微電子封裝技術(shù)智慧樹知到答案章節(jié)測(cè)試2023年濰坊學(xué)院

第一章測(cè)試封裝會(huì)使芯片包裹的更加緊實(shí)，因此提供散熱途徑不是芯片封裝要實(shí)現(xiàn)的功能。（）

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:B按照封裝中組合使用的集成電路芯片的數(shù)目，芯片封裝可以分為單芯片封裝和多芯片封裝兩類。（）

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:B按照針腳排列方式的不同，針柵排列可以提供較高的封裝密度，其引腳形式為（）。

A:背部引腳形態(tài)

B:周邊引腳形態(tài)

C:底部引腳形態(tài)

D:中心引腳形態(tài)

答案:C針柵陣列式封裝的引腳分布形態(tài)屬于（）。

A:底部引腳

B:單邊引腳

C:四邊引腳

D:中心引腳

答案:A集成電路的零級(jí)封裝，主要是實(shí)現(xiàn)（）。

A:芯片內(nèi)部器件的互連

B:芯片內(nèi)部不同功能電路的連接

C:打碼

D:鍵合引線

答案:AB第二章測(cè)試硅晶圓可以直接用來(lái)制造IC芯片而無(wú)需經(jīng)過(guò)減薄處理工藝。（）

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:A當(dāng)金-硅的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為69%和31%時(shí)能夠?qū)崿F(xiàn)共熔，且共熔溫度最低。（）

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:B玻璃膠粘貼法僅適用于（）。

A:塑料封裝

B:陶瓷封裝

C:金屬封裝

D:玻璃封裝

答案:B以下芯片互連方式，具有最小的封裝引線電容的是（）。

A:WB鍵合

B:FC焊接

C:Hot-WB鍵合

D:TAB鍵合

答案:B集成電路芯片封裝的工序一般可分為（）。

A:前道工序

B:第二工序

C:第一工序

D:后道工序

答案:AD第三章測(cè)試軸向噴灑涂膠工藝的缺點(diǎn)為成品易受到水氣侵襲。（）

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:A碳化硅是半導(dǎo)體，因此它不能作為陶瓷封裝的材料。（）

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:A陶瓷封裝工藝首要的步驟是漿料的制備，漿料成分包含了無(wú)機(jī)材料和（）。

A:玻璃粉末

B:有機(jī)材料

C:塑料顆粒

D:陶瓷粉末

答案:B金屬封裝所使用的的材料除了可達(dá)到良好的密封性之外，還可提供良好的熱傳導(dǎo)及（）。

A:抗腐蝕

B:保護(hù)

C:電屏蔽

D:支撐

答案:C降低密封腔體內(nèi)部水分的主要途徑有以下幾種（）。

A:采取合理的預(yù)烘工藝

B:抽真空工藝

C:盡量降低保護(hù)氣體的濕度

D:避免烘烤后管殼重新接觸室內(nèi)大氣環(huán)境

答案:ACD第四章測(cè)試雙列直插封裝的引腳數(shù)可達(dá)1000以上。（）

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:B球柵陣列封裝形式的芯片無(wú)法返修。（）

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:A以下封裝方式中，具有工業(yè)自動(dòng)化程度高、工藝簡(jiǎn)單、容易實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的封裝形式為（）。

A:多層陶瓷雙列直插式封裝

B:塑料單列直插式封裝

C:塑料雙列直插式封裝

D:陶瓷熔封雙列直插式封裝

答案:C載帶球柵陣列封裝所用的焊球，其成分為（）。

A:65%Sn-35%Pb

B:10%Sn-90Pb

C:35%Sn-65%Pb

D:90%Pb-10%Sn

答案:D陶瓷熔封雙列直插式封裝結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，其三個(gè)基本零部件為（）。

A:陶瓷框架

B:封裝蓋板

C:粘接底座

D:鍵合引線

答案:BCD第五章測(cè)試凸點(diǎn)無(wú)法通過(guò)電鍍的方法獲得。（）

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:BMicroBGA和QFN形成引出端的通用方法是蝕刻法。（）

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:B以下封裝方式擁有最高封裝密度的是（）。

A:倒裝焊

B:熱壓鍵合

C:引線鍵合

D:載帶自動(dòng)焊

答案:A芯片尺寸封裝的封裝面積與裸芯片面積的比例為（）。

A:1.1:1

B:1.3:1

C:1:1

D:1.2:1

答案:A多芯片組件封裝的基板材料可以為（）。

A:玻璃

B:金屬

C:高分子材料

D:陶瓷

答案:BCD第六章測(cè)試制造性能主要包括螺旋流動(dòng)長(zhǎng)度、滲透和填充、凝膠時(shí)間、聚合速率、熱硬化以及后固化時(shí)間和溫度。（）

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:B封裝材料的化學(xué)性能包括反應(yīng)化學(xué)元素或涉及化學(xué)反應(yīng)的性能，包括離子雜質(zhì)、離子擴(kuò)散和易燃性。（）

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:A潮氣滲透可用以下哪種方法測(cè)定（）。

A:稱重池

B:隔離池

C:吸收因子

D:膨脹系數(shù)

答案:A材料的體積、面積或長(zhǎng)度隨溫度的變化而變化，這是材料的（）。

A:熱膨脹系數(shù)

B:熱失配系數(shù)

C:熱應(yīng)力系數(shù)

D:熱應(yīng)變系數(shù)

答案:A液態(tài)聚合物樹脂轉(zhuǎn)變?yōu)槟z并最終變硬的過(guò)程是材料的（）。

A:后固化

B:固化

C:變硬

D:凝結(jié)

答案:BC第七章測(cè)試四邊扁平封裝最容易引發(fā)爆米花效應(yīng)。（）

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:B集成電路芯片的失效可發(fā)生在芯片的任何部位。（）

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:A下列封裝形式，最容易發(fā)生底座偏移的為（）。

A:薄型小尺寸封裝

B:球柵陣列封裝

C:單列直插式封裝

D:雙列直插式封裝

答案:A引起芯片翹曲的原因，是由于施加到元器件上的力（）。

A:過(guò)小

B:消失

C:不平衡

D:過(guò)大

答案:C芯片發(fā)生失效的機(jī)理包括（）。

A:疲勞

B:磨損

C:過(guò)壓力

D:過(guò)應(yīng)力

答案:BD第八章測(cè)試在微電子器件的失效分析中，盡量不使用破壞性失效分析技術(shù)。（）

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:A阻抗和連接性都屬于電學(xué)測(cè)試的內(nèi)容。（）

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:B要觀察半導(dǎo)體器件上的針眼和小孔、鈍化層裂縫等缺陷，應(yīng)使用（）。

A:掃描電子顯微鏡

B:光學(xué)顯微鏡

C:透射電子顯微鏡

D:原子力顯微鏡

答案:A以下電子產(chǎn)品的測(cè)試方法，屬于破壞性測(cè)試的為（）。

A:選擇性剝層

B:透射電鏡掃描

C:X射線檢測(cè)

D:紅外光譜分析

答案:A集成電路的電學(xué)測(cè)試包括功能測(cè)試和參數(shù)測(cè)試，以下屬于電學(xué)測(cè)試的為（）。

A:電流

B:電場(chǎng)強(qiáng)度

C:電壓

D:阻抗

答案:ABCD第九章測(cè)試產(chǎn)品鑒定用于評(píng)價(jià)電子封裝的原型。（）

A:對(duì)

B:錯(cuò)

答案:A早期失效主要由電子產(chǎn)品制造和組裝過(guò)程中的缺陷和瑕疵造成。（）

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:B溫度循環(huán)試驗(yàn)是在溫度均值上應(yīng)用一定幅值的溫度變化，溫度變化的速率是（）。

A:快速的

B:可變的

C:與溫度沒有關(guān)系

D:固定的

答案:B壽命周期載荷可分為工作載荷和（）。

A:應(yīng)力載荷

B:性能載荷

C:環(huán)境載荷

D:溫度載荷

答案:C鑒定加速試驗(yàn)中，溫度相關(guān)的試驗(yàn)包括（）。

A:恒溫試驗(yàn)

B:功率溫度組合循環(huán)試驗(yàn)

C:溫度循環(huán)試驗(yàn)

D:熱沖擊試驗(yàn)

答案:BCD第十一章測(cè)試按照膜厚的經(jīng)典分類，認(rèn)為小于1μm的為薄膜，大于1μm的為厚膜。（）

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:B印刷是厚膜漿料在基板上成膜的基本技術(shù)之一，厚膜中最常用的印刷是絲網(wǎng)印刷。（）

A:錯(cuò)

B:對(duì)

答案:B典型的薄膜生長(zhǎng)工藝一般采用物理氣相淀積法進(jìn)行，以下不屬于物理氣相淀積工藝的為（）。

A