光通信技術第三

關于光通信技術第三第一頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日第3章通信用光器

3.1光源（理解）

3.1.1半導體激光器工作原理和基本結構

3.1.2半導體激光器的主要特性

3.1.3分布反饋激光器

3.1.4發(fā)光二極管

3.1.5半導體光源一般性能和應用

3.2光檢測器

（理解）

3.2.1光電二極管工作原理

3.2.2PIN光電二極管

3.2.3雪崩光電二極管(APD)

3.2.4光電二極管一般性能和應用3.3光無源器件（了解）

3.3.1連接器和接頭

3.3.2光耦合器

3.3.3光隔離器與光環(huán)行器

3.3.4光調(diào)制器

3.3.5光開關第二頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日3.1光源

光源是光發(fā)射機的關鍵器件，其功能是把電信號轉換為光信號。目前光纖通信廣泛使用的光源主要有半導體激光二極管或稱激光器(LD)和發(fā)光二極管或稱發(fā)光管(LED)，有些場合也使用固體激光器。本節(jié)首先介紹半導體激光器(LD)的工作原理、基本結構和主要特性，然后進一步介紹性能更優(yōu)良的分布反饋激光器(DFB-LD)，最后介紹可靠性高、壽命長和價格便宜的發(fā)光管(LED)。第三頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日

3.1.1半導體激光器工作原理和基本結構

半導體激光器是向半導體PN結注入電流，實現(xiàn)粒子數(shù)反轉分布，產(chǎn)生受激輻射，再利用諧振腔的正反饋，實現(xiàn)光放大而產(chǎn)生激光振蕩的。第四頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日受激輻射和粒子數(shù)反轉分布

有源器件的物理基礎是光和物質(zhì)相互作用的效應。在物質(zhì)的原子中，存在許多能級，最低能級E1稱為基態(tài)，能量比基態(tài)大的能級Ei(i=2,3,4…)稱為激發(fā)態(tài)。電子在低能級E1的基態(tài)和高能級E2的激發(fā)態(tài)之間的躍遷有三種基本方式：受激吸收自發(fā)輻射受激輻射第五頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日

(1)受激吸收

在正常狀態(tài)下，電子處于低能級E1，在入射光作用下，它會吸收光子的能量躍遷到高能級E2上，這種躍遷稱為受激吸收。電子躍遷后，在低能級留下相同數(shù)目的空穴，見圖3.1(a)。(2)自發(fā)輻射在高能級E2的電子是不穩(wěn)定的，即使沒有外界的作用，也會自動地躍遷到低能級E1上與空穴復合，釋放的能量轉換為光子輻射出去，這種躍遷稱為自發(fā)輻射，見圖3.1(b)。

(3)受激輻射在高能級E2的電子，受到入射光的作用，被迫躍遷到低能級E1上與空穴復合，釋放的能量產(chǎn)生光輻射，這種躍遷稱為受激輻射，見圖3.1(c)。第六頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日（激活物質(zhì)置于）（中對光的頻率和方向進行選擇）

3.激光振蕩和光學諧振腔激光振蕩的產(chǎn)生：

粒子數(shù)反轉分布

+光學諧振腔

=

連續(xù)的光放大和激光振蕩輸出第七頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日

圖3.4激光器的構成和工作原理(a)激光振蕩；(b)光反饋第八頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日

4.半導體激光器基本結構

半導體激光器的結構多種多樣，基本結構是圖3.5示出的雙異質(zhì)結(DH)平面條形結構。

這種結構由三層不同類型半導體材料構成，不同材料發(fā)射不同的光波長。圖中標出所用材料和近似尺寸。結構中間有一層厚0.1~0.3μm的窄帶隙P型半導體，稱為有源層；兩側分別為寬帶隙的P型和N型半導體，稱為限制層。三層半導體置于基片(襯底)上，前后兩個晶體解理面作為反射鏡構成法布里-珀羅(FP)諧振腔。

第九頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日第十頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日

3.1.2半導體激光器的主要特性

1.發(fā)射波長和光譜特性

半導體激光器的發(fā)射波長等于禁帶寬度Eg(eV)，由式(3.1)得到hf=Eg(3.6)不同半導體材料有不同的禁帶寬度Eg，因而有不同的發(fā)射波長λ。鎵鋁砷-鎵砷(GaAlAs-GaAs)材料適用于0.85μm波段銦鎵砷磷-銦磷(InGaAsP-InP)材料適用于1.3~1.55μm波段式中，f=c/λ，f(Hz)和λ(μm)分別為發(fā)射光的頻率和波長，c=3×108m/s為光速，h=6.628×10-34J·S為普朗克常數(shù)，1eV=1.6×10-19J，代入上式得到第十一頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日

圖3.7是GaAlAs-DH激光器的光譜特性。

圖3.7GaAlAs-DH激光器的光譜特性(a)直流驅動;(b)300Mb/s數(shù)字調(diào)制0799800801802Im/mA40353025I=100mAPo=10mWI=85mAPo=6mWI=80mAPo=4mWI=75mAPo=2.3mWL=250μmW=12μmT=300K830828832830828832830828826832830828826824836834832830828826824822820(a)(b)第十二頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日

2.激光束的空間分布

圖3.8GaAlAs-DH條形激光器的近場和遠場圖樣

第十三頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日3.轉換效率和輸出光功率特性

激光器的電/光轉換效率用外微分量子效率ηd表示，其定義是在閾值電流以上，每對復合載流子產(chǎn)生的光子數(shù)(3.7a)由此得到(3.7b)式中，P和I分別為激光器的輸出光功率和驅動電流，Pth和Ith分別為相應的閾值，hf和e分別為光子能量和電子電荷。

第十四頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日圖3.10是典型激光器的光功率特性曲線。當I<Ith時激光器發(fā)出的是自發(fā)輻射光；當I>Ith時，發(fā)出的是受激輻射光，光功率隨驅動電流的增加而增加。

圖3.10典型半導體激光器的光功率特性(a)短波長AlGaAs/GaAs(b)長波長InGaAsP/InP第十五頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日4.頻率特性

在直接光強調(diào)制下，激光器輸出光功率P和調(diào)制頻率f

的關系為

P(f)=(3.8a)(3.8b)式中，和ξ分別稱為弛豫頻率和阻尼因子，Ith和I0分別為閾值電流和偏置電流；I′是零增益電流，高摻雜濃度的LD，I′=0，低摻雜濃度的LD,I′=(0.7~0.8)Ith；τsp為有源區(qū)內(nèi)的電子壽命，τph為諧振腔內(nèi)的光子壽命。第十六頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日圖3.11半導體激光器的直接調(diào)制頻率特性

圖3.11示出半導體激光器的直接調(diào)制頻率特性。弛豫頻率fr

是調(diào)制頻率的上限，一般激光器的fr為1~2GHz。在接近fr處，數(shù)字調(diào)制要產(chǎn)生弛豫振蕩，模擬調(diào)制要產(chǎn)生非線性失真。第十七頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日

5.溫度特性

圖3.12P-I曲線隨溫度的變化第十八頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日

3.1.3分布反饋激光器

分布反饋(DFB)激光器用靠近有源層沿長度方向制作的周期性結構(波紋狀)衍射光柵實現(xiàn)光反饋。這種衍射光柵的折射率周期性變化，使光沿有源層分布式反饋。圖3.13分布反饋(DFB)激光器(a)結構；(b)光反饋第十九頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日

如圖3.13所示，由有源層發(fā)射的光，一部分在光柵波紋峰反射(如光線a)，另一部分繼續(xù)向前傳播，在鄰近的光柵波紋峰反射(如光線b)。

光柵周期Λ=m(3.10)

ne為材料有效折射率，λB為布喇格波長，m為衍射級數(shù)。在普通光柵的DFB激光器中，發(fā)生激光振蕩的有兩個閾值最低、增益相同的縱模，其波長為(3.11)第二十頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日

DFB激光器與F-P激光器相比，具有以下優(yōu)點：①單縱模激光器②譜線窄，波長穩(wěn)定性好③動態(tài)譜線好④線性好第二十一頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日

3.1.4發(fā)光二極管LD和LED的區(qū)別

LD發(fā)射的是受激輻射光LED發(fā)射的是自發(fā)輻射光LED的結構和LD相似，大多是采用雙異質(zhì)結(DH)芯片，把有源層夾在P型和N型限制層中間，不同的是LED不需要光學諧振腔，沒有閾值。第二十二頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日

圖3.14兩類發(fā)光二極管(LED)(a)正面發(fā)光型；(b)側面發(fā)光型發(fā)光二極管的類型：正面發(fā)光型LED和側面發(fā)光型LED

第二十三頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日發(fā)光二極管的特點：

輸出光功率較??；譜線寬度較寬；調(diào)制頻率較低；性能穩(wěn)定，壽命長；輸出光功率線性范圍寬；制造工藝簡單，價格低廉；適用于小容量短距離系統(tǒng)發(fā)光二極管的主要工作特性：(1)光譜特性。發(fā)光二極管發(fā)射的是自發(fā)輻射光，沒有諧振腔對波長的選擇，譜線較寬，如圖3.15。第二十四頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日圖3.15LED光譜特性第二十五頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日

(2)光束的空間分布。在垂直于發(fā)光平面上，正面發(fā)光型LED輻射圖呈朗伯分布，即P(θ)=P0cosθ，半功率點輻射角θ≈120°。

側面發(fā)光型LED，θ‖≈120°，θ⊥≈25°~35°。由于θ大，LED與光纖的耦合效率一般小于10%。(3)輸出光功率特性。發(fā)光二極管實際輸出的光子數(shù)遠遠小于有源區(qū)產(chǎn)生的光子數(shù)，一般外微分量子效率ηd小于10%。兩種類型發(fā)光二極管的輸出光功率特性示于圖3.16。

驅動電流I較小時，P-I曲線的線性較好；I過大時，由于PN結發(fā)熱產(chǎn)生飽和現(xiàn)象，使P-I曲線的斜率減小。第二十六頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日LED的P__I特性曲線原理：由正向偏置電壓產(chǎn)生的注入電流進行自發(fā)輻射而發(fā)光43210501001500℃25℃70℃電流/mA輸出功率/mW第二十七頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日(4)頻率特性。發(fā)光二極管的頻率響應可以表示為|H(f)|=(3.12)

圖3.17示出發(fā)光二極管的頻率響應，圖中顯示出少數(shù)載流子的壽命τe和截止頻率fc

的關系。對有源區(qū)為低摻雜濃度的LED，適當增加工作電流可以縮短載流子壽命，提高截止頻率。

式中，f為調(diào)制頻率，P(f)為對應于調(diào)制頻率f的輸出光功率，τe為少數(shù)載流子(電子)的壽命。定義fc為發(fā)光二極管的截止頻率，當f=fc=1/(2πτe)時，|H(fc)|=，最高調(diào)制頻率應低于截止頻率。第二十八頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日圖3.17發(fā)光二極管(LED)的頻率響應第二十九頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日

3.1.5半導體光源一般性能和應用半導體光源的一般性能表：3.1和表3.2列出半導體激光器(LD)和發(fā)光二極管(LED)的一般性能。

LED通常和多模光纖耦合，用于1.3μm(或0.85μm)波長的小容量短距離系統(tǒng)。因為LED發(fā)光面積和光束輻射角較大，而多模SIF光纖或G.651規(guī)范的多模GIF光纖具有較大的芯徑和數(shù)值孔徑，有利于提高耦合效率，增加入纖功率。LD通常和G.652或G.653規(guī)范的單模光纖耦合，用于1.3μm或1.55μm大容量長距離系統(tǒng)。

分布反饋激光器(DFB-LD)主要和G.653或G.654規(guī)范的單模光纖或特殊設計的單模光纖耦合，用于超大容量的新型光纖系統(tǒng)。第三十頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日表3.1半導體激光器(LD)和發(fā)光二極管(LED)的一般性能-20×50-20×50-20×50-20×50工作溫度/°C壽命t/h30×12030×12020×5020×50輻射角50~15030~100500~2000500~1000調(diào)制帶寬B/MHz0.1~0.30.1~0.21~31~3入纖功率P/mW1~51~35~105~10輸出功率P/mW100~150100~150工作電流I/mA20~3030~60閥值電流Ith/mA50~10060~1201~21~3譜線寬度1.31.551.31.55工作波長LEDLD第三十一頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日表3.2分布反饋激光器(DFB-LD)一般性能20~4015~30輸出功率P/mW(連續(xù)單縱模,25oC)2015外量子效率/%15~2020~30閥值電流Ith/mA<0.08頻譜漂移/(nm/oC)30~35邊模抑制比/dB0.04~0.5(Gb/s,RZ)直接調(diào)制單縱模連續(xù)波單縱模譜線寬度1.31.55工作波長第三十二頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日光源組件實例第三十三頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日3.2光檢測器

3.2.1光電二極管工作原理

3.2.2PIN光電二極管

一、工作原理和結構

二、PIN光電二極管主要特性

(1)量子效率和光譜特性

(2)響應時間和頻率特性

(3)噪聲

3.2.3雪崩光電二極管(APD)

一、工作原理和結構

二、APD特性參數(shù)

3.2.4光電二極管一般性能和應用第三十四頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日3.2光檢測器

在耗盡層形成漂移電流。內(nèi)部電場的作用，電子向N區(qū)運動，空穴向P區(qū)運動3.2.1光電二極管工作原理

光電二極管(PD)把光信號轉換為電信號的功能，是由半導體PN結的光電效應實現(xiàn)的。電子和空穴的擴散運動PN結界面內(nèi)部電場漂移運動能帶傾斜如果光子的能量大于或等于帶隙(hf≥Eg)當入射光作用在PN結時發(fā)生受激吸收第三十五頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日

3.2.2PIN光電二極管

PIN光電二極管的產(chǎn)生

由于PN結耗盡層只有幾微米，大部分入射光被中性區(qū)吸收，因而光電轉換效率低，響應速度慢。為改善器件的特性，在PN結中間設置一層摻雜濃度很低的本征半導體(稱為I)，這種結構便是常用的PIN光電二極管。第三十六頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日

3.2.3雪崩光電二極管(APD)光電二極管輸出電流

I和反偏壓U的關系示于圖3.24。隨著反向偏壓的增加，開始光電流基本保持不變。當反向偏壓增加到一定數(shù)值時，光電流急劇增加，最后器件被擊穿，這個電壓稱為擊穿電壓UB。

APD就是根據(jù)這種特性設計的器件。根據(jù)光電效應，當光入射到PN結時，光子被吸收而產(chǎn)生電子-空穴對。

第三十七頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日如果電壓增加到使電場達到200kV/cm以上，初始電子(一次電子)在高電場區(qū)獲得足夠能量而加速運動。高速運動的電子和晶格原子相碰撞，使晶格原子電離，產(chǎn)生新的電子-空穴對。新產(chǎn)生的二次電子再次和原子碰撞。如此多次碰撞，產(chǎn)生連鎖反應，致使載流子雪崩式倍增，見圖3.25。

所以這種器件就稱為雪崩光電二極管(APD)。第三十八頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日圖3.25APD載流子雪崩式倍增示意圖(只畫出電子）第三十九頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日

3.2.4光電二極管一般性能和應用表3.3和表3.4列出半導體光電二極管(PIN和APD)的一般性能。

APD是有增益的光電二極管，在光接收機靈敏度要求較高的場合，采用APD有利于延長系統(tǒng)的傳輸距離。

靈敏度要求不高的場合，一般采用PIN-PD。第四十頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日-5~-15-5~-15工作電壓/V1~20.5~1結電容Cj/pF0.2~12~10響應時間2~50.1~1暗電流Id/nA0.6(1.3)0.4(0.85)響應度1.0~1.60.4~1.0波長響應InGaAs-PINSi-PIN表3.3PIN光電二極管一般特性第四十一頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日0.5~0.70.3~0.4附加噪聲指數(shù)x20~3030~100倍增因子g40~6050~100工作電壓/V<0.51~2結電容Cj/pF0.1~0.30.2~0.5響應時間10~200.1~1暗電流Id/nA05~0.70.5響應度1~1.650.4~1.0波長響應InGaAs-APDSi-APD表3.4雪崩光電二極管（APD）一般性能第四十二頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日3.3光無源器件

3.3.1連接器和接頭

3.3.2光耦合器

一、耦合器類型

二、基本結構

三、主要特性

3.3.3光隔離器與光環(huán)行器

3.3.4光調(diào)制器

3.3.5光開關第四十三頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日3.3光無源器件

無源光器件的要求：插入損耗小、反射損耗大、工作溫度范圍寬、性能穩(wěn)定、壽命長、體積小、價格便宜、便于集成等。第四十四頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日

3.3.1連接器和接頭

連接器是實現(xiàn)光纖與光纖之間可拆卸(活動)連接的器件，主要用于光纖線路與光發(fā)射機輸出或光接收機輸入之間，或光纖線路與其他光無源器件之間的連接。

表3.5光纖連接器一般性能40~50PC型陶瓷-40~+80陶瓷-20~+70不銹鋼工作溫度/oC不銹鋼壽命（插拔次數(shù)）35~40FC型反射損耗/dB互換性/dB重復性/dB0.2~0.3插入損耗/dB性能型號或材料項目第四十五頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日圖3.27精密套管結構連接器簡圖連接器的分類：

單纖(芯)連接器和多纖(芯)連接器。第四十六頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日

3.3.2光耦合器耦合器的功能是把一個輸入的光信號分配給多個輸出，或把多個輸入的光信號組合成一個輸出。

1.耦合器類型

T形耦合器星形耦合器定向耦合器波分復用器/解復用器第四十七頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日圖3.28常用耦合器的類型

T形(a)……星形(b)定向(c)2314…l1l2lNl1＋l2＋lN(d)波分第四十八頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日2.基本結構的分類

光纖型微器件型波導型第四十九頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日

圖3.29光纖型耦合器(a)定向耦合器；(b)8×8星形耦合器；(c)由12個2×2耦合器組成的8×8星形耦合器第五十頁，共六十頁，編輯于2023年，星期日

圖3.31微器件型耦合器(a)T形耦合器；(b)定向耦合器；(c)濾光式解復用器；(d)光柵式解復用器微器件型

用自聚焦透鏡和分光片(光部分透射，部分反