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文檔簡介

TI：系統(tǒng)級ESD機(jī)觸摸技術(shù)的應(yīng)用，讓我們能夠與這些設(shè)備進(jìn) 的互動(dòng)。它構(gòu)成了一個(gè)完整的靜電電 在用戶手指和平板電腦USB或 接口之間會(huì)發(fā)生ESD，從而對平板電腦產(chǎn)生不本文將為您解釋系統(tǒng)級ESD現(xiàn)象和器件級ESD現(xiàn)象之間的差異，并向您介紹一些提供 ESDESD 和薄柵氧化FET應(yīng)用于ICICESD在制造階段保護(hù)IC免受 HBMMMCDM)。HBM的 ，MM用于模擬自動(dòng)操作引起的 ，而CDM則模擬產(chǎn)品充電/放電引起的 境下，IC2-kVHBMESD500VESDESDESDIEC61000-4-2HBM、MMCDMICIEC61000-4-2 11212242436364848ESD IEC另一個(gè)差異存在于電壓尖峰上升時(shí)間。HBM25ns。IEC沖上升時(shí)間小于1ns，其在最初3ns消耗掉大部分能量。如果HBM額定的器件需25ns來做出響應(yīng)，則在其保護(hù)電路激活以前器件就已被損壞。兩種模型在測試期間所用的電擊次數(shù)不同。HBM1CDM、HBMIECESD2IEC1IECESDTVSTVS壓抑制二極管，也即瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)。相比電源管理或者微控制器單元中集成2TVS可以放置在一條通用數(shù)據(jù) ，用于系統(tǒng)級ESD保護(hù)。正常工作狀態(tài)下，雙向和 電擊中 進(jìn)入其擊穿區(qū)域；通過D1和Z1形成一條接地通路，從而讓ESD負(fù) D2ESD寸可以更小、寄生電容更少，單向二極管可用于許多高速應(yīng)用；D1D2 圖3雙向和單向系統(tǒng)級ESD保護(hù)設(shè)計(jì)過程中仍然需要注意幾個(gè)重要的參數(shù)。這些參數(shù)包括擊穿電壓VBR、動(dòng)態(tài)電阻RDYN、鉗位電壓VCL和電容。TVSVBRI/OVBR（min）I/OVRWMTVSESD是一種極 ，也就是幾納秒的事情。在如此短的時(shí)間內(nèi)，TVS傳導(dǎo)接地通路不RDYN5ESD6IVRDYN6示了TPD1E10B06的RDYN，其典型值為~0.3?。6TPD1E10B06IV由于ESD是一種極速瞬 61000-4-21RDYN其中，IPP為 期間的峰值脈沖電流，而

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