材料測試方法重要分析測試總結(jié)

1章X射線的性1、X0.01-10nmX0.05-2、E=hυ=h h為普朗克常數(shù)=6.626×10-343、X射線的產(chǎn)生條件：①產(chǎn)生自由電子②使電子作定向高速運動③在電子運動的路徑上設(shè)置使其突然的物U（數(shù)千伏-數(shù)十千伏。陰極產(chǎn)生的熱電子與陽極碰撞產(chǎn)生X射線。5、連續(xù)X20kV時的曲線是連續(xù)變化的X射線譜管壓越高、陽極靶材的原子序數(shù)越大，X6、特征（標識）X射線：當電壓繼續(xù)升高，大于某個臨界值時，突然在連續(xù)譜的某個波長處出現(xiàn)強度峰，峰窄而。激發(fā)電壓：產(chǎn)生特征（標識）XX7、入射到某物質(zhì)的X射線科分為和吸收兩部分。吸收的方式：漫散射和真于激發(fā)態(tài)的原子釋放能量的方式有熒光輻射（X射線）10濾片元素的原子序均比靶元素的原子序小1- 波長越短，能力越強，表現(xiàn)為吸收系數(shù)的下降。第2 X射線衍射方17個晶系，1423、晶面間距4 n為反射級數(shù)，θ③只有滿足d≥λ/2④應(yīng)用：已知λ，求d；已知d，求λ①勞埃法：采用連續(xù)X②周轉(zhuǎn)晶體法：采用單色X③粉末法：采用單色X第3 X射線衍射強1、單位晶胞對X射線的散射與結(jié)構(gòu)因數(shù)2H、K、LH+K+L=偶數(shù)；面心點陣全奇、全偶時，3④吸收因子：試樣本身對X第4 多晶體的分析方1 第5 X射線物相分22θ，由布拉格方程求出面間距2θ、d、相對強度對照標準物質(zhì)卡片，分析結(jié)果：KJS1：1JSS20％左右，進1-5μ④根據(jù)計算J的百分含第6 宏觀殘余應(yīng)力的測第9 電子光學(xué)基1、光學(xué)顯微鏡的分辨率：成像物體（試樣） b②色差：由于入射電子波長（或能量）45、瑞利10章透射12、透射電子顯微鏡是以波長極短的作為照明源，用電磁透鏡聚焦成像，它由電子光學(xué)系統(tǒng)（、電源與控制系統(tǒng)、真空系統(tǒng)三部分組成。3100~300倍。0~20倍。11章復(fù)型技1、復(fù)型的材料應(yīng)具備的條件12章電子衍1、電子衍射和X①電子波的波長比X射線短得多，在同樣滿足布拉格條件時，它的衍射角θ為偏離布拉格條件的也能發(fā)生衍射。④電子衍射束的強度較大，攝取衍射花樣 時間僅需數(shù)秒鐘3413章晶體薄膜衍襯成像分1、復(fù)型只能對樣品的表面形貌進行，并不能對樣品的內(nèi)部組織結(jié)構(gòu)進行觀2②樣品相對于而言必須有足夠的“④樣品過程中不允許表面產(chǎn)生氧化和腐3、薄膜樣品的過程0.3-0.5mm5614章掃描1、與固體樣品作用時產(chǎn)生的信號②二次電子：在入射作用下被轟擊出來并離開樣品表面的樣品的核外X射線：當樣品原子的內(nèi)層電子被入射電子激發(fā)或電離時，原子就會處于能量較高的激發(fā)狀態(tài)，此時外層電子將向內(nèi)層躍遷以填補內(nèi)層電子的空缺，從而使具有特征能量的X射線釋放出來。元素分析X射線過程中，如果在原子內(nèi)層電X射線的形式發(fā)射出去，而是用23答：二次電子只能從樣品表面層5-10nm深度范圍內(nèi)被入射激發(fā)出來，10nm時，核外電子不能逸出樣品表面，最終只能被