模擬電路復(fù)習資料

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第一章半導體二極管

一.半導體的基礎(chǔ)知識

1.半導體導電能力介于導體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅Si、鍺Ge)。2.特性光敏、熱敏和摻雜特性。

3.本征半導體純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導體。

4.兩種載流子帶有正、負電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。

5.雜質(zhì)半導體在本征半導體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導體。表達的是半導體的摻雜特性。*P型半導體:在本征半導體中摻入微量的三價元素（多子是空穴，少子是電子）。*N型半導體:在本征半導體中摻入微量的五價元素（多子是電子，少子是空穴）。6.雜質(zhì)半導體的特性

*載流子的濃度多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關(guān)。*體電阻尋常把雜質(zhì)半導體自身的電阻稱為體電阻。

*轉(zhuǎn)型通過改變摻雜濃度，一種雜質(zhì)半導體可以改型為另外一種雜質(zhì)半導體。7.PN結(jié)

*PN結(jié)的接觸電位差硅材料約為0.6~0.8V，鍺材料約為0.2~0.3V。*PN結(jié)的單向?qū)щ娦哉珜?，反偏截止?.PN結(jié)的伏安特性

二.半導體二極管

*單向?qū)щ娦哉驅(qū)?，反向截止?二極管伏安特性同ＰＮ結(jié)。

*正向?qū)▔航倒韫?.6~0.7V，鍺管0.2~0.3V。*死區(qū)電壓硅管0.5V，鍺管0.1V。

3.分析方法將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低:若V陽>V陰(正偏)，二極管導通(短路);若V陽V陰(正偏)，二極管導通(短路);若V陽

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電源變壓器：將電網(wǎng)交流電壓變換為符合整流電路所需要的交流電壓。整流電路：將正負交替的交流電壓整流成為單方向的脈動電壓。濾波電路：將交流成分濾掉，使輸出電壓成為比較平滑的直流電壓。穩(wěn)壓電路：自動保持負載電壓的穩(wěn)定。二.單相半波整流電路

1．輸出電壓的平均值UO(AV)

2．輸出電壓的脈動系數(shù)S

3．正向平均電流ID(AV)

4．最大反向電壓URM

三.單相全波整流電路1．輸出電壓的平均值UO(AV)

2．輸出電壓的脈動系數(shù)S

3．正向平均電流ID(AV)

4．最大反向電壓URM

四.單相橋式整流電路

UO(AV)、S、ID(AV)

與全波整流電路一致，

URM與半波整流電路一致。

五.電容濾波電路1．放電時間常數(shù)的取值

2.輸出電壓的平均值UO(AV)

3.輸出電壓的脈動系數(shù)S

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4.整流二極管的平均電流ID(AV)

六.三種單相整流電容濾波電路的比較

七.并聯(lián)型穩(wěn)壓電路1.穩(wěn)壓電路及其工作原理*當負載不變，電網(wǎng)電壓變化時的穩(wěn)壓過程:

*當電網(wǎng)電壓不變，負載變化時的穩(wěn)壓過程:

2.電路參數(shù)的計算*穩(wěn)壓管的選擇

常取UZ=UO；I