半導(dǎo)體表面與結(jié)構(gòu)

半導(dǎo)體表面與結(jié)構(gòu)第一頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五§8·1

表面態(tài)在物理學(xué)中，一般將表面定義為三維的規(guī)則點(diǎn)陣到體外空間之間的過(guò)渡區(qū)域，在這個(gè)過(guò)渡區(qū)域內(nèi)，周期點(diǎn)陣遭到嚴(yán)重?cái)_動(dòng)，甚至完全變異。就固體材料而言，理想表面就是指表面的原子位置和電子密度都和體內(nèi)一樣。實(shí)際上，由于受垂直于表面方向上原子排列周期性終止的作用，表面附近的電子波函數(shù)發(fā)生了嚴(yán)重的畸變，理想表面是不可能存在的1、理想表面第二頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五2、清潔表面清潔表面指不存在任何污染的化學(xué)純表面，即不存在吸附、催化反應(yīng)、雜質(zhì)擴(kuò)散等一系列物理、化學(xué)效應(yīng)的表面。只有用特殊的方法，如高溫?zé)崽幚怼㈦x子轟擊加退火、真空解理、真空沉積等才能獲得清潔表面。必須在超高真空下才能維持。3、吸附表面吸附有外來(lái)原子的表面。吸附原子可以形成無(wú)序或者有序的覆蓋層。覆蓋層可以具有和基體相同的結(jié)構(gòu)，也可以形成重構(gòu)表面層。覆蓋層結(jié)構(gòu)中也存在有缺陷，且隨溫度發(fā)生變化。第三頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五

表面實(shí)質(zhì)上就是晶體周期性的中斷，或周期性勢(shì)場(chǎng)的中斷，它必然在禁帶中引入能級(jí)，這種能級(jí)稱為表面能級(jí)。根據(jù)固體理論求解薛定諤方程，可獲得表面能級(jí)分布的情況，即狀態(tài)密度，對(duì)應(yīng)的狀態(tài)稱為表面態(tài)。每個(gè)表面原子對(duì)應(yīng)禁帶中的一個(gè)表面能級(jí)，這些表面能級(jí)按一定規(guī)律組成表面能帶。從晶體結(jié)構(gòu)上看，表面原子排列不規(guī)則，而且表面上往往吸附有其它的分子或原子。本章討論的是理想表面，即晶體表面原子排列比較規(guī)則，且不吸附有任何非本體分子或原子的表面。第四頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五§8.2表面電場(chǎng)效應(yīng)在外加電場(chǎng)作用下，在半導(dǎo)體的表面層內(nèi)發(fā)生的物理現(xiàn)象，主要載流子的輸運(yùn)性質(zhì)的改變?？梢圆捎貌煌椒?，使得半導(dǎo)體表面層內(nèi)產(chǎn)生電場(chǎng)，如：功函數(shù)不同的金屬和半導(dǎo)體接觸（金/半接觸）、使半導(dǎo)體表面吸附某種帶電的離子等一般采用金屬/絕緣體/半導(dǎo)體(MIS)結(jié)構(gòu)研究表面電場(chǎng)效應(yīng)1、表面電場(chǎng)效應(yīng)：第五頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五2、理想MIS結(jié)構(gòu)：（1）Wm=Ws；（2）絕緣層內(nèi)無(wú)可移動(dòng)電荷且絕緣層不導(dǎo)電；（3）絕緣層與半導(dǎo)體界面處不存在界面態(tài)。MIS結(jié)構(gòu)等效電路表面電場(chǎng)導(dǎo)致電容第六頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五在金屬中，自由電子密度很高，電荷基本上分布在很薄的一個(gè)原子層的厚度范圍之內(nèi)；而在半導(dǎo)體中，由于自由載流子密度低得多，電荷必須分布在一定厚度的表面層內(nèi)；這個(gè)帶電的表面層稱做空間電荷區(qū)spacechargeregion。一、空間電荷層及表面勢(shì)第七頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五

表面勢(shì)surfacepotential及空間區(qū)內(nèi)電荷的分布情況,隨金屬與半導(dǎo)體間所加的電壓VG而變化，主要可歸納為堆積、耗盡和反型三種情況:空間電荷層兩端的電勢(shì)差為表面勢(shì)，以表示之。規(guī)定表面勢(shì)比內(nèi)部高時(shí)，取正值，反之取負(fù)值。空間電荷區(qū)對(duì)電場(chǎng)、電勢(shì)與能帶的影響：第八頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五VG=0時(shí),理想MIS結(jié)構(gòu)的能帶圖以p型半導(dǎo)體為例：EviEciEiEvEcEFsEFm平坦能帶狀態(tài):能帶不發(fā)生彎曲，表面空穴濃度等于體內(nèi)空穴濃度。第九頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五在金屬和P型半導(dǎo)體間加上電壓，則將會(huì)在半導(dǎo)體的表面層中產(chǎn)生空間電荷區(qū)1、VG<0，多子的積累特征：VS<0表面電勢(shì)低于體內(nèi)，則表面電子能量高于體內(nèi)，表面處能帶向上彎曲，接近EF多子空穴在表面的積累，越接近表面，多子濃度越高第十頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五dx0+VGp型半導(dǎo)體表面感生一個(gè)帶負(fù)電的空間電荷層（2）VG>0:耗盡狀態(tài)第十一頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五qVsEcEvEF表面電勢(shì)表面勢(shì)為正，表面處能帶向下彎曲，越接近表面。費(fèi)米能離價(jià)帶越遠(yuǎn)，空穴濃度越小?？臻g電荷層內(nèi)的電場(chǎng)是由半導(dǎo)體的表面指向體內(nèi)的，電子的靜電勢(shì)能逐步升高，能帶向下發(fā)生彎曲第十二頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五特征：①表面能帶向下彎曲；②表面上的多子濃度比體內(nèi)少得多，基本上耗盡，表面層負(fù)電荷基本等于電離受主雜質(zhì)濃度。EFmEFsEcEvEiVG＞

0QmQsx電荷分布VG>0:耗盡狀態(tài)第十三頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五能帶進(jìn)一步下彎1）在表面處EF可能高于中間能級(jí)Ei，EF離Ec更近；2）表面區(qū)的多子空穴被耗盡，出現(xiàn)更多的電子—表面反型出現(xiàn)；3）反型層發(fā)生在表面處，和半導(dǎo)體內(nèi)部之間還夾著一層耗盡層。4)反型層很薄。電離受主反型層中電子（3）反型狀態(tài)第十四頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五二、表面空間電荷層的電場(chǎng)、電勢(shì)和電容取x軸垂直于表面指向半導(dǎo)體內(nèi)部，規(guī)定表面處為x軸的原點(diǎn)。鑒于表面線度遠(yuǎn)比空間電荷層厚度要大。把表面近似看成無(wú)限大的面，故可以看成一維情況處理。xsemimetalisolatorSpacecharge第十五頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五*考慮在表面層中載流子滿足經(jīng)典統(tǒng)計(jì)；*表面空間電荷層中的電離雜質(zhì)濃度為一個(gè)常數(shù)，和體內(nèi)相等。（1）表面電場(chǎng)Es分布EvEFEcEi第十六頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五在半導(dǎo)體體內(nèi)，電中性條件成立，同時(shí)空間電荷區(qū)中的電離雜質(zhì)濃度為一個(gè)常數(shù)，所以有：?第十七頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五其中np0和pp0為體內(nèi)平衡時(shí)的電子和空穴濃度第十八頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五第十九頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五第二十頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五（2）表面電荷Qs分布上式中，金屬電極為正時(shí)，即Vs＞0

，Qs為負(fù)反之，Qs是正。對(duì)應(yīng)的是：Vs＞0

時(shí)，半導(dǎo)體表面積累電子，反之，積累空穴。在表面處，V=Vs第二十一頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五表面空間電荷層的電荷密度隨表面勢(shì)而變化，這相當(dāng)于電容效應(yīng)，可用微分電容表示：在上述推導(dǎo)過(guò)程中，從電勢(shì)V,到電場(chǎng)E，再到電荷Q，最后到電容C。Cs～V?第二十二頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五（3）表面電容Cs第二十三頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五討論：（以p型半導(dǎo)體為例）外加電壓VG＜0，即Vs<0,

表面層的電勢(shì)是負(fù)的，表面電荷是空穴。即Qs>0。（a）多子積累時(shí)：F函數(shù)第二十四頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五所以，F(xiàn)函數(shù)近似為：第二十五頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五左圖中,可以看出，在負(fù)偏壓時(shí)，表面電荷的指數(shù)增加。VsQs2VB第二十六頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五(b)平帶狀態(tài)當(dāng)外加電壓VG=0時(shí)，表面勢(shì)Vs=0，表面處能帶不發(fā)生彎曲，稱為平帶狀態(tài)。F函數(shù)但對(duì)于Cs空間電荷層的電容不能直接由Vs=0得到第二十七頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五因?yàn)樵赩s為零時(shí)，Cs分母為零是不定值，所以要求Vs趨于零的極限值，采用級(jí)數(shù)展開(kāi)。當(dāng)VS

趨于零時(shí)：第二十八頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五（c）耗盡狀態(tài)：EiEFs

外加電壓VG>0，即表面勢(shì)Vs>0，能帶向下彎曲，是空穴的勢(shì)壘。所以，F(xiàn)函數(shù)中的npo/ppo及exp(-qV/kT)的項(xiàng)可忽略!第二十九頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五Es、Qs、Cs隨表面勢(shì)Vs的變化關(guān)系！代入Es、Qs、Cs第三十頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五（2）、Es為正值，電場(chǎng)和X方向一致；Qs為負(fù)值，表明空間電荷是由電離受主雜質(zhì)形成的負(fù)電荷。（1）、表面電場(chǎng)強(qiáng)度Es和表面電荷Qs都正比于

(VS)1/2

。（3）、把德拜長(zhǎng)度LD

代入Cs中并考慮到ppo=NA

可得：在耗盡狀態(tài)時(shí)，表面電容和表面勢(shì)直接相關(guān)由上式可知：第三十一頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五耗盡層近似理論：假設(shè)空間電荷層的空穴全部被耗盡，電荷全由電離的受主雜質(zhì)構(gòu)成。泊松方程化為：邊界條件：則：第三十二頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五(d)反型狀態(tài)qVBqVsEi隨外加正向電壓VG的進(jìn)一步增大，Ei下降到費(fèi)米能級(jí)以下，出現(xiàn)了反型層（少子大于多子）。強(qiáng)反型層和弱反型層以少子的濃度ns

是否超過(guò)體內(nèi)多子的濃度ppo

為標(biāo)志第三十三頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五令：所以有：表面處少子濃度為：當(dāng)ns=ppo時(shí)，上式為：而:VS≥2VB

第三十四頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五強(qiáng)反型時(shí)：半導(dǎo)體襯底雜質(zhì)濃度高，則VB越大，Vs越大越不容易達(dá)到強(qiáng)反型層。第三十五頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五開(kāi)啟電壓VT：使半導(dǎo)體表面達(dá)到強(qiáng)反型時(shí)加在金屬電極上的柵電壓就是開(kāi)啟電壓.此時(shí)，表面勢(shì):VS=2VB第三十六頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五對(duì)于強(qiáng)反區(qū)域：第三十七頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五對(duì)于強(qiáng)反型，表面耗盡層寬度將達(dá)到一個(gè)極大值，不再隨外加電壓的變化而變化,耗盡層寬度為：對(duì)于一定材料的半導(dǎo)體，慘雜濃度越大，xdm越小，對(duì)于一定襯底濃度，禁帶寬度越大，ni越小，xdm越大。第三十八頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五e(cuò)、深耗盡狀態(tài)當(dāng)金屬與半導(dǎo)體間所加電壓是交變電壓時(shí)，且頻率很高時(shí)（脈沖電壓或者高頻正弦波)空間電荷層的少數(shù)載流子的產(chǎn)生速度趕不上電壓的變化，反型層來(lái)不及建立，，只有靠耗盡層延伸至半導(dǎo)體體內(nèi)而產(chǎn)生大量電離中心，以滿足電中性條件耗盡層寬度很大，遠(yuǎn)大于強(qiáng)反型的最大耗盡層寬度，且其寬度隨電壓幅值的增加而增加，這種狀態(tài)稱為深耗盡狀態(tài)，耗盡層近似理論分析深耗盡狀態(tài)第三十九頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五§8·3MIS結(jié)構(gòu)的電容－電壓特性一、理想MIS結(jié)構(gòu)的電容－電壓特性在MIS結(jié)構(gòu)上加一偏壓，同時(shí)測(cè)量小信號(hào)電容隨外加偏壓變化的電容－電壓特性，即C-V特性。MIS結(jié)構(gòu)實(shí)際上構(gòu)成了一個(gè)電容器：金屬層和半導(dǎo)體是它的兩個(gè)電極，伴隨著外加偏壓的變化，半導(dǎo)體表面形成的空間電荷層也隨之變化，這相當(dāng)于一個(gè)電容器的充放電過(guò)程。第四十頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五在MIS結(jié)構(gòu)的金屬和半導(dǎo)體間加以某一電壓VG后，電壓VG的一部分Vo降在絕緣層上，而另一部分降在半導(dǎo)體表面層中，形成表面勢(shì)Vs，即CsC0第四十一頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五上式表明MIS結(jié)構(gòu)電容相當(dāng)于絕緣層電容和半導(dǎo)體空間電荷層電容的串聯(lián)，由此可得MIS結(jié)構(gòu)的等效電路如圖所示：MIS結(jié)構(gòu)的等效電路第四十二頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五1、多子積累時(shí)：偏壓Vg為負(fù)，半導(dǎo)體表面處于堆積狀態(tài)（以P型半導(dǎo)體）（1）當(dāng)|Vg|較大時(shí)，|Vs|較大，有C=Co半導(dǎo)體從內(nèi)部到表面可視為導(dǎo)通狀態(tài)；如右圖的AB段。C/Co表面勢(shì)為負(fù)值?。?）當(dāng)|Vg|較小時(shí)，|Vs|較小，有C/Co<1。右圖的BC段。第四十三頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五2、平帶狀態(tài)Vg=0Vg=0,對(duì)于理想MIS表面勢(shì)Vs也為0.特征：歸一化電容與襯底摻雜濃度NA和絕緣層厚度

do有關(guān)。關(guān)系如圖8-11所示。把代入LD

中的pp0

等于摻雜濃度NA第四十四頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五3、耗盡狀態(tài)VG＞0

把式（8－41）代入電容公式關(guān)鍵Vs=?解一元二次方程第四十五頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五化簡(jiǎn)整理后，得到電容和偏壓VG

的關(guān)系，VG增加，C/C0

減小，是因?yàn)榭臻g電荷區(qū)xd

隨偏壓增大而增大。第四十六頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五強(qiáng)反型層電容為：得到C/C0

受表面少子電子濃度的影響4、強(qiáng)反型后，即VS＞2VB

：第四十七頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五一般解釋：強(qiáng)反型時(shí)VS

為正，并且數(shù)值較大，同時(shí)滿足qVS＞2qVB＞＞kT，所以上式中分母第二項(xiàng)為零。這時(shí)有C/C0=1從物理圖像上理解：強(qiáng)反型層出現(xiàn)后，大量的電子聚積在半導(dǎo)體的表面，絕緣層兩邊堆積了電荷，并且在低頻信號(hào)時(shí)，少子的產(chǎn)生和復(fù)合跟得上低頻小信號(hào)得變化。如同只有絕緣層電容一樣。第四十八頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五B、高頻時(shí)：反型層中的電子的產(chǎn)生和復(fù)合將跟不上高頻信號(hào)的變化，即反型層中的電子數(shù)量不隨小信號(hào)電壓而變化，所以對(duì)電容沒(méi)有貢獻(xiàn)。雜質(zhì)濃度8－57式第四十九頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五理想MIS結(jié)構(gòu)C-V特性小結(jié)：（1）半導(dǎo)體材料及絕緣層材料一定時(shí)，C-V特性將隨絕緣層厚度do及半導(dǎo)體雜質(zhì)濃度NA而變化；（2）C-V特性與頻率有關(guān)，尤其是反型層時(shí)的C-V曲線的形狀。第五十頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五二、金屬與半導(dǎo)體功函數(shù)差Wms

對(duì)MIS結(jié)構(gòu)C-V特性的影響在實(shí)際的MIS結(jié)構(gòu)中，存在一些因素影響著MIS的C-V特性，如：金屬和半導(dǎo)體之間的功函數(shù)的差、絕緣層中的電荷等。第五十一頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五ＭＩＳ結(jié)構(gòu)連通后,且VG=0時(shí)：電子將由費(fèi)米能級(jí)高的材料流向費(fèi)米能級(jí)低的材料，從而產(chǎn)生接觸電勢(shì)差，使能帶彎曲。第五十二頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五形成接觸電勢(shì)差：

qVms

＝Ws－Wm

所以，在偏壓V=0時(shí)，半導(dǎo)體的表面層不處于平帶狀態(tài)。qVmsqViEFEiEcEvSiO2VG=0第五十三頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五理想MIS結(jié)構(gòu)的平帶點(diǎn)受到金屬和半導(dǎo)體功函數(shù)的影響，由VG=0處移到了VG=VFB處。要恢復(fù)平帶狀態(tài)，必須在金屬和半導(dǎo)體之間加一定的負(fù)電壓，以抵消由于功函數(shù)不同而引起的電場(chǎng)和能帶彎曲第五十四頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五使能帶恢復(fù)平直的柵電壓CFBVFB平帶電壓VFB第五十五頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五三、絕緣層電荷對(duì)MIS

結(jié)構(gòu)C-V特性的影響一般有：由于這些電荷的存在，將在金屬和半導(dǎo)體表面感應(yīng)出相反符號(hào)的電荷，在半導(dǎo)體的空間電荷層內(nèi)產(chǎn)生電場(chǎng)使得能帶發(fā)生彎曲。即沒(méi)有偏壓，也可使得半導(dǎo)體表面層離開(kāi)平帶狀態(tài)。第五十六頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五（1）假設(shè)在SiO2中距離金屬/SiO2的界面x處有一層正電荷金屬SiO2半導(dǎo)體do討論：假定半導(dǎo)體和金屬的功函數(shù)相同，即Wm=Ws金屬半導(dǎo)體Ec半導(dǎo)體表面能帶下彎第五十七頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五恢復(fù)平帶的方法：半導(dǎo)體絕緣層金屬do在金屬一邊加上負(fù)電壓，并且逐漸增大，使得半導(dǎo)體表面層的負(fù)電荷隨之減小，直至完全消失。這時(shí)在半導(dǎo)體表面層內(nèi)，在氧化物中存在的薄的正電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)完全被金屬表面增加的負(fù)電荷的電場(chǎng)屏蔽了，半導(dǎo)體表面的能帶又平了，即恢復(fù)到平帶狀態(tài)。加偏壓VG<0第五十八頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五使能帶恢復(fù)平直的柵電壓

平帶電壓VFB2E為金屬與薄層電荷之間的電場(chǎng)由高斯定律可知，金屬與薄層電荷間的電荷密度等于顯然，當(dāng)薄層電荷貼近半導(dǎo)體時(shí)平帶電壓最大。而位于金屬和絕緣體界面處對(duì)C-V特征沒(méi)有影響。第五十九頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五（2）一般情況：正電荷在SiO2中有一定的體分布ρ(x)在x與(x+dx)間的薄層內(nèi)，單位面積上的電荷為ρ(x)dx

對(duì)平帶電壓的影響為：注：如果存在可移動(dòng)的離子，使得電荷分布發(fā)生變化，VFB

跟著變化，導(dǎo)致C-V曲線的平移。第六十頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五（3）C～V曲線為：第六十一頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五§8.5表面電導(dǎo)及遷移率1.表面電導(dǎo)特點(diǎn)：表面電導(dǎo)的大小應(yīng)取決于表面層內(nèi)載流子的數(shù)量及其遷移率。載流子數(shù)量及遷移率越大，表面電導(dǎo)也越大。半導(dǎo)體的表面電導(dǎo)也隨周圍環(huán)境變化。應(yīng)用：垂直于表面方向的電場(chǎng)形成的表面勢(shì)可控制表面電導(dǎo)－－MOS場(chǎng)效應(yīng)管。第六十二頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五由于表面電場(chǎng)的作用，在半導(dǎo)體表面層引起的附加空穴和電子數(shù)（△p、△n），其值由表面勢(shì)VS

等決定。多子積累時(shí)電導(dǎo)增加；當(dāng)表面勢(shì)變化時(shí)表面處于耗盡狀態(tài)，表面電導(dǎo)較小。如在平帶時(shí)的表面電導(dǎo)為則：第六十三頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五2.表面載流子的有效遷移率載流子的有效遷移率是指其在表面層中的平均遷移率。由表面層電子貢獻(xiàn)的表面電導(dǎo)應(yīng)為：設(shè)在離表面距離為x處電子的濃度和遷移率分別為及，則該處的電導(dǎo)率為對(duì)整個(gè)表面積分第六十四頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五表明在表面存在與晶格散射相類似的散射機(jī)構(gòu)。上式除以表面層內(nèi)電子形成的單位面積電荷Qn的絕對(duì)值，則得電子的有效遷移率為此外還發(fā)現(xiàn)，有效遷移率還于溫度有關(guān)，主要由于：在較高的溫度下，反型層中電子和空穴的有效遷移率與溫度有的關(guān)系。第六十五頁(yè)，共七十頁(yè)，編輯于2023年，星期五1、表面電場(chǎng)效應(yīng)

小結(jié)

表面勢(shì)及空間電荷區(qū)內(nèi)電荷的分布情況隨金屬與半導(dǎo)體間