化學(xué)機(jī)械拋光工藝

化學(xué)機(jī)械拋光工藝（CMP）（總11

頁(yè)）-本頁(yè)僅作為文檔封面，使用時(shí)請(qǐng)直接刪除即可--內(nèi)頁(yè)可以根據(jù)需求調(diào)整合適字體及大小-#以平均顆粒尺寸為變量測(cè)平均磨除速率，得到結(jié)果曲線圖13，并與公式模型所得曲線比較，可以看出，公式模型與試驗(yàn)結(jié)果相吻合，從D13到D61,磨除速率上升，到D118稍有下降，說(shuō)明有一個(gè)最適尺寸。以顆粒質(zhì)量百分比為變量測(cè)平均磨除速率，得到結(jié)果曲線圖14，并與公式模型所得曲線比較，可以看出，公式模型與試驗(yàn)結(jié)果相吻合，從5亞1%到％，MRR一直增加，說(shuō)明活性顆粒數(shù)量與磨除速率成正比。卻M制0a卻M制0a勃如飄331211-EErlusmeriAoUKklfl-Jnl2澗M005D332-211-=3」.raA口EaJa-JQ.BW400 -50 。 50 1M MOO -? 0 SO 1QODistancefromwafercenter(mm) Dlstnnccfromwaferconter(mm)圖15.不同顆粒直徑下試驗(yàn)與模型MRR分布圖16.不同顆粒密度下實(shí)驗(yàn)與模型MRR分布圖15和圖16表明，試驗(yàn)結(jié)果符合模型假設(shè)，驗(yàn)證了模型的正確性。結(jié)論基于接觸力學(xué)，本文提供了一個(gè)SiO2的CMP模型，其中考慮了磨粒尺寸，濃度，分布，研磨液流速，拋光勢(shì)地形，材料性能。經(jīng)過(guò)試驗(yàn)，得到的實(shí)驗(yàn)結(jié)果與模型比較吻合。MRR模型可用于CMP模擬，CMP過(guò)程參數(shù)最佳化以及下一代CMP設(shè)備的研發(fā)。.學(xué)習(xí)體會(huì)在本學(xué)期的VLSI制造技術(shù)的課程學(xué)習(xí)中，我收獲很多。首先，因?yàn)樯险n人數(shù)少，獲得了兩次講報(bào)告的機(jī)會(huì)，使我閱讀文獻(xiàn)的能力得到很大提升，也鍛煉了作報(bào)告能力，同時(shí)學(xué)到很多新知識(shí)，其次，在聽(tīng)其他同學(xué)報(bào)告時(shí)，也了解了很多各方面知識(shí)，最后，通過(guò)金老師對(duì)第一次報(bào)告的點(diǎn)評(píng)，我在第二次報(bào)告中改正了很多第一次中的不足，報(bào)告能力再次得到提升，同時(shí)，金老師淵博的專業(yè)知識(shí)以及對(duì)每次上臺(tái)作報(bào)告同學(xué)的點(diǎn)評(píng)，都使我獲益匪淺。參考文獻(xiàn)：[1]劉玉嶺檀柏梅張楷亮.超大規(guī)模集成電路襯底材料性能及加工測(cè)試工程[M].北京：冶金工業(yè)出版社,2002.LeeHS,JeongHD.Chemicalandmechanicalbalanceinpolishingofelectronicmaterialsfordefect-freesurfaces.CIRPAnnals-ManufacturingTechnology2009;58:485-90.ZantyePB,KumarA,SikdermechanicalplanarizationformicroelectronicsScienceandEngineeringR2004;45:89-220.SteigerwaldJM,ShyamP,GutmannM,GutmannRJ.Chemicalmechanicalplanarizationofmicroelectronicmaterials.NewYork:Wiley;1997.LeeH,JooS,JeongH.Mechanicaleffectofcolloidalsilicaincopperchemicalmechanicalplanarization.JournalofMaterialsProcessingTechnology2009;209:6134-9.Larsen-BasseJ,LiangH.Probableroleofabrasioninchemo-mechanicalpolishingoftungsten.Wear1999;233-235:647-54.CookLM.Chemicalprocessinglasspolishing.JournalofNon-CrystallineSolids1990;120:152-71.TomozawaM.OxideCMPmechanisms.SolidStateTechnology1997;40:39-ShouhongTang,高仰月譯.用白光干涉測(cè)量法描述化學(xué)機(jī)械拋光面J]電子工業(yè)專用設(shè)備,2006,141,19-23.[10]雷紅,CMP后清洗技術(shù)的研究進(jìn)展J].上海大學(xué)納米科學(xué)與技術(shù)研究中心,2008;200444.NogamiM,TomozawaM.EffectofstressonwaterdiffusioninsilicaoftheAmericanCeramicSociety1984;67:151-4.PrestonFW.Thetheoryanddesignofplateglasspolishingmachine.JournaloftheSocietyofGlassTechnology1927;11:214-56.materialremovalratedistributionmodelforSiO2chemicalmechanicalpolishing(CMP)[J].processesPrecision.(2013);483-490.GreenwoodJA,Williamsonofnominallyflatsurfaces.ProceedingsoftheRoyalSocietyA1966;95:300-19.JohnsonKL.Contactmechanics.Cambridge:CambridgeUniversityPress;1985.ZhaoY,ChangL.Amicro-contactandwearmodelforchemical-mechanicalpolishingofsiliconwafers.Wear2002;252:220-6.LeeH,JeongH.Aw