5何垚-溫度對多晶酸制絨的影響

報告人：何垚梁雪美

溫度對多晶酸制絨的影響內容提要前言多晶酸制絨反響的原理多晶酸制絨的影響因素溫度對多晶酸制絨影響的改善實驗總結前言提高太陽電池轉換效率的一個重要任務是減小硅片外表的光損；多晶硅與單晶硅晶向結構不同，外表制絨方式有區(qū)別；已經(jīng)報道過的多晶外表制絨技術，如：機械刻蝕、等離子刻蝕、電火花刻蝕、激光束刻蝕、化學腐蝕等技術等；在大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)中，化學腐蝕〔酸性腐蝕〕是比較理想的多晶外表制絨方法；酸性腐蝕酸對硅的腐蝕速度與晶粒取向無關，遵循各向同性腐蝕酸性制絨的過程中會產(chǎn)生大量的熱量，從而使反應溫度上升很快基于HF/HNO3體系的酸性腐蝕液，在富HNO3情況下實現(xiàn)腐蝕，反響緩蝕劑為CH3COOH，并尋找一種解決制絨過程中溫度上升過快的方法。多晶酸制絨反響的原理反響試劑HNO3HF附加劑氧化劑SiO2NO溶解SiO2絡合物H2SiF6降低反響速率當氣泡在外表附著足夠長的時間并使被遮蓋和未被遮蓋區(qū)域的腐蝕產(chǎn)生相當?shù)牟町悾蜁a(chǎn)生凸凹不平的外表。硅片腐蝕后外表有很多腐蝕坑，大的腐蝕坑中由于反響的進行又會生成很多無規(guī)那么的小腐蝕坑。多晶酸制絨反響的原理如果入射光角度適宜，入射光經(jīng)大腐蝕坑和小腐蝕坑后，會經(jīng)過4次或更屢次反射。屢次反射后，最終使一小局部光反射到大氣中，大局部光將被硅片吸收，起到了減反射的效果。

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----絨面坑洞的深度D

----絨面坑洞的寬度多晶酸制絨反響的原理硅片表面質量溶液溫度攪拌附加化學品反應速率影響反響速率的因素根據(jù)阿倫尼烏斯方程〔k=Aexp〔-Ea/RT〕〕，溫度升高，反響速度常數(shù)會成指數(shù)增大。液體的粘度也與溫度成指數(shù)關系，液體的粘度和密度隨溫度的升高而減小，而粘度反映了液體的傳輸性質。因此，腐蝕液的溫度能影響動力學阻，也可影響物質-傳輸阻。溫度升高，反響物的擴散系數(shù)增大，物質-傳輸速度增大。影響反響速率的因素不同溫度下多晶酸制絨面光學顯微鏡照片26℃，60s，22.1%40℃，60s，31.2%30℃，60s，24.6%10℃，60s，20.1%8℃，90s，19.8%由于反響時的溫度不是固定不變的，較難使反響溫度固定在某一個值。故我們在討論下面不同溫度時僅指初始反響溫度。而反響時均進行熱交換處理。我們通過測量反響前與反響后的硅片重量，計算重量差。其與時間的比值即為反響速率。溫度對多晶制絨影響的改善實驗不同溫度下反響速率：從圖上可以看出，不同起始溫度時，硅片的反響速度相差很大，反響溫度越高反響速率越快。

溫度對多晶制絨影響的改善實驗我們設計了一種循環(huán)冷卻系統(tǒng)對槽式多晶制絨進行降溫。

補液槽補液槽毛細管冷卻循環(huán)泵從底部抽取反應槽溢流溫度對多晶制絨影響的改善實驗為了證明這種熱交換循環(huán)系統(tǒng)的效果，我們對多晶酸制絨時采用熱交換與不采用熱交換進行了屢次比照實驗：反響時間為120s，我們對進行熱交換與不進行熱交換的反響溫度每隔20s進行一次測試，并繪制了不同情況下反響溫度隨時間變化的曲線。如以下圖所示：溫度對多晶制絨影響的改善實驗溫度隨時間變化的曲線從比照曲線上可以證明對溶液進行熱交換處理可以有效抑制溫度的上升，使反響更易于控制。

實驗也說明，多晶硅片在酸槽制絨的時間越長，溫度上升越快，呈非線性變化。溫度對多晶制絨影響的改善實驗未進行熱交換的多晶絨面反射率為26%--27%減重0.52g進行熱交換的多晶絨面反射率為21%--22%減重0.43g橫截面正面溫度對多晶制絨影響的改善實驗總結1.通過實驗數(shù)據(jù)說明了溫度對多晶酸制絨分反響速率的影響，溫度越高，反