光刻技術(shù)簡介

光刻技術(shù)簡介及其應(yīng)用舉例光刻的原理概述光刻膠-光致抗蝕劑光刻的一般流程光刻技術(shù)應(yīng)用舉例講解內(nèi)容光刻技術(shù)簡介利用光致抗蝕劑(或稱光刻膠)感光后因光化學(xué)反應(yīng)而形成耐蝕性的特點(diǎn)，將掩模板上的圖形刻制到被加工表面上。

利用照相復(fù)制與化學(xué)腐蝕相結(jié)合的技術(shù)，在工件表面制取精密、微細(xì)和復(fù)雜薄層圖形的化學(xué)加工方法。多用于半導(dǎo)體器件與集成電路的制作。光刻：原理：光刻的原理簡介光刻膠光刻膠：也稱為光致抗蝕劑，它是由感光樹脂、增感劑和溶劑三部分組成的對(duì)光敏感的混合液體。光刻膠主要用來將光刻掩模板上的圖形轉(zhuǎn)移到元件上。根據(jù)光刻膠的化學(xué)反應(yīng)機(jī)理和顯影原理，可將其分為正性膠和負(fù)性膠。光刻膠負(fù)膠在光刻工藝上應(yīng)用最早，其工藝成本低，產(chǎn)量高，但由于它吸收顯影液后會(huì)膨脹，導(dǎo)致其分辨率不如正膠，因此對(duì)于亞微米甚至更小尺寸加工技術(shù)，主要使用正膠作為光刻膠。光刻的一般流程1底膜處理2涂膠3前烘4曝光5顯影6堅(jiān)模7刻蝕8去膠底膜處理

底膜處理是光刻工藝的第一步，其主要目的是對(duì)底膜表面進(jìn)行處理，以增強(qiáng)其與光刻膠之間的粘附性。步驟：1清洗2烘干3增粘處理涂膠增粘層光刻膠膜底膜涂膠進(jìn)行底模處理后，便可進(jìn)行涂膠，即在底模上涂一層粘附良好厚度適當(dāng)，均勻的光刻膠。一般采用旋轉(zhuǎn)法進(jìn)行涂膠，其原理是利用底模轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)產(chǎn)生的離心力，將滴于模上的膠液甩開。在光刻膠表面張力和旋轉(zhuǎn)離心力的共同作用下，最終形成光刻膠膜。前烘前烘，又稱軟烘，就是在一定的溫度下，使光刻膠膜里面的溶劑緩慢的、充分的逸出來，使光刻膠膜干燥。曝光掩模板光刻膠膜增粘層底膜曝光光源曝光就是對(duì)涂有光刻膠的基片進(jìn)行選擇性的光化學(xué)反應(yīng)，使接受到光照的光刻膠的光學(xué)特性發(fā)生改變。曝光光源選擇光源的波長對(duì)光刻膠的感光性有很大影響，每種光刻膠都有自己的吸收峰和吸收范圍，它只對(duì)波長在吸收范圍內(nèi)的光才比較敏感，因此選擇的曝光光源必須要滿足光刻膠的感光特性。顯影與堅(jiān)膜顯影就是用顯影液溶解掉不需要的光刻膠，將光刻掩模板上的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上。顯影液的選擇原則是：對(duì)需要去除的那部分光刻膠膜溶解的快，溶解度大；對(duì)需要保留的那部分光刻膠膜溶解度極小。堅(jiān)膜也是一個(gè)熱處理步驟。堅(jiān)膜的目的就是使殘留的光刻膠溶劑全部揮發(fā)，提高光刻膠與襯底之間的粘附性以及光刻膠的抗腐蝕能力?？涛g刻蝕就是將涂膠前所沉積的薄膜中沒有被光刻膠覆蓋和保護(hù)的那部分去除掉，達(dá)到將光刻膠上的圖形轉(zhuǎn)移到其下層材料上的目的?？涛g刻蝕-濕法刻蝕濕法刻蝕是將刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù)。特點(diǎn)：

1：具有優(yōu)良的選擇性。

2：各向同性腐蝕刻蝕-干法刻蝕干法刻蝕是用等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù)。特點(diǎn)：分辨率高，各向異性強(qiáng)。干法刻蝕又分為物理性刻蝕（濺射刻蝕）、化學(xué)性刻蝕和物理化學(xué)性刻蝕。例如：反應(yīng)離子刻蝕-RIE。去膠去膠當(dāng)刻蝕完成后，光刻膠膜已經(jīng)不再有用，需要將其徹底去除，完成這一過程的工序就是去膠。此外刻蝕過程中殘留的各種試劑也要清除掉。去膠結(jié)束，整個(gè)光刻流程也就結(jié)束了。光刻技術(shù)在PVDF壓電薄膜電極制作中的應(yīng)用聚偏二氟乙烯（PVDF）是一種高結(jié)晶度的含氟聚合物,屬于一種堅(jiān)韌的熱塑性工程材料。PVDF壓電薄膜是經(jīng)過高壓電場極化從而具有壓電效應(yīng)的薄膜。PVDF壓電薄膜的優(yōu)點(diǎn)：壓電電壓常數(shù)高、聲阻抗小、頻率響應(yīng)寬、介電常數(shù)小、耐沖擊性強(qiáng)、可以加工成任意形狀等。

1：PVDF壓電薄膜兩側(cè)的電極層的尺寸大小和形狀與薄膜不匹配。2：未經(jīng)過處理的壓電薄膜在電極兩側(cè)加上電壓時(shí)，會(huì)產(chǎn)生放電現(xiàn)象。光刻技術(shù)在PVDF壓電薄膜電極制作中的應(yīng)用傳統(tǒng)方法制作電極的缺陷：PVDF壓電薄膜被廣泛的應(yīng)用于超聲領(lǐng)域。本例中選擇了厚度為9微米的PVDF壓電薄膜作為超聲敏感元件。光刻技術(shù)在PVDF壓電薄膜電極制作中的應(yīng)用設(shè)計(jì)要制作的電極的形狀與尺寸第一步：光刻技術(shù)在PVDF壓電薄膜電極制作中的應(yīng)用對(duì)PVDF壓電薄膜進(jìn)行清洗處理。采用有機(jī)溶劑丙酮。第二步：第三步：涂膠。選用正性光刻膠，采用手工操作涂到需要保護(hù)的電極層上。第三步：前烘與曝光。第四步：腐蝕。采用濕法刻蝕方法。選取碘和碘化鉀的水溶液（質(zhì)量比為1:4:40）作為金的腐蝕溶劑，體積分?jǐn)?shù)為40%的氫氟酸作為鉻層的腐蝕溶劑。第五步：去膠。需要將起保護(hù)作用的正性膠去掉，采用乙醇做去膠溶劑。光