Renesas發(fā)布用于汽車導(dǎo)航系統(tǒng)的單芯片電源IC-新品速遞

精品文檔-下載后可編輯Renesas發(fā)布用于汽車導(dǎo)航系統(tǒng)的單芯片電源IC-新品速遞瑞薩科技公司今天宣布，推出用于汽車導(dǎo)航系統(tǒng)的單芯片電源控制ICR2S25402FT。樣品將從2022年9月開始在日本交付。R2S25402FT是瑞薩科技個專門為汽車導(dǎo)航系統(tǒng)開發(fā)的電源IC，可以為執(zhí)行主要汽車導(dǎo)航處理的處理器和DRAM數(shù)據(jù)存儲等，以及DRAM終端電阻電壓電路提供電源電路，這些功能都集成在一個采用64引腳QFP封裝的芯片中。R2S25402FT的主要功能概括如下。（1）通過高度集成，與當前的瑞薩產(chǎn)品相比，安裝面積大約減少了20%R2S25402FT為處理器和DRAM電源控制電路，以及作為DRAM終端電阻電源電路的線性穩(wěn)壓器提供了單芯片實現(xiàn)方法。這些電路以前需要組合幾個器件，現(xiàn)在可以使用單個R2S25402FT實現(xiàn)，有助于減少元件使用數(shù)量。此外，與當前的瑞薩產(chǎn)品相比，采用64引腳QFP封裝可使安裝面積減少大約20%，可以使電源電路變得更小。（2）有助于降低系統(tǒng)成本作為DRAM終端電阻電源集成的內(nèi)部線性穩(wěn)壓器可以進一步減少元件數(shù)量，有助于省去以前必要的元件，如電壓降壓型線圈、平流濾波電容器和驅(qū)動FET，進而削減系統(tǒng)成本。（3）當引擎停止工作時，汽車導(dǎo)航系統(tǒng)可以進入DRAM備份模式R2S25402FT采用了一種DRAM備份模式*1。在汽車導(dǎo)航系統(tǒng)中，在引擎關(guān)閉之前，地圖信息等必須進行保存，當引擎再次啟動時再顯示。地圖信息存儲在DRAM中，而DRAM是易失性存儲器，要求應(yīng)用更新電流來保持其數(shù)據(jù)。R2S25402FT集成了更新電流的電源電路，可利用8mA電流實現(xiàn)大約70%的高效率。這將有助于防止引擎停止工作時的電池消耗。（4）寬泛的電源電壓規(guī)格，有助于改進系統(tǒng)設(shè)計效率R2S25402FT具有3.4至35V的寬泛的電源電壓范圍，可利用車輛電池電壓直接工作。這將有助于簡化電源設(shè)計，改進系統(tǒng)設(shè)計效率。產(chǎn)品背景近來，汽車導(dǎo)航系統(tǒng)已經(jīng)具備了各種功能和更高的性能，此外，還具備了更快的繪制地圖能力，預(yù)計這種趨勢在未來將繼續(xù)和增強。這種趨勢導(dǎo)致了信息處理量的顯著增加，以及對處理這類信息的處理負載的更強大處理器和更大存儲容量的需求，進而導(dǎo)致了設(shè)備和模塊日益增長的功耗。與此同時，安裝在一個受限空間中的汽車導(dǎo)航系統(tǒng)需要元器件變得更小。面對這個背景，還有一種使汽車導(dǎo)航電源單元提供更高電源效率，以及更小安裝面積的器件需求。為了滿足這樣的市場需求，瑞薩科技開發(fā)了R2S25402FT，作為公司款專門用于汽車導(dǎo)航系統(tǒng)的單芯片電源IC。其他產(chǎn)品細節(jié)在用于處理器和DRAM的每個電源電路的通常都包括兩個MOSFET。利用R2S25402FT可以將兩個MOSFET在外部連接起來，驅(qū)動這些MOSFET輸出信號的控制電路已集成在片上。具有電流流入和流出能力的線性穩(wěn)壓器還集成了DRAM終端電阻電壓應(yīng)用，以及為DRAM備份模式提供電流的小型MOSFET。這些電路與采用64引腳QFP封裝的一個芯片高度集成在一起，從而可以減少系統(tǒng)的元件數(shù)和安裝面積，因此可滿足安裝空間受限的汽車導(dǎo)航系統(tǒng)的電源設(shè)計要求。工作在正常模式下的汽車導(dǎo)航系統(tǒng)——正常工作模式——需要若干安培的大電流，而在引擎關(guān)閉狀態(tài)下的DRAM備份模式工作僅需要若干毫安的小電流，但是高電源效率對兩種模式都是基本的要求。利用R2S25402FT，外部MOSFET可在正常模式下驅(qū)動，而在DRAM備份模式的小電流工作期間，集成在R2S25402FT中的小型MOSFET被驅(qū)動。這將有助于針對每種模式優(yōu)化開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，以實現(xiàn)高效率。其他功能還包括利用一個外部同步信號在350KHz和480KHz之間改變開關(guān)頻率的能力，根據(jù)元件性能和系統(tǒng)配置來實現(xiàn)理想