校準(zhǔn)方案應(yīng)用指導(dǎo)

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目前 概 RTC的硬件參考電 RTC固定分頻模式的實(shí) RTC校正功能的實(shí) 業(yè)務(wù)運(yùn)行時(shí)RTC校 單板下電時(shí)RTC自動(dòng)校 RTC驅(qū)動(dòng)使用說(shuō) 準(zhǔn) 編 使 概RTC分RTCRTC計(jì)時(shí)電路，不集成晶體、不集成溫度補(bǔ)償電路。這類集成RTC：將RTC計(jì)時(shí)電路、晶體、溫度補(bǔ)償電路（含溫度傳感器）都集成在一顆RTC的經(jīng)過(guò)分頻后的時(shí)鐘，工作時(shí)分頻比固定不變。這種工作模式下，RTC計(jì)時(shí)精度取決于外接晶體的頻率精度，而且受環(huán)境溫度影響。在非集成RTC這類適用Hi3516ARTC計(jì)時(shí)電路，及溫度補(bǔ)償電路（含溫度傳感器，可校正因溫RTC計(jì)時(shí)時(shí)鐘計(jì)算為：RTC的計(jì)時(shí)時(shí)。=內(nèi)部振蕩電路產(chǎn)生的時(shí)鐘分頻比。 表示：F(Ks(TT)21C)*0T0是拋物線的轉(zhuǎn)折溫度點(diǎn)，一般為255°C1-1中的值為24.94°C（RTC中40C）/255=0.70582關(guān)系請(qǐng)參見(jiàn)《RTC晶體校正參數(shù)生成表》）??

RTC的硬件參考電路capacitance/CLSPEC中的負(fù)載電容一致時(shí)，晶體頻Hi3516A中的晶體振蕩電路針對(duì)CL=12.5pF的晶體設(shè)計(jì)，且在32.768K晶體市場(chǎng)中，CL=12.5pF的晶體為市場(chǎng)主流，請(qǐng)選用此規(guī)格晶體。如果想選用其他規(guī)格的晶體，需要按照影響RTC精度的因素選擇匹配電容。 /Rs/ESR：大，表示晶體越難以驅(qū)動(dòng)。晶體規(guī)格中會(huì)Rs的典型值與最大值。電壓幅度大于或等于850mV，請(qǐng)選用滿足此規(guī)格的晶體。Level/DLHi3516A晶體振蕩電路內(nèi)部限制了RTC_XIN與RTC_XOUT管腳振蕩的振蕩幅度，可以通過(guò)以下估計(jì)電路工作時(shí)的實(shí)際DriveLevel，并確定此值小于晶體規(guī)格中規(guī)定的最大DriveLevel。?Rs_max為晶體規(guī)格串聯(lián)電阻的最大?f?VppXINRTC_XINpeaktopeak?CL Pierce振蕩器中，一般將CL1與CL2取相同的值，可以通過(guò)以下來(lái)確定CL1CL_SPEC為晶體規(guī)格書中規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)負(fù)載電容，3~5pFPCB板可能引入12.5pF的晶體為例，CL1CL212.5pF*2-3pF=22pF。因CL1來(lái)獲得最接近32.768K的輸出頻率。 固定分頻模式的實(shí)現(xiàn)RTC在固定分頻模式下不進(jìn)行溫度補(bǔ)償。RTC的時(shí)鐘直接采用外部晶體與振蕩電路產(chǎn)頻的分頻系數(shù)可以調(diào)整。本方案與非集成RTC具有類似精度。為：0x81b。0x81b的十進(jìn)制為2075，分頻系數(shù)=327+（2075/3052）小數(shù)分頻的分頻系數(shù)可以微調(diào)是為了使分頻后的時(shí)鐘更加接近100Hz，這樣RTC的精度振的輸出頻率為32767.00Hz，若使用默認(rèn)分頻系數(shù)327.68，則分頻后的時(shí)鐘是RTC校正功能的實(shí)現(xiàn)1.獲取晶體溫度-T0。只測(cè)量室溫下的晶體頻率輸出值并記錄晶振所處環(huán)境溫度，可以直接使Linux系統(tǒng)，配置VI_ADC_CLKRTC測(cè)試時(shí)鐘輸出（0x200F_0000=03b’110）；配置RTC_CLK寄存器為輸出晶體的振蕩時(shí)鐘使用多點(diǎn)測(cè)量法，測(cè)量并將數(shù)據(jù)記錄到《 晶體校正參數(shù)生成表》點(diǎn)擊《RTC晶體校正參數(shù)生成表》中的生成按鈕，會(huì)自動(dòng)生成使用rtc_temp_lut_tbl.h覆蓋RTC源代 下的同名文件，重新編譯驅(qū)加載新生成的驅(qū)動(dòng)加載成功后，RTC即成功啟動(dòng)；可使用附帶的test程序，進(jìn)行時(shí)間配置等操作3.RTC上電時(shí)，如果使用內(nèi) T-Sensor，建議選擇固定溫度值模式，并選擇合適的溫（根據(jù)實(shí)際環(huán)境溫度定，例如室溫25℃時(shí)，晶體溫度可能會(huì)高出10℃，可配置下電時(shí)，無(wú)需任何操作，RTC會(huì)自動(dòng)切換到內(nèi)部T_sensor----結(jié)束測(cè)量晶體的溫度頻率曲取-20°C80°C下測(cè)量到的頻率值，該方法適合于已知晶體型號(hào)的情況下使用，因?yàn)榇藭r(shí)晶體溫度頻率曲線拋物線系數(shù)二次Ks和拋物線的轉(zhuǎn)折溫度點(diǎn)T0已知，且曲線測(cè)

???RTC頻率測(cè)試復(fù)用管腳(VI_ADC管腳)?使用性好的銅軸線引出測(cè)試信號(hào)，RTC輸出頻率通常會(huì)穩(wěn)定在小數(shù)點(diǎn)的后兩位，例如：32767.97xxHz，xx表示跳動(dòng)小數(shù)位，可以忽略；若達(dá)不到穩(wěn)定器的溫度（即晶體溫度RTC輸出頻率；頻率和溫度構(gòu)成一條二次曲線，配置RTC的溫度頻率RTCLUTn與T0相關(guān)，寄存器TOT_OFFSETC相關(guān)。動(dòng)，這樣在每次啟動(dòng)時(shí)就會(huì)把曲線配置到RTC中。每個(gè)晶體都進(jìn)量，描述出自己特有的曲線進(jìn)行配置。這種方法精度可以達(dá)到對(duì)同一批次中一定數(shù)目的晶體進(jìn)量，對(duì)擬合出的曲線進(jìn)行再擬合，然后所有影響RTC精度的電容與晶體匹配。對(duì)于晶體，晶體手冊(cè)有電容規(guī)格（Loadcapacitance,CL）說(shuō)明，C`+(C0+C1)/2=CL，其中C`為單板走線電容，C0C1為晶體串聯(lián)電容，CL為晶體電容；晶體和電容匹配是保證RTC精度的前提，電容與晶體不匹配帶來(lái)的誤差理論上可以消除，消除后這部分誤差可以認(rèn)為為0。于5ppm，這也是高端RTC的做法。次之的做法是取同一批晶體的一條曲線 ?內(nèi)部T_SENSOR引起的誤差，不同的內(nèi)部T_SENSOR的讀數(shù)可能會(huì)存在差異，差異在5℃左右。?T_sensor實(shí)際測(cè)量的是主溫度，通過(guò)減去一個(gè)估計(jì)偏差值，得到晶體溫度。在正常業(yè)務(wù)場(chǎng)景下，主溫度與晶體溫度偏差不固定，且可能有較大幅度的波動(dòng)，可能會(huì)引入較大的誤差。但在下電放置場(chǎng)景下，主溫度與晶?以實(shí)現(xiàn)校正。溫度更新配置的流程如圖4-1所示。配配置temp_sel（TEMP_SEL[0]）為配置outside_temp為XX(由用戶設(shè)定NT_VALUE并把外部t_sensor溫度碼轉(zhuǎn)換為內(nèi)部t_sensor等待1分配置INT_CLEAR為1，清除中等待溫度傳感 完成中斷產(chǎn)配置CONVER_T為1，啟動(dòng)溫度傳感RTC內(nèi)部寄存器獲取RTC內(nèi)部t_sensor的溫度配置INT_MASK為0，打開溫度傳感 中單板下電時(shí)，RTC電路檢測(cè)到單板下電信號(hào)，自動(dòng)切換到電池供電。使用電池供電寄存器DIE_TEMP，此時(shí)認(rèn)為環(huán)境溫度、溫度相同，RTC內(nèi)部寄存器的值不變，使用的校正曲線與上電時(shí)的校正曲線相同。當(dāng)板子重新上電時(shí)，RTC會(huì)重新恢復(fù)到之

RTC驅(qū)動(dòng)rtc_temp_lut_tbl.h頭文件，用此文件更新RTC

在 cdrtcmaketest

insmodhirtc.ko其中t_second模塊參數(shù)表征溫度的時(shí)間間隔，以秒為單位，驅(qū)動(dòng)默認(rèn)為5s。如不必insmodhi_rtc.ko命令插入ko即可，無(wú)需傳入?yún)?shù)。設(shè)置獲

./test–stime./test–g設(shè)置獲取鬧鐘時(shí)./test–salarm./test–g./test–a、設(shè)置RTC內(nèi)部寄 設(shè)置的RTC更新溫度值等。./test–r./test–w<reg>reg取值，請(qǐng)參見(jiàn)《Hi3516AHDIPCameraSoc用戶指南.pdf》3.10節(jié)實(shí)時(shí)時(shí)鐘復(fù)位RTC

./test溫度補(bǔ)償模式開koko后./test–c./test-f 頻率系數(shù)僅在固定分頻模式下設(shè)置，設(shè)置流程為：關(guān)閉溫度補(bǔ)償，然后設(shè)置分頻系數(shù)（也可以采用默認(rèn)值。設(shè)置溫度方./test–m<mode>表5-1Mode和value012溫度 方式設(shè)置僅在溫度補(bǔ)償模式下設(shè)置。設(shè)置流程為：打開溫度補(bǔ)償，然后設(shè)置溫度方式。