制程間隔時間逐步拉長的

趨勢。2.2

NANDFlash技術發(fā)展給設備帶來機遇3DNAND制造工藝：具有垂直結構存儲單元的

3DNAND，可以實現(xiàn)更高的存儲容量。在制造過程中，首

先步驟

a）在硅襯底上沉積薄層材料，如：二氧化硅和氮化硅交替沉積，兩種材料均為絕緣體，氮化硅是犧牲

層，將會被移除。每一層必須高度均勻且極度光滑來以便確定垂直通道孔的位置。步驟

b）進行通道孔的刻蝕，

并在步驟

c）中對通道中進行多晶硅沉積。然后，在步驟

d）中，用氧化物（二氧化硅）填充通道的中心，比固

體多晶硅通道具有更好的子閾值特征和閾值電壓分布。在步驟

e）中，刻蝕出狹縫，以將彼此各列分開。在步

驟

f）中，從側面選擇性地刻蝕，去除掉氮化硅層，留下較為窄的結構。接著，在步驟

g）中覆蓋二氧化硅隧道

電介質(zhì)層，在步驟

h）中覆蓋氮化硅電荷捕獲層，在步驟

i）中覆蓋高氧化鋁高介電常數(shù)的電介質(zhì)。最后，在步

驟

j）中，用氮化鉭填充結構中大部分縫隙和間隙，在步驟

k）中，將其與高介電常數(shù)的電解質(zhì)一起從縫隙的中

心刻蝕掉。3DNAND堆棧層數(shù)越多，高樓越蓋越高，容量就越大，存儲密度就越高，為

3D閃存的核心競爭力。2015

年還只有

32

層存儲單元，僅僅四五年之后，我們看到了

96

層、128

層、112

層、144

層、176

層等結構的發(fā)布。

到

2020

年底，美光、SK海力士公開宣布在

176

層

3DNAND上率先取得突破進展。TechInsights預計

2021

年，

各先進大廠進入

192

層以上制程，到

2023

年將會達到

300

層以上。此外，隨著

3DNAND層數(shù)不斷堆疊，設備

投資金額持續(xù)增加，而刻蝕、沉積等設備是

3DNAND中持續(xù)微縮的關鍵，所以刻蝕、沉積等設備隨著層數(shù)的

增加而增加。NAND閃存單元根據(jù)其可以存儲的位數(shù)進行分類為

SLC、MLC、TLC、QLC，目前三星、鎧俠、西部數(shù)

據(jù)、美光、SK海力士、英特爾均推出更高層

QLC3DNAND，主流廠商

176L已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)。正常來說，存儲

單元

SLC>MLC>TLC>QLC性能＆可靠性越來越弱，價格越來越便宜，容量密度越來越高。SLC（全稱

Single-LevelCell）每個

Cell單元只存儲

1bit信息，只有

0、1

兩種電壓變化，結構簡單，

電壓控制也快速，反映出來的特點就是壽命長，性能強，P/E壽命在

1

萬到

10

萬次之間。MLC（全稱是

Multi-LevelCell）每個

cell單元存儲

2bit信息，電壓有

00,01,10,11

四種變化，所以它比

SLC需要更復雜的的電壓控制，加壓過程用時也變長，意味著寫入性能降低了，同時可靠性也下降了，P/E壽命根據(jù)不同制程在

3000-5000

次不等，有的還更低。TLC（Trinary-LevelCell）每個

cell單元存儲

3bit信息，電壓從

000

到

111

有

8

種變化，容量比

MLC再次增加

1/3，成本更低，但是架構更復雜，P/E編程時間長，寫入速度慢，P/E壽命也降至

1000-3000

次，部分情況會更低。QLC（Quad-LevelCell）每個

cell單元存儲

4bit信息，電壓從

0000

到

1111

有

16

種變化，容量增加了

33%，但是寫入性能、P/E壽命會再次減少。2.3

DRAM技術發(fā)展和創(chuàng)新給設備帶來機遇目前

DRAM1x/1y納米制程趨于成熟，1Z，1α

技術開始布局。在未來幾年為了維持

DRAM技術發(fā)展，滿足

大數(shù)據(jù)時代的需求，DRAM在新材料、新架構上會有更多的選擇，也逐步導入

EUV及

HKMG以縮小線寬及加強外

圍電路性能等。DRAM的尺寸變化對刻蝕機、ALD、爐管、清洗等設備需求工藝步驟需求不斷增加。DRAM前后十年技術演變，三星

1Znm率先導入

EUV，原廠

2021

年將進入

1αnm技術新階段。DRAM制程越先進，總體對應的容量密度和性能明顯提升，功耗將下降：2010-2014

年三星、海力士、美光處于

20nm級（2xnm，2ynm，2znm）技術工藝，x，y，z表示精密度

依次提高，如果

2xnm代表

29nm，那么

2ynm大概是

25nm左右

，2z就是

20nm左右。三星

2015

年率先進入第一代

10nm技術，在內(nèi)存工藝進入

20nm之后，由于制造難度越來越高，內(nèi)存

芯片公司對工藝的定義已經(jīng)不是具體的線寬，而是分成了

1X、1Y、1Z，大體來說

1Xnm工藝相當于

16-19nm級別、1Ynm相當于

14-16nm，1Znm工藝相當于

12-14nm級別。三星和海力士大規(guī)模導入

EUV光刻機，DRAM制程進入

1α

節(jié)點。根據(jù)美光公布的路線圖，實際上

1Znm之后還會有

1αnm、1βnm、1γ、1δ。2020

年三星、美光、SK海力士等

DRAM技術主要是從

1Ynm全面向

1Znm推進，這也是

DRAM第三代

10nm級技術，到第四代

10nm級之后，將會大規(guī)模

的導入

EUV工藝。在推動

DRAM制程向

1α

節(jié)點演變中，除了美光暫時沒有采用

EUV，三星與海力

士均規(guī)劃引入

EUV工藝，美光于今年

6

月開始批量出貨

1α

級工藝

LPDDR4x和

DDR4；SK海力士于

今年

7

月開始量產(chǎn)第四代

10nm（1α）級工藝的

8GbLPDDR4

移動端

DRAM產(chǎn)品。三星也規(guī)劃將在

2021

年大量生產(chǎn)基于第四代

10nm級（1α）EUV工藝的

16GbDDR5/LPDDR5。2.4

滿足

PPAC需求的先進封裝技術推動裝備需求增加半導體封裝技術演進路徑：根據(jù)技術先進性，封裝技術可分為傳統(tǒng)封裝技術和先進封裝技術兩大類。傳統(tǒng)

封裝技術包括

DIP（插入式封裝）、PQFP（塑料方塊平面封裝）、PGA（插針網(wǎng)格陣列封裝）、BGA（球柵陣列

封裝）、QFN（方形扁平無引腳封裝）等，先進封裝技術包括

FC、WLP、FO、3D封裝、系統(tǒng)級封裝等。隨著晶圓

代工制程不斷縮小，摩爾定律逼近極限，先進封裝是后摩爾時代的必然選擇。應用材料提出

PPAct概念，先進封裝是后摩爾時代必然選擇。應對物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)和人工智能

(AI)需求，

芯片制造技術需要具備高功率、優(yōu)良性能、充分利用面積、低成本、短周期等要求，被應用材料稱為

PPAct概念，即在后摩爾時代工藝制程壓縮受限下，僅靠壓縮工藝尺寸提高芯片性能已經(jīng)變得非常困難，因此通過先進

封裝技術提高提高芯片功率、增強產(chǎn)品性能、有效利用晶圓面積、降低制造成本的特點，通過更高度的集成和

精確的設計，在提升芯片性能的同時縮短上市周期，達到良好的效果。根據(jù)

Yole的數(shù)據(jù)，從技術分類來看，3D堆疊封裝、嵌入式芯片封裝、扇出型封裝在2019

年到

2025

年的增速更高，CAGR分別為

21%、18%、16%。扇出型技術進入移動設備、網(wǎng)絡和汽車領域；3D堆疊技術進入

AI/ML、HPC、數(shù)據(jù)中心、CIS、MEMS/傳感器領域；

嵌入式芯片封裝進入移動設備、汽車和基站領域。從晶圓數(shù)來看，2019

年約

2900

萬片晶圓采用先進封裝，到

2025

年增長為

4300

萬片，年均復合增速為

7%。其中倒裝技術占比最高，3D封裝增速最快。從市場規(guī)模來看

2019年全球先進封裝市場規(guī)模約

290

億美元，預計

2025

年增長到

420

億美元，年均復合增速約

6.6%，高于整體封裝市場

4%的增速和傳統(tǒng)封裝市場

1.9%的增速。TSMC、Intel等龍頭晶圓廠商持續(xù)推出先進封裝技術，先進封裝與芯片制造融合趨勢明顯。目前，臺積電

已經(jīng)推出

2.5D的

CpWoS、扇出型晶圓

InFO和

3DFaric三類先進封裝技術，后者主要將邏輯、存儲芯片與

SoC集

成于一體，應用于

IoT、5G、智能手機等領域，主要具有加速帶寬、降低延遲和提高電源效率的特點。此外，臺積電與

Google和

AMD等廠商積極開展合作，共同研發(fā)

3D堆棧晶圓級封裝產(chǎn)品，并計劃于

2022

年實現(xiàn)量產(chǎn)，

該技術可以將不同類型的芯片堆棧至一個封裝中，從而推動單個產(chǎn)品在功能、尺寸和效率的全方位提高。其次，

英特爾也在積極推動

3D先進封裝技術的研發(fā)，其“混合結合技術”可以實現(xiàn)

10

微米及以下的凸點間距，從而

產(chǎn)生互聯(lián)密度小而簡單的集成電路，并且擁有更強的帶寬、電容和低功耗。此外，三星方面也已開發(fā)出

12層3D-TSV技術，可堆疊

12

個

DRAM芯片。同時，三星還研發(fā)了“X-Cube”3D封裝技術，可以實現(xiàn)不同芯片的有效堆疊，并且已經(jīng)可以用于

5-7nm的半導體制程工藝。國內(nèi)企業(yè)中，長電科技與中芯科技已在合力建設封裝測

試廠，聚焦于先進封裝設備，通富微電、天水華天等封測廠商也在積極布局。目前，長電科技已經(jīng)具有

Fan-out、

WLP、2.5D/3D等先進封裝技術，其先進封裝業(yè)務占總營收的

90%以上，在該領域實現(xiàn)了較為全面的布局。2.5

第三代半導體產(chǎn)業(yè)迎來巨大發(fā)展機遇由于第三代半導體材料具有熱導率高、電導率高、臨界擊穿電壓高、高頻高效等特點，以

GaN、SiC制作而

成的襯底和外延片可以在高壓、高溫強輻射等苛刻環(huán)境下使用，很好地滿足集成電路技術發(fā)展的客觀條件，廣

泛應用于

5G、消費電子和新能源汽車等領域。經(jīng)過

LED技術產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，寬禁帶半導體的產(chǎn)能有了較大提升，

其市場也較為成熟，成本處于下降期?；诖耍谌雽w所制作的電子器件，將在集成電路等領域發(fā)揮重

要作用。第三代半導體已經(jīng)被列入國家

2030

規(guī)劃和“十四五”國家研發(fā)計劃，是我國在未來需要重點研發(fā)的產(chǎn)

業(yè)。為加快推進第三代半導體材料行業(yè)的發(fā)展，國家先后印發(fā)《重點新材料首批次應用示范指導目錄(2019

版)》、《國務院關于印發(fā)進一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干政策的通知》等產(chǎn)業(yè)支持政策；地方也通過配

套政策實施，推動各地半導體材料產(chǎn)業(yè)的研發(fā)。化合物半導體材料以砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為主，因其材料特性適用于不同場

景。（1）絕緣體擊穿場強：GaN>

SiC>

GaAs>Si。在耐壓相同的情況下，擊穿場強愈高，愈能縮減器件大小，

降低導通電阻。（2）電子飽和漂移速度：GaN>

SiC>

GaAs>

Si。電子飽和漂移速度愈高，愈能提高開關頻率，

有助達成電感、電容等周邊零件小型化。（3）熱導率：SiC>

GaN>

Si>

GaAs。熱導率愈高，愈有利于縮小散熱

零件體積，愈能適應高溫的工作環(huán)境。GaAs在頻率和耐壓性能方面都遠優(yōu)于

Si，是光電和射頻領域的重要材料；

GaN的開關頻率高、禁帶寬度大、導電性能優(yōu)良等性質(zhì)在生產(chǎn)功率器件方面優(yōu)勢明顯，同時其高頻、高功率密

度、高帶寬等特性完美符合

5G時代射頻芯片性能需求；SiC主要作為高功率半導體材料，應用于汽車以及工業(yè)

電力電子，在大功率轉換應用中具有巨大的優(yōu)勢。EVs/HEVs、充電樁、快充等新興應用大力推動功率器件領域的市場發(fā)展，第三代半導體產(chǎn)業(yè)迎來巨大發(fā)展

機遇。據(jù)

Yole預測，功率器件市場年復合增長率達到

4.3%，其中

SiC器件市場預計以

30%的復合增長率增長，

在

2025

年將達到

25

億美元，RFGaN器件市場將

2025

年增長至

20

億美元。SiC長晶、外延、刻蝕、高溫氧化

退火、GaN刻蝕、PECVD等工藝設備需求將持續(xù)增長。USB-C接口與快充協(xié)議

USB-PD將統(tǒng)一，手機龍頭爭相布局，GaN快充市場空間廣闊?，F(xiàn)在移動終端包括中

高端智能手機、iPad、PC都在慢慢走向

USB-C的接口，同時支持快充協(xié)議

USB-PD，USB-C與快充協(xié)議

USB-PD結合在整個行業(yè)的接受度也比較高。2019

年，非蘋果陣營的智能手機已經(jīng)全面搭載

Type-C連接口，支援全新的

USB-PD有線快充技術。目前，vivo、小米、華為均已推出標配

GaN快充?，F(xiàn)階段

GaN快充價位依然較高，未來

隨著工藝成熟度提高和規(guī)?；a(chǎn)，價格將逐漸下降，GaN快充在增量端和存量端的滲透率都將逐步提升。我

們估計2020年全球GaN充電器市場規(guī)模為34億元，2025年將快速上升至231億元，2020~2025年CAGR達46.70%。

快充端

GaN功率器件價值量將從

2020

年的

18

億元上升至

2025

年的

92

億元，2020~2025

年

CAGR達

38.58%。政策加速新能源汽車滲透，市場保持高景氣，GaN和

SiC功率器件對

Si基功率器件替代率逐漸上升。2020

年

10

月，為推動新能源汽車產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展，加快建設汽車強國。中汽協(xié)預測

2024

年我國新能源汽車銷量將達到

538

萬輛，2019-2024

年

CAGR達

34.8%。

新能源汽車中功率器件約占整車成本的

3%~4%，隨著

GaN與

SiC功率器件技術成熟度提升和規(guī)?；逃?，將部

分替代

Si基功率器件。我們估計

SiC基功率器件價值占比將從

2019

年的

0.2%上升到

2024

年的

0.5%，2024

年

市場規(guī)模達

67.3

億元；GaN基功率器件價值占比將從

2019

年的

0.02%上升至

2024

年的

0.2%，2024

年市場規(guī)

模達

26.9

億元。2.6

新型顯示在應用驅動下將帶來新一輪設備增長發(fā)光效率提升、成本下降帶動

MicroLED/MiniLED產(chǎn)業(yè)應用滲透到大眾市場，據(jù)

IHSMarkit預測，2026

年

MicroLED顯示器的出貨量將會達到

1550

萬臺。將帶動

LED設備市場，GaN/GaAs刻蝕、多片大腔體

PSS刻蝕、AlNPVD等設備將獲得規(guī)模應用。MiniLED產(chǎn)業(yè)鏈已逐步成熟，進入放量的元年。MiniLED目前技術上主要關注芯片制造、芯片封裝、基板鍵

合、驅動方案、轉移技術、檢測修復。各環(huán)節(jié)技術逐步成熟，MiniLED基本具備量產(chǎn)條件，產(chǎn)業(yè)鏈進入業(yè)績兌現(xiàn)

期。MiniLED隨著技術成熟度提升以及成本逐漸降低，將逐步放量。Mini/MicroLED技術自

2006

年開始萌芽，

2012

年導入市場，2018

年起

MiniLED逐步產(chǎn)業(yè)化，目前處于成長期。隨著

MiniLED產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)技術瓶頸

逐漸克服，整體成本逐漸降低，終端產(chǎn)品放量較為明確。2021

年，MiniLED將在蘋果和三星的引領下逐步放量，

供應鏈相關廠商逐步有望進入業(yè)績兌現(xiàn)期。大尺寸顯示方面，MiniLED相對于

OLED、LCD顯現(xiàn)出較高性價比。根據(jù)

LEDinside數(shù)據(jù)，搭載

AM驅

動的

MiniLED65

寸背光電視售價約

759

美元，已低于

65

寸

OLED電視的

781

美元售價，高于傳統(tǒng)

LED直顯。

MiniLED在高階電視應用上，采用約

16000顆MiniLED，搭配

2000

區(qū)的分區(qū)控制，成本仍比高階

OLED電視

面板低

15%，具有成本優(yōu)勢。中階產(chǎn)品中，MiniLED的顆數(shù)減少至

10000~12000

顆，搭配

500

區(qū)的分區(qū)控制，

成本僅高出入門直下式

LCD30%~50%。蘋果、三星等大廠推動下，MiniLED滲透率有望迅速提升。鑒于目前

MiniLED售價與成本已經(jīng)與

OLED成本相當，與

LCD背光方案差距不太大，并且相關技術逐漸克服瓶頸以及整體成本逐步降低，MiniLED已具

備替換傳統(tǒng)

LCD和

OLED的條件，應用領域涵蓋筆記本及更大尺寸顯示屏。2021

年蘋果春季發(fā)布會上，發(fā)布

了搭載

MiniLED背光屏幕的新款

iPadPro，采用超過

1

萬顆

MiniLED燈珠，擁有

2500

個局部調(diào)光區(qū)和極致動

態(tài)范圍。我們預計蘋果在

2021

年將出貨

1000

萬臺以上的

MiniLED設備，2020

年隨著

MiniLED的成本降低，

滲透率將迅速提升，成為高端電視、電競筆電、創(chuàng)作平板等應用場景的重要選擇。三星等

TV廠商也大力推動

MiniLED在大屏顯示市場的應用。MiniLED滲透率有望迅速提升。預計

MiniLED市場未來

5

年爆發(fā)式增長，應用領域拓寬至車載、手機、可穿戴等。預計包括背光和直顯

的

MiniLED市場規(guī)模將從

2020

年的

0.18

億美元增長至

2025

年的

14.27

億美元，五年復合增速

140%。其中，

電視墻、電視、IT顯示率先爆發(fā)，預計電視墻市場規(guī)模從

2020

年的

0.11

億美元增長到

2025

年的

6.14

億美元，

復合增速

153%；電視從

2020

年的

0.03

億美元增長至

2025

年的

3.12

億美元，復合增速

180%。此外，車載顯示、

手機/平板顯示、頭戴式顯示也會逐步起量。從產(chǎn)品結構上看，MiniLED電視墻、電視、車載、IT顯示領域滲

透較快。三、半導體高景氣度帶動半導體設備周期向上3.1

全球晶圓廠資本開支增加，半導體設備周期向上全球經(jīng)濟增速放緩，半導體行業(yè)尤其是半導體設備行業(yè)逆勢上漲。

2020

年在全球貿(mào)易爭端不斷、世界經(jīng)

濟放緩、疫情影響持續(xù)蔓延的情況下，總的經(jīng)濟情況放緩，半導體行業(yè)保持高增長，特別是全球半導體投資（Capex）

提高了

7.6%，而其中的全球晶圓廠設備增加了

13.9%，領跑整個高科技產(chǎn)業(yè)。全球半導體設備銷售創(chuàng)歷史新高，中國大陸、中國臺灣、韓國為領先地區(qū)。SEMI全球半導體設備市場統(tǒng)

計報告顯示，全球半導體制造設備銷售額從

2019

年的

598

億美元猛增

19％，達到

2020

年

712

億美元的歷史新

高，預計

2021

年半導體設備市場規(guī)模同比增長

12%至

797

億美元。

2020

年中國大陸、中國臺灣和韓國將成

為支出的領先地區(qū)。預計在

2021

年和

2022

年，韓國將在存儲器恢復和邏輯投資增加的背景下，在半導體設備

投資方面領先于世界。北美半導體設備廠商銷售額保持強勁增長，維持兩年以來上漲趨勢。從歷史經(jīng)驗來看，北美半導體設備廠

商月銷售額對于全球半導體行業(yè)景氣度分析具有重要意義，一般北美半導體設備銷售額水平領先全球半導體銷

售額一個季度。我們選取

2017-01

至

2021-06

時間段進行復盤，2019

年

4，北美半導體設備月度銷售額為

19.22

億美元，同比下降

28.50%，同比為歷史最低點，全球半導體月底銷售額同比歷史最低點時間在

2019

年

8

月份，

同比下降達到

15.90%，銷售額為

342

億美元。2021

年

1

月，北美半導體設備月度銷售額突破

30

億美金，達到

30.4

億美元，月銷售額持續(xù)強勁上漲，至

6

月份銷售額達到

36.71

億美元，同比增長近

58.40%，同期全球半導

體月銷售達到

445.30

億美元，同比增長

29.20%。資本支出大幅增加，龍頭臺積電未來三年資本開支將高達

1000

億美金。全球晶圓制造支本開支近幾年維持

在

350

億美元以上保持高位，占半導體資本開支的約

50%，晶圓代工臺積電、聯(lián)電、中芯國際、華虹資本開支

大幅增加，其中臺積電在

2021Q1

法說會表示，

公司將上修

2021

年資本支出至

300

億美元，同比

2020

年大幅

增長

74.4%，其中

80%用于

3

納米/5

納米/7

納米等先進制程，同時，公司預計未來

2

年資本支出將高達

700

億

美金，未來

3

年資本支出將高達

1000

億美金。中芯國際支出將維持高位，2021

年全年將達到

43

億美元，其中

大部分用于成熟制程擴產(chǎn)，聯(lián)電和華宏同期也在

2021

年大幅度增加資本開支。伴隨著全球資本開支增大，半導體設備周期向上。隨著景氣度及全球資本開資增加，前七大設備廠商單季

度總和從

2019Q2

觸底反彈，從

133

億美元增長至

2021Q2

的

230

億美元，尤其在

2021Q1

增長最強勁，ASML同比增長接近

80%，泛林半導體同比增長為

54%，應用材料同比增長為

41%，東京電子同比增長為

32%，科磊

半導體同比增長為

27%，主要由于

2020Q1

由于疫情沖擊下，開工不足需求下降，導致單季度業(yè)績基數(shù)低。2021

年全球半導體資本投入

Capex預計同比增長

28.4%，達到

1419

億美元。全球半導體資本投入（Capex）

2020

年較

2019

年增長

11.2%。根據(jù)

Garner預測，2021

年會增加

28.4%，增速非?？?，尤其是

DRAM將增加

了

46.3%，其次

NAND將增長

29%，Logic將增長

29.5%。在資本開資大幅增加下，半導體設備規(guī)模從

2019

年到

2022

年持續(xù)的增長，平均的增長速度（CAGR）達到

12.88%，估計到

2022

年，全球半導體設備市場規(guī)模

達到

860

億美元。3.2

半導體設備國產(chǎn)化率低，國內(nèi)半導體廠商迎黃金機遇期中國半導體設備產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，2020

年市場占比位居全球第一。受益于企業(yè)產(chǎn)能擴展及國產(chǎn)化的穩(wěn)步推進，

中國半導體設備銷售額近年來一直保持持續(xù)增長。2020

年中國半導體設備銷售額為

187.2

億美元，同比增長

39%，中國在

2018-2020

年全球市場份額分別為

20.32%、22.51%、26.30%，位列全球

第二、第二、第一席位。但受限于產(chǎn)業(yè)起步晚、技術門檻高等問題，中國在刻蝕設備、熱處理設備、清洗設備

等領域國產(chǎn)化率相對較低，在光刻設備、離子注入設備、涂膠顯影設備領域剛剛起步。中國芯片生產(chǎn)自主供給比例持續(xù)提升，從

2010

年

10.2%提升到

2020

年

15.9%，剔除中國設有外資晶圓廠，

自主比例仍很低，2020

年中國公司生產(chǎn)的芯片僅占其用量的

5.9%。存儲器、通訊芯片、各類傳感器等領域集

成電路的市場規(guī)模不斷提高，預計到

2025

年，中國半導體芯片市場規(guī)模將達到

2230

億元。中國本土制造的芯

片占比預計持續(xù)提升，由

2020

年的

15.9%提升到

2025

年的

19.4%。去年在中國制造的價值

227

億美元的

IC中，

總部位于中國的公司僅生產(chǎn)了

83

億美元（36.5％），僅占中國

1,434

億美元

IC市場的

5.9％。而臺積電，SK海

力士，三星，英特爾，聯(lián)電和其他在中國設有

IC晶圓廠的海外公司則生產(chǎn)了其余的產(chǎn)品。ICInsights估計，在

中國公司生產(chǎn)的

83

億美元

IC中，約有

23

億美元來自

IDM，60

億美元來自中芯國際等純粹的代工廠。全球半導體產(chǎn)業(yè)預計將繼續(xù)向中國大陸轉移，2021-2022

年中國預計將建

8

座高產(chǎn)能晶圓廠。縱觀全球半

導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展歷程，經(jīng)歷了由美國向日本、向韓國和中國臺灣地區(qū)及中國大陸的幾輪產(chǎn)業(yè)轉移。目前中國大

陸正處于新一代智能手機、物聯(lián)網(wǎng)、

人工智能、5G通信等行業(yè)快速崛起的進程中，已成為全球最重要的半導

體應用和消費市場之一。根據(jù)國際半導體協(xié)會（SEMI）的統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2017

年到

2020

年期間，全球將有

62

座

新晶圓廠投產(chǎn)，其中將有

26

座新晶圓廠座落中國大陸，

占比達

42%。新晶圓廠從建立到生產(chǎn)的周期大概為

2

年，未來幾年將是中國大陸半導體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展期。隨著行業(yè)景氣度回暖，國產(chǎn)化率逐步提升，以中芯國際和華宏為代表的邏輯

Foundry廠近五年持續(xù)擴產(chǎn)，

以長江存儲及合肥長鑫為代表的

Memory廠商已經(jīng)實現(xiàn)零的突破，產(chǎn)能逐步進入量產(chǎn)階段，這對國內(nèi)設備需求

拉動具有重大意義。其中長江存儲總投資

240

億美元，平均單個

Fab投資額就達到

80

億美金以上，對應的設備

投資接近

60

億美金。國產(chǎn)設備采購比例仍處于較低水平（2020

年占采購總額的

7%），未來國產(chǎn)設備發(fā)展空間廣闊。根據(jù)

2020

年中國晶圓廠設備采購占比來看，來自美國采購的設備占比超過

50%，日本

17%，荷蘭

16%，中國

7%，其他

7%。中國本土的半導體設備仍然占比較小的比例，目前國內(nèi)大概有將近

20

個半導體前端設備的公司，隨著國

內(nèi)晶圓廠的擴產(chǎn)以及國產(chǎn)設備技術迭代，未來國產(chǎn)設備發(fā)展空間廣闊。國內(nèi)半導體設備廠商產(chǎn)品線逐步完善，在各自優(yōu)勢環(huán)節(jié)逐漸突破。根據(jù)本土主要晶圓廠設備采購情況的統(tǒng)

計數(shù)據(jù)，目前去膠設備國產(chǎn)化率達到

90%以上，主要代表廠家為屹唐半導體；清洗設備國產(chǎn)化率

20%左右

，主

要代表廠家為盛美半導體、北方華創(chuàng)、至純科技，刻蝕設備國產(chǎn)化率為

20%，主要代表廠家為中微公司、北方

華創(chuàng)、屹唐半導體；熱處理設備國產(chǎn)化率為

20%左右，主要代表廠家為北方華創(chuàng)、屹唐半導體；PVD設備國產(chǎn)

化率為10%，主要代表廠家為北方華創(chuàng)；CMP設備國產(chǎn)化率為

10%，主要代表廠家為華海清科；涂膠顯影設備

實現(xiàn)零的突破，主要代表廠家為芯源微；光刻設備預計實現(xiàn)零的突破，主要代表廠家為上海微；離子注入機實

現(xiàn)零突破，代表廠家為萬業(yè)企業(yè)（凱世通）；量測設備實現(xiàn)零的突破，代表廠家為精測電子；此外，華峰測控與長川科技實現(xiàn)了測試設備的比較大突破。四、全球半導體設備集中度高且呈上升趨勢4.1

半導體設備以晶圓制造為主，國外企業(yè)占據(jù)主導地位晶圓制造設備占據(jù)主導，以沉積、刻蝕、光刻為主。芯片制造主要分為硅片生產(chǎn)、集成電路設計、晶圓片

制造和芯片封裝測試四個步驟，其中前三個部分與景晶圓制造設備密切相關，第四部分主要依靠封裝和測試設

備。從全球半導體設備市場結構出發(fā)，晶圓制造設備占比最高達到

85%，